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1、1.（1）,(001),210,（111）,（1-10）,（-132）,111,123,（-3-22）,236,(2),(-110),(3),2.,(2 6 3),m是指數(shù)中0的個數(shù)，n是相同指數(shù) 的個數(shù),3.,4.,6.,7.(1)(100)晶面間距為a=0.286nm (110)晶面間距 (123)晶面間距,自己計算,8.(1)不是 （2）不用看,9.自己計算 10.不用看,12.（1）0.097+0.181=0.278,14-17不用看 18自己看,第四章,3.自己看 4.不用看 5. （1）1點為正刃位錯，2點為右螺位錯， 3點為負刃位錯，4點為左螺位錯。 （2）在晶體的上下底面施加一

2、對平行于b的切應力，且下底面的切應力與b同向平行。 （3）滑移面下部晶體相對于上部晶體產生與b相同的滑移，并在晶體側表面形成相應臺階。,6.應在滑移面上、下兩部分晶體施加一切應力，切應力的方向應與de位錯線平行。 （2）在上述切應力作用下，位錯線de將向左（或向右）移動，即沿著與位錯線de垂直的方向（且在滑移面上）移動。當位錯線沿滑移面旋轉360度后。在晶體表面沿柏氏矢量方向產生寬度為一個b的臺階,7.在兩根位錯線上12,34為刃位錯，其余為螺位錯。 （2）OS上的各段位錯都可在該滑移面內滑移，OS上的12，34位錯不能運動，其余各段都可在該滑移面內滑移。,8.（1）AB和CD位錯線的形狀都不變，但AB的長度縮短b2，CD的長度增加b1 （2）AB位錯上形成右螺型扭折，EF上形成左螺型扭折。,9.半徑為r1的位錯環(huán)。10.自己看 11.（1）能，因為能量降低 （2）,15.

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