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半導體物理知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋北京理工大學第一章單元測試
如果電子從價帶頂躍遷到導帶底時波矢k不發(fā)生變化,則具有這種能帶結(jié)構的半導體稱為直接禁帶半導體,否則稱為間接禁帶半導體。()
A:對B:錯
答案:對以下4種半導體中最適合于制作高溫器件的是()。
A:GaAsB:GeC:GaND:Si
答案:GaN半導體的晶格結(jié)構式多種多樣的,常見的Ge和Si材料,其原子均通過共價鍵四面體相互結(jié)合,屬于_____結(jié)構;與Ge和Si晶格結(jié)構類似,兩種不同元素形成的化合物半導體通過共價鍵四面體還可以形成_____和_____等兩種晶格結(jié)構。()
A:纖鋅礦,金剛石,閃鋅礦B:金剛石,閃鋅礦,纖鋅礦C:黃銅礦,閃鋅礦,纖鋅礦D:黃銅礦,金剛石,纖鋅礦
答案:金剛石,閃鋅礦,纖鋅礦間隙原子和空位成對出現(xiàn)的點缺陷稱為肖特基缺陷;形成原子空位而無間隙原子的點缺陷稱為弗侖克耳缺陷。()
A:錯B:對
答案:錯從能帶角度來看,鍺、硅屬于_________半導體,而砷化稼屬于_________半導體,后者有利于光子的吸收和發(fā)射。()
A:間接帶隙,間接帶隙B:直接帶隙,間接帶隙C:直接帶隙,直接帶隙D:間接帶隙,直接帶隙
答案:間接帶隙,直接帶隙
第二章單元測試
薛定諤波動方程()。
A:是有數(shù)學嚴格推導而得B:對粒子運動過程的描述是不可逆的C:可用來描述粒子的產(chǎn)生或湮滅現(xiàn)象D:是量子力學的一個基本假定
答案:是量子力學的一個基本假定量子力學只是描述微觀世界運動規(guī)律的科學。()
A:對B:錯
答案:錯量子力學僅討論在經(jīng)典物理中存在的力學量。()
A:對B:錯
答案:錯量子力學中,針對具體量子狀態(tài),不同力學量不能同時有確定值。()
A:錯B:對
答案:錯量子力學的建立始于人們對光的波粒二象性的認識。()
A:錯B:對
答案:對
第三章單元測試
鍺的晶格結(jié)構和能帶結(jié)構分別是()。
A:金剛石型和直接禁帶型B:閃鋅礦型和直接禁帶型C:閃鋅礦型和間接禁帶型D:金剛石型和間接禁帶型
答案:金剛石型和間接禁帶型與半導體相比較.絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()。
A:比半導體的大B:不確定C:與半導體的相等D:比半導體的小
答案:比半導體的大半導體導帶中的電子濃度取決于導帶的()。
A:禁帶寬度B:電子的有效質(zhì)量C:狀態(tài)密度D:費米分布函數(shù)
答案:狀態(tài)密度;費米分布函數(shù)與半導體相比,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需要的能量比半導體的大。()
A:錯B:對
答案:對砷化鎵是直接能隙半導體,硅和鍺是間接能隙半導體。()
A:對B:錯
答案:對
第四章單元測試
如果一半導體的導帶中發(fā)現(xiàn)電子的幾率為零.那么該半導體必定()。
A:不含受主雜質(zhì)B:處于絕對零度C:不含任何雜質(zhì)D:不含施主雜質(zhì)
答案:處于絕對零度對于只含一種雜質(zhì)的非簡并n型半導體.費米能級EF隨溫度上升而()。
A:單調(diào)下降B:經(jīng)過一個極小值趨近EiC:單調(diào)上升D:經(jīng)過一個極大值趨近Ei
答案:經(jīng)過一個極大值趨近Ei把磷化鎵在氮氣氛中退火.會有氮取代部分的磷.這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
A:產(chǎn)生等電子陷阱B:產(chǎn)生復合中心C:產(chǎn)生空穴陷阱D:改變禁帶寬度
答案:產(chǎn)生等電子陷阱雜質(zhì)對于半導體導電性能有很大影響.下面哪兩種雜質(zhì)分別摻雜在硅中能顯著地提高硅的導電性能()。
A:金或銀B:鐵或銅C:硼或磷D:硼或鐵
答案:硼或磷若某半導體導帶中發(fā)現(xiàn)電子的幾率為零,則該半導體必定()。
A:不含施主雜質(zhì)B:不含受主雜質(zhì)C:不含任何雜質(zhì)D:處于絕對零度
答案:處于絕對零度
第五章單元測試
有效復合中心的能級必靠近()
A:導帶B:費米能級C:禁帶中部D:價帶
答案:禁帶中部半導體載流子在輸運過程中,會受到各種散射機構的散射,主要散射機構有()。
A:等價能谷間散射B:晶格振動散射C:位錯散射D:電離雜質(zhì)散射E:載流子間的散射F:中性雜質(zhì)散射
答案:等價能谷間散射;晶格振動散射;位錯散射;電離雜質(zhì)散射;載流子間的散射;中性雜質(zhì)散射半導體中由于濃度差引起的載流子的運動為()。
A:漂移運動B:共有化運動C:熱運動D:擴散運動
答案:擴散運動載流子在電場作用下的運動為()。
A:擴散運動B:熱運動C:共有化運動D:漂移運動
答案:漂移運動半導體中載流子擴散系數(shù)的大小決定于其中的()。
A:散射機構B:晶體結(jié)構C:復合機構D:能帶結(jié)構
答案:散射機構
第六章單元測試
對于大注入下的直接輻射復合,非平衡載流子的壽命與()。
A:非平衡載流子濃度成反比B:平衡載流子濃度成反比C:平衡載流子濃度成正比D:非平衡載流子濃度成正比
答案:非平衡載流子濃度成反比一塊半導體材料,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,其中非平衡載流子的壽命為τ。若光照忽然停止,經(jīng)過τ時間后,非平衡載流子全部消失。()
A:錯B:對
答案:錯在一定溫度下,光照在半導體材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照穩(wěn)定后,由于電子空穴對的產(chǎn)生率與復合率相等,所以稱為熱平衡狀態(tài),有統(tǒng)一的費米能級。()
A:對B:錯
答案:錯電中性是內(nèi)建電場產(chǎn)生的原因。只要破壞了電中性,就會產(chǎn)生擴散與漂移電流并存的情形,()會導致內(nèi)建電場。
A:載流子濃度不均勻B:半導體受外界的影響程度不均C:非平衡載流子的注入D:其余選項都是
答案:其余選項都是
早期鍺硅等半導體材料常利用測其電阻率的辦法來估計純度,室溫下較純Ge樣品的電子遷移率n=3900cm2/V.s,鍺原子密度b=4.421022cm3,若測得室溫下電阻率為10.cm,則利用此方法測得n型鍺的摻雜濃度為()。
A:B:C:D:
答案:
第七章單元測試
強電場效應會使半導體器件的載流子速度達到飽和,還可能使載流子成為熱載流子,影響器件性能。半導體器件的熱載流子由于具備高能量,常常會導致載流子進入介質(zhì)層;熱載流子可與晶格發(fā)生碰撞電離,利用這一原理可以制備雪崩二極管器件。()
A:錯B:對
答案:對太陽能電池本身就是一個pn結(jié)。()
A:對B:錯
答案:對影響pn結(jié)內(nèi)建電勢差的因素有__________等參數(shù),在相同條件下半導體材料Si、Ge和GaAs中__________的內(nèi)建電勢差VD最大。()
A:摻雜濃度、溫度、材料,GaAsB:摻雜濃度、材料,SiC:摻雜濃度、溫度,GeD:摻雜濃度、溫度、PN結(jié)的面積,GaAs
答案:摻雜濃度、溫度、材料,GaAs太陽能電池工作在pn結(jié)電流電壓特性曲線的第()象限。
A:IIIB:IC:IVD:II
答案:IV反向偏置pn結(jié),當電壓升高到某值時,反向電流急劇增加,這種現(xiàn)象稱為pn結(jié)擊穿,主要的擊穿機理有()。
A:熱擊穿B:雪崩擊穿C:隧道擊穿D:電擊穿
答案:雪崩擊穿;隧道擊穿
第八章單元測試
當pn結(jié)作為光電二極管使用時,經(jīng)常加反向偏置作為電流源,這時它工作在I-V曲線的第__象限。()
A:一B:二C:三D:四
答案:三強電場效應會使半導體器件的載流子速度達到飽和,還可能使載流子成為熱載流子,影響器件性能。半導體器件的熱載流子由于具備高能量,常常會導致載流子進入介質(zhì)層;熱載流子可與晶格發(fā)生碰撞電離,利用這一原理可以制備雪崩二極管器件。()
A:錯B:對
答案:對PIN光電二極管I區(qū)空間電荷區(qū)較大,瞬時光電流會比普通光電流大很多。()
A:錯B:對
答案:對在pn結(jié)中,p區(qū)的多子是空穴,少子是電子。()
A:錯B:對
答案:對光探測器在pn結(jié)電流電壓特性曲線中的工作區(qū)間與太陽能電池相同。()
A:對B:錯
答案:錯
第九章單元測試
金屬和半導體接觸分為()。
A:整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸B:整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸C:非整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸D:非整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸
答案:整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸MIS結(jié)構發(fā)生多子積累時,表面的導電類型與體材料的類型()。
A:不同B:相同C:無關
答案:相同如圖所示的P型半導體MIS結(jié)構的C-V特性圖中,AB段代表______,CD段代表______。()
A:多子耗盡;多子積累;B:平帶狀態(tài);多子耗盡;C:多子積累;少子反型;D:多子積累;多子耗盡;
答案:多子積累;多子耗盡;金屬和半導體接觸分為()。
A:非整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸B:整流的肖特基接觸和整流的歐姆接觸C:整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸D:非整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸
答案:整流的肖特基接觸和非整流的歐姆接觸嵌在摻雜適度的無表面態(tài)n型硅上做歐姆電極,以下四種金屬中最適合的是()。
A:B:C:D:
答案:
第十章單元測試
增強型場效應晶體管在柵極不加偏壓時,溝道處于導通狀態(tài)。()
A:錯B:對
答案:錯制造晶體管一般是在高雜質(zhì)濃度的n型襯底上外延一層n型的外延層,再在外延層中擴散硼、磷而成。n型硅單晶襯底是摻銻的,銻的電離能為0.039eV,室溫下時的EF位于導帶底下方0.026eV處,半導體的狀態(tài)為()。
A:強簡并B:非簡并C:弱簡并D:簡并
答案:弱簡并結(jié)型場效應晶體管包括下面哪種器件()。
A:Fin-FETB:MESFETC:IGBTD:T-FET
答案:MESFETMESFET場效應晶體管的M表示()。
A:金屬柵B:漏區(qū)C:半導體D:源區(qū)
答案:金屬柵理想的晶體管特性有()。
A:在放大區(qū)特性曲線間的間隔是均勻的B:零漏電流關斷狀態(tài)下阻斷電壓C:增益與正向電流和電壓無關D:零壓降下傳導電流
答案:在放大區(qū)特性曲線間的間隔是均勻的;零漏電流關斷狀態(tài)下阻斷電壓;增益與正向電流和電壓無關;零壓降下傳導電流
第十一章單元測試
光電探測器的靈敏度主要取決于其暗電流大小。()
A:對B:錯
答案:對一般半導體器件使用溫度不能超過一定的溫度.這是因為載流子濃度主要來源于_________,而將_________忽略不計。()
A:本征激發(fā),雜質(zhì)電離B:施主電離,本征激發(fā)C:雜質(zhì)電離,本征激發(fā)D:本征激發(fā),受主電離
答案:雜質(zhì)電離,本征激發(fā)在光電轉(zhuǎn)換過程中,硅材料一般不如砷化鎵量子效率高,因其()。
A:禁帶較寬B:禁帶較窄C:禁帶是間接躍遷型D:禁帶是直接躍遷型
答案:禁帶是間接躍遷型用愛因斯坦光子說來解釋光電效應時正確的說法是()。
A:電子克服原子核的
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