炭炭復合材料單晶生長熱場系統(tǒng)項目可行性研究報告.doc

炭/炭復合材料單晶生長熱場系統(tǒng)項目（炭/炭復合材料*噸/年、碳/石墨材料*噸/年）可行性研究報告*有限責任公司二OO年月炭/炭復合材料單晶生長熱場系統(tǒng)項目1*有限責任公司地址：電話：院長：主管副院長：總建筑師：總規(guī)劃師：編制人員：炭/炭復合材料單晶生長熱場系統(tǒng)項目2目錄第一章總論.4（一）項目背景.4（二）項目主要經濟技術指標.9（三）研究結論.10第二章市場預測.11（一）產品市場供應預測.11（二）產品目標市場分析.12（三）總體營銷思路.14第三章建設用地規(guī)模與產品方案.15（一）建設用地規(guī)模.15（二）產品方案.15第四章場址選擇.18（一）場址所在位置現狀.18（二）場址建設條件.18第五章技術方案、設備方案.21（一）技術方案.21（二）主要設備方案.22第六章主要原材料、燃料供應.24（一）主要原材料供應.24（二）能源供應.24（三）主要原材料價格.24第七章總體布置、運輸與公用輔助工程.26（一）總體布置.26（二）場內外運輸.26（三）公用輔助工程.27第八章節(jié)能、節(jié)水措施.30（一）概述.30（二）節(jié)能措施.30第九章環(huán)境影響評價.31（一）項目建設和生產對環(huán)境的影響.31（二）環(huán)境保護措施方案.31（三）環(huán)境影響評價.32第十章勞動安全衛(wèi)生與消防.33（一）勞動安全.33（二）生產事故及防范.34（三）職業(yè)危害的防護.34（四）消防設施.35第十一章組織機構與人力資源配置.36（一）組織機構.36（二）人力資源配置.37炭/炭復合材料單晶生長熱場系統(tǒng)項目3（三）員工培訓計劃.37第十二章項目實施進度.38（一）項目建設工期.38（二）施工進度安排.38（三）項目實施進度表（橫線圖）.38第十三章投資估算.40（一）投資估算依據.40（二）估算范圍.40（三）項目建設投資.41（四）資金籌措.42第十四章財務評價.43（一）評價依據、范圍及指標.43（二）經濟評價.44（三）財務評價.46（四）不確定性分析.47第十五章研究結論.48炭/炭復合材料單晶生長熱場系統(tǒng)項目4第一章總論受*有限公司的委托，我們對炭/炭復合材料單晶生長熱場系統(tǒng)項目（炭/炭復合材料20噸/年、碳/石墨材料400噸/年）可行性進行了研究，通過對該項目所在地區(qū)的市場、環(huán)境、交通、電力、給排水、通訊等條件進行調查，收集有關基礎資料，并與建設單位交換意見，在認真調查和分析資料的基礎上編制了炭/炭復合材料單晶生長熱場系統(tǒng)項目可行性研究報告。（一）項目背景1、項目名稱項目名稱：炭/炭復合材料單晶生長熱場系統(tǒng)項目項目建設單位：*有限公司項目建設規(guī)模為：炭/炭復合材料*噸/年，碳/石墨材料*噸/年項目建設選址：國家級*開發(fā)區(qū)2、承辦單位概況項目公司名稱：*有限公司成立時間：200年月日注冊資本：人民幣萬注冊地址：*企業(yè)登記注冊類型：炭/炭復合材料單晶生長熱場系統(tǒng)項目5*有限公司屬股份制企業(yè)，由*實業(yè)集團、*教授共同出資成立。其中，*教授以其擁有的居國際先進水平的專利技術作技術出資。生產基地位于*開發(fā)區(qū)內，占地畝，花園式工業(yè)區(qū)，是*實業(yè)集團下屬單位。主要從事新材料的開發(fā)及生產。*系*大學粉末冶金學院教授、博士生導師，*教授領導的科研隊伍在該領域居于國際領先地位。*公司以*教授擁有的專利知識產權技術和雄厚的研發(fā)實力為依托，通過整合人才、技術與市場優(yōu)勢，構筑新材料基地。*公司計劃投資5000萬元人民幣，建設炭/炭復合材料20噸/年、炭/石墨材料400噸/年的生產線，實現年工業(yè)產值1.5億元人民幣以上。并且*公司計劃以此為產業(yè)基礎，通過3年的時間，使公司的產品能夠覆蓋國內大部分或全部的硅單晶生長爐的熱場系統(tǒng)，逐步進入國外硅單晶爐熱場系統(tǒng)市場；努力開發(fā)新產品，擴大該新材料的應有領域，使其應有到其他的晶體生長設備及相關的高技術領域。3、可行性研究報告編制依據國家、*省、*市國民經濟和社會發(fā)展第十個五年計劃；*經濟技術開發(fā)區(qū)產業(yè)發(fā)展規(guī)劃；國家計委、建設部頒布的建設工程項目經濟評價方法與參數；其他文件、協議等。4、項目提出的理由與過程當今世界新材料的發(fā)展日新月異，特別是電子、通訊等相關領域發(fā)展迅猛，對硅材料需求十分旺盛。數十年以來，硅材料行業(yè)一直以“提高硅單晶的尺寸和質量”為主要目標，先后生產了4、5、6、8、12、16、炭/炭復合材料單晶生長熱場系統(tǒng)項目618英寸硅片。據最新的國家半導體技術（ITRS）介紹，直徑18英寸硅單晶拋光片是12英寸的下一代產品，也是未來22nm線寬的64G集成電路的襯底材料。集成電路產業(yè)是信息產業(yè)的核心，全世界以集成電路為核心的電子元器件，95%以上是硅材料制成的，其中直拉硅單晶的用量超過85%。隨著超大規(guī)模集成電路集成度的迅速提高，迫切要求采用大直徑的直拉硅單晶拋光片。超純及完整晶體結構的硅晶體是一條長長的價值鏈的起點。沒有硅晶體就沒有半導體、光電子、通訊技術及光電技術。硅晶體棒用于制作晶圓，晶圓是半導體工業(yè)中制作芯片的基礎材料。硅材料的另一個大的需求來自太陽能。從長遠看，世界上一半以上的能源生產要采用可再生能源。可再生資源主要有風、水、太陽能。太陽能直接轉換成電能（光電效應）靠太陽能電池完成。電池的原材料是帶特定晶體結構的硅。專家預測：在今后的十年，結晶硅將在太陽能電池的生產中成為在、最主要的材料。硅片工業(yè)目前在生產與市場方面已經形成了壟斷，日本、德國等國的資本控制的八大硅片公司的銷量占硅片總銷量的90%，當前IC用主流硅片是8英寸，并向12英寸過渡。市場調研預測，到2006年，12英寸的硅片的比例將由目前的1.3%增加到21.1%。在IC和太陽能發(fā)電等領域對硅單晶的巨大需求和消費，對其生產能力對生產技術提出了更高的要求。其中生產高純半導體材料的高溫電熱真空爐硅單晶生長爐正在向大型化、自動化的方向發(fā)展。硅單晶生長爐隔熱保溫筒、坩堝、發(fā)熱體等熱場系統(tǒng)元件采用高純石墨、超高純石墨材料制造，產品要求材料的金屬雜質含量要求不超過530ppm。同時硅單晶生長爐最主要的易損件的消耗量特別大。根據權威部門統(tǒng)計，炭/炭復合材料單晶生長熱場系統(tǒng)項目7一臺小型晶體生長爐（如12英寸）每年消耗的石墨坩堝、加熱器、保溫隔熱材料的價值，達到20萬元以上；一臺大型晶體生長爐的熱場系統(tǒng)備件損耗，可達50萬元以上。由于生產大型高純石墨、超高純石墨材料工藝控制難，需要大型的等靜壓設備等，其投資極大。因此，高純石墨尺寸受到限制，經常不能滿足制造較大硅單晶生長爐的熱場零件的要求；另外，石墨脆性大，機械強度不高，使用可靠性不強，使用壽命短。本項目提出的炭/炭復合材料單晶生長熱場系統(tǒng)零件的材料及熱場解決方案，經過實踐驗證，對解決以上問題起到了很好的效果。實施本案對發(fā)展大型硅單晶生長設備，制造大尺寸的晶體，提升我國微電子技術水平具有極為重大的意義。5、項目擬建地點本項目擬建于國家級*經濟技術開發(fā)區(qū)內。國家級*經濟技術開發(fā)區(qū)創(chuàng)建于年月，200年月經國務院批準為國家級經濟技術開發(fā)區(qū)。建區(qū)年多來，開發(fā)區(qū)堅持“以工業(yè)項目為主、吸引外資為主、出口為主和致力于發(fā)展高新技術”的方針，強調以產業(yè)發(fā)展為中心，走產業(yè)興區(qū)之路，通過卓有成效的招商引資工作，目前入區(qū)工業(yè)企業(yè)家，其中三資企業(yè)家，內資企業(yè)家，入區(qū)企業(yè)基本上實現了由單個到群體的轉變，區(qū)內產業(yè)也正由零散向集成轉變。到目前為止，區(qū)內共完成基本建設投資億元，移動土石方近億立方米，完成億元人民幣的基礎設施投資任務，各項建設工作都取得了十分顯著的成績。目前，區(qū)內主次干道已拉通條，總長公里；座大型跨線橋已經竣工通車；已經完成公里，架設鐵塔座的三回超高壓線路炭/炭復合材料單晶生長熱場系統(tǒng)項目8的改道工程，個千伏的變電站已經投入使用，目前區(qū)內日供電能力已經達到240萬千瓦時；2座日供水10萬噸的自來水廠已經投入運行；日處理能力8萬噸的污水凈化中心已經正式營業(yè)；裝機容量為10萬門的程控大樓，現已開通20000門程控電話和高速寬帶通訊網，實現了與156個國家和地區(qū)通信聯網；投資1400多萬元的電視發(fā)射塔已經正式投入使用。目前，*經濟技術開發(fā)區(qū)已經形成了以*、*為主體的先進制造工業(yè)，以*為主體的電子信息產業(yè)，以*為主體的新材料產業(yè)，以*系列為主體的食品飲料產業(yè)，以*為主體的輕印產業(yè)等五大產業(yè)格局。2003年年底，區(qū)內累計完成總產值億元。*經濟技術開發(fā)區(qū)位于*，地理位置優(yōu)越，交通十分便利。6、項目預期目標炭/炭復合材料單晶生產熱場項目總體規(guī)劃占地30畝，總投資4979.43萬元，總建筑面積7000平方米（全部為標準工業(yè)廠房）固定資產投資2179.93萬元。項目建設預期目標：形成年產炭/炭