《半導體檢測與分析》期末考試復習題庫（含答案）

PAGEPAGE1《半導體檢測與分析》期末考試復習題庫（含答案）一、單選題1.加速因子AFT定義為基底溫度T0處的失效時間與提高溫度T1處的時間比值。如果在基底溫度T0下，某器件的失效時間為1000小時，在提高溫度T1下，該器件的失效時間為100小時，則加速因子AFT是多少？A、10B、100C、0.1D、0.01答案：A解析：根據(jù)加速因子AFT的定義，AFT=T0失效時間/T1失效時間=1000小時/100小時=10。2.在半導體器件的可靠性分析中，對數(shù)正態(tài)分布常用于描述哪種現(xiàn)象？A、器件的初始性能參數(shù)B、器件在長時間工作后的失效統(tǒng)計C、器件的制造過程中的缺陷分布D、器件的工作溫度范圍答案：B解析：對數(shù)正態(tài)分布在半導體器件的可靠性分析中主要用于描述器件在長時間工作后的失效統(tǒng)計，這是因為它能很好地擬合器件隨時間推移而逐漸失效的現(xiàn)象。3.半導體晶片并不是無窮厚度，所以大部分測試都要進行樣品()修正。A、長度B、邊沿C、厚度D、探針位置答案：C4.調(diào)制光反射通常用來測定()。A、薄層電阻B、離子注入晶片的注入離子量C、光密度D、結(jié)深答案：B5.共聚焦顯微鏡在成像過程中，以下哪個因素會導致分辨率減小？A、光束掃描速度慢。B、樣品對比度變化大。C、透鏡質(zhì)量差。D、樣品厚度增加。答案：B解析：共聚焦衍射的圖形能量更多地集中在中間衍射峰內(nèi)，減少了由樣品對比度的變化導致的分辨率減小。6.關于雙離子注入法，下列說法錯誤的是()A、雙離子注入法是一種直接測量技術B、雙離子注入法是一種間接測量技術C、雙離子注入法依靠將低劑量的離子注入到先前注入和退火的層中所產(chǎn)生的損害后的電阻變化來獲取第二次離子的注入濃度。D、雙離子注入法是一種改進的四探針測量法。答案：A7.光致發(fā)光(Photoluminescence,PL)技術主要用于探測哪種類型的雜質(zhì)？A、僅限淺層雜質(zhì)B、僅限深層雜質(zhì)C、淺層和深層雜質(zhì)D、只在特定條件下探測深層雜質(zhì)答案：C解析：光致發(fā)光技術不僅可以探測淺層雜質(zhì)，也可以探測深層雜質(zhì)，特別是當雜質(zhì)復合發(fā)生輻射時。8.載流子光照，用來測定()A、薄層電阻B、離子注入晶片的注入離子量C、光密度D、結(jié)深答案：D9.當氧化層存在泄漏時，開爾文探針電壓隨時間的變化趨勢是？A、保持不變B、逐漸升高C、逐漸降低D、先升后降答案：C解析：由于電荷通過氧化層泄露，開爾文探針電壓會隨時間逐漸降低。10.干涉相襯圖像與相位相襯圖像相比，以下哪個說法是正確的？A、干涉相襯圖像比相位相襯圖像更模糊，但更敏感于表面變化平緩的樣品B、相位相襯圖像比干涉相襯圖像更清晰，但更敏感于表面變化平緩的樣品C、干涉相襯圖像比相位相襯圖像更清晰，并且對于表面變化平緩的樣品也更加敏感D、兩種圖像在清晰度和敏感性上沒有顯著差異答案：C解析：干涉相襯圖像通過對比光波的相位差來增強圖像對比度，因此比相位相襯圖像更清晰。同時，由于它能夠檢測到微小的相位變化，所以對于表面變化平緩的樣品也更加敏感。11.在半導體材料中，反射率測量主要用于確定什么？A、半導體材料的導電性B、半導體材料的溫度系數(shù)C、膜層的厚度D、半導體材料的電阻率答案：C解析：反射率測量主要用于確定膜層的厚度，包括絕緣層和外延層。12.下列哪種方法可用于半導體晶片的失效定位？A、X射線光電子能譜B、紅外顯微鏡C、二次離子質(zhì)譜法D、俄歇電子能譜答案：B解析：紅外顯微鏡可以用于半導體晶片的失效定位。13.在電路的可靠性測量中，通常采用哪種方法來加速失效時間的測量？A、降低測試溫度B、提高測試電壓C、減少電流強度D、保持普通運行條件答案：B解析：電路的可靠性測量通常在加速條件下進行，這意味著測試條件（如電壓、電流或溫度）高于正常運行條件，以加速失效時間的測量。14.復式光學顯微鏡在半導體實驗室中的應用是什么？A、用于觀察集成電路和其它半導體器件的特征B、用于進行化學分析C、用于進行光譜分析D、用于進行熱分析答案：A解析：復式光學顯微鏡主要用于觀察集成電路和其他半導體器件的特征，幫助研究人員從總體上全面地了解這些器件。15.累計分布函數(shù)F(t)表示什么？A、器件在時間t或t之前失效的概率B、器件在時間t之后失效的概率C、器件在時間t時幸存的概率D、器件在時間t時開始工作的概率答案：A解析：累計分布函數(shù)F(t)表示器件在時間t或t之前失效的概率。16.單一波長的橢圓偏振法最常見的應用是什么？A、測量薄膜厚度B、測量溫度C、測量折射率D、測量微結(jié)構(gòu)答案：A解析：單一波長的橢圓偏振法最常見的是用于測量薄膜厚度。17.晶片電阻率分布圖，起初是用來描述()的均勻性。A、熱擴散B、熱氧化C、離子注入D、平坦技術答案：C18.渦流電阻率測試利用()來檢測材料的電導率或電阻率。A、吸收原理B、振動原理C、感應原理D、諧振原理答案：C19.線性退化是一個緩慢的過程，在正常工作條件下需要多少時間？A、幾個月B、幾年C、幾天D、幾小時答案：B解析：線性退化是一個緩慢的過程，在正常工作條件下需要幾年的時間。20.以下哪個選項最準確地描述了透射測量的一種應用?（）A、僅用于確定玻璃中鉛的含量B、用于確定半導體的電導率以及玻璃中硅的含量C、可用于確定半導體的光學吸收系數(shù)以及沉積玻璃中硼和磷的含量D、僅限于測量透明材料的厚度答案：C21.電子顯微鏡主要分為哪三種？A、掃描電子顯微鏡，透射電子顯微鏡和反射電子顯微鏡B、掃描電子顯微鏡，透射電子顯微鏡和場發(fā)射電子顯微鏡C、掃描電子顯微鏡，反射電子顯微鏡和場發(fā)射電子顯微鏡D、透射電子顯微鏡，反射電子顯微鏡和場發(fā)射電子顯微鏡答案：B解析：電子顯微鏡主要分為掃描電子顯微鏡，透射電子顯微鏡和場發(fā)射電子顯微鏡。22.在半導體的檢測與分析中，當過剩載流子被注入后，np結(jié)會發(fā)生什么變化？A、np結(jié)保持不變B、np結(jié)反向偏置C、np結(jié)正向偏置D、np結(jié)短路答案：C解析：當過剩載流子被注入后，np結(jié)會正向偏置，這是因為過剩載流子導致了結(jié)電壓的變化。23.在()測量中可有效消除接觸和探針電阻，測量電流效果顯著。A、非開爾文接觸B、開爾文漏極接觸C、開爾文源極接觸D、全開爾文接觸答案：D24.在進行氧化層厚度和完整性測量時，使用電暈沉積電荷柵代替導體柵的主要優(yōu)點是什么？A、提高測量速度B、增加樣品表面的電荷密度C、樣品表面的電暈離子具有低的遷移率D、減少設備成本答案：C解析：樣品表面的電暈離子具有低的遷移率，這是使用電暈沉積電荷柵的一個主要優(yōu)點。25.X-射線熒光光譜（XRFS）主要用于確定物質(zhì)中的什么？A、分子結(jié)構(gòu)B、微量元素的種類和含量C、宏觀元素的種類和含量D、物質(zhì)的密度答案：B解析：X-射線熒光光譜主要用于確定物質(zhì)中的微量元素的種類和含量。26.應用()整流方法進行檢測時，可通過與半導體接觸的點上交變整流信號的極性，判斷樣品的導電類型。A、熱電動勢B、整流C、光學檢測D、霍爾效應答案：B27.二次離子質(zhì)譜（SIMS）通過什么方式獲得樣品表面的信息？A、通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的分子吸收能量而從表面發(fā)生濺射產(chǎn)生二次離子B、通過激光照射樣品表面，使樣品表面的分子吸收能量而從表面發(fā)生濺射產(chǎn)生二次離子C、通過電子束轟擊樣品表面，使樣品表面的分子吸收能量而從表面發(fā)生濺射產(chǎn)生二次離子D、通過X射線照射樣品表面，使樣品表面的分子吸收能量而從表面發(fā)生濺射產(chǎn)生二次離子答案：A解析：二次離子質(zhì)譜（SIMS）通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的分子吸收能量而從表面發(fā)生濺射產(chǎn)生二次離子，然后通過質(zhì)量分析器收集、分析這些二次離子，從而獲得樣品表面的信息。28.溝道中的一些電子進入漏極的空間電荷區(qū)經(jīng)歷碰撞離子化后，下列哪項不是其可能的結(jié)果？A、注入氧化層（Not）B、流過氧化層（IC、產(chǎn)生界面陷阱（Dit）D、產(chǎn)生磁場答案：D解析：溝道中的電子進入漏極空間電荷區(qū)經(jīng)歷碰撞離子化后，可能的結(jié)果包括注入氧化層（Not）、流過氧化層（IG）、產(chǎn)生界面陷阱（Dit），但不會直接產(chǎn)生磁場。29.下列哪種方法不屬于離子束材料表征方法？A、二次離子質(zhì)譜B、盧瑟福背散射光譜C、透射電子顯微鏡D、X射線光電子能譜答案：C解析：透射電子顯微鏡不是離子束材料表征方法，而是利用電子束進行材料表征的方法。30.確定熱載流子在n溝道器件中退化的一個方法是？A、以最小柵極電壓對器件進行偏置B、以最大襯底電流對器件進行偏置C、以最低溫度對器件進行測試D、以最高頻率對器件進行驅(qū)動答案：B解析：熱載流子效應通常在高電場條件下加劇，因此通過施加最大襯底電流可以加速這一過程，從而更容易觀察到器件的退化情況。31.在X-射線熒光過程中，當高能級電子填補低能級空穴時，會釋放哪種類型的輻射？A、紫外線B、可見光C、紅外線D、X射線答案：D解析：當高能級電子填補低能級空穴時，會釋放X射線，這是X射線熒光的基礎。32.在拉曼散射過程中，入射光與哪種聲子發(fā)生相互作用？A、聲學聲子B、光學聲子C、電子D、離子答案：B解析：拉曼散射是入射光與光學聲子相互作用的結(jié)果。33.對于厚度小于50nm的電介質(zhì)薄膜，哪種方法更適合進行厚度測量？A、反射系數(shù)方法B、橢圓偏振法C、分光光度計反射系數(shù)測量法D、以上都不是答案：B解析：對于較薄的電介質(zhì)薄膜（d<50nm），橢圓偏振法（橢偏法）更適用于測量其厚度。34.在半導體器件的壽命曲線中，哪個階段的失效率最高？A、穩(wěn)定期B、老化期C、初期（嬰兒期）D、末期（磨損期）答案：C解析：在半導體器件的壽命曲線中，初期（嬰兒期）由于微觀制造缺陷導致的失效率最高。35.共聚焦顯微鏡與傳統(tǒng)顯微鏡的主要區(qū)別在于：A、共聚焦顯微鏡只能觀察二維圖像，而傳統(tǒng)顯微鏡可以觀察三維圖像。B、共聚焦顯微鏡通過限制被觀察物體的體積來保留被探測信號的近場散射信號，可以觀察物體的三維圖像。C、共聚焦顯微鏡的分辨率比傳統(tǒng)顯微鏡低。D、共聚焦顯微鏡需要更復雜的操作流程。答案：B解析：共聚焦顯微鏡通過限制被觀察物體的體積來保留被探測信號的近場散射信號，因此能夠觀察物體的三維圖像，這是其與傳統(tǒng)顯微鏡的主要區(qū)別。36.為什么光致發(fā)光技術過去廣泛用于表征III-V族半導體？A、因為它們具有高內(nèi)效率B、因為它們具有低內(nèi)效率C、因為它們是直接帶隙半導體D、因為它們是間接帶隙半導體答案：A解析：光致發(fā)光技術過去因其高的內(nèi)效率而被廣泛用于表征III-V族半導體，這使得光致發(fā)光成為一種有效的表征手段。37.在掃描電子顯微鏡（SEM）中，對于高原子序數(shù)樣品，大部分電子會在哪里被散射？A、樣品內(nèi)部深處B、樣品表面附近C、樣品邊緣D、樣品背面答案：B解析：高原子序數(shù)樣品在樣品表面附近有很多被散射了。38.掃描隧道顯微鏡STM中針尖和樣品之間的距離大約是多少？A、1μmB、1mmC、1nmD、1cm答案：C解析：STM工作時，針尖和樣品之間的距離約為1納米，這是保證隧道效應發(fā)生的必要條件。39.在光散射用于斷層掃描技術中，當波長為1060nm的入射光照射到硅晶片時，它能穿透大約多少距離？A、100μmB、500μmC、1000μmD、2000μm答案：C解析：根據(jù)題目描述，波長為1060nm的入射光在硅晶片中能穿透大約1000μm。40.在光透射測量中，透射光作為哪個參數(shù)的函數(shù)被測量？A、溫度B、時間C、波長D、壓力答案：C解析：透射光作為波長的函數(shù)被測量，這是光透射測量的基本原理之一。41.復式光學顯微鏡的物鏡和目鏡由多少個高度精密的透鏡復合而成？A、4個或更多B、5個或更多C、6個或更多D、7個或更多答案：C解析：復式光學顯微鏡的物鏡和目鏡是由6個或更多高度精密的透鏡復合而成的，以確保高分辨率和高放大倍數(shù)。42.X射線光電子能譜（XPS）主要用于探測樣品表面的哪些元素？A、氫和氦B、除了氫和氦之外的所有元素C、僅限金屬元素D、僅限非金屬元素答案：B解析：XPS可以探測除了氫和氦之外的所有元素。43.在掃描電子顯微鏡的CD測量中，二次電子的產(chǎn)額主要依賴于什么？A、樣品的材料成分B、樣品的形貌C、電子束的能量D、電子束的強度答案：B44.掃描隧道顯微鏡（STM）的核心組件是什么？A、激光器B、非常尖銳的金屬探針C、電子槍D、X射線源答案：B解析：STM的核心組件是尖銳的金屬探針，它在針尖和樣品之間形成隧道電流，從而實現(xiàn)高分辨率成像。45.在二次離子質(zhì)譜（SIMS）中，一次離子束的作用是什么？A、直接測量樣品表面的化學成分B、提供能量使樣品表面的分子發(fā)生濺射產(chǎn)生二次離子C、作為參考標準來校準儀器D、提供光譜信號以進行光譜分析答案：B解析：一次離子束的主要作用是提供足夠的能量使樣品表面的分子發(fā)生濺射，產(chǎn)生二次離子，進而通過質(zhì)量分析器收集和分析這些二次離子來獲取樣品表面的信息。46.在氧化物完整性檢測中，時間對準測量是通過什么方式來確定氧化物的擊穿電壓？A、通過施加恒定的柵電壓并測量電流變化B、通過逐漸增加柵電壓直到氧化層被擊穿C、通過施加恒定的柵電流并測量電壓變化D、通過測量柵電壓隨時間的變化答案：B解析：時間對準測量是通過逐漸增加柵電壓直到氧化層被擊穿的方式來確定氧化物的擊穿電壓。47.以下哪個參數(shù)與顯微鏡的分辨能力關系最密切？（）A、放大倍數(shù)B、數(shù)值孔徑C、光源強度D、樣品厚度答案：B解析：顯微鏡的分辨能力與數(shù)值孔徑密切相關，數(shù)值孔徑越大，顯微鏡的分辨能力越強。放大倍數(shù)雖然影響最終圖像的大小，但并不直接影響分辨能力。48.X射線熒光效應是指X射線照射到樣品上后，樣品會發(fā)出何種形式的輻射？A、可見光B、紅外光C、X射線D、紫外光答案：C解析：X射線熒光效應是指當X射線照射到樣品上時，樣品會發(fā)出X射線輻射。49.透射電子顯微鏡（TEM）的主要優(yōu)勢是什么？A、可以觀察宏觀結(jié)構(gòu)B、可以精確到0.08nm的分辨率C、可以進行化學成分分析D、可以進行快速成像答案：B解析：透射電子顯微鏡（TEM）的主要優(yōu)勢在于其極高的分辨率，可以達到0.08nm，這是其顯著特點之一。50.復式光學顯微鏡的特征尺寸最小精度是多少？A、1μmB、0.5μmC、0.25μmD、0.1μm答案：B解析：復式光學顯微鏡能夠達到的特征尺寸最小精度為0.5μm，這使得它非常適合于觀察半導體器件的微小結(jié)構(gòu)。51.在PCSA（偏振器-補償器-樣品-檢偏器）的零橢偏儀中，激光發(fā)出的非極化單色準直光束經(jīng)過哪個部件后會變成線性偏振光？A、補償器B、樣品C、偏振器D、檢偏器答案：C解析：偏振器的作用是將非極化的光轉(zhuǎn)換成線性偏振光。52.在半導體檢測與分析中，光學測量與損傷性接觸測量相比的主要優(yōu)點是什么？A、非接觸測量和大樣品要求B、非接觸測量和小樣品要求C、接觸測量和大樣品要求D、接觸測量和小樣品要求答案：B解析：光學測量避免了與樣品的直接接觸，減少了樣品的損傷，并且適用于小樣品的測量。53.在半導體器件的壽命預測中，電遷移失效通常符合哪種分布？A、指數(shù)分布B、威布爾分布C、對數(shù)正態(tài)分布D、泊松分布答案：C解析：電遷移失效通常符合對數(shù)正態(tài)分布。54.關于XPS技術的特點，下列說法正確的是？A、XPS技術對樣品的破壞性較大B、XPS技術主要適用于無機材料的分析C、XPS技術的入射光子束對樣品幾乎沒有破壞性D、XPS技術無法提供化學狀態(tài)和分子結(jié)構(gòu)的信息答案：C解析：XPS技術的入射光子束對樣品幾乎沒有破壞性，這使得它特別適合用于分析有機材料和高分子材料。55.XPS技術能夠提供的信息包括以下哪一項？A、僅能提供元素組成和含量的信息B、可以提供總體化學信息以及表面、微小區(qū)域和深度分布方面的信息C、只能提供化學狀態(tài)和分子結(jié)構(gòu)的信息D、僅能提供化學鍵方面的信息答案：B解析：XPS技術不僅可以提供元素組成和含量的信息，還可以提供總體化學信息以及表面、微小區(qū)域和深度分布方面的信息。56.在掃描電子顯微鏡（SEM）中，對于低原子序數(shù)（z≤15）的樣品，電子束在樣品中的分布形狀是？A、淚滴狀B、球狀C、半球狀D、柱狀答案：A解析：根據(jù)題目描述，對于低原子序數(shù)材料（z≤15），其電子分布為淚滴狀。57.拉曼光譜主要用于檢測什么類型的物質(zhì)？A、僅有機物B、僅無機物C、有機物和無機物D、金屬材料答案：C解析：拉曼光譜既可以檢測有機物也可以檢測無機物。58.在暗場光學顯微鏡中，光是如何照射在樣品表面的？A、光垂直照射在樣品上B、光以較小的角傾斜照射在樣品的表面C、光從樣品下方照射上來D、光從樣品上方照射下來答案：B解析：在暗場光學顯微鏡中，為了增強樣品的對比度，光是以較小的角度傾斜照射在樣品表面的。59.關于加速因子AF的不確定性，下列哪一項描述是正確的？A、提升的溫度和電壓數(shù)據(jù)可以直接應用于實際工作條件，無需考慮失效機制的變化。B、加速條件下的失效機制與正常條件下的失效機制相同。C、如果使可靠性測試條件接近工作條件，會導致較長的測試時間。D、加速因子AF的不確定性在于提升的溫度和電壓數(shù)據(jù)無法直接應用于實際工作條件。答案：C解析：加速因子AF的不確定性在于提升的溫度和電壓數(shù)據(jù)可以外推到工作條件的假設，但失效機制可能不同。因此，如果使測試條件接近工作條件，測試時間會變長。60.散射測量術中，散射光正比于什么？A、光散射的橫截面B、粒子的體積C、激光束的強度D、樣品表面的粗糙度答案：A解析：散射測量術中，對于一個孤立的粒子來說，散射光正比于光散射的橫截面。61.在半導體器件的失效分析中，用于探測封裝失效的方法是？A、機械探針法B、超聲成像C、電子束D、俄歇電子能譜答案：B解析：超聲成像可以用來探測封裝失效。62.在旋轉(zhuǎn)檢偏器式橢偏儀中，入射在樣品上的光是什么類型的偏振光？A、橢圓偏振光B、線偏振光C、自然光D、圓偏振光答案：B解析：旋轉(zhuǎn)檢偏器式橢偏儀中，入射在樣品上的光是線偏振光。63.開爾文探針是如何改變探針和樣品之間的電容的？A、通過改變探針的形狀B、通過電極的垂直振動C、通過改變樣品的溫度D、通過改變樣品的密度答案：B解析：開爾文探針通過電極的垂直振動來改變探針和樣品之間的電容。64.具有()的材料很難通過四探針或者范德堡方法測量。A、高電阻率B、中等電阻率C、低電阻率D、以上均可答案：A65.橢圓偏振法（Ellipsometry）主要測量的是什么？A、反射光或透射光的強度B、光強的綜合量C、樣品的溫度變化D、樣品的折射率答案：B解析：橢圓偏振法測量的是光強的綜合量，而非單純的反射光或透射光的強度。66.指數(shù)函數(shù)在半導體失效分析中的主要用途是什么？A、表示器件在壽命期內(nèi)的失效率是一個常數(shù)B、描述器件在不同溫度下的性能變化C、計算器件的最大功率消耗D、預測器件的使用壽命答案：A解析：指數(shù)函數(shù)主要用于表示器件在壽命期內(nèi)的失效率是一個常數(shù)，這在排除早期失效和耗盡時非常有用。67.光具有以下哪種性質(zhì)？A、只有波動性B、只有粒子性C、波粒二象性D、以上都不是答案：C解析：光既表現(xiàn)出波動性，也表現(xiàn)出粒子性，這種性質(zhì)稱為波粒二象性。68.盧瑟福背散射譜分析（RBS）是基于哪種粒子的背散射？A、電子B、質(zhì)子C、中子D、α粒子答案：B解析：盧瑟福背散射譜分析（RBS）主要利用高能質(zhì)子進行背散射分析。69.威布爾分布常用于哪些領域的可靠性分析？A、電子產(chǎn)品的壽命測試B、生物醫(yī)學研究C、化學反應速率測定D、氣象數(shù)據(jù)分析答案：A解析：威布爾分布在可靠性工程中被廣泛應用，特別是在機電類產(chǎn)品的磨損累計失效的分布形式上。70.以下測量方法中能直接作為測量標準的是()A、四探針法B、雙離子注入C、擴散電阻法D、調(diào)制光反射答案：A71.應力誘導漏電流(SILC)是指在被施加電場的薄氧化物中，柵氧電流增加的現(xiàn)象。下列哪個描述最準確地解釋了SILC？A、由于柵極電壓的增加導致的電流增加B、由于氧化物中的中性電子陷阱的產(chǎn)生，允許更多的電流通過這些陷阱作為‘踏腳石’而流過氧化層C、由于柵極材料的物理變形導致的電流變化D、由于柵極電壓的波動導致的電流不穩(wěn)定答案：B解析：SILC主要由氧化物中的中性電子陷阱的產(chǎn)生引起，這些陷阱允許更多的電流通過它們作為‘踏腳石’而流過氧化層。72.俄歇電子能譜（AES）主要用于檢測什么？A、固體內(nèi)部的化學成分B、固體表面的化學成分和結(jié)構(gòu)C、液體的化學成分D、氣體的化學成分答案：B解析：俄歇電子能譜主要用來檢測固體表面的化學成分和結(jié)構(gòu)。73.為什么指數(shù)函數(shù)經(jīng)常被用于半導體失效分析？A、因為它可以精確地預測器件的使用壽命B、因為它能描述器件在不同溫度下的性能變化C、因為它表示器件在壽命期內(nèi)的失效率是一個常數(shù)D、因為它可以計算器件的最大功率消耗答案：C解析：指數(shù)函數(shù)經(jīng)常被用于半導體失效分析是因為它表示器件在壽命期內(nèi)的失效率是一個常數(shù)。74.在半導體檢測中，電荷沉積通常采用哪種方法？A、熱沉積B、化學或電暈充電C、光刻技術D、激光沉積答案：B解析：電荷沉積通常采用化學或電暈充電的方法。75.在半導體晶片上，表面電壓主要受哪種因素影響？A、晶片厚度B、表面電荷C、溫度D、光照強度答案：B解析：表面電壓主要取決于表面電荷的分布情況，這是由于電荷的存在會改變表面的電勢分布。76.()通常用來測量半導體電阻率。它是一種絕對的測量方法，不需要用到其它的校準標準，甚至有時用來作為其它電阻率測量的標準。A、兩探針法B、四探針法C、擴散電阻法D、渦旋電流法答案：B多選題1.電阻率會影響半導體器件的()A、串聯(lián)電阻B、閾值電壓C、MOS器件的熱載流子退化D、CMOS電路的閂鎖答案：ABCD解析：串聯(lián)電阻;閾值電壓;MOS器件的熱載流子退化;CMOS電路的閂鎖;2.在掃描電子顯微鏡（SEM）中，對于低原子序數(shù)樣品，下列哪些描述是正確的？A、大部分電子射入樣品的深度較大才被吸收B、在樣品表面附近有很多被散射了C、很大一部分入射電子是背散射電子D、電子分布形狀為淚滴狀答案：AD解析：對于低原子序數(shù)樣品，大部分電子射入樣品的深度較大才被吸收，電子分布形狀為淚滴狀。3.晶圓厚度的測量方法有()A、雙離子注入B、差分電容探針測量法C、超聲波晶片厚度測量法D、光學密度測定答案：BC4.半導體電阻率的大小取決于()A、自由電子B、空穴濃度C、電子遷移率D、空穴遷移率答案：ABCD解析：自由電子;空穴濃度;電子遷移率;空穴遷移率;5.關于負偏壓高溫不穩(wěn)定性（NBTI），下列哪項描述是正確的？A、NBTI發(fā)生在降溫下施加正向柵極電壓的p-溝道MOS器件中。B、NBTI退化是由n-溝道MOSFETs中界面陷阱和固定的氧化物電荷的產(chǎn)生引起。C、NBTI通過絕對漏電流和跨導下降以及絕對閾值電壓增加體現(xiàn)。D、NBTI退化無法通過任何方法修復。答案：BC解析：NBTI發(fā)生在升溫下施加反向柵極電壓的p-溝道MOS器件中，通過絕對漏電流和跨導下降以及絕對閾值電壓增加體現(xiàn)。6.共聚焦顯微鏡在成像過程中，以下哪些因素會影響成像質(zhì)量？A、樣品的對比度。B、透鏡的焦距。C、光束的強度。D、樣品的溫度。答案：ABC解析：樣品的對比度、透鏡的焦距和光束的強度都會影響共聚焦顯微鏡的成像質(zhì)量。7.相比光學顯微鏡來說，電子顯微鏡有哪些優(yōu)點？A、電子波的波長比光波短，因此放大倍數(shù)更高B、電子顯微鏡的景深更大C、電子顯微鏡可以觀察到更大的樣品面積D、電子顯微鏡的分辨率更低答案：AB解析：電子顯微鏡的優(yōu)點在于其使用電子束而非光束進行成像，這使得它能夠達到更高的放大倍數(shù)和更深的景深。8.晶片電阻率分布圖技術包括()A、四探針薄層電阻B、調(diào)制光反射C、光密度測定D、以上都不對答案：ABC9.用四探針技術對低劑量、單注入層進行薄層電阻測量需要特殊措施，因為()A、要把探針和半導體電連接做好是有一定困難的B、低劑量引起低載流子濃度和低電導C、表面漏電流與測量電流相當答案：ABC10.以下哪些因素會影響顯微鏡的分辨能力？（）A、物鏡的放大倍數(shù)B、顯微鏡的數(shù)值孔徑C、光源的強度D、樣品的厚度答案：AB解析：顯微鏡的分辨能力受物鏡的放大倍數(shù)和數(shù)值孔徑的影響較大，而光源強度和樣品厚度對其影響較小。11.以下哪些是共聚焦顯微鏡的優(yōu)勢？A、高分辨率。B、能夠觀察三維圖像。C、操作簡單。D、成本較低。答案：AB解析：共聚焦顯微鏡因其獨特的成像原理，具有高分辨率和能夠觀察三維圖像的優(yōu)勢。12.利用霍爾效應可以測量()A、磁場B、霍爾元件載流子的濃度C、霍爾元件的電導率D、霍爾元件的遷移率。答案：ABCD13.關于電子顯微鏡的工作原理，下列哪些描述是正確的？A、掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡中，一束電子束照射到樣品上并產(chǎn)生圖像B、場發(fā)射電子顯微鏡中，樣品本身是電子產(chǎn)生源C、透射電子顯微鏡中，樣品本身是電子產(chǎn)生源D、掃描電子顯微鏡中，樣品本身是電子產(chǎn)生源答案：AB解析：在掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡中，一束電子束照射到樣品上并產(chǎn)生圖像，而在場發(fā)射電子顯微鏡中，樣品本身是電子產(chǎn)生源。14.以下哪些情況會導致位相相襯顯微鏡中的相移增加？A、樣品厚度增加B、樣品折射率增加C、入射光波長變短D、樣品表面平整度降低E、環(huán)境溫度升高答案：ABD解析：樣品厚度和折射率的增加以及樣品表面平整度的降低都會導致相移的增加，因為這些因素會影響光波在樣品中的傳播路徑和相位變化。15.在掃描電子顯微鏡（SEM）中，對于高原子序數(shù)（z≥40）的樣品，下列哪些描述是正確的？A、大部分電子射入樣品的深度較大才被吸收B、在樣品表面附近有很多被散射了C、很大一部分入射電子是背散射電子D、電子分布形狀為半球狀答案：BCD解析：高原子序數(shù)樣品在樣品表面附近有很多被散射了，且很大一部分入射電子是背散射電子，電子分布形狀為半球狀。16.在位相相襯顯微鏡中，相移的產(chǎn)生主要與以下哪些因素有關？A、樣品的折射率不均勻B、透射時通過樣品的光程不同C、反射時樣品表面高度不同D、光源的強度變化E、環(huán)境溫度的變化答案：ABC解析：相移的產(chǎn)生與樣品的折射率不均勻、透射時通過樣品的光程不同以及反射時樣品表面高度不同有關，這些因素都會導致光波的相位發(fā)生變化。17.共聚焦顯微鏡中，為了使點B發(fā)出的光也能通過針孔，以下哪些措施是正確的？A、提高樣品使其在點B處聚焦成像B、降低樣品使其在點B處聚焦成像C、調(diào)整顯微鏡的物鏡焦距D、增加針孔的直徑答案：AB解析：共聚焦顯微鏡通過提高樣品的位置來使點B發(fā)出的光聚焦在針孔平面上，從而可以通過針孔。18.測量離子注入均勻度的技術有()A、四探針法B、雙離子注入C、擴散電阻法D、調(diào)制光反射答案：ABCD19.俄歇電子能譜（AES）可以用于哪些方面的研究？A、固體表面的能帶結(jié)構(gòu)B、材料組分的確定C、液體的化學成分D、材料尤其是薄膜材料的生長答案：ABD解析：俄歇電子能譜可以用于固體表面的能帶結(jié)構(gòu)、材料組分的確定以及材料尤其是薄膜材料的生長等方面的研究。20.透射電子顯微鏡（TEM）除了用于高倍放大成像外，還可以實現(xiàn)哪些功能？A、電子能量損失的探測B、光探測C、X射線探測D、化學成分分析E、衍射電子束成像答案：ACE解析：透射電子顯微鏡（TEM）除了用于高倍放大成像外，還可以實現(xiàn)電子能量損失的探測、X射線探測以及衍射電子束成像等功能。21.關于電子探針微分析（EPM），下列哪些描述是正確的？A、EPM通常安裝在掃描電子顯微鏡上B、EPM主要用于表面分析C、EPM利用電子轟擊樣品產(chǎn)生X射線D、EPM可以用于分析樣品內(nèi)部成分E、PM是一種光學分析方法答案：ACDE解析：EPM通常安裝在掃描電子顯微鏡上，利用電子轟擊樣品產(chǎn)生X射線，可以用于分析樣品內(nèi)部成分，但不是一種光學分析方法。22.測量電阻率首先遵循以下前提()A、接觸處于樣品的圓周上B、接觸面積足夠小C、樣品厚度均勻D、樣品表面單獨接觸，也就是樣品不包含任何單獨的孔答案：ABCD解析：接觸處于樣品的圓周上;接觸面積足夠小;樣品厚度均勻;樣品表面單獨接觸，也就是樣品不包含任何單獨的孔;23.以下哪些因素會影響共聚焦顯微鏡的成像質(zhì)量？A、樣品的厚度B、光源的強度C、物鏡的分辨率D、針孔的大小答案：ABCD解析：樣品厚度、光源強度、物鏡分辨率和針孔大小都會影響共聚焦顯微鏡的成像質(zhì)量。判斷題1.當t趨向于無窮大時，累計分布函數(shù)F(t)趨向于1。A、正確B、錯誤答案：A解析：根據(jù)定義，隨著t趨向于無窮大，累計分布函數(shù)F(t)趨向于1，表示器件最終會失效。2.在表征物理線寬的所有技術中，掃描電子顯微鏡是最靈敏的技術。A、正確B、錯誤答案：B3.X射線的形貌分析可以用來進行結(jié)構(gòu)表征。A、正確B、錯誤答案：A解析：X射線的形貌分析確實可以用來進行結(jié)構(gòu)表征。4.許多失效模型是受活化能限制的，例如電遷移過程中原子的運動。A、正確B、錯誤答案：A解析：許多失效模型確實受活化能限制，特別是在電遷移過程中，原子的運動是熱激發(fā)的，這表明它們受活化能的影響。5.(兩探針法)中的每個觸點既是一個電流探針，又是一個電壓探針。四探針法相比兩探針法所得結(jié)果更準確。A、正確B、錯誤答案：A6.渦旋電流法能測量薄擴散或離子注入層的面電阻。A、正確B、錯誤答案：B7.總反射XRF(TXRF)技術適用于微量和痕量元素的分析。A、正確B、錯誤答案：A解析：TXRF技術由于其高靈敏度和表面分析能力，特別適合微量和痕量元素的分析。8.共聚焦顯微鏡每次只能觀察一個點的圖像。A、正確B、錯誤答案：A解析：共聚焦顯微鏡確實每次只能使一點成像，因此需要通過光束掃描來獲取整個樣品的圖像。9.半導體晶片上的電荷類型只包括氧化層電荷和界面陷阱電荷。A、正確B、錯誤答案：B解析：半導體晶片上的電荷類型不僅限于氧化層電荷和界面陷阱電荷，還包括等離子損傷電荷以及其他類型的電荷。10.氧化層（Not）和界面陷阱（Dit）會導致閾值電壓變化和遷移率退化。A、正確B、錯誤答案：A11.電暈沉積電荷柵可以顯著提高氧化層厚度和完整性的測量精度。A、正確B、錯誤答案：A解析：電暈沉積電荷柵由于其低遷移率的特性，能夠提高氧化層厚度和完整性的測量精度。12.當沉積負電暈電荷時，表面復合會增加，導致有效壽命變長。A、正確B、錯誤答案：B解析：當沉積負電暈電荷時，表面復合會增加，導致有效壽命變短。13.掃描電子顯微鏡SEM只能探測二次電子，無法探測背散射電子。A、正確B、錯誤答案：B解析：掃描電子顯微鏡SEM不僅可以探測二次電子，還可以探測背散射電子。14.電遷移失效通常符合對數(shù)正態(tài)分布。A、正確B、錯誤答案：A解析：電遷移失效通常符合對數(shù)正態(tài)分布。15.橢圓偏振法是一種非接觸式、無創(chuàng)傷性的測量技術。A、正確B、錯誤答案：A解析：橢圓偏振法確實是一種非接觸式、無創(chuàng)傷性的測量技術，它通過測量樣品表面反射光偏振狀態(tài)的變化來進行分析。16.對一個孤立的粒子來說，散射光正比于光散射的橫截面。A、正確B、錯誤答案：A17.X-射線熒光光譜法只能用于固體樣品的分析。A、正確B、錯誤答案：B解析：X-射線熒光光譜法不僅可以用于固體樣品的分析，也可以用于液體樣品的分析。18.共聚焦顯微鏡的分辨率高于傳統(tǒng)顯微鏡。A、正確B、錯誤答案：A解析：由于共聚焦顯微鏡的能量集中在中間衍射峰內(nèi)，因此其分辨率通常高于傳統(tǒng)顯微鏡。19.擴散電阻法不能對非Si、Ge半導體晶片進行可靠的測量，測量是破壞性的。A、正確B、錯誤答案：A20.指數(shù)函數(shù)經(jīng)常被用于半導體失效分析，因為它的失效速率為常數(shù)。A、正確B、錯誤答案：A解析：指數(shù)函數(shù)經(jīng)常被用于半導體失效分析，因為它的失效速率為常數(shù)，這使得它在排除早期失效和耗盡時非常有用。21.在半導體檢測中，電暈充電是一種常用的電荷沉積方法。A、正確B、錯誤答案：A解析：電暈充電確實是半導體檢測中常用的電荷沉積方法之一。22.失效是指器件喪失功能或器件參數(shù)退化等情況。A、正確B、錯誤答案：A解析：失效確實指的是器件喪失功能或器件參數(shù)退化等情況。23.加速條件下的失效機制可能與正常條件下的失效機制不同。A、正確B、錯誤答案：A解析：加速條件下的失效機制可能與正常條件下的失效機制不同，這是加速因子AF的一個不確定性來源。24.復式光學顯微鏡可以用于進行化學分析。A、正確B、錯誤答案：B解析：復式光學顯微鏡主要用于光學觀察，不適合進行化學分析。化學分析通常需要使用專門的化學儀器和試劑。25.在進行失效分析時，由于晶片前面被多層金屬干擾或晶片是倒裝的，因此需要從晶片背面實施分析。A、正確B、錯誤答案：A解析：由于晶片前面可能被多層金屬干擾或晶片是倒裝的，失效分析通常需要從晶片背面實施。26.X射線光電子能譜（XPS）可以探測所有的化學元素。A、正確B、錯誤答案：B解析：X射線光電子能譜（XPS）可以探測除了氫和氦之外的所有元素。27.開爾文探針的振動頻率通常為500-600Hz。A、正確B、錯誤答案：A解析：開爾文探針的振動頻率通常為500-600Hz，這是其工作頻率范圍。28.掃描隧道顯微鏡只能用于導電樣品的檢測。A、正確B、錯誤答案：A解析：掃描隧道顯微鏡的工作原理依賴于樣品的導電性，因此它只能用于導電樣品的檢測。29.XPS技術可以提供表面、微小區(qū)域和深度分布方面的信息。A、正確B、錯誤答案：A解析：XPS技術不僅可以提供總體化學信息，還能給出表面、微小區(qū)域和深度分布方面的信息。30.()當電流垂直于外磁場通過半導體時，載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，垂直于電流和磁場的方向會產(chǎn)生一附加電場，從而在半導體的兩端產(chǎn)生電勢差，這個電勢差被稱為霍爾電勢差。A、正確B、錯誤答案：A解析：正確答案:對31.俄歇電子能譜（AES）可以檢測除氫和氦之外的所有元素。A、正確B、錯誤答案：A解析：俄歇電子能譜可以檢測除氫和氦之外的所有元素，因為氫和氦的俄歇電子能量太低，難以檢測。32.范德堡結(jié)構(gòu)的優(yōu)點之一是只需要小尺寸樣品來進行四探針法測量。A、正確B、錯誤答案：A33.復式光學顯微鏡的物鏡和目鏡由少于6個透鏡復合而成。A、正確B、錯誤答案：B解析：復式光學顯微鏡的物鏡和目鏡是由6個或更多高度精密的透鏡復合而成的，這是為了提供高分辨率和放大倍數(shù)。34.調(diào)制光反射是對一個半導體樣品經(jīng)受周期性熱刺激時產(chǎn)生光波的光學折射進行的調(diào)制。A、正確B、錯誤答案：B35.四探針測量中要得到高精確度，需減小由于探針接近非導電邊界引起的幾何效應，其關鍵是在每個探針位置使用兩個測量結(jié)構(gòu)。這種技術被稱為是“二重構(gòu)造”或者叫做“組態(tài)開關”方法。A、正確B、錯誤答案：A36.接觸電遷移（EM）是最主要的金屬失效機制。A、正確B、錯誤答案：A37.透射電子顯微鏡和掃描電子顯微鏡的工作原理相同，都是通過一束電子束照射到樣品上并產(chǎn)生圖像。A、正確B、錯誤答案：A解析：透射電子顯微鏡和掃描電子顯微鏡的工作原理確實相同，都是通過一束電子束照射到樣品上并產(chǎn)生圖像。38.在明視場光學顯微鏡中，水平表面反射的光比傾斜表面或垂直表面反射的光要多。A、正確B、錯誤答案：A解析：在明視場光學顯微鏡中，由于光的入射角度和表面性質(zhì)的影響，水平表面通常反射更多的光，而傾斜表面或垂直表面反射的光較少。39.在半導體檢測與分析中，使用高分辨率顯微鏡可以提高檢測的準確性。（）A、正確B、錯誤答案：A解析：高分辨率顯微鏡能夠提供更詳細的圖像信息，有助于更準確地識別和分析半導體器件的結(jié)構(gòu)和缺陷，從而提高檢測的準確性。40.表面電壓的測量可以直接反映半導體晶片上的電荷分布情況。A、正確B、錯誤答案：A解析：表面電壓的測量確實能夠反映出半導體晶片上的電荷分布情況，因為電荷的存在會影響表面的電勢分布。41.光學技術進行摻雜的定量測量，測量是破壞性的。A、正確B、錯誤答案：B42.電子探針微分析（EPM）本質(zhì)上是一種表面分析技術。A、正確B、錯誤答案：B解析：EPM本質(zhì)上并不是表面技術，因為X射線是從樣品內(nèi)部中發(fā)射出來的。43.渦旋電流法只能對半導體基片上的金屬層或絕緣基片上的高濃度摻雜層進行測量。A、正確B、錯誤答案：A44.盧瑟福背散射譜分析（RBS）是一種定性分析方法。A、正確B、錯誤答案：B解析：盧瑟福背散射譜分析（RBS）是一種定量分析方法，可以提供關于樣品成分和結(jié)構(gòu)的詳細信息。45.柵氧化物擊穿統(tǒng)計通常用威布爾分布來描述，該分布也被稱為極值分布。A、正確B、錯誤答案：A解析：柵氧化物擊穿統(tǒng)計通常用威布爾分布來描述，該分布也被稱為極值分布。46.透射電子顯微鏡（TEM）的電子透鏡工作原理與光學顯微鏡完全不同。A、正確B、錯誤答案：B解析：透射電子顯微鏡（TEM）的電子透鏡工作原理與光學顯微鏡在原理上有相似之處，它們都包含一系列用于放大樣品的透鏡。47.半導體器件的老化測試（burn-in）可以有效減少由于微觀制造缺陷引起的早期失效。A、正確B、錯誤答案：A解析：老化測試（burn-in）確實可以通過嚴格的測試過程來減少由于微觀制造缺陷引起的早期失效。48.四探針測量電路由相同的ASTM標準給出。A、正確B、錯誤答案：B49.如果氧化層沒有泄漏，開爾文探針電壓將隨時間持續(xù)下降。A、正確B、錯誤答案：B解析：如果沒有泄漏，開爾文探針電壓不會隨時間持續(xù)下降，而是保持相對穩(wěn)定。50.線寬常常稱為臨界尺寸（CriticalDimensions，CD），測量線寬也就是測量CD。A、正確B、錯誤答案：A51.表面光電壓法可以用來測定多數(shù)載流子擴散長度。A、正確B、錯誤答案：B解析：表面光電壓法主要用于測定少數(shù)載流子擴散長度，而不是多數(shù)載流子擴散長度。52.線性退化是一個快速的過程，通常在幾分鐘內(nèi)發(fā)生。A、正確B、錯誤答案：B解析：線性退化是一個緩慢的過程，通常需要幾年的時間。53.光學檢測中用金屬開爾文探針探測激發(fā)出的光電壓。A、正確B、錯誤答案：B54.威布爾分布主要適用于機械類產(chǎn)品的磨損累計失效的分布形式。A、正確B、錯誤答案：A解析：威布爾分布特別適合于描述機電類產(chǎn)品因磨損而產(chǎn)生的累積失效情況，因此該陳述是對的。55.離子束不僅可以用于材料表征，還可以用于離子注入。A、正確B、錯誤答案：A解析：離子束不僅能夠用于材料表征，例如二次離子質(zhì)譜和盧瑟福背散射光譜，還能夠用于離子注入技術。56.在MOS電容器中，功函數(shù)差越大，表面電壓的變化越明顯。A、正確B、錯誤答案：A解析：功函數(shù)差越大，表面電壓的變化確實會更加顯著。57.二次離子質(zhì)譜（SIMS）只能用于分析樣品表面的化學成分，無法提供關于樣品表面的物理信息。A、正確B、錯誤答案：B解析：二次離子質(zhì)譜（SIMS）不僅可以分析樣品表面的化學成分，還可以提供關于樣品表面的物理信息，例如深度分布等。58.晶體生長過程中所生長的晶片電阻率是完全均勻的。A、正確B、錯誤答案：B59.布萊克方程考慮了電子和激發(fā)離子之間的動量轉(zhuǎn)移。A、正確B、錯誤答案：A解析：布萊克方程確實考慮了電子和激發(fā)離子之間的動量轉(zhuǎn)移，這是其理論基礎之一。簡答題1.(填空題)在進行壽命預測時，如果數(shù)據(jù)能夠畫出直線的概率圖紙，那么這些數(shù)據(jù)可能符合________分布、________分布或________分布。答案：指數(shù)、威布爾、對數(shù)正態(tài)解析：在進行壽命預測時，如果數(shù)據(jù)能夠畫出直線的概率圖紙，那么這些數(shù)據(jù)可能符合指數(shù)分布、威布爾分布或?qū)?shù)正態(tài)分布。2.(填空題)FIB通過在一條直線上或在一個窄的光柵格子內(nèi)反復移動離子束，可以切開金屬和多晶硅連接如_________和_________層。答案：氧化物、氮化物解析：FIB能夠精確地切開金屬和多晶硅連接，包括氧化物和氮化物層，而不對臨近結(jié)構(gòu)造成損害。3.(填空題)半導體的禁帶寬度可以通過測量吸收系數(shù)即作為______的函數(shù)來確定。我的答案：答案：光子能量解析：半導體的禁帶寬度可以通過測量吸收系數(shù)即作為光子能量的函數(shù)來確定。4.(填空題)X射線光電子能譜（XPS）是基于______效應的一種實驗技術。答案：光電解析：X射線光電子能譜（XPS）是基于光電效應的一種實驗技術。5.(填空題)調(diào)制光譜學(ModulationSpectroscopy)是通過對來確定在半導體中的帶間躍遷詳細情況的一種靈敏技術。答案：響應函數(shù)求導6.(填空題)熱噪聲是由于電荷載子的布朗運動導致電阻器上的電勢波動，這種現(xiàn)象是在______年提出的。答案：1906解析：熱噪聲的概念由愛因斯坦在1906年提出。7.(填空題)在位相相襯顯微鏡中，當光通過樣品時，如果樣品的折射率不均勻，會導致光程差產(chǎn)生，從而引起______的相移。答案：光波解析：當光通過折射率不均勻的樣品時，由于不同部分的光程不同，會引起光波之間的相位差，即相移。8.(填空題)威布爾分布可以利用概率值很容易地推斷出它的______。答案：分布參數(shù)解析：威布爾分布的一個重要特性就是可以通過概率值來推斷其分布參數(shù)，這使得它在壽命試驗的數(shù)據(jù)處理中非常有用。9.(填空題)失效分析中，用于詳細分析的方法包括電子顯微探針、______、X-射線光電子能譜、______等。答案：俄歇電子能譜、二次離子質(zhì)譜法解析：詳細分析的方法包括電子顯微探針、俄歇電子能譜、X-射線光電子能譜、二次離子質(zhì)譜法等。10.(填空題)在位相相襯顯微鏡中，為了放大相移，通常使用______來增強對比度。答案：位相板解析：位相板是一種光學元件，它能夠改變光波的相位，從而放大相移，增強顯微鏡圖像的對比度。11.(填空題)OBIRCH技術中，當激光束遇到缺陷時，由于熱量傳輸受阻，導致缺陷附近的電阻變化△Rs轉(zhuǎn)化為電流變化△Is或電壓變化△Vs，并在陰極射線管上以______形式顯示出來。答案：亮度變化解析：OBIRCH技術中，電阻變化△Rs轉(zhuǎn)化為電流變化△Is或電壓變化△Vs，并在陰極射線管上以亮度變化的形式顯示出來。12.(填空題)在掃描電子顯微鏡的CD測量中，由于光刻膠的______效應，線會產(chǎn)生細化現(xiàn)象。答案：交聯(lián)13.(填空題)掃描隧道顯微鏡適用于______樣品，而原子力顯微鏡適用于______樣品。答案：導電，導電和絕緣解析：掃描隧道顯微鏡需要導電樣品，而原子力顯微鏡可以用于導電和絕緣樣品。14.(填空題)共聚焦顯微鏡中，為了獲得清晰的圖像，通常需要調(diào)整_______來確保樣品的特定點聚焦在針孔平面上。答案：樣品的高度位置解析：為了獲得清晰的圖像，需要調(diào)整樣品的高度位置，使其在特定點聚焦在針孔平面上，從而實現(xiàn)共聚焦成像。15.(填空題)晶圓電阻率在器件加工過程中可經(jīng)過____和____方法進行局部調(diào)整。答案：擴散，離子注入16.(填空題)離子束可以產(chǎn)生光、電子或______發(fā)射。答案：X射線解析：離子