射頻與微波電路設(shè)計講稿6.doc

本文由fyuanhappy貢獻 ppt文檔可能在WAP端瀏覽體驗不佳。建議您優(yōu)先選擇TXT，或下載源文件到本機查看。 第六講 低噪聲放大器設(shè)計 1 放大器是射頻與微波電路中最基本的有源電路 模塊。 常用的放大器有低噪聲放大器、寬頻帶放大器 和功率放大器。 本課程只討論低噪聲放大器與功率放大器。 本講座針對低噪聲放大器。 放大器技術(shù)指標 放大器技術(shù)指標噪聲系數(shù)與噪聲溫度 放大器的噪聲系數(shù) NF 可定義如下 2 S in / N in NF = S out / N out 式中，NF 為微波部件的噪聲系數(shù)； Sin，Nin 分別為輸入端的信號功率和噪聲功率； Sout，Nout 分別為輸出端的信號功率和噪聲功率。 噪聲系數(shù)的物理含義是：信號通過放大器之后，由于放大器 產(chǎn)生噪聲，使信噪比變壞；信噪比下降的倍數(shù)就是噪聲系數(shù)。 通常，噪聲系數(shù)用分貝數(shù)表示，此時 NF ( dB ) = 10 lg( NF ) 放大器技術(shù)指標 放大器技術(shù)指標噪聲系數(shù)與噪聲溫度 3 放大器自身產(chǎn)生的噪聲常用等效噪聲溫度 T e 來表達。噪聲溫度 T e 與噪聲系數(shù) NF 的 關(guān)系是 Te = T0 ? ( NF ? 1) 式中，T 0 為環(huán)境溫度，通常取為 293K。 根據(jù)公式（6-3） ，可以計算出常用的噪聲系數(shù)和與之對應的噪聲溫度，如表 6-1 所示。 表 6-1 噪聲系數(shù)和噪聲溫度關(guān)系 NF(dB) NF T e(K) NF(dB) NF T e(K) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.023 1.047 1.072 1.096 1.122 1.148 1.175 1.202 1.230 1.259 6.825 13.81 20.96 28.27 35.75 43.41 51.24 59.26 67.47 75.87 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 6.0 10 1.413 1.585 1.778 1.995 2.239 2.512 2.818 3.162 3.981 10.00 120.9 171.3 228.1 291.6 362.9 442.9 532.8 633.5 873.5 2637 放大器技術(shù)指標 放大器技術(shù)指標功率增益 4 微波放大器功率增益有多種定義，比如資用增益、實際增益、 共扼增益、單向化增益等。 對于實際的低噪音放大器，功率增益通常是指信源和負載都是 50標準阻抗情況下實測的增益。 實際測量時，常用插入法，即用功率計先測信號源能給出的功 率 P1；再把放大器接到信源上，用同一功率計測放大器輸出功率 P2， 功率增益就是 P2 G= P1 低噪聲放大器都是按照噪聲最佳匹配進行設(shè)計的。噪聲最佳匹 配點并非最大增益點，因此增益 G 要下降。噪聲最佳匹配情況下的 增益稱為相關(guān)增益。通常，相關(guān)增益比最大增益大概低 24dB。 功率增益與噪聲系數(shù) 5 功率增益的大小還會影響整機噪聲系數(shù)，下面給出簡化的多級 放大器噪聲系數(shù)表達式： N f = N f1 + N f 2 ?1 G1 + N f 3 ?1 G1G2 + 其中： N f 放大器整機噪聲系數(shù)； N f 1，N f 2，N f 3 分別為第 1，2，3 級的噪聲系數(shù)； G1，G2 分別為第 1，2 級功率增益。從上面的討論可以知道， 當前級增益 G1 和 G2 足夠大的時候，整機的噪聲系數(shù)接近第一級的 噪聲系數(shù)。因此多級放大器第一級噪音系數(shù)大小起決定作用。作為 成品微波低噪音放大器的功率增益，一般是 2050dB 范圍。 放大器技術(shù)指標 放大器技術(shù)指標增益平坦度 6 增益平坦度是指工作頻帶內(nèi)功率增益的起伏，常用最 高增益與最小增益之差，即G(dB)表示，如下圖所示。 放大器技術(shù)指標 放大器技術(shù)指標工作頻帶 考慮到噪音系數(shù)是主要指 標，但是在寬頻帶情況下 難于獲得極低噪音，所以 低噪音放大器的工作頻帶 一般不大寬，較多為20 上下。 工作頻帶不僅是指功率增 益滿足平坦度要求的頻帶 范圍，而且還要求全頻帶 內(nèi)噪音要滿足要求，并給 出各頻點的噪音系數(shù)。 7 放大器技術(shù)指標 放大器技術(shù)指標動態(tài)范圍 8 動態(tài)范圍是指低噪音放大器輸入信號允許的最小功率和最大功率的范 圍。動態(tài)范圍的下限取決于噪聲性能。當放大器的噪聲系數(shù) Nf 給定時，輸 入信號功率允許最小值是： Pmin = N f ( kT0 ?f m ) M 其中： ?f m 微波系統(tǒng)的通頻帶(例如中頻放大器通頻帶)； M 微波系統(tǒng)允許的信號噪聲比，或信號識別系數(shù)； T0 環(huán)境溫度，293K。 由公式可知，動態(tài)范圍下限基本上取決于放大器噪聲系數(shù)，但是也和整 個系統(tǒng)的狀態(tài)和要求有關(guān)。例如，電視機信號微波中繼每信道頻帶 ?f m 40MHz，信號噪音比 M10，放大器噪聲系數(shù) Nf=1.2(0.8dB)動態(tài)范圍下限 是 Pmin = 7.23 10 mW = ?81dB 。 動態(tài)范圍的上限是受非線性指標限制，有時候要求更加嚴格些，則定義為放 大器非線性特性達到指定三階交調(diào)系數(shù)時的輸入功率值。 9 放大器技術(shù)指標 放大器技術(shù)指標端口駐波比和反射損耗 9 低噪聲放大器主要指標是噪聲系數(shù)，所以輸入匹配電 路是按照噪聲最佳來設(shè)計的，其結(jié)果會偏離駐波比最 佳的共扼匹配狀態(tài)，因此駐波比不會很好。 此外，由于微波場效應晶體或雙極性晶體管，其增益 特性大體上都是按每倍頻程以6dB規(guī)律隨頻率升高而 下降，為了獲得工作頻帶內(nèi)平坦增益特性，在輸入匹 配電路和輸出匹配電路都是無耗電抗性電路情況下， 只能采用低頻段失配的方法來壓低增益，以保持帶內(nèi) 增益平坦，因此端口駐波比必然是隨著頻率降低而升 高。 放大器的穩(wěn)定性 當放大器的輸入和輸出端的反射系數(shù)的模都小于 1（即 10 1 1, 2 0 necessary 1 放大器在L 輸入平面上絕對穩(wěn)定的充分必要條件為 suficient 2 0 necessary 1 帶有輸入、輸出匹配電路放大器的一般表示 P3 Z0 輸入 匹配 電路 11 P1 a1 微波 b1 器 件 b2 S Zs Zin s 1 P2 a2 輸出 匹配 電路 P4 Z0 Zout ZL 2 L 如果只關(guān)心放大器的外部特性，放大器可當作一個二端口網(wǎng)絡， 其輸入、輸出之間的關(guān)系可表示為 b1 ? ? S11 ?b ? = ? S ? 2 ? ? 21 S12 ? ? a1 ? ? ? ?a ? S22 ? ? 2 ? 式中a1 、b1 分別為輸入端口P1面上的歸一化入射波、反射波電 壓；a2、 b2分別為輸出端口P2面的歸一化入射波、反射波電壓。 在圓圖上表示噪聲和增益等噪聲圓和等增益圓 在圓圖上表示噪聲和增益等噪聲圓和等增益圓 1、增益與負載有關(guān)，輸入輸出匹配時輸出最大 12 如果輸入匹配電路和輸出匹配電路使微波器件的輸入 阻抗Zin和輸出阻抗Zout都轉(zhuǎn)換到標準系統(tǒng)阻抗Z0，即Zin = Z0， Zout = Z0（或S = 1*，L = 2*）就可使器件的 傳輸增益最高。 P3 Z0 輸入 匹配 電路 P1 a1 微波 b1 器 件 b2 S Zs Zin s 1 P2 a2 輸出 匹配 電路 P4 Z0 Zout ZL 2 L 在圓圖上表示噪聲和增益等噪聲圓和等增益圓 在圓圖上表示噪聲和增益等噪聲圓和等增益圓 13 2、輸入、輸出匹配時，噪聲并非最佳。相反有一定失配，才能實現(xiàn) 噪聲最佳。 對于MES FET（金屬半導體場效應晶體管）來說，其內(nèi)部噪聲源包括 熱噪聲、閃爍噪聲和溝道噪聲。這幾類噪聲是相互影響的，綜合結(jié)果 可歸納為本征FET柵極端口的柵極感應噪聲和漏極端口的漏極哭聲兩 個等效噪聲源。這兩個等效噪聲源也是相關(guān)的，如果FET輸入口（即P1 面）有一定的失配，這樣就可以調(diào)整柵極感應噪聲和漏極噪聲之間的 相位關(guān)系，使它們在輸出端口上相互抵消，從而降低了噪聲系數(shù)。對 于雙極型晶體管也存在同樣機理。 根據(jù)分析，為獲得最小的FET本征噪聲，從FET輸入口P1面向信源方向 視入的反射系數(shù)有一個最佳值，用 out 表示。當改變輸入匹配電路使 呈現(xiàn) S = out 此時，放大器具有最小噪聲系數(shù)Nfmin，稱為最佳噪聲匹配狀態(tài)。 在圓圖上表示噪聲和增益等噪聲圓和等增益圓 在圓圖上表示噪聲和增益等噪聲圓和等增益圓 14 輸入、輸出不匹配時，增益將下降。因為負載 是復數(shù)，有可能在不同的負載下得到相同的輸 出，經(jīng)分析在圓圖上，等增益線為一圓，這個 圓叫等增益圓。 當輸入匹配電路不能使信源反射系數(shù)S和最佳反 射系數(shù)opt（噪聲系數(shù)最小時的反射系數(shù)）相等時， 放大器噪聲將增大。由于S是復數(shù)，不同的S值有 可能得到相同的噪聲系數(shù)，在圓圖上噪聲系數(shù)等值 線為一圓，叫等噪聲圓。 在圓圖上表示噪聲和增益等噪聲圓和等增益圓 在圓圖上表示噪聲和增益等噪聲圓和等增益圓 15 等噪聲源、等增益圓是我們設(shè)計輸入輸出匹配電路，尤其輸入 匹配電路的依據(jù)。 低噪聲放大器設(shè)計的依據(jù)與步驟 16 依據(jù)： 1. 滿足規(guī)定的技術(shù)指標 噪聲系數(shù)（或噪聲溫度）；功率增益；增益平坦度；工作頻 帶；動態(tài)范圍 2. 1. 2. 3. 4. 5. 輸入、輸出為標準微帶線，其特征阻抗均為50? 放大器級數(shù) 晶體管選擇 電路拓樸結(jié)構(gòu) 電路初步設(shè)計 用CAD軟件進行設(shè)計、優(yōu)化、仿真模擬 步驟： 電路設(shè)計原則 17 1. 在優(yōu)先滿足噪聲小的前提下，提高電路增益， 即根據(jù)輸入等增益圓、等噪聲圓，選取合適 的S ，作為輸入匹配電路設(shè)計依據(jù)。 2. 輸出匹配電路設(shè)計以提高放大器增益為主， out = Z0 （ L = 2*） 3. 滿足穩(wěn)定性條件 4. 結(jié)構(gòu)工藝上易實現(xiàn) 電路設(shè)計基本電路模塊 電路設(shè)計基本電路模塊 輸入匹配電路模塊 P3 Z0 輸入 匹配 電路 18 輸出匹配電路模塊 P1 a1 b1 微波 器 件 b2 S Zs Zin s 1 Zout ZL 2 L P2 a2 輸出 匹配 電路 P4 Z0 低噪聲放大器一般不止一級，還有級間匹配電路模塊。 輸入匹配電路要求 輸入匹配電路要求 要求：Zout = Zopt out = opt 19 輸入匹配電路結(jié)構(gòu)類型 輸入匹配電路結(jié)構(gòu)類型 并聯(lián)導納型匹配電路 20 阻抗變換型匹配電路 微帶電路拓撲結(jié)構(gòu)的選擇原則 帶阻抗跳變式的阻抗變換器類， 21 （1）微波的高頻段，比如工作頻率在X波段或更高，宜選用微 （2）對于微波的低頻段，例如S波段或更低端，宜選用分支微 帶結(jié)構(gòu)。 （3）微波管輸入阻抗為容性時，此時s11處在史密斯圓圖下半平 面，匹配電路第1個微帶元件宜用電感性微帶單元；反之， 當s11處在史密斯圓圖上半平面時，宜用電容性微帶單元。 （4）微波晶體管輸入總阻抗為低阻抗時，即s11處在史密斯圓圖 第2、3象限，微帶變換器應采用高特性阻抗的微帶線；反 之，s11處在史密斯圓圖第1、4象限時，為高輸入阻抗，微 帶變換器宜采用低特性阻抗微帶線。 輸入匹配電路電路拓樸結(jié)構(gòu)選擇原則 輸入匹配電路電路拓樸結(jié)構(gòu)選擇原則 22 根據(jù)上述原則，不同輸入阻 抗（即不同的s11情況），微 波管的適宜電路可歸納如圖 6-8所示。圖中微帶線寬度表 示了微帶線特性阻抗的高或 低，線越寬表示特性阻抗越 低。這里所指高特性阻抗是 圖6-8 具有不同s11的微波晶體 指高于50?而言，反之是指 管適宜的匹配電路結(jié)構(gòu) 低于50?。 以上介紹了微帶匹配電路的多種基本單元。應該注意的是，實 際放大器都有一定的工作頻帶，不同頻率時微波管有不同的輸 入阻抗（即s11 ）。從理論上講，一個頻率點上，復數(shù)阻抗可以 匹配到實數(shù)信源阻抗，而整個頻帶內(nèi)多個頻率點的復數(shù)阻抗不 可能都匹配到實數(shù)信源阻抗。因此，上述各種匹配電路形式往 往是綜合運用的。 輸入匹配電路舉例 23 級間匹配電路 級間匹配電路基本要求 其基本任務是使后級微 波管輸入阻抗與前級微 波管輸出阻抗匹配，以 獲得較大增益。在達到 級間共軛匹配時應有 Zin = ZT1* Zout = ZT2* 圖6-10 放大器的級間匹配電路 24 由于級間匹配電路是電抗性匹配，它的輸入和輸出必然同時達 到共軛匹配。 如果級間電路是第1級微波管后面的電路，除了增益匹配之外， 對它還有兩個要求： （1）按低噪聲設(shè)計，使第2級要有足夠低的噪聲 （2）要兼顧第1級輸入駐波比。 級間匹配電路 級間匹配電路第二級按低嗓聲設(shè)計 第二級按低噪聲設(shè)計，使第2級要有足夠低的噪聲 25 隨著技術(shù)的進步，第一級微波放大的噪聲越來越低。相對來說， 第2級噪聲對整機的噪聲附加值愈加突出。舉例來看，具體參數(shù) 是： 第1級噪聲溫度 第1級相關(guān)增益 第2級噪聲溫度 整機噪聲溫度 T1 = 25K （FdB = 0.36dB） G1= 12 （G = 11dB） T2 = 120K （FdB = 1.5dB） T = 25 + 120/12 = 35K 這時整機噪聲溫度增大10K，即增大了40%。若第2級按低噪聲 設(shè)計，使T2 = 40K，整機噪聲溫度T = 25 + 40/12 = 28.3K，此時 整機噪聲溫度僅增大3.3K。 因此，對于要求較高的低噪聲放大器，必須第2級也按低噪聲設(shè) 計。 級間匹配電路第二級設(shè)計時兼顧第1 級間匹配電路第二級設(shè)計時兼顧第1級輸入駐波比 26 第1級設(shè)計在最佳噪聲匹配狀態(tài)下，放大器輸入駐波比一定不很 好。利用微波管反向傳輸系數(shù)s12有可能適當調(diào)正第1微波管的輸 入反射系數(shù)o1，見圖6-10中標注。反射系數(shù)o1是 s12 , s211 o1 = s11 + 1 ? s22 1 式中，1 = (Zin-Z0)/( Zin+Z0)是級間匹配電路輸入反射系數(shù)；Z0 = 50?。 在級間匹配電路設(shè)計時，使之略有失配， 1 的變化將改變 o1 （公式6.27），而 o1 又將引起放大器輸入駐波比的變化。只要 得到合適的o1，即可適當改善放大器輸入駐波比。但也應該知 道，通過s12 的反饋，由于受到相位和衰減影響，僅能對放大器 駐波比略有改善，不可能改善很多。 級間匹配電路 級間匹配電路典型的幾種級間匹配電路 27 輸出匹配電路 輸出匹配電路基本要求 輸出匹配電路的基本任 務是把微波管復數(shù)輸出 阻抗匹配到負載實數(shù)阻 抗50?。 28 圖6-12 放大器輸出匹配電路 輸出匹配電路應解決的目標有以下幾項。 1、提高增益 2、改善整機增益平坦度 3、滿足放大器輸出駐波比 4、發(fā)送放大器穩(wěn)定性 輸出匹配電路 輸出匹配電路提高增益 29 當輸出電路與微波管達到共軛 匹配時，即Zin = ZT*時，功率 增益最高。 電路結(jié)構(gòu)形式可參見輸入電路 基本單元圖6-8和圖6-9。 輸出電路和輸入電路的區(qū)別僅是右端為實數(shù)負載，只要把圖6-7 和圖6-6中的匹配單元倒轉(zhuǎn)過來使用即可。 由于放大器具有一定寬度的工作頻帶，不可能全頻帶內(nèi)都達到 共軛匹配，尤其是對于存在潛在不穩(wěn)定的微波管更不可能達到 共軛匹配。 因此輸出匹配電路設(shè)計的目標是在保持穩(wěn)定的前提下有盡可能 高的增益。 低噪聲放大器總增益至少要大于30dB，才能抑制掉后級電路設(shè) 備噪聲的影響。有時低噪聲放大器后接數(shù)十米長電纜或后級設(shè) 備噪聲很大，尤其在整機噪聲要求嚴格時，總增益要求都在 4050dB以上。 輸出匹配電路 輸出匹配電路改善整機增益平坦度 30 微波晶體管的自身增益都是隨頻率升高而下降，下降比例大體 上是每倍頻程下降6dB。 放大器前兩級的主要目標是最佳噪聲 匹配，因此頻帶內(nèi)功率增益隨頻率變化曲線是向右下傾斜，因 而末級放大增益特性曲線必須向右上傾斜才能彌補整個放大器 增益的不平度。 如果增益不平度較大，而且末級還要照顧到駐波比指標，這就 需要兩級甚至三級才能校正前級增益的下跌傾斜。這就是低噪 聲放大器經(jīng)常包含4級或5級的原因。其實，如果只有噪聲這一 項要求，放大器增益為4050dB時，后級噪聲影響已完全不存在 了。但是，為了增益平坦，必須級數(shù)較多，這時總增益可能要 高達6070dB。 輸出匹配電路 輸出匹配電路改善整機增益平坦度 31 為獲得良好頻帶特 性，有時要加陷波 電路或吸收電路， 如圖6-13所示。 陷波電路就是一段 g/4的終端開路微帶 線，并聯(lián)在輸出電 路任意處，見圖6-13 圖6-13 陷波電路 （a）； l 是待吸收 （a）陷波電路；（b）幅頻特性的改善。 頻率的波長。 圖6-13（b）中的虛線是未加陷波電路時的頻帶特性，實線是加 陷波器以后的頻帶特性。 陷波電路只能適當調(diào)整頻帶形狀，它是電抗性單元，只能用于 末級或末前級，不能用于前級。若用于前級，相位不合適時， 會使輸入駐波比變壞，甚至放大器不穩(wěn)定。 輸出匹配電路 輸出匹配電路滿足放大器輸出駐波比 32 輸出駐波比的指標主要是靠輸出匹配電路解決。 一般的微波管s22 比s11 要小些，所以比較容易達 到良好匹配。 匹配完善時，輸出駐波比很小，但增益又成為 向右上傾斜，因此要兼顧這兩項指標。如果是5 級放大器，末級可以只考慮駐波比，而增益平 坦度指標由末前2級承擔。 輸出匹配電路 輸出匹配電路改善放大器穩(wěn)定性 前述匹配電路大都是電抗性匹配。如 果加入電阻就形成有耗匹配，例如圖 6-14所示。在主微帶線上并聯(lián)電阻R， 電阻R后面再接一段u/4的微帶線，微 帶線終端通過電容C構(gòu)成微波接地。u 是頻帶內(nèi)高端頻率fu的波長。在頻率fu 時，由于u/4的作用，電阻無損耗；在 頻率低于fu時，相當于在主線上并聯(lián)一 個包含電阻損耗的分支電路。頻率偏 離fu越多，損耗越大，增益就越低。 33 圖6-14 用有耗匹配電路改 善穩(wěn)定性 通過對R阻值和分支微帶特性阻抗Zr的調(diào)整，可以控制頻帶形狀和對 增益壓縮的大小，這樣就能使傾斜增益得以校正，而且對帶外增益抑 制更多。由于有阻性損耗，就比純電抗匹配法對駐波比的影響小，更 有利于改善輸出駐波比。 有耗網(wǎng)絡匹配方法，將對放大電路引入電阻熱噪聲，因此只能用于輸 出電路，不能用于前級。 放大器整體電路 34 圖6-15給出一個完整的C波段低噪聲放大器微波電路。為了便于 分析，圖中未畫出偏置電壓的引線和電源部分的電阻電容元件。 圖6-15 四級低噪聲放大器微帶電路 第1級FET按最佳噪聲要求設(shè)計。 第2級也是最佳噪聲設(shè)計。 第3級和第4級用直接移相線段作級間匹配電路。 放大器整體電路 放大器整體電路微帶電路部分 35 第1級FET按最佳噪聲要求設(shè)計。為了改善穩(wěn)定性，在FET的兩個源極和地之 間各串聯(lián)一段微帶線構(gòu)成串聯(lián)負反饋。負反饋微帶接地方式是在基片上打孔， 基片是聚四氟乙烯纖維板，孔壁金屬化后與底面金屬地層接通。 柵偏壓由扇線短路點引入，短路點上焊裝了穩(wěn)定電阻，用以抑制頻帶外過高 增益，增加放大器的穩(wěn)定性。 主微帶線兩側(cè)各加有一排方形小塊，是微調(diào)小島。可用焊錫把一部分小島聯(lián) 通，用以改變主微帶線寬度。微調(diào)小島一般置于電路敏感度高的地方，可用 來微調(diào)電路，從而可補償有源元件和焊裝的工藝參數(shù)離散性。 第2級也是最佳噪聲設(shè)計。第1級和第2級之間用兩個分支電路進行匹配。第2 級FET也加了源極串聯(lián)負反饋。兩根細微帶都是偏置電流引入線。開路分支 頂端有一排小島，可用來微調(diào)分支微帶長度。 第3級和第4級用直接移相線段作級間匹配電路。這兩級采用另一種型號的 FET，未加負反饋。 電路中的橫向縫隙是直流斷開點，用于焊裝隔直流電容器。C波段隔直流電 容常用20100pF片式電容器。電容器在焊裝前都要用微波網(wǎng)絡分析儀測量其 微波S參數(shù)，以確保隔直流電容器在工作頻段內(nèi)損耗足夠小。 放大器整體電路 放大器整體電路偏壓供電電路部分 36 圖6-16是該放大器電原理電路，對低頻和直流供電電路來說，微帶線呈直通 特性。 本電路采用雙電源供電。所謂雙電源是指漏極正電壓和柵極負電壓分別由正 壓和負壓兩個電源供電。外加電源15V，經(jīng)1N4001保護二極管，用集成穩(wěn)壓 塊M1（此處為7805）獲得穩(wěn)定電壓正5V。分別經(jīng)Rd1、Rd2、Rd3、Rd4降壓后 加到4個FET的漏極。在微帶電路上是加在偏置微帶線的零電位點，使之不影 響微波電路。調(diào)整各個Rd即分別控制了各FET的漏極電壓。通常低噪聲MES FET漏極工作電壓為3V，電流為10Ma；HEMT的漏極電壓為2V。 放大器整體電路 放大器整體電路偏壓供電電路部分 37 穩(wěn)壓塊M1輸出的正5V電壓經(jīng) 倒置穩(wěn)壓塊M2變換成負5V。 分別經(jīng)Rg1、Rg2、Rg3、Rg4和 820?電阻分壓后供給各微波 管柵極負