微波毫米波技術(shù)基本知識(shí).ppt

微波毫米波技術(shù)基本知識(shí),2004年3月,提綱,1無線電頻段劃分2射頻和微波傳輸線3微波電路技術(shù)的發(fā)展歷程4國(guó)外毫米波器件和系統(tǒng)應(yīng)用,一、無線電頻段劃分,微波頻段劃分(UHF),毫米波頻段(EHF),常用稱,射頻：1MHz-1GHz微波：1GHz-30GHz毫米波：30GHz-300GHz亞毫米波：300-3000GHz(1000GHz=1THz)紅外：300-416000GHz(1000THz=1pHz)可見光：0.760.4m,微波系統(tǒng)構(gòu)成,傳輸線及不連續(xù)性,無源和有源器件(半導(dǎo)體或電真空),微波部件,微波模塊,微波系統(tǒng),二、微波和毫米波傳輸線,微波集成電路傳輸線,帶狀線(stripoline)微帶線（Microstrip）,懸置帶線（suspendedstripline）,共面線（coplanarline）,微波集成電路傳輸線,共面波導(dǎo)（coplanarwaveguide）,鰭線（fin-line）：?jiǎn)蝹?cè)鰭線（Uilateralfinline）；雙側(cè)鰭線（Bilateralfinline）；對(duì)極鰭線（Antipodalfinline）,鰭線（fin-line,單側(cè)鰭線,雙側(cè)鰭線,對(duì)極鰭線,毫米波集成傳輸線比較,三、微波電路技術(shù)的發(fā)展歷程,從分立電路平面微波集成電路多層和三維微波集成電路到多芯片模塊。微波、毫米波子系統(tǒng)的集成化推進(jìn)了整機(jī)系統(tǒng)面貌迅速更新。這不僅體現(xiàn)在設(shè)備體積重量按數(shù)量級(jí)減小，而且成本降低、可靠性提高，從而促進(jìn)了微波和毫米波技術(shù)在軍事和民用領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。,微波電路技術(shù)的發(fā)展歷程,微波電路或系統(tǒng)的革新體現(xiàn)在元、器件物理結(jié)構(gòu)和電磁關(guān)系兩方面。這種革新來源于對(duì)電磁場(chǎng)理論的靈活運(yùn)用和商用電磁仿真軟件的快速發(fā)展；其成功實(shí)現(xiàn)有賴于新材料、新工藝，特別是半導(dǎo)體和微加工技術(shù)的成就。微波和毫米波集成電路技術(shù)和工藝的不斷推陳出新集中體現(xiàn)了微波領(lǐng)域日新月異的技術(shù)進(jìn)步。,三維微波集成電路(3DMIC),三維微波集成電路(3DMIC)又稱多層微波電路(MultilayerMicrowaveCircuits)包括:(1)多層微波集成電路(MuMIC)(2)三維單片微波集成電路(3DMMIC)兩種基本類型。(1)多層微波集成電路:由分立的有源器件與多層集成無源元件、連接線構(gòu)成的集成電路。,三維微波集成電路(3DMIC),(2)三維單片微波集成電路:在同一基片上將集成的有源器件、無源元件、連接線等用薄介質(zhì)層相隔而形成的多層緊湊的單片集成電路。兩者有著相似的結(jié)構(gòu),將它們統(tǒng)稱為三維微波集成電路。,多芯片模塊(MCM),MCMMulti-Chip-Module是廣義的3DMICMCM由若干IC裸片互連在同一塊高密度多層布線基板上并封裝在同一管殼中形成的功能組件。MCM與傳統(tǒng)平面混合集成電路比較，電性能提高一個(gè)數(shù)量級(jí)，體積重量降低一個(gè)數(shù)量級(jí)。,多芯片模塊(MCM)分類,MCML：高密度PCB基板，L表示迭層印制布線板MCMC：共燒陶瓷基板，C表示共燒陶瓷工藝(包括HTCC和LTCC)；HTCCHighTemperatueCofiredCeramicLTCCLowTemperatueCofiredCeramicMCMD：采用其它新絕緣材料的薄膜布線基板，D表示電介質(zhì)淀積薄膜工藝；MCMSi：采用硅工藝的薄膜布線基板，層間絕緣膜是SiO2、Si；MCMC/D：在共燒陶瓷上形成薄膜布線的基板。,MCM的主要特點(diǎn),集芯片IC和無源元件于一體，避免了元器件級(jí)組裝，簡(jiǎn)化了系統(tǒng)級(jí)的組裝層次。高密度互連基板，導(dǎo)線和線間距細(xì)化（通常小于0.1mm）;高密度多層互連線短，布線密度高，布線密度每平方英寸250500根；能將數(shù)字電路、模擬電路、光電器件、微波器件合理組裝在一個(gè)封裝體內(nèi)，形成多功能組件、子系統(tǒng)和系統(tǒng)。,LTCCMCM,LTCCMCM,LTCC工藝流程,LTCC實(shí)例LMDS發(fā)射模塊,計(jì)算電磁學(xué)及其應(yīng)用,微波電路的小型化，特別是三維電路的發(fā)展不僅以先進(jìn)的電路制造工藝為基礎(chǔ)，而且依賴計(jì)算電磁學(xué)和商用電磁仿真軟件的迅速發(fā)展。隨著射頻集成電路（RFIC）、單片集成電路（MMIC）和超大規(guī)模集成電路（VLSI）技術(shù)的迅速發(fā)展，低成本、高性能的高速數(shù)字、射頻、微波和毫米波集成電路和系統(tǒng)的互連和封裝成為重要的理論和工藝技術(shù)課題。商用CAD軟件應(yīng)運(yùn)而生。Ansoft公司軟件：designer和HFFS,計(jì)算電磁學(xué)及其應(yīng)用,隨著集成密度的增加和工作頻率的提高，設(shè)計(jì)者必須認(rèn)真對(duì)待互連和封裝中的各種電磁效應(yīng)問題，如電路間的互耦，寄生諧振，電磁干擾和電磁兼容性等問題。在電磁場(chǎng)與微波技術(shù)學(xué)科中，以電磁場(chǎng)理論為基礎(chǔ)，以高性能計(jì)算技術(shù)為手段，運(yùn)用計(jì)算數(shù)學(xué)提供的各種方法，誕生了一門解決復(fù)雜電磁場(chǎng)理論和工程問題的應(yīng)用科學(xué)計(jì)算電磁學(xué)(computationalelectromagnetics),計(jì)算電磁學(xué)及其應(yīng)用,電磁場(chǎng)問題求解方法：解析法：建立和求解偏微分方程和積分方程。數(shù)值法：直接以數(shù)值的、程序的形式代替解析形式。半解析數(shù)值法：將解析與數(shù)值法結(jié)合，人的理論分析與計(jì)算機(jī)數(shù)值解結(jié)合。,計(jì)算電磁學(xué)的幾種重要方法,計(jì)算電磁學(xué)的幾鐘重要方法：有限元法FEM(FiniteElementMethod)時(shí)域有限差分法FDTD(FiniteDifferencenTimeDomainmethod)矩量法MoM(MethodofMoments),引入新概念和新方法,計(jì)算電磁學(xué)和商用仿真軟件的發(fā)展為實(shí)現(xiàn)新電路方法提供了條件。光子帶隙(PhotonicBandGapPBG)在微波領(lǐng)域的應(yīng)用是突出代表。,PBG概念,PBG是一種介質(zhì)在另一種介質(zhì)中周期排列所組成的周期結(jié)構(gòu);光子在這類材料中的作用類似于電子在凝聚態(tài)物質(zhì)中的作用，存在著類似于半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)中的禁帶。電磁波在具有周期結(jié)構(gòu)的介質(zhì)材料中傳播時(shí)，會(huì)受到調(diào)制，形成能帶結(jié)構(gòu)，能帶結(jié)構(gòu)之間可能出現(xiàn)帶隙。微波領(lǐng)域的光子帶隙也稱電磁帶隙EBG,PGG特性,當(dāng)電磁波的工作頻率落在帶隙中時(shí)，由于帶隙中沒有任何傳輸態(tài)存在，因而任何方向的入射波都會(huì)發(fā)生全反射，因而具有帶阻特性。光子帶隙結(jié)構(gòu)不僅改變傳輸線特性阻抗，同時(shí)改變傳播常數(shù)。,PGG構(gòu)成：,PBG可采用金屬、介質(zhì)、鐵磁或鐵電物質(zhì)植入襯底材料，或直接由襯底材料周期性形狀排列而成。目前國(guó)內(nèi)外所提出的PBG結(jié)構(gòu)：在介質(zhì)基板上鉆孔；在襯底中填充其他介質(zhì)或金屬；在微帶電路底板上刻蝕光子晶體結(jié)構(gòu)；在微帶電路表面冗余部分形成PBG；在微帶線上刻蝕諧振單元。,PBG應(yīng)用：,寬帶帶阻濾波器，抑制諧波；高Q微帶諧振器；小型匹配網(wǎng)絡(luò)，改善放大器性能；單向輻射微帶天線，提高效率；頻率選擇表面；延時(shí)線；無源網(wǎng)絡(luò)：混合環(huán)、正向耦合器；改善微帶天線性能。,微帶線中的光子帶隙結(jié)構(gòu),在微帶接地面上腐蝕一個(gè)或少量的孔，稱為有缺陷的接地結(jié)構(gòu)(DGSdefectedGroundStructure)，或譯為非理想接地板結(jié)構(gòu)?？梢哉f，DGS是PBG的一種特例。,四、國(guó)外毫米波器件和系統(tǒng)應(yīng)用,現(xiàn)代武器裝備的需求促進(jìn)了毫米波技術(shù)的發(fā)展，毫米波技術(shù)發(fā)展的需要又帶動(dòng)了半導(dǎo)體和微電子電路技術(shù)和工藝的進(jìn)步，使毫米波技術(shù)成為當(dāng)今一門知識(shí)密集的綜合性技術(shù)學(xué)科，國(guó)外毫米波設(shè)備快速發(fā)展，每年以30%-40%的速度增長(zhǎng)，成為軍事電子領(lǐng)域的“朝陽(yáng)”產(chǎn)業(yè)。,毫米波器件電真空器件,行波管反波管速調(diào)管磁控管回旋管自由電子激光管,毫米波器件半導(dǎo)體器件,兩端器件：雪崩二極管Impatt耿氏管或體效驗(yàn)管Gunn，TED混頻、檢波二極管，變?nèi)荻O管，隧道二極管三端器件：雙極管BJT場(chǎng)效應(yīng)管FET異質(zhì)結(jié)雙極管HBT高速電子遷移三極管HEMT膺配高速電子遷移三極管PHEMT,毫米波固態(tài)器件水平,80年代以來，毫米波技術(shù)的迅速發(fā)展得益于固態(tài)器件的進(jìn)步；毫米波軍事需求促進(jìn)了毫米波發(fā)展。70年代GaAs肖特基二極管的出現(xiàn)是毫米波器件的重大突破：已用于亞毫米波上下混頻和倍頻。三端器件的發(fā)展迅速：BJT，F(xiàn)ET，HEMT，HBTHEMT比FET有更好的頻率特性，更高的效率，更低的噪聲，94GHz的噪聲系數(shù)1.4dB。PHEMT有更高的功率，成為毫米波功率器件的主流。HBT效率高，1/f相噪低,InP基HBT振蕩管工作頻率已達(dá)138GHz。,毫米波MMIC,82年第一只Ka波段MMIC二極管混頻器問世以來，MMIC品種迅速增多，性能改善，工作頻率提高：美國(guó)TRW和Hughes公司InP基MMIC工作頻率已超過250GHHz。TRW公司InPHEMT功率MMIC：60GHz,1W,PAE=20%,60GHz，3.8W,31dB，8個(gè)模塊合成95GHz,480mW,PAE=20%TRW公司InPHEMT低噪聲MMIC：170200GHz,G=15dB,Nf=4.8dB,毫米波低噪聲放大器MMIC,毫米波低噪聲放大器MMIC（芯片）產(chǎn)品性能,毫米波功率放大器MMIC,毫米波功率放大器MMIC（芯片）產(chǎn)品性能,毫米波多功能MMIC,英國(guó)DERA的43.5-45.5GHzMMIC接收前端包括低噪聲放大、混頻、本振，尺寸3.03.8mm,Nf=4.3dB，G=5-8dB美國(guó)NorthgropGrumman公司MMICW波段發(fā)射組件包括：Ku波段二倍頻器、Ka-W三倍頻器。W波段放大器和功率合成器，輸出功率1W，體積21.3cm3美國(guó)TRW公司的Ka波段收發(fā)組件頻率17.5-35GHz：包括低噪聲放大、濾波器、混頻、二倍頻、雙極化開關(guān)、功放，Nf=1.9dB，輸出功率30W。美國(guó)TRW公司的60GHz固態(tài)功放模塊：30W，60dB，272元橋路加空間功率合成。,微加工技術(shù)和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS),微加工(Micromachining)技術(shù)是通過MMIC工藝,微量（m量級(jí)）加工半導(dǎo)體(Si,GaAs等)晶片、介質(zhì)乃至金屬結(jié)構(gòu)以改進(jìn)電路性能，提高集成度;微加工方法可制作三維結(jié)構(gòu)，在低損耗傳輸線和諧振器、可調(diào)的集中參數(shù)電感和低損耗微波與毫米波濾波器中得到應(yīng)用。制作微波高波段或毫米波低損耗線和屏蔽膜片微帶(SMM-Shielded-Membrane-Microstrip)SMM的介質(zhì)損耗和輻射損耗低。,微加工技術(shù)和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS),微電子技術(shù)的巨大成功在許多領(lǐng)域引發(fā)了一場(chǎng)微小型化革命，以加工微米/納米結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)為目的的微米/納米技術(shù)（Micro/nanoTechnology）在此背景下應(yīng)運(yùn)而生。一方面人們利用物理化學(xué)方法將原子和分子組裝起來，形成具有一定功能的微米/納米結(jié)構(gòu)；另一方面人們利用精細(xì)加工手段加工出微米/納米級(jí)結(jié)構(gòu)。前者導(dǎo)致了納米生物學(xué)、納米化學(xué)等邊緣學(xué)科的產(chǎn)生，后者則在小型機(jī)械制造領(lǐng)域開始了一場(chǎng)新的革命，產(chǎn)生了微加工(Micromachining)技術(shù)，從而導(dǎo)致了微機(jī)電系統(tǒng)（Micro-Electro-Mechanical-Systems）的誕生。,微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS),微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanical-SystemsMEMS)是集成電路工藝與精密機(jī)械加工相結(jié)合的新興技術(shù)，利用靜電場(chǎng)、磁場(chǎng)使微米至毫米量級(jí)的微型結(jié)構(gòu)完成吸動(dòng)、移動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)的技術(shù)。從廣義上講，MEMS是指集微型傳感器、微型執(zhí)行器以及信號(hào)處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的完整微型機(jī)電系統(tǒng)，它本身就是一種多層結(jié)構(gòu)。,微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS),近幾年MEMS已應(yīng)用于微波和毫米波系統(tǒng)中，實(shí)現(xiàn)多種形式低損耗開關(guān)、阻抗調(diào)配、多種可調(diào)器件（如濾波器）乃至可變型天線。MEMS代表了集成電路技術(shù)中一項(xiàng)新的革命。國(guó)際上稱利用MEMS技術(shù)制作的微型RF部件為RF-MEMS。RF-MEMS具有所需功耗低，Q值高等優(yōu)點(diǎn)。MEMS可用在微波和毫米波段作為開關(guān)元件，用以組成復(fù)雜的功能器件。,Si和SiGe襯底的元件和集成電路,在當(dāng)今全球超過2500億美元的半導(dǎo)體市場(chǎng)中，90%以上的產(chǎn)品都是使用硅材料的集成電路。相對(duì)其它半導(dǎo)體材料而言，硅具有廉價(jià)豐富、易于生長(zhǎng)大尺寸、高純度的晶體及熱性能與機(jī)械性能優(yōu)良等優(yōu)點(diǎn)。然而幾十年來微波集成電路一直使用價(jià)值昂貴的GaAs或InP作襯底材料。原因：硅BJT和MOSFET的工作頻率太低；常用硅的電阻率太小(1-100cm)。,Si和SiGe襯底的元件和集成電路,最近幾年，隨著頻率高達(dá)100GHz的硅二極管的研制成功，在Si器件中加入Ge材料，實(shí)現(xiàn)了微波性能優(yōu)良的HBT(異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管)，使基于Si的有源電路可工作至60GHz以上。這些器件的制作工藝與標(biāo)準(zhǔn)Si工藝相兼容。尤為重要的是,Si的使用降低了MMIC的成本。Si基技術(shù)的發(fā)展證明了在微波頻段甚至毫米波段Si完全能取代GaAs或InP用作集成電路的襯底。,毫米波系統(tǒng)毫米波雷達(dá),毫米波雷達(dá)的應(yīng)用主要集中在滿足以下幾個(gè)方面的需求：進(jìn)行高精度、高分辨測(cè)量，精確制導(dǎo)和目標(biāo)指示；獲得寬帶信號(hào)與增大回波信號(hào)多普勒帶寬；獲得高天線增益，獲得高雷達(dá)能量（發(fā)射機(jī)平均功率，發(fā)射天線增益和接收天線口徑的乘積）；獲得精細(xì)的距離多普勒?qǐng)D像和目標(biāo)識(shí)別；測(cè)量復(fù)雜目標(biāo)的結(jié)構(gòu)；改善雷達(dá)的抗干擾能力；,毫米波雷達(dá),觀測(cè)小尺寸目標(biāo)；空間雷達(dá)，例如空間飛行器交匯雷達(dá)；受體積、重量嚴(yán)格限制的平臺(tái)上的雷達(dá)，例如：安裝在坦克、導(dǎo)彈、飛機(jī)，特別是直升機(jī)和無人機(jī)等上的雷達(dá)，例如導(dǎo)彈上的尋的頭、機(jī)載地形跟隨、地形回避等；低角跟蹤、測(cè)高、抑制多徑干擾；窄波束、定向詢問戰(zhàn)場(chǎng)敵我識(shí)別；毫米波無源探測(cè)。,毫米波雷達(dá),搜索和目標(biāo)截獲,火控和跟蹤，精確制導(dǎo)，測(cè)試美國(guó)LockheedMartin公司Startle坦克用搜索和跟蹤雷達(dá):95GHz,4W,3km。美國(guó)Norden公司小型RPV監(jiān)視雷達(dá)，95GHz,2kW,3km。英國(guó)Searcherz94GHz，裝載巡邏艇上監(jiān)視海上目標(biāo)德國(guó)KORA雷達(dá)，94GHz，戰(zhàn)場(chǎng)偵察和地物測(cè)繪美國(guó)TRAKX雙頻段跟蹤雷達(dá)雷達(dá)：Ka和X波段,毫米波雷達(dá)(續(xù)),美國(guó)Seatracks艦載火控雷達(dá)，Ka波段。美國(guó)M109坦克載高分辨率快速掃描雷達(dá)：70GHz,500W。英國(guó)宇航局94GHz機(jī)載雷達(dá)用于地面目標(biāo)偵察與識(shí)別。美國(guó)麻省林肯實(shí)驗(yàn)室IRAR機(jī)載高分辨率多傳感器系統(tǒng)包括毫米波雷達(dá)(85.3GHz)、CO2激光和GaAs激光。,毫米波雷達(dá)(續(xù)),美國(guó)佐治亞理工學(xué)院HIPCOR95高功率相參雷達(dá)：95GHz,1kW，用于目標(biāo)特性測(cè)量，為研制毫米波偵察、監(jiān)視和目標(biāo)探測(cè)設(shè)備提供技術(shù)支持。美國(guó)佐治亞理工學(xué)院HIRES95雷達(dá)目標(biāo)三維成象雷達(dá)，95GHz，用于測(cè)量近距離(60m-180m)目標(biāo)反射的極化散射矩陣。,毫米波雷達(dá)(續(xù)),直升機(jī)載防撞和多功能雷達(dá)：美國(guó)阿帕奇武裝直升機(jī)載AN/APG78型Ka波段長(zhǎng)弓雷達(dá)：有源相控陣，對(duì)運(yùn)動(dòng)目標(biāo)8km，對(duì)靜止目標(biāo)6km。美國(guó)MARCELDASSAULT公司SAIGA雷達(dá)：35GHz，對(duì)90kV電力線探測(cè)距離1.5km。法國(guó)Thomson公司ROMEO防撞雷達(dá)：94GHz，F(xiàn)WCW，1W，高壓線500。德國(guó)AEGTelefunken公司直升機(jī)防撞雷達(dá)：59.1GHz，脈沖功率3W，2.4mm導(dǎo)線200m。,毫米波有源相控陣,毫米波有源相控陣美國(guó)LockheedMartin公司二維有源相控陣：發(fā)射頻率：60GHz，30元(56)，波束寬度18，尺寸49mm13mm。接收頻率：20GHz,128元(96個(gè)有源，32個(gè)無源)，低噪聲放大，3位數(shù)字移相，波束寬10，尺寸71116.8mm。日本三菱公司通信實(shí)驗(yàn)室Ka波段有源相控陣：發(fā)射頻率：28.05GHz，帶寬4,口徑2.2m接收頻率：18.25GHz，帶寬5,口徑1.5m由38個(gè)子陣構(gòu)成，每個(gè)子陣64元。,毫米波制導(dǎo),毫米波制導(dǎo)是毫米波技術(shù)的重要應(yīng)用領(lǐng)域。毫米波介于微波和紅外波段之間，它避免了光電制導(dǎo)系統(tǒng)全天候作戰(zhàn)能力差的弱點(diǎn)，同時(shí)具有較高的制導(dǎo)精度和抗干擾性能，而且體積小、重量輕。但工藝技術(shù)難度較大，成本較高。近年來毫米波元器件，特別是固體器件的迅速發(fā)展，使毫米波制導(dǎo)系統(tǒng)開發(fā)和應(yīng)用出現(xiàn)高速發(fā)展的勢(shì)頭，成為軍事電子領(lǐng)域的熱點(diǎn)。,毫米波制導(dǎo),毫米波導(dǎo)引頭的任務(wù)是從復(fù)雜的雜波和干擾背景中檢測(cè)出目標(biāo)反射或輻射的信號(hào)，提取制導(dǎo)信息并形成控制指令。毫米波制導(dǎo)方式可分為主動(dòng)、半主動(dòng)和被動(dòng)。主動(dòng)制導(dǎo)就是用雷達(dá)跟蹤目標(biāo)；半主動(dòng)制導(dǎo)實(shí)際上是雙站雷達(dá)尋的系統(tǒng)，由大功率照射雷達(dá)與彈上末制導(dǎo)接收機(jī)和跟蹤器組成。照射的信號(hào)經(jīng)目標(biāo)反射，被彈上末制導(dǎo)接收并跟蹤目標(biāo)。,毫米波制導(dǎo),被動(dòng)制導(dǎo)也稱無源制導(dǎo)，有兩種：一是利用目標(biāo)的自然輻射與背景輻射之差從背景中檢測(cè)目標(biāo)，這種系統(tǒng)常稱為輻射計(jì)；二是反輻射導(dǎo)引頭。在主動(dòng)或半主動(dòng)導(dǎo)引頭近距離跟蹤目標(biāo)時(shí)，由于角閃爍可能導(dǎo)致丟失目標(biāo)，對(duì)此，可采用寬帶和捷變頻技術(shù)，也可主動(dòng)與被動(dòng)復(fù)合制導(dǎo)，在近距離（例如200m300m）轉(zhuǎn)為被動(dòng)制導(dǎo)。,毫米波制導(dǎo)反坦克導(dǎo)彈,美國(guó)黃蜂”(WASP)導(dǎo)彈,美國(guó)“幼畜”(Maverick)AGM-65H導(dǎo)彈,美國(guó)“海爾法”(Hellfire)導(dǎo)彈（意譯為“地獄火”）,俄羅斯直升機(jī)米28上裝的AS8導(dǎo)彈,俄羅斯的改進(jìn)型“螺旋”(Spiral)AT-6導(dǎo)彈,毫米波制導(dǎo)防空導(dǎo)彈,愛國(guó)者導(dǎo)彈（PAC）PAC1,PAC2,PAC3美陸軍于99年在白沙靶場(chǎng)進(jìn)行了PAC-3尋的頭攔截試驗(yàn)。愛國(guó)者導(dǎo)彈PAC-3已列入TMD系統(tǒng)，正向亞洲擴(kuò)充，欲將日、韓及臺(tái)灣納入該系統(tǒng)。,毫米波制導(dǎo)的靈巧彈藥,靈巧彈藥（Smartmunitions），又稱自導(dǎo)彈藥（Self-guidedmunitions），國(guó)外也稱為智能彈藥。實(shí)際上這是一種小型自主制導(dǎo)式導(dǎo)彈、炸彈和炮彈。靈巧彈藥對(duì)體積重量功耗以及戰(zhàn)場(chǎng)惡劣環(huán)境中工作等方面的要求，使毫米波集成技術(shù)成為其優(yōu)選制導(dǎo)技術(shù)，由于其作用距離一般較近（典型值3km左右），可采用固態(tài)源。,靈巧彈藥和末敏彈,末敏彈（terminalsensingmunitions）和末制導(dǎo)炮彈將兩者結(jié)合，大大提高了火炮的威力。美國(guó)BAT靈巧反坦克彈藥英國(guó)“梅林”(Merlin)末制導(dǎo)炮彈（意譯為“灰背隼”）英、法、瑞士、意大利聯(lián)合研制末制導(dǎo)迫擊炮彈“鷹獅”(Griffen)“薩達(dá)姆”(SADARM)末敏彈德國(guó)“斯瑪特”(SMART)自動(dòng)瞄準(zhǔn)子母彈北約MLRS多管火箭發(fā)射系統(tǒng),反輻射導(dǎo)彈,反輻射導(dǎo)彈（ARM）（Anti-RadiationMissile）:是一種集偵察、抗干擾、摧毀于一體的電子硬殺傷性武器，它采用導(dǎo)引頭截獲、跟蹤目標(biāo)雷達(dá)輻射的電磁波，并引導(dǎo)導(dǎo)彈命中和摧毀敵方雷達(dá)或其它電磁波輻射源。AGM-88HARM（高速反輻射導(dǎo)彈）91年沙漠風(fēng)暴行動(dòng)中，多國(guó)部隊(duì)主要利用HARM攻擊和壓制伊拉克防空雷達(dá)。99年5月美國(guó)及其北約盟國(guó)使用了1000多枚HARM導(dǎo)彈。,毫米波系統(tǒng)毫米波通信,未來通信的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)全球范圍內(nèi)的的個(gè)人通信。無線通信網(wǎng)絡(luò),如移動(dòng)通信網(wǎng)、無線本地環(huán)路、無線接入網(wǎng),由于其本身固有的靈活性、可移動(dòng)性等優(yōu)點(diǎn),滿足了人們實(shí)時(shí)通信的要求,大大方便了人們的工作與生活,產(chǎn)生了巨大的社會(huì)經(jīng)濟(jì)效益,得到