STCF MAPS內(nèi)徑跡探測器的關鍵技術研發(fā)_第1頁
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STCF

MAPS內(nèi)徑跡探測器的關鍵技術研發(fā)2023年4月1日111/6/2024STCF

detector

layoutBaseline

conceptual

design211/6/2024MAPS

ITKBeam

pipe

radium:

30mmThree

layers

of

silicon

pixel

detectors,

with

radii

of

36mm,98mm,160mmAcceptance:

polar

angle

of

20o~160o

Total

area:

1.26m2311/6/2024LayerRadius(mm)Length

(cm)Area

(cm2)13619.78447.4629853.853315.87316087.928838.63指標需求位置分辨好于100μm功耗小于100mW/cm2物質量單層不超過0.3%X/X0時間測量分辨200ns事例（第一階段）能量測量8-bitPreliminary

design,

possible

to

add

more

layers研究目標新一代正負電子對撞機??超級陶粲裝置關鍵技術攻關項目(2023-2025)研制MAPS硅像素探測器芯片單元和讀出電子學系統(tǒng)原型，實現(xiàn)其性能參數(shù)達到預期指標；開展硅像素探測器模塊的設計和優(yōu)化，其性能參數(shù)達到預期指標411/6/2024考核指標研究內(nèi)容預期成果1MAPS硅像素傳感器單元芯片位置分辨率好于100μm；功耗不超過100mW/cm22MAPS硅像素探測器模塊樣機完成一個module樣機和用于內(nèi)桶支撐的完整機械結構樣機，單層物質量不超過0.3%X/X03MAPS硅像素探測器讀出電子學系統(tǒng)實現(xiàn)對前端stave模塊原型的供電、配置和控制以及數(shù)據(jù)匯總和讀出。完成一套讀出電子學系統(tǒng)，包含三個前端讀出電子學模塊，一個數(shù)據(jù)匯總模塊，其中每個前端讀出電子學模塊可對接最多14片MAPS芯片。研究任務像素探測器的物理設計像素探測器芯片的片內(nèi)讀出電子學設計讀出電子學系統(tǒng)的研制像素芯片/電子學的測試與評估探測器模塊樣機和機械、制冷系統(tǒng)的研究511/6/2024參與單位：山東大學像素芯片設計華中師范大學模塊樣機和機械支撐西北工業(yè)大

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