IGBT芯片項目實施方案參考范文

1、泓域咨詢/IGBT芯片項目實施方案IGBT芯片項目實施方案泓域咨詢機構承諾書申請人鄭重承諾如下：“IGBT芯片項目”已按國家法律和政策的要求辦理相關手續(xù)，報告內(nèi)容及附件資料準確、真實、有效，不存在虛假申請、分拆、重復申請獲得其他財政資金支持的情況。如有弄虛作假、隱瞞真實情況的行為，將愿意承擔相關法律法規(guī)的處罰以及由此導致的所有后果。公司法人代表簽字：xxx實業(yè)發(fā)展公司（蓋章）xxx年xx月xx日項目概要功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導體細分為功率器件（分立器件的一支）和功率IC（集成電路的一支）。理想情況下，完美的轉(zhuǎn)化器

2、在打開的時候沒有任何電壓損失，在開閉轉(zhuǎn)換的時候沒有任何的功率損耗，因此功率半導體這個領域的產(chǎn)品和技術創(chuàng)新，其目標都是為了提高能量轉(zhuǎn)化效率。近年來全球新能源汽車銷量快速增長，全球新能源乘用車的銷量將由2019年的221萬輛增長到2025年的1200萬輛，年均復合增長率將達到32.6%，而中國作為全球最大的新能源汽車市場，占比將維持在40-50%份額。該IGBT芯片項目計劃總投資15902.44萬元，其中：固定資產(chǎn)投資13836.27萬元，占項目總投資的87.01%；流動資金2066.17萬元，占項目總投資的12.99%。達產(chǎn)年營業(yè)收入16482.00萬元，總成本費用12727.81萬元，稅金及附

3、加281.15萬元，利潤總額3754.19萬元，利稅總額4553.16萬元，稅后凈利潤2815.64萬元，達產(chǎn)年納稅總額1737.52萬元；達產(chǎn)年投資利潤率23.61%，投資利稅率28.63%，投資回報率17.71%，全部投資回收期7.15年，提供就業(yè)職位264個。堅持“社會效益、環(huán)境效益、經(jīng)濟效益共同發(fā)展”的原則。注重發(fā)揮投資項目的經(jīng)濟效益、區(qū)域規(guī)模效益和環(huán)境保護效益協(xié)同發(fā)展，利用項目承辦單位在項目產(chǎn)品方面的生產(chǎn)技術優(yōu)勢，使投資項目產(chǎn)品達到國際領先水平，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)結構優(yōu)化，達到“高起點、高質(zhì)量、節(jié)能降耗、增強競爭力”的目標，提高企業(yè)經(jīng)濟效益、社會效益和環(huán)境保護效益。報告主要內(nèi)容：項目承擔單位基

4、本情況、項目技術工藝特點及優(yōu)勢、項目建設主要內(nèi)容和規(guī)模、項目建設地點、工程方案、產(chǎn)品工藝路線與技術特點、設備選型、總平面布置與運輸、環(huán)境保護、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防與節(jié)能、項目實施進度、項目投資與資金來源、財務評價等。第一章 項目承辦單位基本情況一、公司概況通過持續(xù)快速發(fā)展，公司經(jīng)濟規(guī)模和綜合實力不斷增長，企業(yè)貢獻力和影響力大幅提升。 本公司集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體。公司擁有雄厚的技術力量，先進的生產(chǎn)設備以及完善、科學的管理體系。面對科技高速發(fā)展的二十一世紀，本公司不斷創(chuàng)新，勇于開拓，以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品、廣泛的營銷網(wǎng)絡、優(yōu)良的售后服務贏得了市場。產(chǎn)品不僅暢銷國內(nèi)，還出口全球幾十個國家和地區(qū)，深受國內(nèi)外用

5、戶的一致好評。公司堅持誠信為本、鑄就品牌，優(yōu)質(zhì)服務、贏得市場的經(jīng)營理念，秉承以人為本，賓客至上服務理念，將一整套針對用戶使用過程中完善的服務方案。公司自成立以來，在整合產(chǎn)業(yè)服務資源的基礎上，積累用戶需求實現(xiàn)技術創(chuàng)新，專注為客戶創(chuàng)造價值。undefined公司堅守企業(yè)契約精神，專業(yè)為客戶提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，致力成為行業(yè)領先企業(yè)，創(chuàng)造價值，履行社會責任。公司建立完整的質(zhì)量控制體系，貫穿于公司采購、研發(fā)、生產(chǎn)、倉儲、銷售等各環(huán)節(jié)，并制定了產(chǎn)品開發(fā)控制程序、產(chǎn)品審核程序、產(chǎn)品檢測控制程序、等質(zhì)量控制制度。二、所屬行業(yè)基本情況工業(yè)控制為IGBT最大市場需求領域，需求穩(wěn)定增長。IGBT模塊是變頻器、逆變焊機等傳

6、統(tǒng)工業(yè)控制及電源行業(yè)的核心元器件，且已在此領域中得到廣泛應用。目前，隨著工業(yè)控制及電源行業(yè)市場的逐步回暖，預計IGBT模塊在此領域的市場規(guī)模亦將得到逐步擴大。IGBT的全稱是InsulatedGateBipolarTransistor，即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT和MOSFET組成的復合功率半導體器件，既具備MOSFET的開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關損耗小的優(yōu)點，又有BJT導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，在高壓、大電流、高速等方面有突出的產(chǎn)品競爭力，已成為電力電子領域開關器件的主流發(fā)展方向。三、公司經(jīng)濟效益分析上一年度，xxx投資公司實現(xiàn)營業(yè)收入8187.9

7、4萬元，同比增長20.92%（1416.59萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務IGBT芯片生產(chǎn)及銷售收入為7344.83萬元，占營業(yè)總收入的89.70%。上年度主要經(jīng)濟指標序號項目第一季度第二季度第三季度第四季度合計1營業(yè)收入1719.472292.622128.862046.988187.942主營業(yè)務收入1542.412056.551909.661836.217344.832.1IGBT芯片(A)509.00678.66630.19605.952423.792.2IGBT芯片(B)354.76473.01439.22422.331689.312.3IGBT芯片(C)262.21349.61324.6

8、4312.161248.622.4IGBT芯片(D)185.09246.79229.16220.34881.382.5IGBT芯片(E)123.39164.52152.77146.90587.592.6IGBT芯片(F)77.12102.8395.4891.81367.242.7IGBT芯片(.)30.8541.1338.1936.72146.903其他業(yè)務收入177.05236.07219.21210.78843.11根據(jù)初步統(tǒng)計測算，公司實現(xiàn)利潤總額2095.46萬元，較去年同期相比增長316.16萬元，增長率17.77%；實現(xiàn)凈利潤1571.60萬元，較去年同期相比增長173.15萬元，

9、增長率12.38%。上年度主要經(jīng)濟指標項目單位指標完成營業(yè)收入萬元8187.94完成主營業(yè)務收入萬元7344.83主營業(yè)務收入占比89.70%營業(yè)收入增長率（同比）20.92%營業(yè)收入增長量（同比）萬元1416.59利潤總額萬元2095.46利潤總額增長率17.77%利潤總額增長量萬元316.16凈利潤萬元1571.60凈利潤增長率12.38%凈利潤增長量萬元173.15投資利潤率25.97%投資回報率19.48%財務內(nèi)部收益率29.79%企業(yè)總資產(chǎn)萬元32977.76流動資產(chǎn)總額占比萬元37.24%流動資產(chǎn)總額萬元12281.63資產(chǎn)負債率49.88%第二章 項目技術工藝特點及優(yōu)勢一、技術方

10、案（一）技術方案選用方向1、對于生產(chǎn)技術方案的選用，遵循“自動控制、安全可靠、運行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則，選用當前較先進的集散型控制系統(tǒng)，由計算機統(tǒng)一控制整個生產(chǎn)線的各項工藝參數(shù)，使產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定在高水平上，同時可降低物料的消耗。嚴格按行業(yè)規(guī)范要求組織生產(chǎn)經(jīng)營活動，有效控制產(chǎn)品質(zhì)量，為廣大顧客提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和良好的服務。2、遵循“高起點、優(yōu)質(zhì)量、專業(yè)化、經(jīng)濟規(guī)?！钡慕ㄔO原則。積極采用新技術、新工藝和高效率專用設備，使用高質(zhì)量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產(chǎn)品質(zhì)量，制造高附加值的產(chǎn)品，不斷提高企業(yè)的市場競爭能力。3、在工藝設備的配置上，依據(jù)節(jié)能的原則，選用新型節(jié)能型設備，根據(jù)有利于環(huán)境保護的

11、原則，優(yōu)先選用環(huán)境保護型設備，滿足項目所制訂的產(chǎn)品方案要求，優(yōu)選具有國際先進水平的生產(chǎn)、試驗及配套等設備，充分顯現(xiàn)龍頭企業(yè)專業(yè)化水平，選擇高效、合理的生產(chǎn)和物流方式。4、生產(chǎn)工藝設計要滿足規(guī)?；a(chǎn)要求，注重生產(chǎn)工藝的總體設計，工藝布局采用最佳物流模式，最有效的倉儲模式，最短的物流過程，最便捷的物資流向。5、根據(jù)該項目的產(chǎn)品方案，所選用的工藝流程能夠滿足產(chǎn)品制造的要求，同時，加強員工技術培訓，嚴格質(zhì)量管理，按照工藝流程技術要求進行操作，提高產(chǎn)品合格率，努力追求產(chǎn)品的“零缺陷”，以關鍵生產(chǎn)工序為質(zhì)量控制點，確保該項目產(chǎn)品質(zhì)量。6、在項目建設和實施過程中，認真貫徹執(zhí)行環(huán)境保護和安全生產(chǎn)的“三同時”

12、原則，注重環(huán)境保護、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防及節(jié)能等法律法規(guī)和各項措施的貫徹落實。（三）工藝技術方案選用原則1、在基礎設施建設和工業(yè)生產(chǎn)過程中，應全面實施清潔生產(chǎn)，盡可能降低總的物耗、水耗和能源消費，通過物料替代、工藝革新、減少有毒有害物質(zhì)的使用和排放，在建筑材料、能源使用、產(chǎn)品和服務過程中，鼓勵利用可再生資源和可重復利用資源。2、遵循“高起點、優(yōu)質(zhì)量、專業(yè)化、經(jīng)濟規(guī)?！钡慕ㄔO原則，積極采用新技術、新工藝和高效率專用設備，使用高質(zhì)量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產(chǎn)品質(zhì)量，制造高附加值的產(chǎn)品，不斷提高企業(yè)的市場競爭力。（四）工藝技術方案要求1、對于生產(chǎn)技術方案的選用，遵循“自動控制、安全可靠、運行穩(wěn)定、節(jié)省投

13、資、綜合利用資源”的原則，選用當前較先進的集散型控制系統(tǒng)，控制整個生產(chǎn)線的各項工藝參數(shù)，使產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定在高水平上，同時可降低物料的消耗；嚴格按照電氣機械和器材制造行業(yè)規(guī)范要求組織生產(chǎn)經(jīng)營活動，有效控制產(chǎn)品質(zhì)量，為廣大顧客提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和良好的服務。2、建立完善柔性生產(chǎn)模式；本期工程項目產(chǎn)品具有客戶需求多樣化、產(chǎn)品個性差異化的特點，因此，產(chǎn)品規(guī)格品種多樣，單批生產(chǎn)數(shù)量較小，多品種、小批量的制造特點直接影響生產(chǎn)效率、生產(chǎn)成本及交付周期；益而益（集團）有限公司將建設先進的柔性制造生產(chǎn)線，并將柔性制造技術廣泛應用到產(chǎn)品制造各個環(huán)節(jié)，可以在照顧到客戶個性化要求的同時不犧牲生產(chǎn)規(guī)模優(yōu)勢和質(zhì)量控制水平，同時

14、，降低故障率、提高性價比，使產(chǎn)品性能和質(zhì)量達到國內(nèi)領先、國際先進水平。二、項目工藝技術設計方案（一）技術來源及先進性說明項目技術來源為公司的自有技術，該技術達到國內(nèi)先進水平。（二）項目技術優(yōu)勢分析本期工程項目采用國內(nèi)先進的技術，該技術具有資金占用少、生產(chǎn)效率高、資源消耗低、勞動強度小的特點，其技術特性屬于技術密集型，該技術具備以下優(yōu)勢：1、技術含量和自動化水平較高，處于國內(nèi)先進水平，在產(chǎn)品質(zhì)量水平上相對其他生產(chǎn)技術性能費用比優(yōu)越，結構合理、占地面積小、功能齊全、運行費用低、使用壽命長；在工藝水平上該技術能夠保證產(chǎn)品質(zhì)量高穩(wěn)定性、提高資源利用率和節(jié)能降耗水平；根據(jù)初步測算，利用該技術生產(chǎn)產(chǎn)品，可

15、提高原料利用率和用電效率，在裝備水平上，該技術使用的設備自動控制程度和性能可靠性相對較高。2、本期工程項目采用的技術與國內(nèi)資源條件適應，具有良好的技術適應性；該技術工藝路線可以適應國內(nèi)主要原材料特性，技術工藝路線簡潔，有利于流程控制和設備操作，工藝技術已經(jīng)被國內(nèi)生產(chǎn)實踐檢驗，證明技術成熟，技術支援條件良好，具有較強的可靠性。3、技術設備投資和產(chǎn)品生產(chǎn)成本低，具有較強的經(jīng)濟合理性；本期工程項目采用本技術方案建設其主要設備多數(shù)可按通用標準在國內(nèi)采購。4、節(jié)能設施先進并可進行多規(guī)格產(chǎn)品轉(zhuǎn)換，項目運行成本較低，應變市場能力很強。第三章 背景及必要性一、IGBT芯片項目背景分析IGBT的全稱是Insul

16、atedGateBipolarTransistor，即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT和MOSFET組成的復合功率半導體器件，既具備MOSFET的開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關損耗小的優(yōu)點，又有BJT導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，在高壓、大電流、高速等方面有突出的產(chǎn)品競爭力，已成為電力電子領域開關器件的主流發(fā)展方向。IGBT功率半導體最大的優(yōu)勢是節(jié)能，傳統(tǒng)的功率半導體損耗非常大，需要多個器件才能達到電能轉(zhuǎn)換的效果。IGBT通過調(diào)節(jié)電機的轉(zhuǎn)速來提升能源轉(zhuǎn)換效率，從而達到節(jié)能的作用。需求上，IGBT的需求最主要來自新能源汽車帶動的增長；工業(yè)領域?qū)儆诜€(wěn)健的需求，增量來自

17、于新基建；新能源變電和電網(wǎng)來自國家政策的推動發(fā)展；軌道交通是中國的優(yōu)勢領域。但是，相對于傳統(tǒng)功率半導體，IGBT工藝流程長達2.5-3個月，只要有一個參數(shù)變生偏差，就需要工藝流程重新這工，1年時間內(nèi)沒有幾次試錯的機會。IGBT廣泛應用于工業(yè)、汽車、通信及消費電子領域，其主要電壓應用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟的飛速發(fā)展，我國能源需求量大幅上升，在節(jié)能減排政策的背景下，工業(yè)控制、變頻白色家電等節(jié)能效果明顯的產(chǎn)品近年來市場規(guī)模不斷擴大。低壓領域：IGBT主要應用于變頻白色家電，例如冰箱、空調(diào)等家用消費電子必需品與重要耗能品。在汽車領域，IGBT低導通狀態(tài)壓降低特性有利于傳統(tǒng)燃油汽車電子

18、點火系統(tǒng)對燃料效率的提升。同時隨著新能源汽車替代率逐步上升，將持續(xù)拉動IGBT模塊市場的需求。在工業(yè)領域，隨著新基建步伐的加快，我國建成5G基站、人工智能產(chǎn)業(yè)、新能源充電基礎設施快速發(fā)展。中壓領域：隨著信息產(chǎn)業(yè)與高端制造業(yè)的快速發(fā)展，新能源并網(wǎng)和電網(wǎng)工程建設工程逐步加強，我國工業(yè)逆變焊機、逆變頻器市場持續(xù)升溫，USB電源不新能源變電市場穩(wěn)步增長。IGBT行業(yè)增長動力：節(jié)能減排推動市場增長。根據(jù)各國電動汽車動力來源及碳排放量數(shù)據(jù)可知，以煤炭為主要動能的國家碳排放量最多，印度碳排放量高達370gCo2e/km。中國電動汽車同樣以煤炭為主要動能，其碳排放量為258gCo2e/km。由于經(jīng)濟的飛速發(fā)展

19、，我國能源需求量大幅上升，在節(jié)能減排政策的背景下，工業(yè)控制、變頻白色家電等節(jié)能效果明顯的產(chǎn)品近年來市場規(guī)模不斷擴大。二、鼓勵中小企業(yè)發(fā)展近年來，從中央到地方加快了經(jīng)濟體制改革和經(jīng)濟發(fā)展方式的轉(zhuǎn)變，相繼出臺了一系列重大政策鼓勵、支持和引導民營經(jīng)濟加快發(fā)展。民營經(jīng)濟已成為我省國民經(jīng)濟的重要支撐，財政收入的重要來源，擴大投資的重要主體，吸納勞動力和安置就業(yè)的主渠道，體制創(chuàng)新和機制創(chuàng)新的重要推動力，為我省經(jīng)濟社會又好又快發(fā)展作出了積極貢獻。鼓勵民營企業(yè)參與智能制造工程，圍繞離散型智能制造、流程型智能制造、網(wǎng)絡協(xié)同制造、大規(guī)模個性化定制、遠程運維服務等新模式開展應用，建設一批數(shù)字化車間和智能工廠，引導產(chǎn)

20、業(yè)智能升級。支持民營企業(yè)開展智能制造綜合標準化工作，建設一批試驗驗證平臺，開展標準試驗驗證。加快傳統(tǒng)行業(yè)民營企業(yè)生產(chǎn)設備的智能化改造，提高精準制造、敏捷制造能力。推動中小企業(yè)協(xié)調(diào)發(fā)展，建立中小企業(yè)跨區(qū)域交流合作機制，鼓勵東中西部地區(qū)中小企業(yè)利用各自比較優(yōu)勢開展合作，縮小地區(qū)間發(fā)展差距。推進城鄉(xiāng)中小企業(yè)協(xié)調(diào)發(fā)展。推動軍民融合發(fā)展，促進中小企業(yè)進入武器裝備科研、生產(chǎn)和服務領域。鼓勵和引導中小企業(yè)承擔社會責任，營造和諧發(fā)展環(huán)境。中小企業(yè)發(fā)展面臨的最主要困難還是發(fā)展空間和投資機會減少?！笆濉逼陂g仍然處于新常態(tài)階段，經(jīng)濟增長速度難有明顯回升，大中型企業(yè)規(guī)?；瘮U張的空間有限，將不得不進行發(fā)展方式的轉(zhuǎn)變

21、，其轉(zhuǎn)變的一個道路是產(chǎn)品升級，向價值鏈高端提升，另一個途徑是向上下游延伸，擴張其產(chǎn)品空間，這樣，原來不少大中型企業(yè)不愿做、不屑做的領域現(xiàn)在都要涉足，加大了中小企業(yè)的競爭壓力。三、宏觀經(jīng)濟形勢分析著眼大勢認識當前經(jīng)濟形勢，更要冷靜看清我國發(fā)展仍處于并將長期處于重要戰(zhàn)略機遇期。當今世界，正在經(jīng)歷百年未有之大變局。大變局之中，我們既要牢牢抓住沒有變的重要戰(zhàn)略機遇期，又要緊緊盯住大變局中同生并存的危和機。要緊扣重要戰(zhàn)略機遇新內(nèi)涵，化危為機、轉(zhuǎn)危為安，變壓力為動力。要堅持不懈地通過加快經(jīng)濟結構優(yōu)化升級，提升科技創(chuàng)新能力，深化改革開放，加快綠色發(fā)展，積極參與全球經(jīng)濟治理體系變革，牢牢抓住世界大變局給中華民

22、族偉大復興帶來的重大機遇。四、IGBT芯片項目建設必要性分析工業(yè)控制為IGBT最大市場需求領域，需求穩(wěn)定增長。IGBT模塊是變頻器、逆變焊機等傳統(tǒng)工業(yè)控制及電源行業(yè)的核心元器件，且已在此領域中得到廣泛應用。目前，隨著工業(yè)控制及電源行業(yè)市場的逐步回暖，預計IGBT模塊在此領域的市場規(guī)模亦將得到逐步擴大。變頻器是應用變頻技術與微電子技術，通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設備。變頻器靠內(nèi)部IGBT的開斷來調(diào)整輸出電源的電壓和頻率，根據(jù)電機的實際需要來提供其所需要的電源電壓，進而達到節(jié)能、調(diào)速的目的，另外，變頻器還有很多的保護功能，如過流、過壓、過載保護等等。隨著工業(yè)自動化程度的

23、不斷提高，變頻器也得到了非常廣泛的應用。IGBT模塊在變頻器中不僅起到傳統(tǒng)的三極管的作用，同時包含了整流部分的作用?？刂破鳟a(chǎn)生的正弦波信號通過光藕隔離后進入IGBT，IGBT再根據(jù)信號的變化將380V（220V）整流后的直流電再次轉(zhuǎn)化為交流電輸出。近年來，國內(nèi)變頻器行業(yè)的市場規(guī)模總體呈上升態(tài)勢。2016年國內(nèi)變頻器行業(yè)的市場規(guī)模為416.77億元，平均4年復合增長率為8.74%。2017年國內(nèi)變頻器市場規(guī)模約453.2億元。近年來，變頻器市場中國內(nèi)自主研發(fā)能力有所提升，特別是高壓變頻器在2017年的專利申請數(shù)穩(wěn)定在160項以上。同時，在實體經(jīng)濟的拉動作用下，變頻器已進入新能源領域，在冶金、煤炭

24、、石油化工等工業(yè)領域?qū)⒈３址€(wěn)定增長，在城市化率提升的背景下，變頻器在市政、軌道交通等公共事業(yè)領域的需求也會繼續(xù)增長，從而促進市場規(guī)模擴大。未來幾年，具有高效節(jié)能功能的高壓變頻器市場將受政策驅(qū)動持續(xù)增長，到2023年，高壓變頻器的市場將達到175億元左右。逆變式弧焊電源，又稱弧焊逆變器，是一種新型的焊接電源。這種電源一般是將三相工頻（50赫茲）交流網(wǎng)路電壓，先經(jīng)輸入整流器整流和濾波，變成直流，再通過大功率開關電子元件（IGBT）的交替開關作用，逆變成幾千赫茲至幾萬赫茲的中頻交流電壓，同時經(jīng)變壓器降至適合于焊接的幾十伏電壓，后再次整流并經(jīng)電抗濾波輸出相當平穩(wěn)的直流焊接電流。近年來，國內(nèi)電焊機數(shù)量保

25、持穩(wěn)定增長趨勢。2018年國內(nèi)電焊機產(chǎn)量為853.3萬臺，同比2017年增加了58.46萬臺。電焊機市場的持續(xù)升溫亦將保證IGBT需求量逐步增大。IGBT模塊在新能源汽車領域中發(fā)揮著至關重要的作用，是新能源汽車電機控制器、車載空調(diào)、充電樁等設備的核心元器件。其中電機控制器+鋰電池+汽車電機=新能源汽車動力系統(tǒng)，電機控制器相當于傳統(tǒng)汽車的發(fā)動機，而其中的IGBT模塊相當于是汽車動力系統(tǒng)的“CPU”。隨著新能源汽車從48V/MHEV（輕混合電動車）逐漸向PHEV/FHEV（混合電動車）再向BEV（純電動車）發(fā)展，單臺汽車中功率半導體含量大幅提升，48V/MHEV和PHEV/FHEV車型，2018年

26、的單臺汽車的功率半導體含量相對于傳統(tǒng)汽車分別增加了75美金和300美金，而BEV純電動車中功率半導體的含量為455美金。由于IGBT是新能源電動汽車的核心元器件之一，單臺電動汽車的功率半導體含量的大幅提升，必將帶來單臺電動汽車IGBT價值量的提升。從新能源電動汽車成本來看，占比較大的零部件是電池、電機、電控系統(tǒng)、電驅(qū)動零部件等，分別大概占到40%、15%、12%、8%。IGBT模塊作為電控系統(tǒng)的核心零部件，大概占到電控系統(tǒng)成本的30-40%左右，粗略估計IGBT模塊占到整車成本的4-5%左右。五、IGBT芯片行業(yè)分析功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻

27、率、直流交流轉(zhuǎn)換等。功率半導體細分為功率器件（分立器件的一支）和功率IC（集成電路的一支）。理想情況下，完美的轉(zhuǎn)化器在打開的時候沒有任何電壓損失，在開閉轉(zhuǎn)換的時候沒有任何的功率損耗，因此功率半導體這個領域的產(chǎn)品和技術創(chuàng)新，其目標都是為了提高能量轉(zhuǎn)化效率。根據(jù)IHS統(tǒng)計，2019年全球功率半導體市場規(guī)模約為400億美元，預計2019-2025年全球功率半導體CAGR4.5%；根據(jù)華潤微招股說明書，中國是全球最大的功率半導體消費國，2018年市場需求規(guī)模達到138億美元，增速為9.5%，占全球需求比例達35.3%。功率分立器件的演進路徑基本為二極管晶閘管MOSFETIGBT，其中，IGBT是功率半

28、導體新一代中的典型產(chǎn)品。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的全控-電壓驅(qū)動的功率半導體，IGBT既有MOSFET的開關速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關損耗小的優(yōu)點，又有BJT導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，因而是電力電子領域較為理想的開關器件，也被譽為“電力電子器件里的CPU”。根據(jù)Yole等相關統(tǒng)計，目前全球功率半導體中約50%是功率IC，其余的一半是功率分立器件；在功率分立器件銷售2017年占

29、比中，MOSFET占比最高，約占31%，其次是二極管/整流橋占比約29%，晶閘管和BJT等占分立器件約21%，IGBT占比19%，但是其復合增速是所有產(chǎn)品中最快的。IGBT的價格相對穩(wěn)定：就算在行業(yè)下行的2019年大廠商的出廠價格都沒有下降，顯示出很健康的價格浮動?？偨Y來看，IGBT芯片的更新?lián)Q代相對比較慢，且是漸進式的創(chuàng)新，不斷優(yōu)化升級，具體到某款IGBT產(chǎn)品，可以用到10年之久；同時供給端來看，IGBT行業(yè)巨頭主要是德系和日系廠商，風格相對比較保守，不會激進擴張產(chǎn)能和打價格戰(zhàn)。需求穩(wěn)定且價格波動相對小，即使在半導體整體需求不好的2019。電路的設計核心在于邏輯設計，可通過EDA等軟件，而功

30、率半導體和模擬IC類似，需要根據(jù)實際產(chǎn)品參數(shù)進行不斷調(diào)整與妥協(xié)，因此，對工程師的經(jīng)驗要求也更高，優(yōu)秀的設計師需要10年甚至更長時間的經(jīng)驗。大學里功率半導體和模擬IC部分教材也基本相當于是過去幾十年從業(yè)者的“經(jīng)驗筆記”，并沒有像數(shù)字集成電路那樣相對有“標準范式”，而研發(fā)也是通過研發(fā)工程師團隊不斷修改參數(shù)權衡性能和成本的過程。2017年全球IGBT市場規(guī)模為52.55億美元，同比2016年增長16.5%，2018年全球IGBT市場規(guī)模在58.36億美元左右，同比增長11%，在功率半導體各個細分中屬于景氣度最高的。我國IGBT行業(yè)發(fā)展至今，已取得較大進展，雖然仍需大量進口，但已有一部分企業(yè)具備規(guī)?；?/p>

31、生產(chǎn)能力。2010年我國IGBT功率電器模塊產(chǎn)量為190萬只，2018年增長至1115萬只。國內(nèi)的IGBT需求增長遠超全球增長：根據(jù)智研咨詢的數(shù)據(jù)，2018年中國IGBT市場規(guī)模為161.9億元，同比增長22.19%，增速顯著高于全球平均水平；受益于新能源車、風電和光伏等我國強勢領域的持續(xù)發(fā)展，預計未來國內(nèi)IGBT的復合增速繼續(xù)保持20%以上。IGBT市場競爭格局較為集中，主要競爭者包括英飛凌、三菱、富士電機、安森美、瑞士ABB等，2017年全球前五大IGBT廠商的份額超過70%，國內(nèi)企業(yè)目前的市場份額普遍偏小。國產(chǎn)替代空間廣闊。目前國內(nèi)IGBT模塊打入全球前10的只有斯達半導，但也僅僅是占全

32、球IGBT模塊市場份額2.2%，由于IGBT的下游應用新能源車、光伏、風電等這些新興領域，我國在世界上的話語權高于過去的傳統(tǒng)燃油車領域和工控領域，因此在IGBT的增量空間中有一半以上需求都在中國，未來幾年我國的IGBT市場需求占比將從2019年不35%提升到2025年的50%或以上，為我國的IGBT廠商提升份額和競爭力創(chuàng)造了良好的條件，國產(chǎn)IGBT廠商市場份額和業(yè)務量的提升潛力非常大。按照2019年單車IGBT平均用量為460美元，受益于BEV占比持續(xù)提升，預計2019-2022年單車用量逐年增長至2022年的490美元/車，2023年開始，SIC-MOS的成熟后單車平均IGBT用量逐漸下滑至

33、2025年的430美元/車，2025年預測新能源車銷量504萬輛（根據(jù)國家新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃2025年電動乘用車滲透率約25%推算得出。）按照以上假設思路，簡單測算中國2025年車載IGBT市場規(guī)模達22億美金，同時算個大數(shù)，屆時全球新能源車數(shù)量預計為國內(nèi)的3倍（即海外銷量為國內(nèi)的2倍），全球車載IGBT市場規(guī)模達66億美金，相當于再造一個IGBT市場（2019年全球總的IGBT在60億美金量級）。風電和光伏中的整流器和逆變器都需要用到IGBT模塊。根據(jù)能源局數(shù)據(jù)，2019年國內(nèi)光伏裝機30.11GW，全球光伏裝機115GW。國內(nèi)2019年光伏發(fā)電量占總發(fā)電量3%，未來持續(xù)提升潛力大。根據(jù)

34、聯(lián)合國馬德里氣候變化大會的中國2050年光伏發(fā)展展望，從2020年至2025年這一階段開始，中國光伏將啟動加速部署；2025年至2035年，中國光伏將進入規(guī)?；铀俨渴饡r期，到2050年，光伏將成為中國第一大電源，約占當年全國用電量的40%左右，未來光伏發(fā)展的空間和潛力仍然較大。風電和光伏2025年對應IGBT的全球需求量級在15億美金：由前述智研咨詢和英飛凌預計的IGBT總體空間和新能源發(fā)電占比可以推算出（IGBT2018年全球市場空間58億美金，其中光伏風電等IGBT應用占比9%），2018年光伏風電IGBT市場空間約5.22億美金。目前的能源結構里，太陽能和風能合計占比不足10%。在全球

35、節(jié)能減排大背景下，降低對化石能源的依賴，增加太陽能、風能的使用已經(jīng)成為世界各國的共識。據(jù)BloombergNEF預測，預計2025年全球光伏新增裝機接近300GW，風電也比照光伏5年2.5倍左右的增長，則測算風電和光伏2025年對應IGBT的全球需求量級在12-15億美金。IGBT是“變頻器”的核心部件之一，變頻白色家電的推廣可以為IGBT的IPM帶來穩(wěn)定的市場。目前白色家電的變頻滲透率還有提升空間：根據(jù)產(chǎn)業(yè)在線網(wǎng)，近年來國內(nèi)白電變頻滲透率在持續(xù)提升：1）空調(diào)：2012年到2018年，國內(nèi)變頻空調(diào)銷量從3016萬臺提升到6434萬臺，滲透率從28.94%提升到42.70%；2）冰箱：2012年

36、到2018年，國內(nèi)變頻冰箱銷量從363萬臺提升到1665萬臺，滲透率從4.80%提升到22.15%；3）洗衣機：2012年到2018年，國內(nèi)變頻洗衣機銷量從577萬臺提升到2163萬臺，滲透率從10.36%提升到32.97%。Yole預計2022年白色家電變頻驅(qū)動IGBT市場規(guī)模達9.9億美金，較17年增長22%。變頻白電這塊的IGBT國產(chǎn)化低：國內(nèi)僅有士蘭微和華微電子有一些白電IPM模塊出貨，家電IPM模塊雖然單價較低，替換供應商的動力不強，并且下游集中，目前龍頭企業(yè)的供應商均為日本，美國的企業(yè)，例如美的主要是Sanyo、Fairchild；格力/海爾主要是Mitsubishi，還有一些IR

37、、LS等在供應，在供應鏈安全因為外部環(huán)境受到威脅時，國內(nèi)的IGBT廠商未來在這一塊利基市場還是有比較大的替代潛力。我國變頻器行業(yè)的市場規(guī)?？傮w呈上升態(tài)勢。IGBT模塊在變頻器中不僅起到傳統(tǒng)的三極管的作用，亦包含了整流部分的作用。2016年我國變頻器行業(yè)的市場規(guī)模為416.77億元，平均4年復合增長率為8.74%。2017年我國變頻器市場規(guī)模約453.2億元。未來幾年，具有高效節(jié)能功能的高壓變頻器市場將受政策驅(qū)動持續(xù)增長，到2023年，高壓變頻器的市場將達到175億元左右。逆變式弧焊電源，又稱弧焊逆變器，是一種新型的焊接電源。這種電源一般是將三相工頻（50赫茲）交流網(wǎng)路電壓，先經(jīng)輸入整流器整流和

38、濾波，變成直流，再通過大功率開關電子元件（IGBT）的交替開關作用，逆變成幾千赫茲至幾萬赫茲的中頻交流電壓，根據(jù)國家統(tǒng)計局數(shù)據(jù)，2018年我國電焊機產(chǎn)量為853.3萬臺，同比2017年增加了58.46萬臺。電焊機市場的持續(xù)升溫亦將保證IGBT需求量逐步增大。全球工控IGBT下游市場較為分散：根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，2019年全球工控市場IGBT市場規(guī)模約為140億元，中國工控市場IGBT市場規(guī)模約為30億元。由于工控市場下游需求分散，單一下游需求的增長難以拉動整體行業(yè)需求提升，因此工控IGBT市場需求較為穩(wěn)定，假設未來每年保持3%的規(guī)模增速，預計到2025年全球工控IGBT市場規(guī)模將達到170億元。

39、這一塊是IGBT行業(yè)的基本盤，需求穩(wěn)定且波動相對較小。全球多家功率半導體巨頭均有布局下一代基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的功率半導體，為在市場上與傳統(tǒng)硅基功率半導體件進行對決奠定基礎。成本下降和產(chǎn)品穩(wěn)定需要時間驗證，國產(chǎn)廠商的核心矛盾是國產(chǎn)替代。SiCMOSFET產(chǎn)品的穩(wěn)定性需要進一步驗證，根據(jù)英飛凌2020年功率半導體應用大會上專家披露，目前SiCMOSFET真正落地的時間還非常短，在車載領域才剛開始商用，一些諸如短路耐受時間等技術指標沒有提供足夠多的驗證，一個高端功率半導體從客戶認證到產(chǎn)品試應用再到產(chǎn)品批量應用要比較長的時間，因此，未來3-5年IGBT還是主流的高端功率半導體產(chǎn)品，

40、SiC會在部分高端新能源車領域有一些逐步緩慢的滲透。但是對于國內(nèi)廠商來說，未來5年核心矛盾是國產(chǎn)替代（龍頭市占率從2%到20%）。因此，目前來看，SiC產(chǎn)業(yè)鏈被國外高度壟斷，未來2-3年當SiC成本由目前是Si基4-5倍下降至2倍，并且國內(nèi)SIC上下游產(chǎn)業(yè)鏈也更加成熟、打破國外壟斷時，預計SIC才會在國內(nèi)開始提升滲透率，并且SiC只是一種基材，未來隨著SiC技術的逐漸成熟，也會有SiCIGBT相關產(chǎn)品。總結來看，未來3-5年SiIGBT還是應用主流，國內(nèi)廠商的核心邏輯在于工控家電新能源領域進行國產(chǎn)替代提升份額，5年后SiC基材逐漸侵占Si基材份額的大趨勢下，相信國內(nèi)的技術領先優(yōu)質(zhì)的龍頭功率半導

41、體也能夠積極儲備相關技術和產(chǎn)品，積極擁抱迎接這一行業(yè)創(chuàng)新。六、IGBT芯片市場分析預測近年來全球新能源汽車銷量快速增長，全球新能源乘用車的銷量將由2019年的221萬輛增長到2025年的1200萬輛，年均復合增長率將達到32.6%，而中國作為全球最大的新能源汽車市場，占比將維持在40-50%份額。2016年全球電動車銷量大概200萬輛，共消耗了大概9億美金的IGBT，平均每輛車450美金。預計隨著全球電動車的銷量提升，IGBT在電動車領域的市場將在2022年達到20億美金。此外，隨著新能源汽車的不斷普及，對于充電樁的需求日益增加，也會拉動IGBT的需求。由于中國新能源汽車市場最大，每年新增的充

42、電樁數(shù)量也是全球最多。從2010年的1000樁左右的建設規(guī)模到2018年的30萬樁左右的建設規(guī)模，2019年上半年又新增22.5萬樁。直流充電樁中，IGBT是最核心的部分，占總成本達到30%。隨著充電樁的新增規(guī)模不斷提升，也會進一步拉動IGBT的需求。隨著節(jié)能環(huán)保的大力推行，具有變頻功能的白色家電將具有廣闊的市場前景。具有變頻功能的白色家電最核心的部件之一是其內(nèi)部的“變頻器”，而IGBT模塊作為變頻器的核心元器件，其高頻開閉合功能能夠帶來以下優(yōu)點：1、較小的導通損耗和開關損耗；2、出色的EMI性能，可通過改變驅(qū)動電阻的大小滿足EMI需求的同時保持開關損耗在合理范圍內(nèi)；3、強大的抗短路能力；4、

43、較小的電壓尖峰（對家電起到保護作用）。中國作為全球最大的家電市場和生產(chǎn)基地，亦孕育著大規(guī)模的IGBT市場。變頻白色家電的推廣不僅僅能夠促進IGBT模塊市場的持續(xù)擴張，更能夠給IGBT模塊提供穩(wěn)定的市場需求。近年來國內(nèi)白色家電變頻系列銷量占比逐漸提升?？照{(diào)系列：2012年到2018年，國內(nèi)變頻空調(diào)銷量從3016萬臺提升到6434萬臺，滲透率從28.94%提升到42.70%，仍有較大的提升空間；冰箱系列：2012年到2018年，國內(nèi)變頻冰箱銷量從363萬臺提升到1665萬臺，滲透率從4.80%提升到22.15%，仍有很大提升空間；洗衣機系列：2012年到2018年，國內(nèi)變頻洗衣機銷量從577萬臺提

44、升到2163萬臺，滲透率從10.36%提升到32.97%，同樣有很大提升空間。新能源發(fā)電主要以光伏發(fā)電和風力發(fā)電為代表。由于新能源發(fā)電輸出的電能不符合電網(wǎng)要求，需通過光伏逆變器或風力發(fā)電逆變器將其整流成直流電，再逆變成符合電網(wǎng)要求的交流電后輸入并網(wǎng)。IGBT模塊是光伏逆變器和風力發(fā)電逆變器的核心器件，新能源發(fā)電行業(yè)的迅速發(fā)展將成為IGBT模塊行業(yè)持續(xù)增長的又一動力。近年來國內(nèi)新能源發(fā)電設備容量保持快速增長趨勢。從2016年到2019年，國內(nèi)新能源發(fā)電設備容量一直保持快速增長，并網(wǎng)風電發(fā)電設備容量從14864萬千瓦增加到21005萬千瓦，并網(wǎng)太陽能發(fā)電設備容量從7742萬千瓦增加到20468萬千

45、瓦，新能源發(fā)電設備容量（風電和太陽能發(fā)電）占全口徑發(fā)電設備容量比重從13.74%增加到20.63%。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管。它是由BJT和MOSFET組成的復合功率半導體器件，既有MOSFET的開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關損耗小的優(yōu)點，又有BJT導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，因而是電力電子領域較為理想的開關器件，是未來應用發(fā)展的主要方向。正是由于具有上述優(yōu)點，IGBT自20世紀80年代末開始工業(yè)化應用以來發(fā)展迅速，不僅在工業(yè)應用中取代

46、了MOSFET和GTR，甚至已擴展到SCR及GTO占優(yōu)勢的大功率應用領域，還在消費類電子應用中取代了BJT、MOSFET等功率器件的許多應用領域。IGBT技術的發(fā)展目標是：大電流、高電壓、低損耗、高頻率、功能集成化和高可靠性。傳動領域（如電力牽引機車）和智能電網(wǎng)領域都需要大功率IGBT的應用，英飛凌、東芝、三菱、西門子等公司高壓IGBT器件已可做到6500V，ARPAE（先進能源研究計劃署）更是推出了SiCIGBT模塊，電壓能達到15kV。IGBT芯片發(fā)展趨勢是：薄片工藝，主要是減少熱阻，減小襯底電阻從而減小通態(tài)損耗;管芯，主要是提高器件電流密度，十余年來管芯面積減少了23；大硅片，硅片由5英

47、寸變?yōu)?2英寸，面積增加了5.76倍，折算后每顆芯粒的成本可大為降低；新材料方面主要以SiC和GaN寬禁帶半導體材料為代表。第四章 項目建設主要內(nèi)容和規(guī)模（一）用地規(guī)模該項目總征地面積54754.03平方米（折合約82.09畝），其中：凈用地面積54754.03平方米（紅線范圍折合約82.09畝）。項目規(guī)劃總建筑面積62967.13平方米，其中：規(guī)劃建設主體工程38562.79平方米，計容建筑面積62967.13平方米；預計建筑工程投資5589.22萬元。（二）設備購置項目計劃購置設備共計170臺（套），設備購置費4801.41萬元。二、產(chǎn)值規(guī)模項目計劃總投資15902.44萬元；預計年實現(xiàn)營

48、業(yè)收入16482.00萬元。第五章 項目建設地點一、IGBT芯片項目建設選址原則為了更好地發(fā)揮其經(jīng)濟效益并綜合考慮環(huán)境等多方面的因素，根據(jù)IGBT芯片項目選址的一般原則和IGBT芯片項目建設地的實際情況，“IGBT芯片項目”選址應遵循以下原則：1、布局相對獨立，便于集中開展科研、生產(chǎn)經(jīng)營和管理活動。2、與IGBT芯片項目建設地的建成區(qū)有較方便的聯(lián)系。3、地理條件較好，并有足夠的發(fā)展?jié)摿Α?、城市基礎設施等配套較為完善。5、以城市總體規(guī)劃為依據(jù)，統(tǒng)籌考慮用地與城市發(fā)展的關系。6、兼顧環(huán)境因素影響，具有可持續(xù)發(fā)展的條件。二、IGBT芯片項目選址方案及土地權屬（一）IGBT芯片項目選址方案1、IGB

49、T芯片項目建設單位通過對IGBT芯片項目擬建場地縝密調(diào)研，充分考慮了IGBT芯片項目生產(chǎn)所需的內(nèi)部和外部條件：距原料產(chǎn)地的遠近、企業(yè)勞動力成本、生產(chǎn)成本以及擬建區(qū)域產(chǎn)業(yè)配套情況、基礎設施條件及土地成本等。2、通過對可供選擇的建設地區(qū)進行比選，綜合考慮后選定的IGBT芯片項目最佳建設地點IGBT芯片項目建設地，所選區(qū)域完善的基礎設施和配套的生活設施為IGBT芯片項目建設提供了良好的投資環(huán)境。（二）工程地質(zhì)條件1、根據(jù)建筑抗震設計規(guī)范（GB50011）標準要求，IGBT芯片項目建設地無活動斷裂性通過，無液化土層及可能震陷的土層分布，地層均勻性密實較好，因此，本期工程IGBT芯片項目建設區(qū)處于地質(zhì)構

50、造運動相對良好的地帶，地下水為上層滯水，對混凝土無腐蝕性，各土層分布穩(wěn)定、均勻而適宜建筑。2、擬建場地目前尚未進行地質(zhì)勘探，參考臨近建筑物的地質(zhì)資料，地基土層由第四系全新統(tǒng)（Q4）雜填土、粉質(zhì)粘土、淤泥質(zhì)粉土、圓礫卵石層組成，圓礫卵石作為建筑物的持力層，Pk=300.00Kpa；建設區(qū)域地質(zhì)抗風化能力較強，地層承載力高，工程地質(zhì)條件較好，不會受到滑坡及泥石流等次生災害的影響，無不良地質(zhì)現(xiàn)象，地殼處于穩(wěn)定狀態(tài)，場地地貌簡單適應本期工程IGBT芯片項目建設。三、IGBT芯片項目用地總體要求（一）IGBT芯片項目用地控制指標分析1、“IGBT芯片項目”均按照項目建設地建設用地規(guī)劃許可證及建設用地規(guī)劃

51、設計要求進行設計，同時，嚴格按照建設規(guī)劃部門與國土資源管理部門提供的界址點坐標及用地方案圖布置場區(qū)總平面圖。2、建設IGBT芯片項目平面布置符合輕工產(chǎn)品制造行業(yè)、重點產(chǎn)品的廠房建設和單位面積產(chǎn)能設計規(guī)定標準，達到工業(yè)IGBT芯片項目建設用地控制指標（國土資發(fā)【2008】24號）文件規(guī)定的具體要求。（二）IGBT芯片項目建設條件比選方案1、IGBT芯片項目建設單位通過對可供選擇的建設地區(qū)進行縝密比選后，充分考慮了IGBT芯片項目擬建區(qū)域的交通條件、土地取得成本及職工交通便利條件，IGBT芯片項目經(jīng)營期所需的內(nèi)外部條件：距原料產(chǎn)地的遠近、企業(yè)勞動力成本、生產(chǎn)成本以及擬建區(qū)域產(chǎn)業(yè)配套情況、基礎設施條

52、件等，通過建設條件比選最終選定的IGBT芯片項目最佳建設地點IGBT芯片項目建設地，本期工程IGBT芯片項目建設區(qū)域供電、供水、道路、照明、供汽、供氣、通訊網(wǎng)絡、施工環(huán)境等條件均較好，可保證IGBT芯片項目的建設和正常經(jīng)營，所選區(qū)域完善的基礎設施和配套的生活設施為IGBT芯片項目建設提供了良好的投資環(huán)境。2、由IGBT芯片項目建設單位承辦的“IGBT芯片項目”，擬選址在IGBT芯片項目建設地，所選區(qū)域土地資源充裕，而且地理位置優(yōu)越、地形平坦、土地平整、交通運輸條件便利、配套設施齊全，符合IGBT芯片項目選址要求。（三）IGBT芯片項目用地總體規(guī)劃方案本期工程項目建設規(guī)劃建筑系數(shù)67.95%，建

53、筑容積率1.15，建設區(qū)域綠化覆蓋率7.39%，固定資產(chǎn)投資強度168.55萬元/畝。（四）IGBT芯片項目節(jié)約用地措施1、土地既是人類賴以生存的物質(zhì)基礎，也是社會經(jīng)濟可持續(xù)發(fā)展必不可少的條件，因此，IGBT芯片項目建設單位在利用土地資源時，嚴格執(zhí)行國家有關行業(yè)規(guī)定的用地指標，根據(jù)建設內(nèi)容、規(guī)模和建設方案，按照國家有關節(jié)約土地資源要求，合理利用土地。2、在IGBT芯片項目建設過程中，IGBT芯片項目建設單位根據(jù)總體規(guī)劃以及項目建設地期對本期工程IGBT芯片項目地塊的控制性指標，本著“經(jīng)濟適宜、綜合利用”的原則進行科學規(guī)劃、合理布局，最大限度地提高土地綜合利用率。第六章 工程方案一、工程設計條件

54、IGBT芯片項目建設地屬于建設用地，其地形地貌類型簡單，巖土工程地質(zhì)條件優(yōu)良，水文地質(zhì)條件良好，適宜本期工程IGBT芯片項目建設。二、建筑設計規(guī)范和標準1、砌體結構設計規(guī)范（GB50003-2001）。2、建筑地基基礎設計規(guī)范（GB50007-2002）。3、建筑結構荷載規(guī)范（GB50009-2001）。三、主要材料選用標準要求（一）混凝土要求根據(jù)混凝土結構耐久性設計規(guī)范（GB/T50476）之規(guī)定，確定構筑物結構構件最低混凝土強度等級，基礎混凝土結構的環(huán)境類別為一類，本工程上部主體結構采用C30混凝土，上部結構構造柱、圈梁、過梁、基礎采用C25混凝土，設備基礎混凝土強度等級采用C30級，基礎

55、混凝土墊層為C15級，基礎墊層混凝土為C15級。（二）鋼筋及建筑構件選用標準要求1、本工程建筑用鋼筋采用國家標準熱軋鋼筋：基礎受力主筋均采用HRB400，箍筋及其他次要構件為HPB300。2、HPB300級鋼筋選用E43系列焊條，HRB400級鋼筋選用E50系列焊條。四、土建工程建設指標本期工程項目預計總建筑面積62967.13平方米，其中：計容建筑面積62967.13平方米，計劃建筑工程投資5589.22萬元，占項目總投資的35.15%。第七章 設備選型分析一、設備選型（一）設備選型的原則1、選用的設備必須有較高的生產(chǎn)效率，能降低勞動強度，滿足生產(chǎn)規(guī)模的要求，2、為滿足產(chǎn)品生產(chǎn)的質(zhì)量要求，關

56、鍵設備為知名廠家生產(chǎn)的品牌產(chǎn)品，3、按經(jīng)濟規(guī)律辦事，講求投資經(jīng)濟效益，在充分考慮設備的先進性和適用性的同時，綜合考慮各設備的性價比和壽命年限。（二）設備選型方向1、以“比質(zhì)、比價、比先進”為原則。選擇設備時，要著眼高起點、高水平、高質(zhì)量，最大限度地保證產(chǎn)品質(zhì)量的需要，不斷提高產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的自動化程度，降低勞動強度提高勞動生產(chǎn)率，節(jié)約能源降低生產(chǎn)成本和檢測成本。2、主要設備的配置應與產(chǎn)品的生產(chǎn)技術工藝及生產(chǎn)規(guī)模相適應，同時應具備“先進、適用、經(jīng)濟、配套、平衡”的特性，能夠達到節(jié)能和清潔生產(chǎn)的各項要求。該項目所選設備必須技術先進、性能可靠，達到目前國內(nèi)外先進水平，經(jīng)生產(chǎn)廠家使用證明運轉(zhuǎn)穩(wěn)定可靠，

57、能夠滿足生產(chǎn)高質(zhì)量產(chǎn)品的要求。3、設備性能價格比合理，使投資方能夠以合理的投資獲得生產(chǎn)高質(zhì)量產(chǎn)品的生產(chǎn)設備。對生產(chǎn)設備進行合理配置，充分發(fā)揮各類設備的最佳技術水平。在滿足生產(chǎn)工藝要求的前提下，力求經(jīng)濟合理。充分考慮設備的正常運轉(zhuǎn)費用，以保證在生產(chǎn)本行業(yè)相同產(chǎn)品時，能夠保持最低的生產(chǎn)成本。4、以甄選優(yōu)質(zhì)供應商為原則。選擇設備交貨期應滿足工程進度的需要，售后服務好、安裝調(diào)試及時、可靠并能及時提供備品備件的設備生產(chǎn)廠家。根據(jù)生產(chǎn)經(jīng)驗和技術力量，該項目主要工藝設備及儀器基本上采用國產(chǎn)設備，選用生產(chǎn)設備廠家具有國內(nèi)一流技術裝備，企業(yè)管理科學達到國際認證標準要求。（三）設備配置方案該項目的生產(chǎn)及檢測設備以工藝需要為依據(jù)，滿足工藝要求為原則，并盡量體現(xiàn)其技術先進性、生產(chǎn)安全性和經(jīng)濟合理性，以及達到或超過國家相關的節(jié)能和環(huán)保要求。先進的生產(chǎn)技術和裝備是保證產(chǎn)品質(zhì)量的關鍵。因此，關鍵工藝設