半導(dǎo)體行業(yè)專業(yè)知識-wafer知識

PIE0 L9 M# L3 M！v1.什么是對等？皮爾的主要工作是什么？% c% S* f1 * 2 Z# I4 V4至5 I a:主要任務(wù)是合并各部門的資源，不斷改進(jìn)流程，以確保產(chǎn)品的良好穩(wěn)定。a；C o8 1 A: P0 J * E5 H2.200mm、300mm Wafer是什么意思？% C2 a5 R，M5 q(G6 Q2 P a: 8英寸圓片直徑200毫米，直徑300毫米硅片，即12英寸)。* Y6 C % g；W0 T(n4 H8 D- H4 3。目前在中核心國際現(xiàn)有的3家工廠中使用了多少晶片(mm)流程？未來的北京Fab4 (4工廠)將使用多少mm wafer流程？7 U5 N V)s % 3 d0 O1 答：目前1-3工廠是200毫米(8英寸)的墊圈，流程水平達(dá)到了0.13um工序。未來的北京工廠工程華珀將使用300毫米(12英寸)。7 R(L9 u- 2 $？(p11b為什么需要300mm？: N4 k0 X C6 e，% N. P a:隨著wafer size的增大，單個wafer上的芯片數(shù)量(chip)將增加，單位成本將降低8 w# P8 S2 b/P6 w7 I2 A c% | 200300面積增加2.25倍，芯片數(shù)量增加約2.5倍！H t！E* j9 k: O7 D# H93 9y # I p(x3k o(t/b . q )w j/S5 w b $ |5.所謂0.13 um的制程能力是什么意思？8 U V% g/w2 ，y a:表示工廠的制程能力可達(dá)到0.13 um的灌嘴線厚度。創(chuàng)建澆口的線寬越大，整個設(shè)備就越小，操作速度也越快。$ M9至 u3 1 h$ _。6 .0.35um-0.25um-0.18um-0.15um-0.13um的技術(shù)變更意味著什么？1 d) 3 k# p？# T: S1 H答：澆口線的寬度(此大小的量表示半導(dǎo)體工藝級別的高低)越大，工藝的難度就越高。0.35um-0.25um-0.18um-0.15um-0.13um表示每個步驟的流程能力提高。，S2 h - s) N. H(N7 .什么是普通圓片基板(substrate):N、P兩種類型(type)、N和P類型圓片？2 O7 h0 x！Z3 1 % S# |) 答：N-type wafer是摻有negative元素(5價電荷元素，如P，As)的硅片，P-type的wafer是positive元素(3價電荷元素，如b，In1 L4 y(|4 m/t.w) d8t。# w)a2 u8m(y( * ；H8 .工廠中晶片的制造過程可以分成多少個流程？2 i/Z# Q7 3 K6 K. p7 d U，e答：有四個主要部分：擴(kuò)散(DIFF)、膠片(TF)、照片光刻技術(shù)(PHOTO)和蝕刻(ETCH)。其中包括FURNACE(管子)、WET(濕片)、DIFF(離子注入)和RTP(快速熱處理)。TF包括物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)和化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)。硅片根據(jù)客戶要求在不同的工藝(模塊)之間重復(fù)生產(chǎn)，最后利用電氣測試確認(rèn)產(chǎn)品是否良好。W% l$ A. I！R: R. x G. v9.普通硅片的制造經(jīng)常以幾p幾m和遮罩層數(shù)(mask layer)表示硅片工藝的持續(xù)時間。多少p m和mask layer是什么意思？# R6 V9 w3 S I-N9 z-f O；a:幾p m表示硅片制造中的多層多晶硅(poly silice)和多層金屬(metal wire)。一般的0.15um邏輯產(chǎn)品是1P6M(第一層的Poly和第六層的金屬)。和；S3360 h t * j h“遮罩層數(shù)”(mask layer)表示制作硅片所需的幾次照片光刻技術(shù)(PHOTO)。1 d% 2 W% S8 S) J% n0 L10。Wafer行的第一步是形成start oxide和zero layer嗎？start oxide的目的是什么？% 2 x% _1 y- x- g(O答：希望有機(jī)成分的光刻膠不要直接接觸Si表面。Q7 I(？%/？)E8 U 也可以避免激光壓印過程中產(chǎn)生的灰塵污染。2 U ？-y) # h#11.為什么需要零層？g/j 3360s * _ a/u $ L答：芯片過程由多個不同級別的堆棧組成，在每個級別之間使用zero layer作為排序標(biāo)準(zhǔn)。5 |(r T M/w) M U12.Laser mark的用途是什么？warper id是什么意思？3N；3 E1 E4 i9 t$ T/f答：Laser mark用于雕刻晶片id，晶片id與硅片id一樣，單個id表示晶片ID。X1 V# f1 o8 R) X6 D13。普通硅片制造過程包括哪些主要部分？N* _* V0 B答：前端-部件制造流程。 i5 |) B2 X3 y0 K* 。b: M后蓋-金屬接線和保護(hù)層(passivation)O5g% q7o、m p、x (v14)。上一段的過程大體上可以分為這些部分嗎？ f : _ : ；L5？答：STI的形成(定義AA區(qū)域和設(shè)備之間的隔離)8 A* P1 _！Z* V) _* L9 |井離子注入以調(diào)整電氣性澆口的形成；澆口的形成。A. w H0 5 n) G# Q N$ T源/漏的形成 ，T/ : O 32;9 O Z硅化物形成1 L |: I F- F15.STI是什么的縮寫？為什么需要STI？I3 y3？Y1w1 w : 0l答：STI:淺通道隔離，STI作為兩個組件之間的屏障，防止兩個組件之間出現(xiàn)短路。% a% d，w.b2 v f-d # q . _ : _ * h7e/m8d : Q1 Z1 _ 16.AA是哪兩個單詞的縮寫？簡要說明AA的用途嗎？B% i4 q: p2 m e 1 A* a b a a a a a:形成活動區(qū)域、源、泄漏和澆口，這是用于創(chuàng)建晶體管實體的位置。兩個AA區(qū)域被STI隔離。3；S7 7 C2 U A9 s- u，w: I6 i8 |17。在STI的蝕刻過程中，需要注意哪些流程參數(shù)？)M6 $ n% a3 3 J a: STI etch(蝕刻)角度；0 C T2 I- - # GSTI etch的深度；1 A3 x- T u* y% j z M7 F8 ySTI etch后面的CD大小調(diào)整。7 q $ K3 M2 S；G8 L1 1 O1 u x是否有(CD控制，CD=critical dimension)？* r9 C% c(l18.在STI的形成階段，存在線性氧化層(lineoxide)，lineoxide的功能是什么？$ k . a7 G L3 d9 M $ o8 l * I * G * O a:line oxide是由1100C，120 min高溫管形成的氧化層，其功能如下：/#？F o(j/ M6 M5 U% Q STI etch導(dǎo)致基板損壞的修復(fù)；9 R1 t；H2 i8 E7 X以STI etch對etch銳角進(jìn)行圓整。z ./h；C8 R9 C) R5 S- dB3 r(1q4 c6q 2)0 8 P0Z % N $ z % o q9 X D2 R q5 Z2 9 c:到0到5 E8 C6T3 R O s l8 3 3 J9 i4 V: m$ r: ！O/a |19。一般井區(qū)離子注入調(diào)整電性可分為那三個階段嗎？功能是什么？)p p.v 0 J2 7 e，m)% 5 u答：陷阱區(qū)域離子注入調(diào)整是使用離子注入形成硅片所需組件的電子特性，通常為# E l a1 _* (井場：N、P井區(qū)形成；/D8 s m# x2 b y# Channel Implant:防止源/泄漏極之間的漏電；1 F9 F9 d L1 S8 GVt Implant:調(diào)整閾值電壓(Vt)。1 h6 % N8 T3 k- l5 B4 R6 F) 20。一般離子注入水平工藝制造可以分為那個階段嗎？7 E$ M k# V！p h/T a:通常包括以下步驟：l！4 Z/J) f# (？0 z！I K光刻(Photo)和圖形形成；8 B3 N4 C！O. 8 H# 0！P8 o% I離子注入調(diào)整；# b M5 z2 m/B) o E離子注入后ash(等離子清洗)$ a :n # b q $ |，m% p (f % 移除相片寄存器(PR strip)8 M4 。H. m* e21。多晶硅大門的形成階段能大體劃分嗎？* 1 K2 G F$ I: S(J- r# k a: 柵氧化物)的沉積；C(N7 l C3 r0 /q xPoly film沉積和SiON(在光刻中用作反反射層的物質(zhì))；B2 4 # o，u3 O1 l.s% x * H7 z poly形狀形成(photo)；！Q3 0 /F F FPoly和SiON Etch；-X$ F V) h) E！5 H3 e* xEtch后ash(plasma)清洗和光刻膠清除(pr strip)；R7 I！m0 U * p；8 2 o # I (o-h/ poly的還原氧化)。8 M7 p- P6 Y- T a5 F* 8 0 * W22.多晶硅澆口的蝕刻(etch)應(yīng)注意哪些地方？B3 p2 K5 I；E T答：Poly CD(尺寸控制；4 C3 p # x . K)w n 門玉史蝕刻，防止基板受損。 0 W9 r( .U. W23 .什么是柵極氧化層？8r7p #。x j a:用于調(diào)整柵極電壓，使其成為使用多個設(shè)備的開關(guān)的設(shè)備的介質(zhì)層T4 I B2 P. N7 tF* l7 R6 k1 L9 * d k2 $ y2 Z h24.源/漏嘴的形成階段能否分為：(k8 J8 T _:到2 i4 S3 A！答：LDD離子注入(implant)；4 g$ 4 O C(a7 q O% l$ p E逆電流器的形成；6 | 7 C * x . 0K N/P IMP高濃度源/泄漏極(S/D)注入和快速熱處理(RTA:快速熱通道)。$-T！Z0 M0 O3 x！k25.LDD是什么的縮寫？用途是什么？9 $ L- p# v4 S3 a4 X答：LDD: Lightly Doped Drain。LDD是使用低濃度源/泄漏極防止組件產(chǎn)生熱負(fù)載的次效應(yīng)的過程。5 u % p . m；u8 c；E5b526.什么是熱載流子效應(yīng)？-k L！Y6 t？4 a$ I: 。答：在線狀態(tài)為0.5um或更低時，源/泄漏極之間的高濃度可能導(dǎo)致移動時托架速度加快，從而損壞柵極邊，并損壞組件。W% 2 z- q8 E(F0 K27)。什么是Spacer？在使用Spacer時需要注意什么？