TLV3501.doc

延遲時間為4.5ns軌至軌，高速比較器Microsize軟件包特點 ？高速：延遲時間為4.5ns ？軌到軌I / O ？電源電壓：+2.7 V至+5.5 V ？推挽式CMOS輸出階段 ？關(guān)閉（TLV3501只） ？微套餐： 采用SOT23 - 6（單人） SOT23 - 8（雙） ？低電源電流：3.2毫安 應用 ？自動測試設(shè)備 ？無線基站 ？閾值檢測器 ？過零檢測器 ？窗口比較器 TLV350x相關(guān)產(chǎn)品 功能產(chǎn)品 精密超高速，低功耗比較器TLC3016 差分輸出比較TL712 高速運算放大器，16位精度，150MHz的OPA300 高速運算放大器，38MHz，軌到軌OPA350 OPA357 250MHz的高速運算放大器，帶有關(guān)斷 描述 推挽輸出比較TLV350x家庭 設(shè)有一個快速的延遲時間為4.5ns的傳播延遲和操作 +2.7 V至+5.5 V。以后的護欄輸入共模 范圍使得它為低電壓應用的理想選擇。 軌到軌輸出，直接驅(qū)動的CMOS或 TTL邏輯。 Microsize包提供了用于便攜式選項 空間受限的應用。單（TLV3501） 采用SOT23 - 6和SO - 8封裝。雙 （TLV3502）采用SOT23 - 8和SO - 8封裝。PAGE2絕對最大額定值（1）電源電壓。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +5.5 V，信號輸入端子，電壓（2）。 。 。 。 。 （V） - 0.3V（V +）+ 0.3V信號輸入端子，電流（2）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10毫安輸出短路（3）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 74毫安工作溫度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 C至+125 C存儲溫度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 C至+150 C結(jié)溫。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +150 C鉛溫度（焊接，10S）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300 C額定ESD（人體模型）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3000V帶電器件模型（CDM）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500V（1）強調(diào)以上這些收視率可能會造成永久性損壞。長時間暴露在絕對最大條件可能會降低設(shè)備的可靠性。這些僅僅是極限參數(shù)，并設(shè)備的功能操作在這些或任何其他條件超出指定的那些不支持。（2）輸入端子二極管鉗位的電源軌。輸入信號的擺幅可超過0.3V超出供應導軌應電流為10mA或更小有限。（3）短路到地，其中一個比較每包。該集成電路可被ESD損壞。得克薩斯州NI建議所有集成電路處理適當?shù)念A防措施。不遵守妥善處理和安裝程序，可以造成損害。ESD損害的范圍可以從細微的性能退化完整的設(shè)備故障。精密集成電路可能更容易受到損害，因為非常小的參數(shù)變化導致設(shè)備不能滿足其公布的規(guī)格。訂貨信息（1）產(chǎn)品包裝引線封裝代號封裝標識TLV3501采用SOT23 - 6 DBV NXATLV3501的SO -8個D TLV3501ATLV3502 SOT23 - 8封裝的DCN NXCTLV3502的SO -8個D TLV3502A1）是由1引腳SOT23- 6封裝標識上圖所示方向。（2）NC表示沒有內(nèi)部連接。PAGE 3電氣特性（黑體字限額適用于在指定的溫度范圍內(nèi)，TA=0.40C125C。在TA = +25C和VS=2.7 V至+5.5 V，除非另有說明。TLV3501，TLV3502參數(shù)條件最小典型最大單位失調(diào)電壓（1）輸入失調(diào)電壓VOS VCM =0V，IO=0毫安【1【6.5毫伏與溫度dVOS/ DT，TA =0.40C至+125C【5V /C與電源PSRR VS= 2.7V至5.5V100 400V / V，輸入遲滯6 MV輸入偏置電流輸入偏置電流IB的VCM= VCC/ 2【2【10 PA輸入偏置電流（2）內(nèi)部監(jiān)督辦公室的VCM= VCC/ 2【2【10帕輸入電壓范圍共模電壓范圍VCM（V）。 0.2V（V +）+0.2 V共模抑制共模抑制比（CMRR）的VCM=.0.2 V至（V+）+0.257 70分貝VCM=.0.2 V至（五）+0.2V55分貝輸入阻抗共模10132pF的4pF的差分1013開關(guān)特性傳輸延遲時間（3）T（PD）螖VIN=100mV時，高速=20mV的4.5 6.4 NS螖VIN=100mV時，高速=20mV的7 NS螖VIN=100mV時，高速為5mV7.5=10 ns的螖VIN=100mV時，高速=5mV的12納秒傳播延遲偏差（4）螖T（歪斜）螖VIN=100mV的，高速=20mV的0.5納秒最大切換頻率fmax高速=50mV的，VS= 5V80兆赫TR1.5 ns的上升時間（5）下降時間（5）TF1.5納秒輸出輸出電壓從鐵路的VOH，VOL IOUT=鹵1毫安30 50毫伏關(guān)機TOFF為30 ns的tON為100 nsVL（比較器使能）（6）（V +）。 1.7V VVH（比較器被禁止）（6）（V +）。 0.9V V關(guān)斷引腳2 pA的電流輸入偏置IQSD（關(guān)機靜態(tài)電流）2渭一個電源供應器指定的電壓和2.7+5.5 V工作電壓范圍2.2至5.5 V靜態(tài)電流IQ VS=5V，VO=高3.2 5 mA的溫度范圍指定范圍0.40125擄彗星經(jīng)營范圍：0.40125擄彗星存儲范圍0.65150擄彗星熱電阻司法機構(gòu)政務長采用SOT23 - 5200擄C / W，SOT23- 8200擄C / W，SO -8 150（1）被定義為平均的積極和負面的開關(guān)閾值的VOS。（2）之間的差別IB+和IB。（3）傳播延遲，不能準確地測量與低過載自動測試設(shè)備。此參數(shù)是保證100mV的過載特性和測試。（4）持續(xù)高傳播延遲和傳播延遲之間的差異變低。（5）之間測量VS10和90的VS。（6）當關(guān)斷引腳在最積極的供應0.9V是，部分被禁用。當它超過1.7V以下的最積極的供應，部分啟用PAGE 7應用信息TLV3501和TLV3502都具有高速內(nèi)部的滯后反應和包括6MV改善與輸入共模噪聲抑制能力范圍可超出電源軌0.2V。關(guān)機一個停機引腳允許器件進入空閑時，在不使用。當關(guān)斷引腳高電平時，器件約2A繪制和輸出變?yōu)楦咦杩埂．旉P(guān)斷引腳低，TLV3501是可用的。TLV3501關(guān)機功能不使用時，只需最負電源關(guān)斷引腳連接，作為如圖1所示。走出來的，大約需要100ns的關(guān)斷模式。 TLV3502沒有關(guān)機功能。VINVREFVOUTVS0.1F2.2FTLV3501圖1。 TLV3501的基本連接工作電壓TLV3501比較器都被指定為一個單一的使用電源+2.7 V至+5.5 V（或從 1.35V雙電源供電 2.75V）在一個溫度范圍為-40 C至+125 C。器件將繼續(xù)低于此范圍的功能，但未指定性能。增加外部滯回TLV350x有一個強大的性能與使用時良好的布局。然而，比較器的輸入噪音小指定的偏移電壓范圍內(nèi)的免疫力（ 5mV的）。對于滯銷或嘈雜的輸入信號，輸入比較器的輸出可能會顯示多個開關(guān)信號通過開關(guān)閾值移動。在這種應用程序，內(nèi)部滯回的TLV350x 6MV可能沒有足夠。情況下，較大的噪聲免疫力需要，可能會增加外部滯回連接少量的積極反饋輸入。圖2顯示了一個典型的拓撲結(jié)構(gòu)，用于引入25mV的額外的滯后，為總31mV從單一5V電源操作時的滯后。共有滯后是近似公式1：VHYST？（五）R1R1的？R2？6MVVHYST需要設(shè)置過渡電壓值通過擴大閾值開關(guān)比較器輸出區(qū)域，從而減少對噪聲的敏感性。圖2。添加滯后的TLV350x輸入過電壓保護設(shè)備投入將ESD二極管保護進行，如果輸入電壓超過電源超過約300mV的。瞬間電壓電源可大于300mV的更大的超越輸入電流10mA的電流是有限的，如果容忍。這限制很容易實現(xiàn)與串聯(lián)一個小的輸入電阻比較，如圖3所示。圖3。輸入電流電壓保護超過電源電壓PAGE 8張弛振蕩器TLV350x可以作為一個簡單而方便地進行配置廉價的張弛振蕩器。在圖4中的R2網(wǎng)絡設(shè)置跳閘閾值在1 / 3和2 /3的供應。由于這是一個高速電路，電阻值相當?shù)?，以減少寄生效應電容。積極輸入候補之間的1 / 3V +和V +取決于是否產(chǎn)量低2 /3或高。充電時間一定要（或放電）0.69R1C。因此，這一時期是1.38R1C。對于62pF和1k作為如圖4所示，輸出計算為10.9MHz。在9.6MHz振蕩的這條賽道的實施。寄生電容和元件公差解釋理論和實際表現(xiàn)之間的差異。圖4。張弛振蕩器高速窗口比較器一個窗口比較器電路是用來確定何時兩個電壓信號。 TLV3502可以很容易地用于創(chuàng)建一個高速窗口比較器。 VHI是高電壓閾值，和VLO的是低電壓閾值。當VIN這兩個閾值之間，在圖5中的輸出是很高的。圖6顯示了一個簡單的方法取得了積極的低輸出。請注意，參考圖5和之間的連接不同水平圖6。任何一個電路的工作電壓范圍2.7V至5.5V。圖5。窗口比較高電平圖6。窗口比較低有效PAGE 9PCB布局對于任何高速比較器或放大器，適當?shù)脑O(shè)計印刷電路板（PCB）布局是必要的最佳的性能。過量的雜散電容。積極投入，或不正確的接地，可以限制最大高速電路的性能。最大限度地減少阻力，從信號源比較器的輸入是必要的，為了盡量減少整個電路的傳播延遲。源沿輸入和雜散電容與電阻的創(chuàng)建一個RC濾波器，延遲的輸入電壓轉(zhuǎn)換 ，并減少高頻信號的振幅。 “輸入電容的TLV350x流浪結(jié)果在幾個地面電容從輸入引腳皮法的電容。用于電源的位置和類型的電容繞過是高速比較器的關(guān)鍵。 “建議2.2F鉭電容不需要被視為靠近器件為0.1F的電容，并可能與其他設(shè)備共享。 2.2F電容緩沖電源線對石激起千層浪，和0.1F的電容在高頻提供了一個比較負責切換。在高速電路，快速上升和下降開關(guān)瞬變創(chuàng)建線之間的電壓差將在相同的電位直流。為了減少這種影響，地平面是經(jīng)常被用來降低電壓差電路板內(nèi)的潛力。地平面有的優(yōu)勢，最大限度地減少了雜散電容的影響電路板提供一個更理想的路徑電流流過。比地平面的信號跟蹤，在高頻率的返回電流（地平面）往往流權(quán)下的信號跟蹤。斷裂處地平面（如導致通孔和通孔的簡單）增加飛機的電感，從而降低在更高的頻率生效。休息中的地平面必要的孔應隨機間隔。圖7顯示了一個為TLV3501的SO - 8的評價布局包圖8是為SOT23 - 5封裝。他們是顯示將信號上的SMA連接器和關(guān)閉董事會。 RT1和RT2為+ VIN端接電阻和VIN的分別。 C1和C2是電源旁路電容。將最接近的0.1F電容比較。地平面不顯示，但電阻器和電容器的連接墊，是所示。圖9顯示了該電路的原理圖。朗讀圖7。TLV3501D（SO- 8）樣板圖8。TLV3501DBV（SOT23）樣板圖9。圖7和圖8示意圖PAGE 10封裝信息訂購的設(shè)備狀態(tài)（1）包裝類型包繪圖引腳封裝數(shù)量環(huán)保計劃（2）鉛/焊球涂層MSL峰值溫度（3）TLV3501AID主動SOIC D 875綠色環(huán)保（RoHS無Sb / Br）銅鎳鈀金級-2- 260C- 1年TLV3501AIDBVR主動的SOT-23 DBV63000綠色環(huán)保（RoHS無Sb / Br）銅鎳鈀金級-2- 260C- 1年TLV3501AIDBVT主動SOT-23 DBV6 250綠色環(huán)保（RoHS無Sb / Br）銅鎳鈀金級-2- 260C- 1年TLV3501AIDG4主動SOIC D 875綠色環(huán)保（RoHS無Sb / Br）銅鎳鈀金級-2- 260C- 1年TLV3501AIDR主動SOIC D 82500綠色環(huán)保（RoHS無Sb / Br）銅鎳鈀金級-2- 260C- 1年TLV3501AIDRG4主動SOIC82500綠色環(huán)保（RoHS無Sb / Br）銅鎳鈀金級-2- 260C- 1年TLV3502AID主動SOIC D 875綠色環(huán)保（RoHS無Sb / Br）銅鎳鈀金級別3- 260C-168小時TLV3502AIDCNR主動SOT23 DCN83000綠色環(huán)保（RoHS無Sb / Br）銅鎳鈀金級-2- 260C- 1年TLV3502AIDCNT主動SOT23 DCN8250綠色環(huán)保（RoHS無Sb / Br）銅鎳鈀金級-2- 260C- 1年TLV3502AIDR主動SOIC D 82500綠色環(huán)保（RoHS無Sb / Br）銅鎳鈀金級別3- 260C-168小時1）營銷狀態(tài)值定義如下：ACTIVE：產(chǎn)品設(shè)備推薦用于新設(shè)計。LIFEBUY：TI日前宣布，將停止該設(shè)備，并買了一輩子期間生效。NRND：不建議用于新設(shè)計。設(shè)備在生產(chǎn)中，以支持現(xiàn)有客戶，但TI不推薦使用這部分一個新的設(shè)計。PREVIEW：設(shè)備已經(jīng)公布，但不生產(chǎn)。樣品可能會或可能無法使用。廢棄：TI已經(jīng)停產(chǎn)的生產(chǎn)設(shè)備。（2）環(huán)保計劃 - 計劃的環(huán)保分級：無鉛（符合RoHS）或綠色環(huán)保（RoHS和無Sb / Br） - 請檢查/productcontent為獲得最新供貨信息和附加產(chǎn)品目錄明細。待定：Pb-Free/Green轉(zhuǎn)換計劃尚未確定。無鉛（RoHS）指令：TI的條款“無鉛免費”或“無鉛”的半導體產(chǎn)品兼容目前的RoHS要求所有6種物質(zhì)，其中包括導致均質(zhì)材料中按重量不超過0.1的要求。凡設(shè)計焊接在高溫下，TI無鉛產(chǎn)品適用于在指定的無鉛工藝使用。綠色（RoHS和無Sb / Br）：TI定義的“綠色”的意思無鉛（符合RoHS），溴（Br）和銻（Sb）基于火焰阻燃劑（溴或銻不超過均質(zhì)材料重量的0.1）（3）MSL，山頂溫度。- 潮濕敏感度等級評級根據(jù)JEDEC工業(yè)標準分類和峰值焊接溫度。重要信息和免責聲明：此頁上提供的信息代表的日期，這是TI的知識和信仰提供。 TI由第三方提供的信息為基礎(chǔ)的知識和信念，不作任何陳述或保證的這些信息的準確性。正在努力，以更好地整合來自第三方的信息。 TI已采取并繼續(xù)采取合理步驟，以提供有代表性的和準確的信息，但可能沒有進行破壞性測試或化學分析來料和化學品。 TI和TI供應商認為某些信息是專有的，從而CAS號碼和其他有限信息可能無法發(fā)布。TI的責任在任何情況下所產(chǎn)生的這些信息，在問題超過出售本文件由TI TI器件的總購買價（S）在年度基礎(chǔ)上的客戶。封裝選項增編 7月26日2005年附錄 LAST PAGE重要通知德州儀器公司及其附屬公司（TI）的儲備有權(quán)作出更正，修改，增強，改進和其他改變其產(chǎn)品和服務在任何時間和停止任何產(chǎn)品或服務，恕不另行通知?？蛻糁矮@取最新的相關(guān)信息訂單，并應驗證這些信息是否完整且是最新的。所有產(chǎn)品的銷售受到TI的條款在訂單確認時提供的銷售條件。TI的權(quán)證其硬件產(chǎn)品的性能，適用于在銷售時的規(guī)范按照TI的標準保修。測試和其它質(zhì)量控制技術(shù)被用來在多大程度上鈦認為有必要支持這項保修。除授權(quán)政府要求，所有測試每個產(chǎn)品的參數(shù)不一定執(zhí)行。TI應用幫助或客戶產(chǎn)品設(shè)計不承擔任何責任?？蛻糌撠熕麄兪褂肨I組件的產(chǎn)品和應用。為了盡量減小與客戶產(chǎn)品相關(guān)的風險和應用，客戶應提供充分的設(shè)計與操作安全措施。TI不保證或代表任何許可證，明示或暗示的，是在任何TI專利權(quán)授予，版權(quán)，口罩工作的權(quán)利，或其他TI知