某一半導(dǎo)體材料價帶頂附近電子能量可表示為E(k)= -10-36k2(J.ppt

1、1. #1-1 2. #1-2 3. #補充題:某一半導(dǎo)體材料價帶頂附近電子能量可表示為E(k)= -10-36k2(J),其中能量零點取在價帶頂.此時若k=1108m-1處電子被激發(fā)到導(dǎo)帶,而在該處產(chǎn)生一個空穴. 試求此空穴的有效質(zhì)量;準(zhǔn)動量;共有化運動速度和能量.,習(xí)題,習(xí)題,1. #1-3 #1-4 3. #2-7 4. #補充題:已知硅的電子有效質(zhì)量為ml= 0.98m0, mt= 0.19m0 .現(xiàn)摻入施主雜質(zhì),請利用類氫模型估計:雜質(zhì)電離能, 雜質(zhì)的等效玻爾半徑, 當(dāng)相鄰雜質(zhì)原子的電子軌道發(fā)生交迭時的施主濃度,關(guān)于回旋共振實驗結(jié)果的一些說明,Si的導(dǎo)帶回旋共振實驗: B任意取向,

2、可觀察到三個吸收峰;B在110面上,仍是二個吸收峰 #1-4 Ge的導(dǎo)帶回旋共振實驗: 討論 B沿方向, 方向, 方向; B在110面上; B任意取向. #1-3 導(dǎo)帶的極值在方向: 討論 B沿方向, 方向, 方向; B任意取向.,習(xí)題,1. #3-1 2. #3-3 又:由這計算結(jié)果,你得到什么結(jié)論? 3. #3-6,習(xí)題,1. #3-7 2. #3-8 3. #3-10 4.#3-11 5.#3-12 要求：用語言將你的計算結(jié)果總結(jié)一下 (本題涉及的對數(shù)方程,可用圖解法; 可借助計算機進行計算; 也可作近似估算，數(shù)量級要正確),習(xí)題,#3-13 #3-15 #3-16 #3-18 （查圖表

3、時，至少要保證數(shù)量級正確）,習(xí)題,1. #4-2 2. #4-4 3. #4-7 4. #4-11 5. #4-15 必要時，須考慮溫度和雜質(zhì)濃度對載流子濃度和遷移率的影響,習(xí)題,1. #4-12 2. #4-13 3. #4-15 必要時，須考慮溫度和雜質(zhì)濃度對載流子濃度和遷移率的影響 4.補充：定性分析摻雜半導(dǎo)體電阻率隨溫度的變化關(guān)系。,習(xí)題,1. # 4-16 2. # 4-19 (應(yīng)用圖4-17) 3. # 12-1 4. # 12-6 5. 補充題: Si 原子加到GaAs 材料中, 可取代Ga原子成為施主雜質(zhì)或取代As原子成為受主雜質(zhì). 假定 Si 原子濃度為21014cm -3,

4、 其中5%取代As原子, 95 %取代Ga原子, 并在室溫下全部電離. 求: (1) 樣品的電導(dǎo)率. (2) 樣品的Hall系數(shù).,習(xí)題,1. #5-3 2. #5-4 3. #5-7 4. #5-8 5. 補充題: 一塊p型半導(dǎo)體, 畫出下列情況下的能帶簡圖, 標(biāo)出費米能級或準(zhǔn)費米能級的位置. 無光照 有光照, n= pni 有光照, 大注入,習(xí)題,1. # 5-9 2. # 5-12 3. # 5-15 4. # 5-16 5. # 5-17 (考慮摻雜濃度對遷移率的影響) 6. # 5-18(Au飽和濃度可取,習(xí)題 ,1. #6-1 2. #6-2 ( 正向偏置, 小注入) 3. #6-3 4. #6-5,習(xí)題,1. #6-6 (求電容時:,求勢壘電容, 求勢壘電容和擴散電容) 2. #6-7 3. #6-9 (Si材料) 4. #6-10 5. #6-12,1.施主濃度為7.01016cm-3的n型Si與Al形成金屬與半導(dǎo)體接觸，Al的功函數(shù)為4.20eV，Si的電子親和能為4.05eV，試畫出理想情況下金屬-半導(dǎo)體接觸的能帶圖并標(biāo)明半導(dǎo)體表面勢的數(shù)值。 2.某Shottky二極管，