芯片基礎-模擬集成電路設計知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋山東工商學院

芯片基礎--模擬集成電路設計知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋山東工商學院第一章單元測試

跟數(shù)字集成電路設計一樣，目前高性能模擬集成電路的設計已經(jīng)能自動完成。

A:對B:錯

答案:錯模擬電路許多效應的建模和仿真仍然存在問題，模擬設計需要設計者利用經(jīng)驗和直覺來分析仿真結果

A:錯B:對

答案:對模擬設計涉及到在速度、功耗、增益、精度、電源電壓等多種因素間進行折衷

A:錯B:對

答案:對CMOS電路已成為當今SOC設計的主流制造技術。

A:錯B:對

答案:對MOSFET的特征尺寸越來越小，本征速度越來越快（已可與雙極器件相比較），現(xiàn)在幾GHz～幾十GHz的CMOS模擬集成電路已經(jīng)可批量生產(chǎn)。

A:對B:錯

答案:對相對于數(shù)字電路來說，模擬集成電路的設計更加基礎，更加靈活。

A:對B:錯

答案:對片上系統(tǒng)，又稱SOC，其英文全稱是：

A:System

onChipB:Separationofconcerns

C:SystemOperationsCenterD:System

of

computer

答案:System

onChip

互補金屬氧化物半導體，英文簡稱CMOS，其英文全稱為：

A:Cargo

Machine

Of

SemiconductorB:ComplementaryMetalOxide

System

C:ComplementaryMetalOxideSemiconductorD:ComplementaryMachineOfSemiconductor

答案:ComplementaryMetalOxideSemiconductor模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器,英文簡稱ADC,英文全稱為：

A:AmbulancetoDestinationConverter

B:AmbulancetoDigitalConverter

C:Analog-to-DigitalConverter

D:Analog-to-DestinationConverter

答案:Analog-to-DigitalConverter

第二章單元測試

MOS器件的源端和漏端不可以共用，不可以互換。

A:錯B:對

答案:錯如果一個電路的最高電壓是，最低電壓是，那么NMOS器件的襯底應該接。

A:錯B:對

答案:錯一般MOS器件的源漏是對稱的，這告訴我們要根據(jù)實際集成電路的情況來判斷電路的源極和漏極。

A:錯B:對

答案:對下列關于MOS版圖說法不正確的是（）

A:柵極的接觸孔應該開在溝道區(qū)外B:版圖中柵極的接觸孔可以開在溝道區(qū)里C:版圖中溝道長度L的最小值由工藝決定D:源結和漏結的一個尺寸等于W，另外一個尺寸要滿足接觸孔的需要，并且要滿足設計規(guī)則

答案:版圖中柵極的接觸孔可以開在溝道區(qū)里下列關于閾值電壓的說法，不正確的是（）

A:若，則

NMOS器件關斷B:在器件制造過程中，可通過向溝道區(qū)注入雜質(zhì)來調(diào)整閾值電壓C:當時，NMOS器件導通D:NFET的閾值電壓定義為當界面的電子濃度等于p型襯底的多子濃度時的柵源電壓

答案:若，則

NMOS器件關斷下列關于NMOS器件的伏安特性說法正確的是（）

A:當，并且NMOS器件工作在線性區(qū)B:當時，NMOS器件工作在截止區(qū)C:當時，且時，NMOS器件工作在深線性區(qū)D:當，時，NMOS器件工作在飽和區(qū)

答案:當，并且NMOS器件工作在線性區(qū)；當時，NMOS器件工作在截止區(qū)；當，時，NMOS器件工作在飽和區(qū)下列對器件尺寸參數(shù)描述正確的有（）

A:L是器件的溝道長度，W是器件的寬度B:tox是器件柵氧化層的厚度，由工藝決定C:一般所說的90nm工藝，其中的90nm是指器件的最小溝道長度LD:一般所說的90nm工藝，其中的90nm是指器件的柵氧化層的厚度tox

答案:L是器件的溝道長度，W是器件的寬度；tox是器件柵氧化層的厚度，由工藝決定；一般所說的90nm工藝，其中的90nm是指器件的最小溝道長度L下列關于體效應的說法，正確的是（）

A:源電壓相對于襯底電勢發(fā)生改變，使得源襯電勢差不為0，就會產(chǎn)生體效應。B:體效應導致設計參數(shù)復雜，模擬集成電路設計往往不希望其存在，但也有利用體效應的電路。C:不改變襯底電勢也可能會產(chǎn)生體效應。D:改變襯底電勢可能會產(chǎn)生體效應。

答案:源電壓相對于襯底電勢發(fā)生改變，使得源襯電勢差不為0，就會產(chǎn)生體效應。；體效應導致設計參數(shù)復雜，模擬集成電路設計往往不希望其存在，但也有利用體效應的電路。；不改變襯底電勢也可能會產(chǎn)生體效應。；改變襯底電勢可能會產(chǎn)生體效應。下列關于亞閾值導電特性的說法正確的是（）

A:當時，漏極電流以有限速度下降，導致功率損耗或模擬信息的丟失B:MOS管由0增大到大于閾值電壓，經(jīng)歷截止---弱反型---強反型，這是一個漸進的過程，故當時，仍有存在C:亞閾值區(qū)的跨導比飽和區(qū)（強反型區(qū)）跨導大，有利于實現(xiàn)大的放大倍數(shù)D:MOS管亞閾值電流一般為幾十~幾百nA，常用于低功耗放大器、帶隙基準設計

答案:當時，漏極電流以有限速度下降，導致功率損耗或模擬信息的丟失；MOS管由0增大到大于閾值電壓，經(jīng)歷截止---弱反型---強反型，這是一個漸進的過程，故當時，仍有存在；亞閾值區(qū)的跨導比飽和區(qū)（強反型區(qū)）跨導大，有利于實現(xiàn)大的放大倍數(shù)；MOS管亞閾值電流一般為幾十~幾百nA，常用于低功耗放大器、帶隙基準設計下列關于MOS模型的說法正確的有（）

A:MOS器件的大信號模型一般由I/V特性關系式，各寄生電容計算式等推導建立B:當信號相對直流偏置工作點而言較小且不會顯著影響直流工作點時，可用小信號模型簡化計算C:MOS器件的高頻小信號模型，除考慮跨導、體效應以及溝道調(diào)制效應等參數(shù)，還需要考慮各個寄生電容和寄生電阻的影響D:MOS器件的低頻小信號模型，主要考慮了跨導，體效應以及溝道調(diào)制效應等參數(shù)

答案:MOS器件的大信號模型一般由I/V特性關系式，各寄生電容計算式等推導建立；當信號相對直流偏置工作點而言較小且不會顯著影響直流工作點時，可用小信號模型簡化計算；MOS器件的高頻小信號模型，除考慮跨導、體效應以及溝道調(diào)制效應等參數(shù)，還需要考慮各個寄生電容和寄生電阻的影響；MOS器件的低頻小信號模型，主要考慮了跨導，體效應以及溝道調(diào)制效應等參數(shù)

第三章單元測試

下列關于放大的說法，正確的是（）

A:放大在反饋系統(tǒng)中起著重要作用。B:放大不能為數(shù)字電路提供邏輯電平。C:在大多數(shù)模擬電路和許多數(shù)字電路中，放大是一個基本功能。D:我們放大一個模擬或數(shù)字信號是因為這個信號太小而不能驅(qū)動負載，或者不能克服后繼的噪聲

答案:放大在反饋系統(tǒng)中起著重要作用。；在大多數(shù)模擬電路和許多數(shù)字電路中，放大是一個基本功能。；我們放大一個模擬或數(shù)字信號是因為這個信號太小而不能驅(qū)動負載，或者不能克服后繼的噪聲下列關于小信號的說法，正確的是（）

A:假定某MOS器件的柵源過驅(qū)動電壓VGS–VTH=0.5V，則|vgs(t)|可視為小信號的變化范圍為0.5VB:若小信號變化幅度過大，則會影響直流偏置點，需用大信號分析C:一般小信號是交流信號D:小信號使電路偏置點受到的擾動可忽略不記

答案:若小信號變化幅度過大，則會影響直流偏置點，需用大信號分析；一般小信號是交流信號；小信號使電路偏置點受到的擾動可忽略不記以電阻為負載的共源極電路的小信號增益的表達式有（）

A:B:C:D:

答案:；；；對于以電阻為負載、以一個NMOS器件為主放大管的共源極電路，增大其小信號增益的措施有（）

A:增大NMOS器件的寬長比W/LB:減小ＮＭOS器件的寬長比W/LC:減小NMOS器件的漏極電流D:增大電阻上的電壓

答案:增大NMOS器件的寬長比W/L；減小NMOS器件的漏極電流；增大電阻上的電壓圖中的被偏置在飽和區(qū)，則電路的小信號電壓增益，說明使用電流源作負載可提高增益。

A:對B:錯

答案:對關于二極管連接的MOS器件的說法正確的有（）

A:將MOS管作二極管連接并導通時，不論是NMOS還是PMOS管,均工作在飽和區(qū)B:二極管連接的PMOS管作負載的共源極電路的小信號增益是兩管的過驅(qū)動電壓之比，增益AV越大，最大輸出電壓Voutmax越小C:所謂二極管連接的MOS管實際上是將MOS器件的柵極和源極短接，起到小信號電阻的作用D:二極管連接的PMOS管作負載的共源極電路的小信號增益只與W/L有關，與偏置電流無關，即輸入與輸出呈線性

答案:將MOS管作二極管連接并導通時，不論是NMOS還是PMOS管,均工作在飽和區(qū)；二極管連接的PMOS管作負載的共源極電路的小信號增益是兩管的過驅(qū)動電壓之比，增益AV越大，最大輸出電壓Voutmax越小；二極管連接的PMOS管作負載的共源極電路的小信號增益只與W/L有關，與偏置電流無關，即輸入與輸出呈線性下列關于源極跟隨器的說法正確的有（）

A:源極跟隨器可用來構成電平位移電路B:相對于共源級電路來說，源極跟隨器增益很大，輸出阻抗很高C:源極跟隨器的D:源極跟隨器一般只用來驅(qū)動小電容(或高阻)負載，不宜用來驅(qū)動低阻、大電容負載

答案:源極跟隨器可用來構成電平位移電路；源極跟隨器的；源極跟隨器一般只用來驅(qū)動小電容(或高阻)負載，不宜用來驅(qū)動低阻、大電容負載下列關于共柵放大器的說法正確的有（）

A:輸出阻抗高，可用于提高增益和構成高性能恒流源B:輸入阻抗與有關，有阻抗變換特性C:其增益與共源級放大電路增益相同D:常同共源級聯(lián)合構成共源共柵放大器，用于高速運放的差分輸入放大級

答案:輸出阻抗高，可用于提高增益和構成高性能恒流源；輸入阻抗與有關，有阻抗變換特性；常同共源級聯(lián)合構成共源共柵放大器，用于高速運放的差分輸入放大級如圖(a)(b)(c)三個電路，若電路中ID相等，輸出阻抗最大的是（）

A:圖(c)B:圖(a)C:三個電路的輸出阻抗相同D:圖(b)

答案:圖(c)關于共源共柵電路下列說法正確的有（）

A:共源共柵結構具有高輸出阻抗特性B:共源共柵電流源可近似代替理想恒流源C:共源共柵結構具有屏蔽特性D:共源共柵結構具有高輸出擺幅

答案:共源共柵結構具有高輸出阻抗特性；共源共柵電流源可近似代替理想恒流源；共源共柵結構具有屏蔽特性

第四章單元測試

下列關于差動放大電路的描述正確的是

A:差動模式使電路的偏置電路更簡單，輸出線性度更高B:差動電路增大了輸出電壓擺幅C:差動電路能有效抑制共模噪聲D:差動電路相對于單端電路，其芯片面積和功耗有所增加

答案:差動模式使電路的偏置電路更簡單，輸出線性度更高；差動電路增大了輸出電壓擺幅；差動電路能有效抑制共模噪聲；差動電路相對于單端電路，其芯片面積和功耗有所增加對于差分放大電路，下列說法正確的是

A:輸入共模電平越大,

允許輸出的輸出擺幅就越小。B:輸入共模電平越大，利于實現(xiàn)高增益C:輸入共模電平越大,

允許輸出的輸出擺幅就越大。D:輸入共模電平越小，輸出擺幅越大，利于實現(xiàn)高增益

答案:輸入共模電平越大,

允許輸出的輸出擺幅就越小。；輸入共模電平越小，輸出擺幅越大，利于實現(xiàn)高增益理想差分只放大輸入信號的差模部分，不放大共模部分

A:錯B:對

答案:對差分放大電路如圖，輸出端的電壓范圍為（）

A:B:C:D:

答案:如圖電路，下列說法正確的是（）

A:當時，小信號增益(即斜率)最大，線性度最好B:當足夠負時,導通C:當足夠負時,截止D:當時，，電路處于平衡狀態(tài)

答案:當時，小信號增益(即斜率)最大，線性度最好；當足夠負時,截止；當時，，電路處于平衡狀態(tài)如圖電路完全對稱，考慮溝道長度調(diào)制效應后，其差模小信號增益為（）

A:B:C:D:

答案:關于差分信號和差分放大電路的說法正確的是（）

A:差分放大電路對任意輸入信號的響應包含差模響應和共模響應兩部分B:如果輸入信號和Vin1和Vin2不是大小相等，方向相反，那么Vin1和Vin2就是非全差分信號。C:任意輸入信號Vin1和Vin2的差模分量是正負D:任意輸入信號Vin1和Vin2的共模分量是二者的平均值

答案:差分放大電路對任意輸入信號的響應包含差模響應和共模響應兩部分；如果輸入信號和Vin1和Vin2不是大小相等，方向相反，那么Vin1和Vin2就是非全差分信號。；任意輸入信號Vin1和Vin2的差模分量是正負；任意輸入信號Vin1和Vin2的共模分量是二者的平均值實際差分放大電路由于工藝誤差存在而非理想，因此必然會出現(xiàn)共模響應

A:對B:錯

答案:對差分放大電路的電阻失配或者差分對管失配，都會引起共模分量到差模響應的轉(zhuǎn)化，因而抑制共模噪聲能力減弱。

A:對B:錯

答案:對關于差分放大器的說法錯誤的是（）

A:共源共柵差分放大器的增益更大，但輸出共模電平難以確定B:差分放大電路只放大輸入信號的差模部分，不放大共模部分C:VGA是一種可變增益放大器D:Gilbert單元是增益可變的放大器

答案:差分放大電路只放大輸入信號的差模部分，不放大共模部分

第五章單元測試

下列關于共源共柵電流鏡的說法正確的是（）

A:共源共柵級屏蔽了輸出電壓變化的影響B(tài):提高了電路的輸出阻抗C:犧牲了電壓余度D:提高了電流復制精度

答案:共源共柵級屏蔽了輸出電壓變化的影響；提高了電路的輸出阻抗；犧牲了電壓余度；提高了電流復制精度有源負載差動對的輸出端是不對稱的。

A:對B:錯

答案:對有源負載差動電路的小信號增益也可以使用半邊電路法來分析。

A:錯B:對

答案:錯如圖電流鏡電路，說法正確的有（）

A:有管時，B:有管時的電流復制精度比沒有管時的電流復制精度高。C:沒有管時，D:有管時，

答案:有管時，；有管時的電流復制精度比沒有管時的電流復制精度高。；沒有管時，；有管時，如圖電路，的最大值為（）

A:B:C:D:

答案:假設電路完全對稱，且時，所有器件都飽和，那么

=（）

A:B:C:1.5VD:2.3V

答案:如圖使用有源電流鏡負載的差分放大電路，實現(xiàn)了將差動輸入信號變成了(

)輸出信號，完成了“雙端—單端”變換。

A:差動B:雙端C:單端D:差分

答案:單端采用共源共柵結構，不能提高輸出阻抗。

A:錯B:對

答案:錯實際模擬集成電路通過基本電流鏡產(chǎn)生眾多的偏置電流/電壓。

A:錯B:對

答案:對共源共柵電流鏡屏蔽了輸出電壓變化的影響，不能提高電流復制精度。

A:錯B:對

答案:錯

第六章單元測試

如果系統(tǒng)傳輸函數(shù)H（s）的所有零點都位于左半平面時，系統(tǒng)是穩(wěn)定的

A:錯B:對

答案:錯利用米勒效應以及極點和結點的關聯(lián)關系分析電路的頻率特性時，可能漏掉電路中的零點。

A:錯B:對

答案:對因為下面的電路中結點X與Y之間只有一條信號通路，所以適用密勒定理。

A:對B:錯

答案:錯的彌勒效應（）CS放大器的帶寬

A:增大B:減小

答案:減小由于零點在運放的穩(wěn)定性中不起作用，因此在放大器頻率特性中可以忽略。

A:對B:錯

答案:錯零點意味著存在某一頻率fZ使輸出Vout等于（）

A:1B:2C:0

答案:0若兩條通路到達輸出結點時信號極性相同且傳輸函數(shù)存在零點，則為（）平面零點

A:左半B:右半

答案:左半該圖中，

不會產(chǎn)生密勒效應。

A:對B:錯

答案:錯輸入信號頻率從低頻到高頻變化過程中，線性電路的增益、輸入阻抗、噪聲等指標不會隨頻率發(fā)生變化。

A:錯B:對

答案:錯求該電路的極點

A:1/(sRC)B:1/(RC)

答案:1/(RC)

第七章單元測試

反饋可以提高電路增益的穩(wěn)定性。

A:錯B:對

答案:對由于增益帶寬之積為常數(shù)，故反饋電路帶寬增加的同時，其增益必減小。

A:對B:錯

答案:對放大器一般有四種，分別為電壓放大器，跨阻放大器，跨導放大器和電流放大器。

A:錯B:對

答案:對共源電路屬于（）類型放大器。

A:電壓放大器B:跨阻放大器

答案:電壓放大器為了檢測輸出電壓，可以通過（）的方法實現(xiàn)。

A:在相應接口并聯(lián)電壓表B:串聯(lián)電流表

答案:在相應接口并聯(lián)電壓表（）方法能夠使兩個電流信號相加。

A:并聯(lián)B:串聯(lián)

答案:并聯(lián)引入電壓-電壓反饋后，電路的輸出阻抗變?yōu)闆]有反饋時的（）倍。

A:B:

答案:在具有電流-電