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實(shí)驗(yàn)四 單相交流調(diào)壓電路仿真一 電路模型1 帶電阻負(fù)載的仿真模型2 帶電感性負(fù)載時(shí)的電路仿真模型二 電路的參數(shù)設(shè)置1 帶電阻負(fù)載的1 交流電壓源的參數(shù)設(shè)置 ：交流峰值電壓為100V,頻率為50hz。2 晶閘管的參數(shù)設(shè)置 ：3 負(fù)載的參數(shù)設(shè)置：脈沖發(fā)生器的參數(shù)設(shè)置：時(shí)，pulse設(shè)置為0，pulse1設(shè)置為0.01，時(shí)，pulse設(shè)置為0.02/6,pulse1設(shè)置為0.02/6+0.012 帶電阻電感負(fù)載1 交流電壓源的參數(shù)設(shè)置 ：交流峰值電壓為100V,頻率為50hz。2 晶閘管的參數(shù)設(shè)置 ：3 負(fù)載的參數(shù)設(shè)置：脈沖發(fā)生器的參數(shù)設(shè)置：時(shí)，pulse設(shè)置為0，pulse1設(shè)置為0.01，時(shí)，pulse設(shè)置為0.02/6,pulse1設(shè)置為0.02/6+0.013 打開(kāi)仿真/參數(shù)窗，選擇ode23tb算法，將誤差設(shè)置為1e-3，開(kāi)始仿真時(shí)間設(shè)置為0.1.三 實(shí)驗(yàn)的仿真波形如下：其中第一行為流過(guò)晶閘管的電流，第二行為晶閘管的電壓，第三行為負(fù)載電壓，第四行為觸發(fā)信號(hào)。1 電阻負(fù)載時(shí)的波形2 電阻負(fù)載時(shí)的波形3 電阻電感負(fù)載時(shí)的波形4 電阻電感負(fù)載時(shí)的四 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析 由于電阻負(fù)載比較容易分析，下面我將分析電阻負(fù)載。按照理論知識(shí)有效值，下面我們將分析交流調(diào)壓電路的有效值。有效值的電路圖如下：當(dāng)時(shí)，其理論有效值為當(dāng)時(shí)，理論上有效值應(yīng)為

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