YDT 3907.4-2024基于BB84協(xié)議的量子密鑰分發(fā)（QKD）用關(guān)鍵器件和模塊 第4部分：誘騙態(tài)調(diào)制模塊

ICS33.060.20

CCSM33

YD

中華人民共和國(guó)通信行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YD/T3907.4-20XX

基于BB84協(xié)議的量子密鑰分發(fā)（QKD）

用關(guān)鍵器件和模塊第4部分：誘騙態(tài)調(diào)

制模塊

KeycomponentsandmodulesforQuantumKeyDistribution(QKD)basedon

BB84protocol—Part4:Decoy-statemodulator

（報(bào)批稿）

20XX-XX-XX發(fā)布20XX-XX-XX實(shí)施

中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布

YD/T3907.4—20XX

前言

本文件按照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定起

草。

本文件是YD/T3907《基于BB84協(xié)議的量子密鑰分發(fā)（QKD）用關(guān)鍵器件和模塊》的第4部分。

YD/T3907已經(jīng)發(fā)布了以下部分：

——第1部分：光源；

——第2部分：?jiǎn)喂庾犹綔y(cè)器；

——第3部分：量子隨機(jī)數(shù)發(fā)生器；

——第4部分：誘騙態(tài)調(diào)制模塊。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任。

本文件由中國(guó)通信標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會(huì)提出并歸口。

本文件起草單位：中國(guó)信息通信研究院、武漢光谷信息光電子創(chuàng)新中心有限公司、科大國(guó)盾量子技

術(shù)股份有限公司、浙江九州量子信息技術(shù)股份有限公司、北京中創(chuàng)為量子通信技術(shù)股份有限公司、廣東

國(guó)騰量子科技有限公司、濟(jì)南量子技術(shù)研究院、中國(guó)信息通信科技集團(tuán)有限公司、安徽問天量子科技股

份有限公司、國(guó)開啟科量子技術(shù)（北京）有限公司、安徽繼遠(yuǎn)軟件有限公司、山東量子科學(xué)技術(shù)研究院

有限公司、山東國(guó)迅量子芯科技有限公司、北京中科國(guó)光量子科技有限公司。

本文件主要起草人：張萌、華昕、王敬、李東東、肖希、湯艷琳、黃大俊、韓雁鑫、趙梅生、王東、

陳建、郭邦紅、周飛、黃敦鋒、王其兵、葉志遠(yuǎn)、馬昆。

III

YD/T3907.4-20XX

引言

隨著我國(guó)量子保密通信技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用，光源、單光子探測(cè)器、量子隨機(jī)數(shù)發(fā)生器和誘騙態(tài)調(diào)制

模塊等作為基于BB84協(xié)議的量子密鑰分發(fā)（QKD）系統(tǒng)中使用的關(guān)鍵器件和模塊，迫切需要開展技術(shù)

與器件標(biāo)準(zhǔn)化研究，提升器件產(chǎn)品工程化與產(chǎn)業(yè)化水平。

YD/T3907《基于BB84協(xié)議的量子密鑰分發(fā)（QKD）用關(guān)鍵器件和模塊》旨在規(guī)定基于BB84協(xié)

議的量子密鑰分發(fā)（QKD）系統(tǒng)中使用的關(guān)鍵器件和模塊需要遵循的技術(shù)參數(shù)、測(cè)試方法、可靠性試

驗(yàn)、檢驗(yàn)規(guī)則等要求，依照系統(tǒng)主要功能模塊劃分，標(biāo)準(zhǔn)目前擬由六個(gè)部分構(gòu)成。

——第1部分：光源。規(guī)定光源的技術(shù)參數(shù)、測(cè)試方法、可靠性試驗(yàn)、檢驗(yàn)規(guī)則等要求。

——第2部分：?jiǎn)喂庾犹綔y(cè)器。規(guī)定單光子探測(cè)器的技術(shù)參數(shù)、測(cè)試方法、可靠性試驗(yàn)、檢驗(yàn)規(guī)則

等要求。

——第3部分：量子隨機(jī)數(shù)發(fā)生器。規(guī)定量子隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的功能模塊、接口和測(cè)試方法等要求。

——第4部分：誘騙態(tài)調(diào)制模塊。規(guī)定誘騙態(tài)調(diào)制模塊的技術(shù)參數(shù)、測(cè)試方法、可靠性試驗(yàn)、檢驗(yàn)

規(guī)則等要求。

——第5部分：量子態(tài)編碼模塊。規(guī)定量子態(tài)編碼模塊的技術(shù)參數(shù)、測(cè)試方法、可靠性試驗(yàn)、檢驗(yàn)

規(guī)則等要求。

——第6部分：量子態(tài)解碼模塊。規(guī)定量子態(tài)解碼模塊的技術(shù)參數(shù)、測(cè)試方法、可靠性試驗(yàn)、檢驗(yàn)

規(guī)則等要求。

隨著技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展，未來可能包含更多部分。

IV

YD/T3907.4—20XX

基于BB84協(xié)議的量子密鑰分發(fā)（QKD）用關(guān)鍵器件和模塊第4部

分：誘騙態(tài)調(diào)制模塊

1范圍

本文件界定了量子密鑰分發(fā)（QKD）用誘騙態(tài)調(diào)制模塊的術(shù)語(yǔ)和定義，規(guī)定了誘騙態(tài)調(diào)制模塊的

光電特性、外形尺寸、環(huán)保符合性等技術(shù)要求，描述了相應(yīng)的試驗(yàn)方法，規(guī)定了檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、

運(yùn)輸、貯存等內(nèi)容。

本文件適用于量子密鑰分發(fā)（QKD）用誘騙態(tài)調(diào)制模塊的設(shè)計(jì)、開發(fā)、生產(chǎn)及測(cè)試等。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，

僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本

文件。

GB/T191包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部份：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T9771.3—2020通信用單模光纖第3部分：波長(zhǎng)段擴(kuò)展的非色散位移單模光纖特性

GB/T21548—2021光通信用高速直接調(diào)制半導(dǎo)體激光器的測(cè)量方法

GB/T26572—2011電子電氣產(chǎn)品中有毒有害物質(zhì)的限量要求

GB/T33768—2017通信用光電子器件可靠性試驗(yàn)方法

GB/T39560電子電氣產(chǎn)品中某些物質(zhì)的測(cè)定

SJ/T11364—2014電子信息產(chǎn)品污染控制標(biāo)識(shí)要求

YD/T2904.1—2015集成可調(diào)諧激光器組件第1部分：蝶形封裝組件

YD/T3432—2018通信用偏振保持光纖特性

YD/T3835.1—2021量子密鑰分發(fā)(QKD)系統(tǒng)測(cè)試方法第1部分：基于誘騙態(tài)BB84協(xié)議的QKD系

統(tǒng)

YD/T3907.1—2022基于BB84協(xié)議的量子密鑰分發(fā)（QKD）用關(guān)鍵器件和模塊第1部分：光源

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。

3.1

誘騙態(tài)decoystate

合法用戶有意地在量子信號(hào)序列中，隨機(jī)地插入其他不同強(qiáng)度的信號(hào)來測(cè)試信道，這些被隨機(jī)插入

的信號(hào)稱為誘騙態(tài)。

[來源：GB/TXXXXX—XXXX量子通信術(shù)語(yǔ)和定義，4.21.12]

1

YD/T3907.4-20XX

3.2

信號(hào)態(tài)signalstate

量子密鑰分發(fā)中，用于生成安全密鑰的光信號(hào)態(tài)。

3.3

真空態(tài)vacuumstate

量子密鑰分發(fā)中，包含光子數(shù)為零的光信號(hào)態(tài)。

3.4

誘騙態(tài)調(diào)制模塊decoy-statemodulator

對(duì)脈沖光源輸出信號(hào)進(jìn)行調(diào)制用于產(chǎn)生信號(hào)態(tài)、誘騙態(tài)和真空態(tài)的調(diào)制模塊。

3.5

真空態(tài)消光比extinctionratioofvacuumstate

信號(hào)態(tài)光功率Pμ和真空態(tài)光功率P0的比值，以ERvac表示，單位為分貝（dB）,定義見公式（1）。

ERvac=PμP0…………（1）

/

3.610lg()

信號(hào)態(tài)強(qiáng)度漲落fluctuationofsignal-stateintensity

量子密鑰發(fā)送端持續(xù)發(fā)送信號(hào)態(tài)，輸出的光強(qiáng)度變化量。

3.7

誘騙態(tài)強(qiáng)度漲落fluctuationofdecoy-stateintensity

量子密鑰發(fā)送端持續(xù)發(fā)送誘騙態(tài)，輸出的光強(qiáng)度變化量。

3.8

插入損耗insertionloss

輸出端口的輸出光功率與輸入端口的輸入光功率之比，以IL表示，單位為分貝（dB），定義見公

式（2）。

IL=-10lg(Pout/Pin)…………（2）

式中：

Pin——輸入到輸入端口的光功率，單位為毫瓦（mW）；

Pout——從輸入端口接收到的光功率，單位為毫瓦（mW）。

3.9

光回波損耗opticalreturnloss

反射光功率與入射光功率之比的對(duì)數(shù)，以O(shè)RL表示，單位為分貝（dB），定義見公式（3）。

ORL=-10lg(Pre/Pin)…………（3）

式中：

2

YD/T3907.4—20XX

Pre——后向反射光功率，單位為毫瓦（mW）；

Pin——輸入光功率，單位為毫瓦（mW）。

[來源：YD/T3907.1—2022，3.7]

3.10

-3dB模擬帶寬-3dBanalogbandwidth

射頻調(diào)制下輸出光功率相對(duì)初始測(cè)量值下降3dB時(shí)所對(duì)應(yīng)的調(diào)制頻率即為-3dB模擬帶寬。

3.11

直流偏置半波電壓half-wavevoltageofdirectcurrentbias

直流電壓源輸入直流偏置端口，輸出的光波發(fā)生一個(gè)π相移所需的電壓。

3.12

射頻半波電壓half-wavevoltageofradiofrequency

射頻信號(hào)源的電壓注入RF射頻端口，輸出的光波發(fā)生一個(gè)π相移所需的電壓。

3.13

電回波損耗electricalreturnloss

反射電功率與入射電功率之比的對(duì)數(shù)，以S11表示，單位為分貝（dB），定義見公式(4)。

S11=10lg(Pre/Pin)…………（4）

式中：

Pre——后向反射電功率，單位為毫瓦（mW）；

Pin——輸入電功率，單位為毫瓦（mW）。

4縮略語(yǔ)

下列縮略語(yǔ)適用于本文件。

ER：消光比（ExtinctionRatio）

IL：插入損耗（InsertionLoss）

ORL：光回波損耗（OpticalReturnLoss）

QKD：量子密鑰分發(fā)（QuantumKeyDistribution）

RH：相對(duì)濕度（RelativeHumidity）

5技術(shù)要求

5.1光纖要求

誘騙態(tài)調(diào)制模塊的光纖應(yīng)符合表1的要求。

3

YD/T3907.4-20XX

表1光纖要求

類光纖要求

型

輸保偏光纖，應(yīng)

入符合YD/T

光3432—2018

纖要求

輸如果輸出光

出纖為標(biāo)準(zhǔn)單

光模光纖，應(yīng)符

纖合GB/T

9771.3—2020

要求

如果輸出光

纖為保偏光

纖，應(yīng)符合

YD/T3432—

2018要求

5.2光電特性要求

誘騙態(tài)調(diào)制模塊的光電特性應(yīng)符合表2的要求。

表2光電特性

參數(shù)符號(hào)最小值典型值最大值單位

工作波長(zhǎng)λ78015502000nm

真空態(tài)消光比ERvac18————dB

偏振消光比————20——dB

信號(hào)態(tài)脈沖產(chǎn)生概率pμ設(shè)計(jì)值/1.2設(shè)計(jì)值設(shè)計(jì)值*1.2——

誘騙態(tài)脈沖產(chǎn)生概率pν設(shè)計(jì)值/1.2設(shè)計(jì)值設(shè)計(jì)值*1.2——

真空態(tài)脈沖產(chǎn)生概率p0設(shè)計(jì)值/1.2設(shè)計(jì)值設(shè)計(jì)值*1.2——

信號(hào)態(tài)和誘騙態(tài)脈沖幅度比例——設(shè)計(jì)值/1.2設(shè)計(jì)值設(shè)計(jì)值*1.2——

信號(hào)態(tài)和誘騙態(tài)強(qiáng)度漲落——設(shè)計(jì)值/1.2設(shè)計(jì)值設(shè)計(jì)值*1.2——

插入損耗IL————7dB

光回波損耗ORL——45——dB

-3dB模擬帶寬S212.5————GHz

a

直流偏置半波電壓VBias,pi————7V

射頻半波電壓VRF,pi————7V

電回波損耗S11——-12-10dB

a

直流偏置輸入阻抗ZRF——1M——Ω

射頻輸入阻抗ZBias——50——Ω

4

YD/T3907.4—20XX

參數(shù)符號(hào)最小值典型值最大值單位

a該參數(shù)僅適用于需要直流偏置的誘騙態(tài)調(diào)制模塊。

5.3極限工作條件

誘騙態(tài)調(diào)制模塊的極限工作條件見表3。

表3極限工作條件

參數(shù)名稱符號(hào)最小值最大值單位

工作管殼溫度TH-5+70℃

儲(chǔ)存溫度Ts-40+85℃

相對(duì)濕度RH590%

輸入光功率Pin——20dBm

表3極限工作條件（續(xù)）

參數(shù)名稱符號(hào)最小值最大值單位

射頻端輸入功率Pin,RF——25dBm

直流偏置端加載電壓Vbias-15+15V

靜電放電VESD——500V

5.4推薦工作條件

誘騙態(tài)調(diào)制模塊的推薦工作條件見表4。

表4推薦工作條件

參數(shù)名稱符號(hào)最小值典型值最大值單位

工作管殼溫度TH-5+25+50℃

工作相對(duì)濕度RH54585%

5.5外形尺寸及引出端排列

誘騙態(tài)調(diào)制模塊外形尺寸及引出端排列可參見附錄A。

5.6外觀要求

誘騙態(tài)調(diào)制模塊的外觀應(yīng)平滑、潔凈、無(wú)油漬、無(wú)傷痕及裂紋，整個(gè)器件牢固，尾纖無(wú)松動(dòng)，與連

接器插拔平順。標(biāo)志清晰牢固，標(biāo)志內(nèi)容符合9.1的要求；標(biāo)志貼放位置符合GB/T191中相關(guān)要求。

5.7環(huán)保符合性

誘騙態(tài)調(diào)制模塊的組成材料按照GB/T26572-2011的規(guī)定進(jìn)行分類，限用物質(zhì)含量按照GB/T39560

（所有部分）規(guī)定的方法進(jìn)行試驗(yàn)。檢測(cè)單元盡可能拆分成均質(zhì)材料，各均質(zhì)材料中限用物質(zhì)的含量應(yīng)

符合表5中的限值要求。

5

YD/T3907.4-20XX

表5誘騙態(tài)調(diào)制模塊中各均質(zhì)材料限用物質(zhì)的含量限值

限用物質(zhì)種類限用物質(zhì)名稱含量限制

鉛≤0.1%

汞≤0.1%

重金屬

鎘≤0.01%

六價(jià)鉻≤0.1%

多溴聯(lián)苯≤0.1%

有機(jī)溴代物

多溴二苯醚≤0.1%

鄰苯二甲酸二（2-乙基己基）酯≤0.1%

鄰苯二甲酸甲苯基丁酯≤0.1%

鄰苯二甲酸酯

鄰苯二甲酸二丁基酯≤0.1%

鄰苯二甲酸二異丁酯≤0.1%

注：表格中含量限值為材料中所含該物質(zhì)的最大質(zhì)量占總重量的百分比。

6參數(shù)測(cè)試

6.1測(cè)試環(huán)境要求

測(cè)試環(huán)境要求如下：

——溫度：15℃～35℃；

——相對(duì)濕度：45%～75%；

——大氣壓力：86kPa～106kPa。

當(dāng)不能在標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下進(jìn)行測(cè)試時(shí)，應(yīng)在測(cè)試報(bào)告上寫明測(cè)試環(huán)境條件。

6.2測(cè)試儀器要求

測(cè)試所用的儀器儀表應(yīng)在規(guī)定的有效校準(zhǔn)期內(nèi)，如無(wú)特殊說明，其精度應(yīng)高于所測(cè)參數(shù)精度至少一

個(gè)數(shù)量級(jí)。

6.3插入損耗

6.3.1測(cè)量配置

測(cè)量配置見圖1。

圖1誘騙態(tài)調(diào)制模塊插入損耗測(cè)量框圖

6.3.2測(cè)量步驟

測(cè)量步驟如下：

a）按圖1中測(cè)量配置連接測(cè)試系統(tǒng)；

6

YD/T3907.4—20XX

b）設(shè)置激光源功率，讀取誘騙態(tài)調(diào)制模塊的輸入功率Pin；

c）在不加調(diào)制信號(hào)的情況下，調(diào)節(jié)直流偏壓使輸出光強(qiáng)度最大，此時(shí)輸出功率記為Pout，計(jì)算誘

騙態(tài)調(diào)制模塊插入損耗：IL=-10lg(Pout/Pin)。

注：對(duì)于不需要偏置電壓的調(diào)制模塊，無(wú)需偏置電壓控制。

6.4電回波損耗

6.4.1測(cè)量配置

測(cè)量配置見圖2。

圖2誘騙態(tài)調(diào)制模塊電回波損耗測(cè)量框圖

6.4.2測(cè)量步驟

測(cè)量步驟如下：

a）按圖2中測(cè)量配置連接測(cè)試系統(tǒng)；

b）校準(zhǔn)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，讀取S11參數(shù)的值，即為電回波損耗。

6.5直流偏置半波電壓

6.5.1測(cè)量配置

測(cè)量配置見圖1。

6.5.2測(cè)量步驟

測(cè)量步驟如下：

a）按圖1中測(cè)量配置連接測(cè)試系統(tǒng)；

b）在不加調(diào)制信號(hào)的情況下，測(cè)量直流偏壓與輸出光強(qiáng)度變化，得到傳輸函數(shù)曲線。

c)從傳輸函數(shù)曲線上確定相鄰的極大值點(diǎn)和極小值點(diǎn)，分別得到對(duì)應(yīng)的直流電壓值V1，V2。兩電

壓值差的絕對(duì)值即為誘騙態(tài)調(diào)制模塊的直流偏置半波電壓VBias,pi。

6.6射頻半波電壓

6.6.1測(cè)量配置

測(cè)量配置見圖3。

圖3誘騙態(tài)調(diào)制模塊射頻半波電壓測(cè)量框圖

6.6.2測(cè)量步驟

測(cè)量步驟如下：

a）按圖3中測(cè)量配置連接測(cè)試系統(tǒng)；

b）將直流偏置電壓和交流調(diào)制信號(hào)同時(shí)加載到誘騙態(tài)調(diào)制模塊上，調(diào)節(jié)直流電壓，當(dāng)輸出光強(qiáng)度

7

YD/T3907.4-20XX

被調(diào)節(jié)到極大值或極小值時(shí)，在雙蹤示波器上觀察到輸出的調(diào)制信號(hào)出現(xiàn)倍頻失真。

c)相鄰兩次倍頻失真所對(duì)應(yīng)的直流電壓的差值，即為誘騙態(tài)調(diào)制模塊的射頻半波電壓VRF,pi。

6.7信號(hào)態(tài)和誘騙態(tài)脈沖幅度比例

按YD/T3835.1—2021中6.1.4節(jié)的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

6.8信號(hào)態(tài)和誘騙態(tài)強(qiáng)度漲落

按YD/T3835.1—2021中6.1.4節(jié)的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

6.9真空態(tài)消光比

按YD/T3835.1—2021中6.1.4節(jié)的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

6.10偏振消光比

按YD/T2904.1—2015中6.3.9的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

6.11信號(hào)態(tài)、誘騙態(tài)和真空態(tài)脈沖的產(chǎn)生概率

按YD/T3835.1—2021中6.1.5節(jié)的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

6.12光回波損耗

按GB/T21548—2021中5.4.8節(jié)的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

6.13-3dB模擬帶寬

按GB/T21548—2021中5.4.3節(jié)的規(guī)定進(jìn)行測(cè)試。

7可靠性試驗(yàn)

7.1可靠性試驗(yàn)環(huán)境要求

可靠性試驗(yàn)環(huán)境要求同6.1。

7.2可靠性試驗(yàn)要求

可靠性試驗(yàn)要求見表6。

表6可靠性試驗(yàn)要求

抽樣要求

試驗(yàn)

試驗(yàn)項(xiàng)目引用標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)條件LTPDaSSaCa

類別

(%)

不要求蒸汽老化，焊槽法，浸入時(shí)間：5s

可焊性bGB/T33768-2017，5.4.620110

溫度：255℃±5℃

物理特

ESD閾值GB/T33768-2017，5.4.3標(biāo)準(zhǔn)人體放電模型，正向、負(fù)向各進(jìn)行3次放電。-60

性試驗(yàn)

試驗(yàn)條件A1。試驗(yàn)加壓：310kPa；

細(xì)檢漏GB/T33768-2017，5.4.220110

加壓時(shí)間：2h；漏率<1×10-6Pa×m3/s

機(jī)械完機(jī)械沖擊GB/T33768-2017，5.2.1試驗(yàn)條件A。加速度：500g，脈沖持續(xù)時(shí)間：1.0ms，20110

8

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整性試沖擊次數(shù)：5次/軸向，方向：X1、X2、Y1、Y2、

驗(yàn)Z1、Z2

試驗(yàn)條件A。頻率：20Hz～2000Hz，加速度：20g，

變頻振動(dòng)GB/T33768-2017，5.2.2掃頻速率：4min/循環(huán)，循環(huán)次數(shù)：4循環(huán)/軸向，20110

方向：X、Y、Z

ΔT=100℃0℃～100℃

熱沖擊GB/T33768-2017，5.2.320110

循環(huán)次數(shù)：15次

內(nèi)部水汽烘烤溫度：100℃±5℃，烘烤時(shí)間：12h～24h，

GB/T33768-2017，5.4.120110

含量bc指標(biāo)要求：<5000ppm

涂覆層或緊套、松套光纖：負(fù)載：4.9N，扭轉(zhuǎn)角

度：90°～0°～-90°～0°，循環(huán)次數(shù)：10次，扭折

光纖扭轉(zhuǎn)GB/T33768-2017，5.2.4點(diǎn)離器件：3cm20110

增強(qiáng)型光纖：負(fù)載：9.8N，扭轉(zhuǎn)角度：90°～0°～

-90°～0°，循環(huán)次數(shù)：10次，扭折點(diǎn)離器件：3cm

表6可靠性試驗(yàn)要求（續(xù)）

抽樣要求

試驗(yàn)

試驗(yàn)項(xiàng)目引用標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)條件LTPDaSSaCa

類別

(%)

涂覆層或緊套光纖：拉力2.45N，90°，

光纖距離光纖保護(hù)套22cm~28cm

GB/T33768-2017，5.2.520110

側(cè)拉力松套或增強(qiáng)型光纖：拉力4.9N，90°，

機(jī)械完距離光纖保護(hù)套22cm~28cm

整性試

涂覆層或緊套光纖：拉力4.9N，保持時(shí)間：1min，

驗(yàn)

光纖光纖尾端起10cm處

GB/T33768-2017，5.2.620110

保持力松套或增強(qiáng)型光纖：拉力9.8N，保持時(shí)間：1min，

距光纖尾端10cm處

高溫儲(chǔ)存GB/T33768-2017，5.3.1溫度85℃，時(shí)間2000h20110

低溫儲(chǔ)存GB/T33768-2017，5.3.2溫度-40℃，時(shí)間72h20110

非工作

溫度范圍–40℃～+85℃，溫度變化速率≥

環(huán)境試

溫度循環(huán)GB/T33768-2017，5.3.310℃/min，極限溫度下的停留時(shí)間>15min，循環(huán)20110

驗(yàn)

次數(shù)：500次。

恒定濕熱GB/T33768-2017，5.3.4溫度85℃，相對(duì)濕度85%，時(shí)間500h20110

aLTPD—批內(nèi)允許不合格品率，SS—最少樣品數(shù)，C—允許失效數(shù)；

b不要求參數(shù)測(cè)試，可用參數(shù)不合格的產(chǎn)品進(jìn)行；

c僅適用于氣密性封裝的產(chǎn)品。

7.3失效判據(jù)

各項(xiàng)試驗(yàn)完成后，在相同測(cè)試條件下，出現(xiàn)下列故障中的任意一種情況即判定為不合格：

——外殼破裂或有裂紋，內(nèi)部元器件發(fā)生脫落；

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——不滿足表2的要求；

——響應(yīng)度變化量大于20%。

壽命（高溫）試驗(yàn)完成后，在相同測(cè)試條件下，出現(xiàn)下列故障中的任意一種情況即判定為不合格：

——外殼破裂或有裂紋，內(nèi)部元器件發(fā)生脫落；

——不滿足表2的要求。

8檢驗(yàn)規(guī)則

8.1檢驗(yàn)分類

誘騙態(tài)調(diào)制模塊的檢驗(yàn)分為出廠檢驗(yàn)和型式檢驗(yàn)。出廠檢驗(yàn)分為常規(guī)檢驗(yàn)和抽樣檢驗(yàn)。

8.2出廠檢驗(yàn)

8.2.1常規(guī)檢驗(yàn)

常規(guī)檢驗(yàn)應(yīng)百分之百進(jìn)行，檢驗(yàn)項(xiàng)目如下：

a)外觀：目測(cè)，符合第5.6節(jié)要求

b)性能檢測(cè)：按第6章測(cè)試方法，對(duì)表2中的性能參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，其結(jié)果符合表2要求。

c)溫度循環(huán)

——實(shí)驗(yàn)條件：非工作狀態(tài)，極限溫度-40℃、+85℃，溫度變化速率大于或等于10℃/min，極限

溫度下的停留時(shí)間不小于10min，循環(huán)次數(shù)20次；

——恢復(fù)：在正常大氣條件下恢復(fù)1h后，按第6章規(guī)定的測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試；

——失效判據(jù)：測(cè)試溫度循環(huán)后，不滿足表2要求。

8.2.2抽樣檢驗(yàn)

從批量生產(chǎn)中生產(chǎn)的同批或若干批產(chǎn)品中，按GB/T2828.1規(guī)定，取一般檢查水平Ⅱ，接收質(zhì)量限

（AQL）和檢驗(yàn)項(xiàng)目如下：

a)外觀：

——AQL取1.5；

——檢驗(yàn)方法：目測(cè)，符合第5.6節(jié)要求。

b)外形尺寸：用滿足精度要求的量度工具測(cè)量，應(yīng)符合產(chǎn)品設(shè)計(jì)的要求；

c)性能檢測(cè)：

——AQL取0.4；

——檢驗(yàn)方法：按第6章規(guī)定的方法進(jìn)行測(cè)試，檢驗(yàn)項(xiàng)目同8.2.1b)，其結(jié)果符合表2的規(guī)定。

8.3型式檢驗(yàn)

8.3.1檢驗(yàn)條件

誘騙態(tài)調(diào)制模塊有下列情況之一時(shí)，應(yīng)進(jìn)行型式檢驗(yàn)：

a)產(chǎn)品定型時(shí)或已定型產(chǎn)品轉(zhuǎn)場(chǎng)時(shí)；

b)正式生產(chǎn)后，如結(jié)構(gòu)、材料、工藝有較大改變，可能影響產(chǎn)品性能時(shí)；

c)產(chǎn)品長(zhǎng)期停產(chǎn)12個(gè)月后，恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)；

d)出廠檢驗(yàn)結(jié)果與定型時(shí)的型式檢驗(yàn)有較大差別時(shí)；

e)正常生產(chǎn)24個(gè)月后；

f)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督機(jī)構(gòu)提出進(jìn)行型式檢驗(yàn)要求時(shí)。

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8.3.2檢驗(yàn)要求

在進(jìn)行型式檢驗(yàn)前，按第6章規(guī)定，對(duì)樣品的性能參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，并記錄測(cè)試結(jié)果。

8.3.3檢驗(yàn)項(xiàng)目及抽樣方案

型式檢驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目及抽樣方案見表6。

8.3.4樣品的使用規(guī)則

樣品的使用規(guī)則如下：

a)凡經(jīng)受了型式檢驗(yàn)的樣品，一律不能作為合格品交付使用；

b)在不影響檢驗(yàn)和試驗(yàn)結(jié)果的條件下，一組樣品可用于其他分組的檢驗(yàn)和試驗(yàn)。

8.3.5產(chǎn)品不合格的判定

各項(xiàng)試驗(yàn)完成后，不合格判定按第7.3節(jié)規(guī)定執(zhí)行，若其中任何一項(xiàng)試驗(yàn)不符合要求時(shí)，則判該批

不合格。

8.3.6不合格批的重新提交

當(dāng)提交型式檢驗(yàn)的任一檢驗(yàn)批不符合表6中規(guī)定的任一分組要求時(shí)，應(yīng)根據(jù)不合格原因，采取糾正

措施后，對(duì)不合格的檢驗(yàn)分組重新提交檢驗(yàn)。重新檢驗(yàn)應(yīng)采用加嚴(yán)抽樣方案。若重新檢驗(yàn)仍有失效，則

該批拒收。如通過檢驗(yàn)，判為合格。但重新檢驗(yàn)不得超過2次，并應(yīng)清楚標(biāo)明為重新檢驗(yàn)批。

8.3.7檢驗(yàn)批的構(gòu)成

提交檢驗(yàn)的批，可由一個(gè)生產(chǎn)批構(gòu)成，或由符合下述條件的幾個(gè)生產(chǎn)批構(gòu)成：

——這些生產(chǎn)批是在相同材料、工藝、設(shè)備等條件下制造出來的；

——若干個(gè)生產(chǎn)批構(gòu)成一個(gè)檢驗(yàn)批的時(shí)間不超過1個(gè)月。

9標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存

9.1標(biāo)志

9.1.1標(biāo)志內(nèi)容

每個(gè)產(chǎn)品應(yīng)標(biāo)明產(chǎn)品型號(hào)、規(guī)格、編號(hào)、批的識(shí)別代碼及安全等標(biāo)志。

9.1.2標(biāo)志要求

進(jìn)行全部試驗(yàn)后，標(biāo)志應(yīng)保持清晰。標(biāo)志損傷了的產(chǎn)品應(yīng)重新打印標(biāo)志，以保證發(fā)貨之前標(biāo)志的清

晰。

9.1.3污染控制標(biāo)志

產(chǎn)品的污染控制標(biāo)志應(yīng)按SJ/T11364-2014第5章規(guī)定，在包裝盒或產(chǎn)品上打印上電子信息產(chǎn)品污染

控制標(biāo)志。

9.2包裝

產(chǎn)品應(yīng)有良好的包裝及防靜電措施，避免在運(yùn)輸過程中受到損壞。包裝盒上應(yīng)標(biāo)有產(chǎn)品名稱、型號(hào)

和規(guī)格、生產(chǎn)廠家、產(chǎn)品執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)號(hào)、防靜電標(biāo)識(shí)、激光防護(hù)標(biāo)志等。

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包裝盒內(nèi)應(yīng)有產(chǎn)品說明書。說明書內(nèi)容包括：產(chǎn)品名稱、型號(hào)，簡(jiǎn)要工作原理和主要技術(shù)指標(biāo)，極

限工作條件，安裝尺寸和管腳排列，使用注意事項(xiàng)等。

9.3運(yùn)輸

包裝好的產(chǎn)品可用常用的交通工具運(yùn)輸，運(yùn)輸中避免雨、雪的直接淋襲，烈日曝曬和猛烈撞擊。

9.4貯存

產(chǎn)品應(yīng)貯存在環(huán)境溫度為-10℃～+40℃、相對(duì)濕度不大于80%且無(wú)腐蝕性氣體、液體的倉(cāng)庫(kù)里。貯

存期超過12個(gè)月產(chǎn)品，出庫(kù)前應(yīng)按第6章規(guī)定方法進(jìn)行參數(shù)測(cè)試，測(cè)試結(jié)果符合表2要求方可出庫(kù)。

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附錄A

（資料性）

誘騙態(tài)調(diào)制模塊外形尺寸及引出端排列

A.1誘騙態(tài)調(diào)制模塊外形尺寸

誘騙態(tài)調(diào)制模塊外形尺寸如圖A.1所示。

單位為毫米

圖A.1誘騙態(tài)調(diào)制模塊外形尺寸

A.2引出端排列

誘騙態(tài)調(diào)制模塊引出端排列見圖A.2，模塊管腳定義見表A.1。

圖A.2誘騙態(tài)調(diào)制模塊引出端排列

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表A.1誘騙態(tài)調(diào)制模塊管腳定義

編號(hào)名稱描述

1Vbias,+直流偏置正極

2Vbias,-直流偏置負(fù)極

3NC懸空

4NC懸空

5RF射頻接口

_________________________________

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目次

1范圍................................................................................1

2規(guī)范性引用文件......................................................................1

3術(shù)語(yǔ)和定義..........................................................................1

4縮略語(yǔ)..............................................................................3

5技術(shù)要求............................................................................3

5.1光纖要求........................................................................3

5.2光電特性要求....................................................................4

5.3極限工作條件....................................................................5

5.4推薦工作條件....................................................................5

5.5外形尺寸及引出端排列............................................................5

5.6外觀要求........................................................................5

5.7環(huán)保符合性......................................................................5

6參數(shù)測(cè)試............................................................................6

6.1測(cè)試環(huán)境要求....................................................................6

6.2測(cè)試儀器要求....................................................................6

6.3插入損耗........................................................................6

6.4電回波損耗......................................................................7

6.5直流偏置半波電壓................................................................7

6.6射頻半波電壓....................................................................7

6.7信號(hào)態(tài)和誘騙態(tài)脈沖幅度比例......................................................8

6.8信號(hào)態(tài)和誘騙態(tài)強(qiáng)度漲落..........................................................8

6.9真空態(tài)消光比....................................................................8

6.10偏振消光比.....................................................................8

6.11信號(hào)態(tài)、誘騙態(tài)和真空態(tài)脈沖的產(chǎn)生概率...........................................8

6.12光回波損耗.....................................................................8

6.13-3dB模擬帶寬...................................................................8

7可靠性試驗(yàn)..........................................................................8

7.1可靠性試驗(yàn)環(huán)境要求..............................................................8

7.2可靠性試驗(yàn)要求..................................................................8

7.3失效判據(jù)........................................................................9

8檢驗(yàn)規(guī)則...........................................................................10

8.1檢驗(yàn)分類.......................................................................10

8.2出廠檢驗(yàn).......................................................................10

8.3型式檢驗(yàn).......................................................................10

9標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存.............................................................11

9.1標(biāo)志...........................................................................11

9.2包裝...........................................................................11

I

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9.3運(yùn)輸...........................................................................12

9.4貯存.............................................