第1章半導體器件訓練題

第一章常用半導體器件一、判斷題1.因為N型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。（×）2.在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為P型半導體。（√）3.PN結(jié)在無光照、無外加電壓時，結(jié)電流為零。（√）4.在穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路中，穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流必須大于最大負載電流。（√）5.穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在反向擊穿狀態(tài)。（√）6.電路如圖1所示，二極管為理想元件，則UO＝－2V。（×）圖17．圖2所示穩(wěn)壓二極管電路中輸入電壓Ui＝10V，RL=500，穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓UZ＝5V，IZ=10mA，則限流電阻R應(yīng)選250的電阻。（√）圖28.PNP型三極管是鍺管，NPN型三極管是硅管。（×）9.如圖3，測得放大電路中晶體管的三個電極直流電位如圖中所示，表明該晶體管是PNP管。（√）10.如圖4，某放大電路中的晶體管兩個電極電流如圖中所示，因此求得晶體管的電流放大系數(shù)β為100。（√）圖3圖511.如圖5，當UI＝10V，UZ＝6V，最小穩(wěn)定電流IZmin＝5mA輸出電壓UO為6伏。（×）12.某晶體管處于放大狀態(tài)，測得其三個極的電位分別為9V、2.5V和3.2V，則這三個電極分別為基極、集電極和發(fā)射極。（×）13.結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵-源電壓應(yīng)使柵-源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其RGS大的特點。（√）14.在穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路中，穩(wěn)壓管的最小穩(wěn)定電流可以小于最小負載電流。（√）15.處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運動形成的。（×）二、選擇題1.使晶體三極管工作在放大狀態(tài)，其外部條件是（A）。A.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏B.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏C.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏D.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏2.穩(wěn)壓管二極管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在（C）。A.正向?qū)▍^(qū)B.反相截止區(qū)C.反相擊穿區(qū)D.死區(qū)3.如圖1，測得放大電路中晶體管的三個電極直流電位如圖中所示，表明該晶體管的類型是（B）。A.NPN管B. PNP管C.無法判斷。4.如圖2，某放大電路中的晶體管兩個電極電流如圖中所示，因此求得晶體管的電流放大系數(shù)β為（A）。A.100B. 10C.無法求出。圖35.如圖3，當UI＝10V時，若穩(wěn)壓管UZ＝6V，最小穩(wěn)定電流IZmin＝5mA，則輸出電壓UO為（C）伏。A.6；B.4；C.3.33。6.晶體三極管工作在截止區(qū)，則（B）。A.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏B.發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏C.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏7.穩(wěn)壓二極管反向擊穿后，其后果是（B）。A.永久性損壞B.只要流過管子的電流不超過規(guī)定值允許的范圍，管子不會損壞C.由于擊穿而導致性能下降D.不起穩(wěn)壓作用8.若測得電路中NPN型三極管的各極直流電位為：VB=1V，VC=0.7V，VE=0.3V，則三極管處于（A）狀態(tài)。A飽和B截止C放大 D無法判斷9.工作在放大區(qū)的某三極管，如果當IB從12μA增大到22μA時，IC從1mA變?yōu)?mA，那么它的β約為（C）。A.83B.91C.10010.當場效應(yīng)管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時，它的低頻跨導gm將（A）。A.增大B.不變C.減小11.現(xiàn)測得放大電路中晶體管兩個電極的電流如圖4所示。則管子是（A）型晶體管，電流放大系數(shù)β為（A）。A.NPN、38.75B.NPN、1.03C.PNP、38.75D.PNP、1.03圖412.用直流電壓表測得放大電路中某三極管各極電位分別是15V、14.8V、12V，則該三極管是（D）。A、NPN型Si管B、PNP型Si管C、NPN型Ge管D、PNP型Ge管13.某放大狀態(tài)的三極管，測得其三個管腳電位為：V1=6V，V2=0.7V，V3=0V，則可判定該管為（A）。A、NPN型硅管B、NPN型鍺管C、PNP型鍺管D、PNP型硅管14.現(xiàn)測得電路中NPN型晶體管的三個電極的電位分別為VC=6.3V、VB=6.7V、VE=6V，則管子工作在（B）。A、放大區(qū)B、飽和區(qū)C、截止區(qū)D、線性區(qū)15.當溫度升高時，二極管的反向飽和電流將（A）。A、增大B、不變C、減小D、與少子無關(guān)16.在本征半導體中加入（C）元素可形成N型半導體。A、三價B、四價C、五價D、六價17.二極管的反向飽和電流（B）。A、不受溫度的影響B(tài)、會隨溫度升高而增大C、會隨溫度升高而減小D、由多子決定18.已知放大電路中三極管處于放大狀態(tài)，其三個電極的對地電位分別為3.7V、9V、3V，三個電極分別對應(yīng)為（D）。A、c、b、eB、e、c、bC、e、c、bD、b、c、e三、填空題1、PN結(jié)具有單向?qū)щ娞匦浴?.穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在反向擊穿狀態(tài)。3.三極管是電流控制元件，場效應(yīng)管是電壓控制元件。4.三極管具有放大作用外部電壓條件是發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。5.在一實際電路中，若測得某三極管三個管腳的對地電位分別是:VA=-10V，VB=-5V,VC=-5.7V。則A腳為集電極。6.測得放大電路中晶體管的三個電極直流電位分別是12V、3.7V、3V，則晶體管是NPN（NPN、PNP）。7.為了使晶體管能有效地起放大作用，其管芯結(jié)構(gòu)總是使：發(fā)射區(qū)摻雜濃度高；集電結(jié)面積比發(fā)射結(jié)面積大。8.由晶體管的伏安特性可知，共具有放大、飽和、截止三種工作狀態(tài)。9.當PNP型晶體管工作在放大區(qū)時，各極電位關(guān)系為VE＞VB＞VC。10.當NPN型晶體管工作在放大區(qū)時，各極電位關(guān)系為VC＞VB＞VE。11．如圖1，測得放大電路中晶體管的三個電極直流電位如圖中所示，則晶體管是NPN(NPN、PNP)。12.電路如圖2所示，設(shè)導通電壓UD＝0.7V，則輸出電壓UO＝1.3V。圖213.現(xiàn)測得放大電路中晶體管兩個電極的電流如圖3所示，則射極電流IE=1.54mA，電流放大系數(shù)β=100。圖314.圖4所示理想二極管電路，若輸入信號uI1=3V，uI2=0V，則導通的二極管是D2，輸出電壓uO=0V。圖415.圖5電路中，設(shè)二極管導通電壓UD＝0.7V，輸出電壓UO為1.3V。圖516.放大電路中某三極管兩個電極的電流如圖6所示，則此三極管的集電極電流IC=5mA。圖617.已知放大電路中三極管處于放大狀態(tài)，其三個電極的對地電位分別為9V、3.7V、3V，則9V所對應(yīng)的管腳是三極管的集電極。18.工作在放大區(qū)的某三極管，如果當IB從20μA增大到40μA時，IC從1mA變?yōu)?mA，那么它的β約為50。19.現(xiàn)測得放大電路中三極管兩個電極的電流如圖7所示?？赏茢喑錾錁O電流IE=1.01mA，β=100。圖7四、計算題1.已知圖1中，，RL=1KΩ，試畫出二極管電流iD、電壓uD、以及輸出電壓uO的波形，并標出幅值。忽略二極管的正向壓降和反向電流。圖1解：uI=uD+uOuI正半周時，D導通，uD=0，得uO=uIuI負半周時，D截止，得uO=0，uD=uI波形見圖：2.已知圖2所示電路中穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓，最小穩(wěn)定電流，最大穩(wěn)定電流。(1)分別計算為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓的值；(2)若時負載開路，則會出現(xiàn)什么現(xiàn)象？為什么？圖2解法1：（1）只有當加在穩(wěn)壓管兩端的電壓大于其穩(wěn)壓值時，輸出電壓才為6V?！鄷r，；時，；時，，∴。(2)當負載開路時，，故穩(wěn)壓管將被燒毀。解法2：（1）當UI＝10V時，若UO＝UZ＝6V，則穩(wěn)壓管的電流