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專題08磁場(chǎng)一、單選題1.(2023·北京·高考)如圖所示,在磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,固定一內(nèi)部真空且內(nèi)壁光滑的圓柱形薄壁絕緣管道,其軸線與磁場(chǎng)垂直。管道橫截面半徑為a,長(zhǎng)度為l()。帶電粒子束持續(xù)以某一速度v沿軸線進(jìn)入管道,粒子在磁場(chǎng)力作用下經(jīng)過(guò)一段圓弧垂直打到管壁上,與管壁發(fā)生彈性碰撞,多次碰撞后從另一端射出,單位時(shí)間進(jìn)入管道的粒子數(shù)為n,粒子電荷量為,不計(jì)粒子的重力、粒子間的相互作用,下列說(shuō)法不正確的是()
A.粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的圓弧半徑為aB.粒子質(zhì)量為C.管道內(nèi)的等效電流為D.粒子束對(duì)管道的平均作用力大小為【答案】C【詳解】A.帶正電的粒子沿軸線射入,然后垂直打到管壁上,可知粒子運(yùn)動(dòng)的圓弧半徑為r=a故A正確,不符合題意;B.根據(jù)可得粒子的質(zhì)量故B正確,不符合題意;C.管道內(nèi)的等效電流為故C錯(cuò)誤,符合題意;D.粒子束對(duì)管道的平均作用力大小等于等效電流受的安培力故D正確,不符合題意。故選C。2.(2022·北京·高考)正電子是電子的反粒子,與電子質(zhì)量相同、帶等量正電荷。在云室中有垂直于紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng),從P點(diǎn)發(fā)出兩個(gè)電子和一個(gè)正電子,三個(gè)粒子運(yùn)動(dòng)軌跡如圖中1、2、3所示。下列說(shuō)法正確的是()A.磁場(chǎng)方向垂直于紙面向里 B.軌跡1對(duì)應(yīng)的粒子運(yùn)動(dòng)速度越來(lái)越大C.軌跡2對(duì)應(yīng)的粒子初速度比軌跡3的大 D.軌跡3對(duì)應(yīng)的粒子是正電子【答案】A【詳解】AD.根據(jù)題圖可知,1和3粒子繞轉(zhuǎn)動(dòng)方向一致,則1和3粒子為電子,2為正電子,電子帶負(fù)電且順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng),根據(jù)左手定則可知磁場(chǎng)方向垂直紙面向里,A正確,D錯(cuò)誤;B.電子在云室中運(yùn)行,洛倫茲力不做功,而粒子受到云室內(nèi)填充物質(zhì)的阻力作用,粒子速度越來(lái)越小,B錯(cuò)誤;C.帶電粒子若僅在洛倫茲力的作用下做勻速圓周運(yùn)動(dòng),根據(jù)牛頓第二定律可知解得粒子運(yùn)動(dòng)的半徑為根據(jù)題圖可知軌跡3對(duì)應(yīng)的粒子運(yùn)動(dòng)的半徑更大,速度更大,粒子運(yùn)動(dòng)過(guò)程中受到云室內(nèi)物質(zhì)的阻力的情況下,此結(jié)論也成立,C錯(cuò)誤。故選A。3.(2021·北京·高考)如圖所示,在xOy坐標(biāo)系的第一象限內(nèi)存在勻強(qiáng)磁場(chǎng)。一帶電粒子在P點(diǎn)以與x軸正方向成60的方向垂直磁場(chǎng)射入,并恰好垂直于y軸射出磁場(chǎng)。已知帶電粒子質(zhì)量為m、電荷量為q,OP=a。不計(jì)重力。根據(jù)上述信息可以得出()A.帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌跡方程B.帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的速率C.帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間D.該勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度【答案】A【詳解】粒子恰好垂直于y軸射出磁場(chǎng),做兩速度的垂線交點(diǎn)為圓心,軌跡如圖所示A.由幾何關(guān)系可知因圓心的坐標(biāo)為,則帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌跡方程為故A正確;BD.洛倫茲力提供向心力,有解得帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的速率為因軌跡圓的半徑可求出,但磁感應(yīng)強(qiáng)度未知,則無(wú)法求出帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的速率,故BD錯(cuò)誤;C.帶電粒子圓周的圓心角為,而周期為則帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為因磁感應(yīng)強(qiáng)度未知,則運(yùn)動(dòng)時(shí)間無(wú)法求得,故C錯(cuò)誤;故選A。4.(2020·北京·高考)如圖所示,在帶負(fù)電荷的橡膠圓盤(pán)附近懸掛一個(gè)小磁針?,F(xiàn)驅(qū)動(dòng)圓盤(pán)繞中心軸高速旋轉(zhuǎn),小磁針發(fā)生偏轉(zhuǎn)。下列說(shuō)法正確的是()A.偏轉(zhuǎn)原因是圓盤(pán)周?chē)嬖陔妶?chǎng)B.偏轉(zhuǎn)原因是圓盤(pán)周?chē)a(chǎn)生了磁場(chǎng)C.僅改變圓盤(pán)的轉(zhuǎn)動(dòng)方向,偏轉(zhuǎn)方向不變D.僅改變圓盤(pán)所帶電荷的電性,偏轉(zhuǎn)方向不變【答案】B【詳解】AB.小磁針發(fā)生偏轉(zhuǎn)是因?yàn)閹ж?fù)電荷的橡膠圓盤(pán)高速旋轉(zhuǎn)形成電流,而電流周?chē)写艌?chǎng),磁場(chǎng)會(huì)對(duì)放入其中的小磁針有力的作用,故A錯(cuò)誤,B正確;C.僅改變圓盤(pán)的轉(zhuǎn)動(dòng)方向,形成的電流的方向與初始相反,小磁針的偏轉(zhuǎn)方向也與之前相反,故C錯(cuò)誤;D.僅改變圓盤(pán)所帶電荷的電性,形成的電流的方向與初始相反,小磁針的偏轉(zhuǎn)方向也與之前相反,故D錯(cuò)誤。故選B。一、單選題1.(2024·北京海淀·統(tǒng)考一模)如圖所示,真空區(qū)域內(nèi)有寬度為d、磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),方向垂直紙面向里,MN、PQ是磁場(chǎng)的邊界。質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電的粒子(不計(jì)重力),沿著與MN夾角θ為30°的方向以某一速度射入磁場(chǎng)中,粒子恰好未能從PQ邊界射出磁場(chǎng)。下列說(shuō)法不正確的是()A.可求出粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑B.可求出粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的加速度大小C.若僅減小射入速度,則粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間一定變短D.若僅增大磁感應(yīng)強(qiáng)度,則粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間一定變短【答案】C【詳解】AB.根據(jù)題意可以分析粒子到達(dá)PQ邊界時(shí)速度方向與邊界線相切,如圖所示則根據(jù)幾何關(guān)系可知在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力提供向心力解得則加速度為故AB正確;CD.根據(jù)若僅減小射入速度,則粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑減小,可知粒子運(yùn)動(dòng)軌跡的圓心角不變,時(shí)間不變,若僅增大磁感應(yīng)強(qiáng)度,粒子運(yùn)動(dòng)軌跡的圓心角不變,粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間變短,故C錯(cuò)誤,D正確;本題選擇錯(cuò)誤選項(xiàng);故選C。2.(2024·北京西城·統(tǒng)考一模)如圖所示,水平絕緣桌面上放著一個(gè)閉合鋁環(huán)。絕緣材料制成的輕彈簧上端固定,下端懸掛一個(gè)磁鐵,磁鐵位于鋁環(huán)中心上方。將磁鐵下端N極向下拉,在其下降一定高度時(shí)由靜止釋放。此后,磁鐵開(kāi)始運(yùn)動(dòng),鋁環(huán)保持靜止,彈簧始終在彈性限度內(nèi),不計(jì)空氣阻力。則在磁鐵向下的運(yùn)動(dòng)過(guò)程中(
)A.俯視看鋁環(huán)中的電流沿順時(shí)針?lè)较?B.鋁環(huán)對(duì)桌面的壓力大于它的重力C.磁鐵運(yùn)動(dòng)過(guò)程中只受到兩個(gè)力的作用 D.磁鐵和彈簧組成的系統(tǒng)機(jī)械能守恒【答案】B【詳解】在磁鐵向下的運(yùn)動(dòng)過(guò)程中,穿過(guò)鋁環(huán)的磁通量向下增大,根據(jù)楞次定律可知,俯視看鋁環(huán)中的電流沿逆時(shí)針?lè)较?;根?jù)“來(lái)拒去留”可知磁鐵受到向上的磁場(chǎng)力,則鋁環(huán)受到向下的磁場(chǎng)力鋁環(huán)對(duì)桌面的壓力大于它的重力;磁鐵運(yùn)動(dòng)過(guò)程中受到重力、彈簧彈力和磁場(chǎng)力三個(gè)力作用;由于鋁環(huán)產(chǎn)生感應(yīng)電流,鋁環(huán)中有焦耳熱產(chǎn)生,根據(jù)能量守恒可知,磁鐵和彈簧組成的系統(tǒng)機(jī)械能減少。故選B。3.(2024·北京西城·統(tǒng)考一模)如圖所示,勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)的方向均水平向右。一個(gè)正離子在某時(shí)刻速度的大小為v,方向與電場(chǎng)磁場(chǎng)方向夾角為θ。當(dāng)速度方向與磁場(chǎng)不垂直時(shí),可以將速度分解為平行于磁場(chǎng)方向的分量和垂直于磁場(chǎng)方向的分量來(lái)進(jìn)行研究。不計(jì)離子重力,此后一段時(shí)間內(nèi),下列說(shuō)法正確的是(
)A.離子受到的洛倫茲力變大 B.離子加速度的大小不變C.電場(chǎng)力的瞬時(shí)功率不變 D.速度與電場(chǎng)方向的夾角θ變大【答案】B【詳解】AB.根據(jù)運(yùn)動(dòng)的分解可知離子水平方向的分速度變大,垂直于磁場(chǎng)方向的分量不變,則洛倫茲力不變,電場(chǎng)力也不變,離子受合力不變,根據(jù)牛頓第二定律可知加速度大小不變,故A錯(cuò)誤,B正確;C.根據(jù)功率的計(jì)算公式可知,電場(chǎng)力的瞬時(shí)功率變大,故C錯(cuò)誤;D.由于變大,根據(jù)速度的合成可知速度與電場(chǎng)方向的夾角θ變小,故D錯(cuò)誤;故選B。4.(2024·北京東城·統(tǒng)考一模)用如圖所示裝置作為推進(jìn)器加速帶電粒子。裝置左側(cè)部分由兩塊間距為d的平行金屬板M、N組成,兩板間有垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。使大量電荷量絕對(duì)值均為q0的正、負(fù)離子從左側(cè)以速度v0水平入射,可以給右側(cè)平行板電容器PQ供電??拷黁板處有一放射源S可釋放初速度為0、質(zhì)量為m、電荷量絕對(duì)值為q的粒子,粒子被加速后從S正上方的孔噴出P板,噴出的速度大小為v。下列說(shuō)法正確的是()A.放射源S釋放的粒子帶負(fù)電B.增大q0的值,可以提高vC.PQ間距變?yōu)樵瓉?lái)的2倍,可使v變?yōu)樵瓉?lái)倍D.v0和B同時(shí)變?yōu)樵瓉?lái)的2倍,可使v變?yōu)樵瓉?lái)的2倍【答案】D【詳解】A.根據(jù)左手定則可知,正負(fù)離子進(jìn)入MN區(qū)域,正離子受到向下的洛倫茲力,負(fù)離子受到向上的洛倫茲力,所以正離子打到N板,負(fù)離子打到M板,N板電勢(shì)高于M板,即Q板電勢(shì)高于P板,S釋放的粒子受到向上的電場(chǎng)力,電場(chǎng)力方向與場(chǎng)強(qiáng)方向相同,則粒子帶正電,故A錯(cuò)誤;BC.根據(jù)力的平衡可得S釋放的粒子,加速過(guò)程有聯(lián)立可得由此可知,粒子射出的速度與q0、PQ間距無(wú)關(guān),故BC錯(cuò)誤;D.由以上分析可知,當(dāng)v0和B同時(shí)變?yōu)樵瓉?lái)的2倍,可使v變?yōu)樵瓉?lái)的2倍,故D正確。故選D。5.(2024·北京朝陽(yáng)·統(tǒng)考一模)如圖所示,水平放置的內(nèi)壁光滑半徑為R的玻璃圓環(huán),有一直徑略小于圓環(huán)口徑的帶正電q的小球,在圓環(huán)內(nèi)以速度沿順時(shí)針?lè)较騽蛩俎D(zhuǎn)動(dòng)(俯視)。在時(shí)刻施加方向豎直向上的變化磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度。設(shè)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中小球帶電荷量不變,不計(jì)小球運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的磁場(chǎng)及相對(duì)論效應(yīng)。加上磁場(chǎng)后,下列說(shuō)法正確的是()A.小球?qū)ΣAA環(huán)的壓力不斷增大B.小球?qū)ΣAA環(huán)的壓力不斷減小C.小球所受的磁場(chǎng)力一定不斷增大D.小球每運(yùn)動(dòng)一周增加的動(dòng)能為【答案】C【詳解】AB.由楞次定律判斷可得當(dāng)磁場(chǎng)增強(qiáng)時(shí),會(huì)產(chǎn)生順時(shí)針?lè)较虻臏u旋電場(chǎng),電場(chǎng)力先對(duì)小球做正功使其沿順時(shí)針?lè)较蜃黾铀龠\(yùn)動(dòng),根據(jù)牛頓第二定律可得未加磁場(chǎng)時(shí)加磁場(chǎng)后,小球所受洛倫茲力方向指向圓心,圓環(huán)對(duì)小球的壓力與小球洛倫茲力的合力提供向心力,沒(méi)有確定的數(shù)量關(guān)系去比較洛倫茲力與向心力的大小,所以小球與圓環(huán)之間的彈力變化情況不明。故AB錯(cuò)誤;C.根據(jù)可知小球所受的磁場(chǎng)力一定不斷增大。故C正確;D.由動(dòng)能定理可得小球每運(yùn)動(dòng)一周,電場(chǎng)力做功為聯(lián)立,解得故D錯(cuò)誤。故選C。6.(2024·北京豐臺(tái)·統(tǒng)考一模)如圖所示,真空中一根絕緣輕桿兩端分別固定兩個(gè)帶等量異種電荷的小球M、N(可看成點(diǎn)電荷),O點(diǎn)為輕桿的中點(diǎn)。情境一:小球及輕桿處于靜止?fàn)顟B(tài);情境二:輕桿繞O點(diǎn)在豎直平面內(nèi)逆時(shí)針勻速轉(zhuǎn)動(dòng)。下列說(shuō)法正確的是()A.情境一中,O點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為零B.情境一中,O點(diǎn)與無(wú)窮遠(yuǎn)處電勢(shì)相等C.情境二中,O點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度方向垂直紙面向外D.情境二中,O點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度方向垂直紙面向里【答案】B【詳解】A.M在點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度水平向右,N在點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度水平向右,根據(jù)電場(chǎng)的疊加可知O點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度不為零,故A錯(cuò)誤;B.等量異種電荷中垂線為等勢(shì)面,其電勢(shì)等于0,與無(wú)窮遠(yuǎn)處電勢(shì)相等,故B正確;CD.當(dāng)桿繞O點(diǎn)在豎直平面內(nèi)逆時(shí)針?lè)较騽蛩俎D(zhuǎn)動(dòng),N形成的等效電流方向?yàn)轫槙r(shí)針,N形成的等效電流方向?yàn)槟鏁r(shí)針,根據(jù)安培定則可知,M在O點(diǎn)的磁場(chǎng)方向垂直紙面向外,N在O點(diǎn)產(chǎn)生的磁場(chǎng)方向垂直紙面向里,M、N距離O點(diǎn)的距離相等,所以O(shè)點(diǎn)的合磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為零,故CD錯(cuò)誤。故選B。7.(2024·北京豐臺(tái)·統(tǒng)考一模)一束含有兩種比荷的帶電粒子,以各種不同的初速度沿水平方向進(jìn)入速度選擇器,從O點(diǎn)進(jìn)入垂直紙面向外的偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng),打在O點(diǎn)正下方的粒子探測(cè)板上的,和點(diǎn),如圖甲所示。撤去探測(cè)板,在O點(diǎn)右側(cè)的磁場(chǎng)區(qū)域中放置云室,若帶電粒子在云室中受到的阻力大小,k為常數(shù),q為粒子的電荷量,其軌跡如圖乙所示。下列說(shuō)法正確的是()A.打在點(diǎn)的帶電粒子的比荷小B.增大速度選擇器的磁感應(yīng)強(qiáng)度,、向下移動(dòng)C.打在點(diǎn)的帶電粒子在云室里運(yùn)動(dòng)的路程更長(zhǎng)D.打在點(diǎn)的帶電粒子在云室里運(yùn)動(dòng)的時(shí)間更短【答案】D【詳解】A.只有豎直方向受力平衡的離子,才能沿水平方向運(yùn)動(dòng)離開(kāi)速度選擇器,即可得可知粒子進(jìn)入磁場(chǎng)的速度相等,根據(jù)可得則可知打在點(diǎn)的帶電粒子的比荷大,故A錯(cuò)誤;B.增大速度選擇器的磁感應(yīng)強(qiáng)度,粒子經(jīng)過(guò)速度選擇器過(guò)程中向洛倫茲力方向發(fā)生偏轉(zhuǎn),電場(chǎng)力做負(fù)功,可知粒子到達(dá)磁場(chǎng)的速度變小,根據(jù)可知粒子在磁場(chǎng)做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑變小,則、向上移動(dòng),故B錯(cuò)誤;CD.在云霧室內(nèi)受到的阻力始終與速度方向相反,做負(fù)功,洛倫茲力不做功,根據(jù)動(dòng)能定理可得兩個(gè)帶電粒子的速度大小相等,結(jié)合A選項(xiàng)分析可知打在點(diǎn)的帶電粒子在云室里運(yùn)動(dòng)的路程更長(zhǎng),打在點(diǎn)的帶電粒子在云室里運(yùn)動(dòng)的路程更短,打在點(diǎn)的帶電粒子在云室里運(yùn)動(dòng)的時(shí)間更短故C錯(cuò)誤,D正確。故選D。8.(2024·北京順義·統(tǒng)考一模)如圖所示為洛倫茲力演示儀的示意圖。電子槍發(fā)出的電子經(jīng)電場(chǎng)加速后形成電子束,玻璃泡內(nèi)充有稀薄的氣體,在電子束通過(guò)時(shí)能夠顯示電子的徑跡,勵(lì)磁線圈能夠產(chǎn)生垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。下列說(shuō)法正確的是()A.僅增大勵(lì)磁線圈中的電流,運(yùn)動(dòng)徑跡的半徑變小B.僅增大勵(lì)磁線圈中的電流,電子運(yùn)動(dòng)的周期將變大C.僅升高電子槍加速電場(chǎng)的電壓,運(yùn)動(dòng)徑跡的半徑變小D.僅升高電子槍加速電場(chǎng)的電壓,電子運(yùn)動(dòng)的周期將變大【答案】A【詳解】AC.有題意可得可得僅增大勵(lì)磁線圈中的電流,磁感應(yīng)強(qiáng)度B變大,則運(yùn)動(dòng)徑跡的半徑變??;僅升高電子槍加速電場(chǎng)的電壓U,運(yùn)動(dòng)徑跡的半徑變大,故A正確,C錯(cuò)誤;BD.由可得電子的周期為電子周期與電子槍加速電場(chǎng)的電壓無(wú)關(guān),且僅增大勵(lì)磁線圈中的電流,電子運(yùn)動(dòng)的周期將變小,故BD錯(cuò)誤。故選A。9.(2024·北京房山·統(tǒng)考一模)霍爾傳感器中的霍爾元件為一長(zhǎng)方體結(jié)構(gòu),長(zhǎng)寬高分別為a、b、c。如圖所示,將霍爾傳感器放入豎直向下的磁場(chǎng)中,霍爾元件產(chǎn)生的霍爾電壓為前表面(圖中陰影部分)電勢(shì)高。下列說(shuō)法正確的是(
)A.霍爾元件中電流I的載流子是負(fù)電荷定向運(yùn)動(dòng)形成的B.當(dāng)滑動(dòng)變阻器滑動(dòng)觸頭向左滑動(dòng),霍爾電壓將減小C.同時(shí)改變磁場(chǎng)和電流的方向,電壓表指針會(huì)偏向另一邊D.霍爾電壓大小與霍爾元件的長(zhǎng)寬高a、b、c都有關(guān)系【答案】A【詳解】AC.由題知,霍爾元件產(chǎn)生的霍爾電壓為前表面(圖中陰影部分)電勢(shì)高,則根據(jù)左手定則可知霍爾元件中電流I的載流子是負(fù)電荷定向運(yùn)動(dòng)形成的,且同時(shí)改變磁場(chǎng)和電流的方向,粒子的偏轉(zhuǎn)方向不變,電壓表指針會(huì)偏向不變,故A正確、B錯(cuò)誤;BD.當(dāng)達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)滿足其中解得霍爾電勢(shì)差則霍爾電壓大小與霍爾元件的寬b有關(guān)系,且變阻器滑動(dòng)觸頭向左滑動(dòng),電流變大,U變大,故BD錯(cuò)誤。故選A。10.(2024·北京門(mén)頭溝·統(tǒng)考一模)如圖所示,兩平行金屬板A、B與電阻R相連,金屬板間有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)?,F(xiàn)將一束等離子(含有大量等量正、負(fù)離子)垂直磁場(chǎng)噴入,下列說(shuō)法正確的是(
)A.A極板的電勢(shì)高于B極板 B.R中有從b到a的電流C.若只增大磁感應(yīng)強(qiáng)度,R中電流不變 D.若只增大兩極板間距,R中電流不變【答案】B【詳解】A.由左手定則,正離子受洛倫茲力向下偏轉(zhuǎn),負(fù)離子受洛倫茲力向上偏轉(zhuǎn),B板為電源的正極,A極板的電勢(shì)低于B極板,故A錯(cuò)誤;B.由A項(xiàng)分析可知,B板為電源的正極,A極板為電源的負(fù)極,R中有從b到a的電流,故B正確;CD.由平衡條件得電源電動(dòng)勢(shì)為兩板間等離子體的等效電阻為r,R中電流若只增大磁感應(yīng)強(qiáng)度,R中電流增大,若只增大兩極板間距,R中電流增大,故CD錯(cuò)誤。故選B。11.(2024·北京延慶·統(tǒng)考一模)在霍爾效應(yīng)中,霍爾電壓與通過(guò)導(dǎo)體的電流之比被定義為霍爾電阻,可用符號(hào)表示,通常情況下,霍爾電阻與外加磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度成正比。但在超低溫、強(qiáng)磁場(chǎng)的極端條件下,某些材料的霍爾電阻卻隨著強(qiáng)磁場(chǎng)的增加出現(xiàn)量子化現(xiàn)象:h是普朗克常數(shù),e是電子的電量,v既可以取1、2、3…等整數(shù),也可以取某些小于1的分?jǐn)?shù),這就是量子霍爾效應(yīng)現(xiàn)象。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),當(dāng)霍爾電阻處于量子態(tài)時(shí),材料中的電子將沿邊緣帶做定向運(yùn)動(dòng),幾乎不受阻力作用。2013年,清華大學(xué)薛其坤團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn),在超低溫(0.03K)環(huán)境條件下,具備特殊結(jié)構(gòu)的拓補(bǔ)絕緣體材料可以自發(fā)地發(fā)生磁化,此時(shí)不需要外加磁場(chǎng)也會(huì)發(fā)生量子霍爾效應(yīng),這種現(xiàn)象被稱為量子反?;魻栃?yīng)。結(jié)合以上資料,可以判斷下列說(shuō)法正確的是()A.同歐姆電阻類似,霍爾電阻越大,表明材料對(duì)通過(guò)它的電流的阻礙越強(qiáng)B.要發(fā)生量子霍爾效應(yīng)現(xiàn)象,外部環(huán)境條件有兩個(gè),一是要具備超低溫環(huán)境,二是要具備超強(qiáng)的磁場(chǎng)C.具備量子反?;魻栃?yīng)的磁性拓補(bǔ)絕緣材料已成為新一代低能耗芯片的制造材料D.霍爾電阻的量子態(tài)表達(dá)式中的常數(shù)組合與歐姆電阻具有相同的單位【答案】D【詳解】A.設(shè)半導(dǎo)體的與電流垂直方向長(zhǎng)為a,寬為b,處于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的磁場(chǎng)中,電子定向運(yùn)動(dòng)的速率為v,則半導(dǎo)體兩端的霍爾電壓為根據(jù)霍爾電阻定義有則霍爾電阻不能反映對(duì)電流的阻礙作用,故A錯(cuò)誤;B.由題意可知,在超低溫、強(qiáng)磁場(chǎng)的極端條件下,某些材料的霍爾電阻卻隨著強(qiáng)磁場(chǎng)的增加出現(xiàn)量子化現(xiàn)象,并不是所有的材料都會(huì)發(fā)生,故B錯(cuò)誤;C.具備量子反?;魻栃?yīng)的磁性拓補(bǔ)絕緣材料,有望成為新一代低能耗芯片的制造材料,故C錯(cuò)誤;D.根據(jù)功率的表達(dá)式,,結(jié)合牛頓第二定律,整理得則歐姆電阻的基本單位表示為;根據(jù)能量子表達(dá)式,功的表達(dá)式,牛頓第二定律,結(jié)合電流的定義式,整理得則常數(shù)組合的基本單位表示為,故D正確。故選D。12.(2024·北京東城·統(tǒng)考二模)水平放置的M、N兩金屬板,板長(zhǎng)均為L(zhǎng),板間距為d,兩板間有豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng),場(chǎng)強(qiáng)大小為E,在兩板左端點(diǎn)連線的左側(cè)足夠大空間存在勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為B,方向垂直紙面向里。一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電粒子以初速v0緊靠M板從右端水平射入電場(chǎng),隨后從P點(diǎn)進(jìn)入磁場(chǎng),從Q點(diǎn)離開(kāi)磁場(chǎng)(P、Q未畫(huà)出)。不考慮粒子的重力,下列說(shuō)法正確的是A.PQ間距離與E的大小無(wú)關(guān)B.PQ間距離與v0的大小無(wú)關(guān)C.P點(diǎn)的位置與粒子的比荷無(wú)關(guān)D.帶電粒子不可能打在N板上【答案】A【詳解】AB.粒子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度為,進(jìn)入磁場(chǎng)后粒子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng),偏轉(zhuǎn)后從MN邊界離開(kāi)磁場(chǎng),則由洛倫茲力充當(dāng)向心力有可得又粒子在電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),設(shè)粒子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度與水平方向的夾角為,則有根據(jù)幾何關(guān)系可得,粒子進(jìn)入磁場(chǎng)的位置與射出磁場(chǎng)的位置之間的距離為所以PQ間距離與無(wú)關(guān),與有關(guān),故A正確,B錯(cuò)誤;C.根據(jù)類平拋運(yùn)動(dòng)的規(guī)律有,水平方向豎直方向加速度可知可知P點(diǎn)的位置與粒子的比荷有關(guān),故C錯(cuò)誤;D.題中的值未做明確限制,若,則帶電粒子有可能打在板上,故D錯(cuò)誤。故選A。13.(2024·北京順義·統(tǒng)考三模)在霍爾效應(yīng)中,霍爾電壓與通過(guò)導(dǎo)體的電流之比被定義為霍爾電阻,可用符號(hào)表示,通常情況下,霍爾電阻與外加磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度成正比。但在超低溫、強(qiáng)磁場(chǎng)的極端條件下,某些材料的霍爾電阻卻隨著強(qiáng)磁場(chǎng)的增加出現(xiàn)量子化現(xiàn)象:h是普朗克常數(shù),e是電子的電量,v既可以取1、2、3…等整數(shù),也可以取某些小于1的分?jǐn)?shù),這就是量子霍爾效應(yīng)現(xiàn)象。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),當(dāng)霍爾電阻處于量子態(tài)時(shí),材料中的電子將沿邊緣帶做定向運(yùn)動(dòng),幾乎不受阻力作用。2013年,清華大學(xué)薛其坤團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn),在超低溫(0.03K)環(huán)境條件下,具備特殊結(jié)構(gòu)的拓補(bǔ)絕緣體材料可以自發(fā)地發(fā)生磁化,此時(shí)不需要外加磁場(chǎng)也會(huì)發(fā)生量子霍爾效應(yīng),這種現(xiàn)象被稱為量子反?;魻栃?yīng)。結(jié)合以上資料,可以判斷下列說(shuō)法正確的是()A.同歐姆電阻類似,霍爾電阻越大,表明材料對(duì)通過(guò)它的電流的阻礙越強(qiáng)B.要發(fā)生量子霍爾效應(yīng)現(xiàn)象,外部環(huán)境條件有兩個(gè),一是要具備超低溫環(huán)境,二是要具備超強(qiáng)的磁場(chǎng)C.具備量子反?;魻栃?yīng)的磁性拓補(bǔ)絕緣材料已成為新一代低能耗芯片的制造材料D.霍爾電阻的量子態(tài)表達(dá)式中的常數(shù)組合與歐姆電阻具有相同的單位【答案】D【詳解】A.設(shè)半導(dǎo)體的與電流垂直方向長(zhǎng)為a,寬為b,處于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的磁場(chǎng)中,電子定向運(yùn)動(dòng)的速率為v,則半導(dǎo)體兩端的霍爾電壓為根據(jù)霍爾電阻定義有則霍爾電阻不能反映對(duì)電流的阻礙作用,故A錯(cuò)誤;B.由題意可知,在超低溫、強(qiáng)磁場(chǎng)的極端條件下,某些材料的霍爾電阻卻隨著強(qiáng)磁場(chǎng)的增加出現(xiàn)量子化現(xiàn)象,并不是所有的材料都會(huì)發(fā)生,故B錯(cuò)誤;C.具備量子反?;魻栃?yīng)的磁性拓補(bǔ)絕緣材料,有望成為新一代低能耗芯片的制造材料,故C錯(cuò)誤;D.根據(jù)功率的表達(dá)式,,結(jié)合牛頓第二定律,整理得則歐姆電阻的基本單位表示為;根據(jù)能量子表達(dá)式,功的表達(dá)式,牛頓第二定律,結(jié)合電流的定義式,整理得則常數(shù)組合的基本單位表示為,故D正確。故選D。14.(2024·北京順義·統(tǒng)考三模)用如圖所示裝置作為推進(jìn)器加速帶電粒子。裝置左側(cè)部分由兩塊間距為d的平行金屬板M、N組成,兩板間有垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。使大量電荷量絕對(duì)值均為q0的正、負(fù)離子從左側(cè)以速度v0水平入射,可以給右側(cè)平行板電容器PQ供電??拷黁板處有一放射源S可釋放初速度為0、質(zhì)量為m、電荷量絕對(duì)值為q的粒子,粒子被加速后從S正上方的孔噴出P板,噴出的速度大小為v。下列說(shuō)法正確的是()A.放射源S釋放的粒子帶負(fù)電B.增大q0的值,可以提高vC.PQ間距變?yōu)樵瓉?lái)的2倍,可使v變?yōu)樵瓉?lái)倍D.v0和B同時(shí)變?yōu)樵瓉?lái)的2倍,可使v變?yōu)樵瓉?lái)的2倍【答案】D【詳解】A.根據(jù)左手定則可知,正負(fù)離子進(jìn)入MN區(qū)域,正離子受到向下的洛倫茲力,負(fù)離子受到向上的洛倫茲力,所以正離子打到N板,負(fù)離子打到M板,N板電勢(shì)高于M板,即Q板電勢(shì)高于P板,S釋放的粒子受到向上的電場(chǎng)力,電場(chǎng)力方向與場(chǎng)強(qiáng)方向相同,則粒子帶正電,故A錯(cuò)誤;BC.根據(jù)力的平衡可得S釋放的粒子,加速過(guò)程有聯(lián)立可得由此可知,粒子射出的速度與q0、PQ間距無(wú)關(guān),故BC錯(cuò)誤;D.由以上分析可知,當(dāng)v0和B同時(shí)變?yōu)樵瓉?lái)的2倍,可使v變?yōu)樵瓉?lái)的2倍,故D正確。故選D。15.(2024·北京西城·統(tǒng)考二模)如圖所示,正方形區(qū)域abcd內(nèi)存在勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁場(chǎng)方向垂直紙面向里。一帶電粒子從ad邊的中點(diǎn)M以速度v垂直于ad邊射入磁場(chǎng),并恰好從ab邊的中點(diǎn)N射出磁場(chǎng)。不計(jì)粒子的重力,下列說(shuō)法正確的是(
)A.粒子帶負(fù)電B.若粒子射入磁場(chǎng)的速度增大為,粒子將從a點(diǎn)射出C.若粒子射入磁場(chǎng)的速度增大為,粒子將從b點(diǎn)射出D.若粒子射入磁場(chǎng)的速度增大為,粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間將變短【答案】D【詳解】A.根據(jù)左手定則可知粒子帶正電。故A錯(cuò)誤;BC.根據(jù)解得設(shè)正方形邊長(zhǎng)為L(zhǎng),粒子以速度v和速度2v進(jìn)入磁場(chǎng),有軌跡如圖可知若粒子射入磁場(chǎng)的速度增大為,射出的位置在Nb之間。故BC錯(cuò)誤;D.根據(jù)C選項(xiàng)分析可知,若粒子射入磁場(chǎng)的速度增大為,則在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌跡所對(duì)應(yīng)的圓心角將變小,由又粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間將變短。故D正確。故選D。16.(2024·北京西城·統(tǒng)考二模)質(zhì)譜儀可用來(lái)分析帶電粒子的基本性質(zhì),其示意圖如圖所示。a、b是某元素的兩種同位素的原子核,它們具有相同的電荷量,不同的質(zhì)量。a、b兩種帶電粒子持續(xù)從容器A下方的小孔飄入加速電場(chǎng),初速度幾乎為0,加速后從小孔射出,又通過(guò)小孔,沿著與磁場(chǎng)垂直的方向進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,最后打到照相底片D上并被吸收。測(cè)得a、b打在底片上的位置距小孔的距離分別為、,a、b打在底片上的強(qiáng)度(數(shù)值上等于單位時(shí)間內(nèi)打在底片上某處的粒子的總動(dòng)能)分別為、。不計(jì)原子核的重力及相互作用力,下列說(shuō)法正確的是()A.a(chǎn)、b的質(zhì)量之比B.a(chǎn)、b分別形成的等效電流之比C.a(chǎn)、b對(duì)底片的作用力大小之比D.a(chǎn)、b在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間之比【答案】B【詳解】A.粒子在電場(chǎng)中加速過(guò)程,根據(jù)動(dòng)能定理有,粒子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng),由洛倫茲力提供向心力,則有,根據(jù)幾何關(guān)系有,解得故A錯(cuò)誤;D.粒子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的周期,結(jié)合上述解得,根據(jù)軌跡可知,粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間為圓周運(yùn)動(dòng)的半個(gè)周期,則可解得故D錯(cuò)誤;B.a(chǎn)、b打在底片上的強(qiáng)度(數(shù)值上等于單位時(shí)間內(nèi)打在底片上某處的粒子的總動(dòng)能)分別為、,令對(duì)應(yīng)強(qiáng)度含有單位時(shí)間內(nèi)打在底片上的粒子數(shù)目分別為、,則有,根據(jù)電流的定義式可知,a、b分別形成的等效電流分別為,結(jié)合上述解得故B正確;C.結(jié)合上述,選擇在時(shí)間內(nèi)打在底片上的粒子為研究對(duì)象,根據(jù)動(dòng)量定理有,結(jié)合上述有,根據(jù)牛頓第三定律有,結(jié)合上述解得故C錯(cuò)誤。故選B。17.(2024·北京東城·統(tǒng)考二模)一束γ射線(從底部進(jìn)入而沒(méi)有留下痕跡)從充滿在氣泡室中的液態(tài)氫的一個(gè)氫原子中打出一個(gè)電子,同時(shí)γ光子自身轉(zhuǎn)變成一對(duì)正、負(fù)電子對(duì)(分別稱為正電子、負(fù)電子,二者速度接近),其徑跡如圖所示。已知?jiǎng)驈?qiáng)磁場(chǎng)的方向垂直照片平面向里,正、負(fù)電子質(zhì)量相等,則下列說(shuō)法正確的是()A.左側(cè)螺旋軌跡為負(fù)電子運(yùn)動(dòng)的軌跡B.正電子、負(fù)電子所受洛倫茲力大小時(shí)刻相等C.分離瞬間,正電子速度大于負(fù)電子速度D.正電子、負(fù)電子的動(dòng)能不斷減小,而被打出的電子動(dòng)能不變【答案】C【詳解】A.由圖可知?dú)湓又写虺龅碾娮酉蛏线\(yùn)動(dòng),根據(jù)反沖原理,正、負(fù)電子對(duì)向下運(yùn)動(dòng),根據(jù)左手定則,左側(cè)螺旋軌跡為正電子運(yùn)動(dòng)的軌跡,右側(cè)螺旋軌跡為負(fù)電子運(yùn)動(dòng)的軌跡,故A錯(cuò)誤;B.正電子、負(fù)電子所受洛倫茲力大小為正電子、負(fù)電子的速度大小不是時(shí)刻相等,則正電子、負(fù)電子所受洛倫茲力大小不是時(shí)刻相等,故B錯(cuò)誤;C.根據(jù)洛倫茲力提供向心力有解得根據(jù)運(yùn)動(dòng)軌跡可知正電子與負(fù)電子分離瞬間,左側(cè)正電子的軌跡半徑大于右側(cè)負(fù)電子的軌跡半徑,故分離瞬間,正電子速度大于負(fù)電子速度,故C正確;D.正、負(fù)電子在氣泡室運(yùn)動(dòng)時(shí),根據(jù)軌跡可知運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑逐漸減小,則速度逐漸減小,動(dòng)能逐漸減小,被打出的電
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