(好資料)05年春單片機(jī)試卷

哈爾濱工業(yè)大學(xué) 自動化測試與控制系05年春季 學(xué)期單片機(jī)原理試題（A卷）答題時間2小時題號一二三四五六七八九十總分分?jǐn)?shù)351014111020一、填空題（35分，每空1分）1、單片機(jī)也可稱為 或 。2、串行口方式2接收到的第9位數(shù)據(jù)送 寄存器的 位中保存。3、8031內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲器的地址范圍是 ，位地址空間的字節(jié)地址范圍是 ，對應(yīng)的位地址范圍是 ，外部數(shù)據(jù)存儲器的最大可擴(kuò)展容量是 。4、內(nèi)部RAM中，位地址為50H的位，該位所在字節(jié)的字節(jié)地址為 。5、如果(A)=65H，(50H)= 50H，(R1)= 50H，執(zhí)行指令XCHD A, R1；結(jié)果為：(A) = H ，(50H) = H。6、當(dāng)MCS-51執(zhí)行MOVC A，A+PC指令時，伴隨著 控制信號有效。7、MCS-51訪問片外存儲器時，利用 信號鎖存來自 發(fā)出的低8位地址信號。8、定時器/計數(shù)器T0作為計數(shù)器使用時，其計數(shù)頻率不能超過晶振頻率fosc的 。9、MCS-51系列單片機(jī)為 位單片機(jī)。10、MCS-51單片機(jī)有 級優(yōu)先級中斷。11、MCS-51系列單片機(jī)的典型芯片分別為 、 、 。12、當(dāng)單片機(jī)復(fù)位時PSW H，這時當(dāng)前的工作寄存器區(qū)是 區(qū)，R6所對應(yīng)的存儲單元地址為 H。13、MCS-51系列單片機(jī)指令系統(tǒng)的尋址方式有 、 、 、 、 、 。14、74LS138是具有3個輸入的譯碼器芯片，其輸出作為片選信號時，最多可以選中片芯片。15、利用8255A可以擴(kuò)展 個并行口，其中 條口線具有位操作功能。16、若MCS-51外擴(kuò)32KB 數(shù)據(jù)存儲器的首地址為0000H，則末地址為 H。17、由8031組成的單片機(jī)系統(tǒng)在工作時，引腳應(yīng)該接 。18、8031唯一的一條16位數(shù)據(jù)傳送指令為 。二、判斷對錯，如對則在（ ）中寫“”，如錯則在（ ）中寫“”。（10分）1、MCS-51單片機(jī)可執(zhí)行指令：MOV 28H，R2。（）2、判斷指令的正誤：MOV T0，#3CF0H；（）3、MCS-51單片機(jī)中PC的值是當(dāng)前正在執(zhí)行指令的下一條指令的地址。（ ）4、當(dāng)MCS-51執(zhí)行MOVX A，R1指令時，伴隨著信號有效。（ ）5、指令中直接給出的操作數(shù)的尋址方式稱為直接尋址（）6、MCS-51單片機(jī)程序存儲器的尋址范圍是由程序計數(shù)器PC的位數(shù)所決定的。（ ）7、內(nèi)部RAM的位尋址區(qū)，既能位尋址，又可字節(jié)尋址。（ ）8、特殊功能寄存器SP內(nèi)裝的是棧頂首地址單元的內(nèi)容。（）9、特殊功能寄存器SCON與定時器/計數(shù)器的控制無關(guān)。（ ）10、逐次比較型A/D轉(zhuǎn)換器與雙積分A/D轉(zhuǎn)換器比較，逐次比較型的轉(zhuǎn)換速度比較慢。（ ）三、簡答題如果(DPTR)=447BH，(SP)=42H，(40H)=80H，(41H)=70H，(42H)=60H，則執(zhí)行下列指令后：（4分）POPDPHPOPDPLPOPA則：(DPH)=；(DPL)=；(A)=(SP)=；2MCS-51采用12MHz的晶振，定時1ms，如用定時器方式1時的初值（16進(jìn)制數(shù)）應(yīng)為多少？（寫出計算過程）（6分）3中斷服務(wù)子程序返回指令RETI和普通子程序返回指令RET有什么區(qū)別？（4分）四、圖為8段共陰數(shù)碼管，請寫出如下數(shù)值的段碼。（11分） a b c d e f g hD0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7五、畫出MCS-51單片機(jī)利用串行口進(jìn)行1臺主機(jī)與3臺從機(jī)進(jìn)行多機(jī)串行通訊的連線圖，其中1臺從機(jī)的地址號為01H，請敘述主機(jī)向01H從機(jī)發(fā)送一個字節(jié)數(shù)據(jù)的過程。 (10分)六、請回答：(共20分)1下圖中外部擴(kuò)展的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器容量各是多少？(2分)2三片存儲器芯片的地址范圍分別是多少？(地址線未用到的位填1) (6分,)3請編寫程序，要求：將內(nèi)部RAM 30H3FH中的內(nèi)容送入1# 6264的前16個單元中；(4分)將2# 6264 的前4個單元的內(nèi)容送入內(nèi)部RAM 40H43H中；(4分)PSENCEWRP2.7P2.6P2.5P2.4P2.08031D0-D7OED0-D7OE2764 CEA8-A12A0-A7OE74LS373Q0Q