湖北熔煉設(shè)備投資計劃書（可編輯模板）

1、泓域咨詢/湖北熔煉設(shè)備投資計劃書湖北熔煉設(shè)備投資計劃書泓域咨詢/規(guī)劃設(shè)計/投資分析摘要說明在泛半導(dǎo)體行業(yè)，國內(nèi)廠商已接近國外先進水平。半導(dǎo)體和光伏等行業(yè)均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對晶圓純度要求更高，運用于泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的晶圓生長設(shè)備適當(dāng)提高精度即可實現(xiàn)一定程度上的互相替代。在泛半導(dǎo)體行業(yè)，單晶硅生長爐技術(shù)水平的指標(biāo)有晶棒尺寸、投料量、自動化程度和單晶硅棒成品品質(zhì)等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標(biāo)準。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產(chǎn)成本越低，技術(shù)難度也越大。目前國內(nèi)市場單晶硅生長爐的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。當(dāng)前只有少量幾家公司能夠生產(chǎn)150kg和8英寸以上的單

2、晶硅生長爐，如德國的PVATePlaAG公司，美國的Kayex公司等。目前，以晶盛機電為代表的國內(nèi)廠商，其設(shè)備技術(shù)水平已經(jīng)接近甚至趕超了國外廠商水平，并且擁有明顯的成本優(yōu)勢，占據(jù)了國內(nèi)光伏市場的絕大部分份額。未來，國產(chǎn)晶圓生長設(shè)備有望提高在半導(dǎo)體行業(yè)的滲透率。該中高頻熔煉設(shè)備項目計劃總投資17172.14萬元，其中：固定資產(chǎn)投資12794.91萬元，占項目總投資的74.51%；流動資金4377.23萬元，占項目總投資的25.49%。達產(chǎn)年營業(yè)收入43625.00萬元，總成本費用32811.45萬元，稅金及附加390.42萬元，利潤總額10813.55萬元，利稅總額12695.49萬元，稅后凈利

3、潤8110.16萬元，達產(chǎn)年納稅總額4585.33萬元；達產(chǎn)年投資利潤率62.97%，投資利稅率73.93%，投資回報率47.23%，全部投資回收期3.62年，提供就業(yè)職位816個。半導(dǎo)體設(shè)備按生產(chǎn)工藝流程可分為前端設(shè)備（晶圓加工設(shè)備、晶圓制造設(shè)備）和后道設(shè)備（封裝及測試設(shè)備），占總體設(shè)備投資的比例分別為70%和30%。我們進一步梳理了各環(huán)節(jié)主要設(shè)備的龍頭企業(yè)，其中應(yīng)用材料作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，在晶圓制造設(shè)備的幾個核心環(huán)節(jié)熱處理、鍍膜設(shè)備、離子注入設(shè)備等領(lǐng)先全球。日本公司更擅長制造刻蝕設(shè)備、涂膠機、顯影機、測試設(shè)備等產(chǎn)品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。報告

4、內(nèi)容：概論、項目建設(shè)背景、項目調(diào)研分析、產(chǎn)品規(guī)劃方案、項目選址、項目工程方案分析、項目工藝原則、項目環(huán)保研究、安全衛(wèi)生、項目風(fēng)險應(yīng)對說明、節(jié)能方案分析、項目進度說明、項目投資規(guī)劃、經(jīng)濟效益、總結(jié)評價等。規(guī)劃設(shè)計/投資分析/產(chǎn)業(yè)運營湖北熔煉設(shè)備投資計劃書目錄第一章 概論第二章 項目建設(shè)背景第三章 項目調(diào)研分析第四章 產(chǎn)品規(guī)劃方案第五章 項目選址第六章 項目工程方案分析第七章 項目工藝原則第八章 項目環(huán)保研究第九章 安全衛(wèi)生第十章 項目風(fēng)險應(yīng)對說明第十一章 節(jié)能方案分析第十二章 項目進度說明第十三章 項目投資規(guī)劃第十四章 經(jīng)濟效益第十五章 招標(biāo)方案第十六章 總結(jié)評價第一章 概論一、項目承辦單位基本

5、情況（一）公司名稱xxx集團（二）公司簡介展望未來，公司將圍繞企業(yè)發(fā)展目標(biāo)的實現(xiàn)，在“夢想、責(zé)任、忠誠、一流”核心價值觀的指引下，圍繞業(yè)務(wù)體系、管控體系和人才隊伍體系重塑，推動體制機制改革和管理及業(yè)務(wù)模式的創(chuàng)新，加強團隊能力建設(shè)，提升核心競爭力，努力把公司打造成為國內(nèi)一流的供應(yīng)鏈管理平臺。公司自建成投產(chǎn)以來，每年均快速提升生產(chǎn)規(guī)模和經(jīng)濟效益，成為區(qū)域經(jīng)濟發(fā)展速度較快、綜合管理效益較高的企業(yè)之一；項目承辦單位技術(shù)力量相當(dāng)雄厚，擁有一批知識豐富、經(jīng)營管理經(jīng)驗精湛的專業(yè)化員工隊伍，為研制、開發(fā)、生產(chǎn)項目產(chǎn)品奠定了良好的基礎(chǔ)。經(jīng)過多年發(fā)展，公司已經(jīng)形成一個成熟的核心管理團隊，團隊具有豐富的從業(yè)經(jīng)驗，對

6、于整個行業(yè)的發(fā)展、企業(yè)的定位都有著較深刻的認識，形成了科學(xué)合理的公司發(fā)展戰(zhàn)略和經(jīng)營理念，有利于公司在市場競爭中贏得主動權(quán)。（三）公司經(jīng)濟效益分析上一年度，xxx有限責(zé)任公司實現(xiàn)營業(yè)收入41358.03萬元，同比增長20.99%（7175.40萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務(wù)中高頻熔煉設(shè)備生產(chǎn)及銷售收入為36269.25萬元，占營業(yè)總收入的87.70%。根據(jù)初步統(tǒng)計測算，公司實現(xiàn)利潤總額11404.34萬元，較去年同期相比增長2607.56萬元，增長率29.64%；實現(xiàn)凈利潤8553.26萬元，較去年同期相比增長1424.61萬元，增長率19.98%。上年度主要經(jīng)濟指標(biāo)項目單位指標(biāo)完成營業(yè)收入萬元413

7、58.03完成主營業(yè)務(wù)收入萬元36269.25主營業(yè)務(wù)收入占比87.70%營業(yè)收入增長率（同比）20.99%營業(yè)收入增長量（同比）萬元7175.40利潤總額萬元11404.34利潤總額增長率29.64%利潤總額增長量萬元2607.56凈利潤萬元8553.26凈利潤增長率19.98%凈利潤增長量萬元1424.61投資利潤率69.27%投資回報率51.95%財務(wù)內(nèi)部收益率26.66%企業(yè)總資產(chǎn)萬元31876.55流動資產(chǎn)總額占比萬元33.26%流動資產(chǎn)總額萬元10600.84資產(chǎn)負債率41.94%二、項目概況（一）項目名稱湖北熔煉設(shè)備中國晶圓廠建設(shè)加速。預(yù)估在2017-2020年間，全球?qū)⒂?2座

8、新的晶圓廠投入營運。中國大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營運，占新增晶圓廠的比重高達42%，美國為10座，臺灣為9座，下游產(chǎn)能的擴張帶來設(shè)備需求的彈性。據(jù)江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計，2016年中國大陸已進入連年國產(chǎn)階段的晶圓生產(chǎn)線有近100條，其中12英寸晶圓生產(chǎn)線共有9條，8英寸晶圓生產(chǎn)線共有16條，6英寸晶圓生產(chǎn)線共有40條，5英寸晶圓生產(chǎn)線約有16條。中芯國際在北京的Fab4廠是中國最早量產(chǎn)的12英寸晶圓廠，經(jīng)過幾次技術(shù)改進工藝水平達到65nm。除此之外，中芯國際也分別在北京和上海擁有兩條12英寸產(chǎn)線，技術(shù)節(jié)點達到了28nm，領(lǐng)先國內(nèi)水平。除了中芯與武漢新芯外，還暫未有國產(chǎn)企業(yè)擁有

9、量產(chǎn)的12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開始布局。SK海力士早在08年就在無錫建設(shè)了8英寸晶圓產(chǎn)線，隨后升級為12英寸。而英特爾大連工廠在2010年完工后用于生產(chǎn)65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3DNANDFlash。目前國內(nèi)已經(jīng)量產(chǎn)的12英寸晶圓廠僅有9座，合計產(chǎn)能42.9萬片/月。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與面板產(chǎn)業(yè)相似，都是重資產(chǎn)投入，設(shè)備投資占總投資規(guī)模的比例達到60%以上，其中一些關(guān)鍵的制程環(huán)節(jié)需要綜合運用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)含量高、制造難度大、設(shè)備價值高等特點。因此下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出了巨大的設(shè)備投資市場。（二）項目選址

10、某某開發(fā)區(qū)湖北省，簡稱鄂，中華人民共和國省級行政區(qū)，省會武漢。地處中國中部地區(qū)，東鄰安徽，西連重慶，西北與陜西接壤，南接江西、湖南，北與河南毗鄰，介于北緯29015333647、東經(jīng)10821421160750之間，東西長約740千米，南北寬約470千米，總面積18.59萬平方千米，占中國總面積的1.94%。最東端是黃梅縣，最西端是利川市，最南端是來鳳縣，最北端是鄖西縣。湖北省地勢大致為東、西、北三面環(huán)山，中間低平，略呈向南敞開的不完整盆地。在全省總面積中，山地占56%，丘陵占24%，平原湖區(qū)占20%，屬長江水系。湖北省地處亞熱帶，全省除高山地區(qū)屬高山氣候外，大部分地區(qū)屬亞熱帶季風(fēng)性濕潤氣候。

11、截至2019年末，湖北省共轄12個地級市、1個自治州、4個省直轄縣級行政單位，共有25個縣級市、36個縣、2個自治縣、1個林區(qū)，常住人口5927萬人。實現(xiàn)地區(qū)生產(chǎn)總值（GD）45828.31億元，其中，第一產(chǎn)業(yè)完成增加值3809.09億元，第二產(chǎn)業(yè)完成增加值19098.62億元，第三產(chǎn)業(yè)完成增加值22920.60億元。（三）項目用地規(guī)模項目總用地面積52859.75平方米（折合約79.25畝）。（四）項目用地控制指標(biāo)該工程規(guī)劃建筑系數(shù)68.81%，建筑容積率1.16，建設(shè)區(qū)域綠化覆蓋率5.55%，固定資產(chǎn)投資強度161.45萬元/畝。（五）土建工程指標(biāo)項目凈用地面積52859.75平方米，建筑

12、物基底占地面積36372.79平方米，總建筑面積61317.31平方米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程46469.56平方米，項目規(guī)劃綠化面積3404.02平方米。（六）設(shè)備選型方案項目計劃購置設(shè)備共計136臺（套），設(shè)備購置費6867.41萬元。（七）節(jié)能分析1、項目年用電量990468.32千瓦時，折合121.73噸標(biāo)準煤。2、項目年總用水量26921.93立方米，折合2.30噸標(biāo)準煤。3、“湖北熔煉設(shè)備投資建設(shè)項目”，年用電量990468.32千瓦時，年總用水量26921.93立方米，項目年綜合總耗能量（當(dāng)量值）124.03噸標(biāo)準煤/年。達產(chǎn)年綜合節(jié)能量43.58噸標(biāo)準煤/年，項目總節(jié)能率24.

13、66%，能源利用效果良好。（八）環(huán)境保護項目符合某某開發(fā)區(qū)發(fā)展規(guī)劃，符合某某開發(fā)區(qū)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整規(guī)劃和國家的產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策；對產(chǎn)生的各類污染物都采取了切實可行的治理措施，嚴格控制在國家規(guī)定的排放標(biāo)準內(nèi)，項目建設(shè)不會對區(qū)域生態(tài)環(huán)境產(chǎn)生明顯的影響。（九）項目總投資及資金構(gòu)成項目預(yù)計總投資17172.14萬元，其中：固定資產(chǎn)投資12794.91萬元，占項目總投資的74.51%；流動資金4377.23萬元，占項目總投資的25.49%。（十）資金籌措該項目現(xiàn)階段投資均由企業(yè)自籌。（十一）項目預(yù)期經(jīng)濟效益規(guī)劃目標(biāo)預(yù)期達產(chǎn)年營業(yè)收入43625.00萬元，總成本費用32811.45萬元，稅金及附加390.42萬元

14、，利潤總額10813.55萬元，利稅總額12695.49萬元，稅后凈利潤8110.16萬元，達產(chǎn)年納稅總額4585.33萬元；達產(chǎn)年投資利潤率62.97%，投資利稅率73.93%，投資回報率47.23%，全部投資回收期3.62年，提供就業(yè)職位816個。（十二）進度規(guī)劃本期工程項目建設(shè)期限規(guī)劃12個月。項目承辦單位要合理安排設(shè)計、采購和設(shè)備安裝的時間，在工作上交叉進行，最大限度縮短建設(shè)周期。將投資密度比較大的部分工程盡量押后施工，諸如其他配套工程等。三、項目評價1、本期工程項目符合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和規(guī)劃要求，符合某某開發(fā)區(qū)及某某開發(fā)區(qū)中高頻熔煉設(shè)備行業(yè)布局和結(jié)構(gòu)調(diào)整政策；項目的建設(shè)對促進某某開發(fā)

15、區(qū)中高頻熔煉設(shè)備產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、技術(shù)結(jié)構(gòu)、組織結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的調(diào)整優(yōu)化有著積極的推動意義。2、xxx有限責(zé)任公司為適應(yīng)國內(nèi)外市場需求，擬建“湖北熔煉設(shè)備”，本期工程項目的建設(shè)能夠有力促進某某開發(fā)區(qū)經(jīng)濟發(fā)展，為社會提供就業(yè)職位816個，達產(chǎn)年納稅總額4585.33萬元，可以促進某某開發(fā)區(qū)區(qū)域經(jīng)濟的繁榮發(fā)展和社會穩(wěn)定，為地方財政收入做出積極的貢獻。3、項目達產(chǎn)年投資利潤率62.97%，投資利稅率73.93%，全部投資回報率47.23%，全部投資回收期3.62年，固定資產(chǎn)投資回收期3.62年（含建設(shè)期），項目具有較強的盈利能力和抗風(fēng)險能力。4、中共中央、國務(wù)院發(fā)布關(guān)于深化投融資體制改革的意見，提出建立完善

16、企業(yè)自主決策、融資渠道暢通，職能轉(zhuǎn)變到位、政府行為規(guī)范，宏觀調(diào)控有效、法治保障健全的新型投融資體制。改善企業(yè)投資管理，充分激發(fā)社會投資動力和活力，完善政府投資體制，發(fā)揮好政府投資的引導(dǎo)和帶動作用，創(chuàng)新融資機制，暢通投資項目融資渠道。綜上所述，項目的建設(shè)和實施無論是經(jīng)濟效益、社會效益還是環(huán)境保護、清潔生產(chǎn)都是積極可行的。四、主要經(jīng)濟指標(biāo)主要經(jīng)濟指標(biāo)一覽表序號項目單位指標(biāo)備注1占地面積平方米52859.7579.25畝1.1容積率1.161.2建筑系數(shù)68.81%1.3投資強度萬元/畝161.451.4基底面積平方米36372.791.5總建筑面積平方米61317.311.6綠化面積平方米3404

17、.02綠化率5.55%2總投資萬元17172.142.1固定資產(chǎn)投資萬元12794.912.1.1土建工程投資萬元4714.592.1.1.1土建工程投資占比萬元27.45%2.1.2設(shè)備投資萬元6867.412.1.2.1設(shè)備投資占比39.99%2.1.3其它投資萬元1212.912.1.3.1其它投資占比7.06%2.1.4固定資產(chǎn)投資占比74.51%2.2流動資金萬元4377.232.2.1流動資金占比25.49%3收入萬元43625.004總成本萬元32811.455利潤總額萬元10813.556凈利潤萬元8110.167所得稅萬元1.168增值稅萬元1491.529稅金及附加萬元39

18、0.4210納稅總額萬元4585.3311利稅總額萬元12695.4912投資利潤率62.97%13投資利稅率73.93%14投資回報率47.23%15回收期年3.6216設(shè)備數(shù)量臺（套）13617年用電量千瓦時990468.3218年用水量立方米26921.9319總能耗噸標(biāo)準煤124.0320節(jié)能率24.66%21節(jié)能量噸標(biāo)準煤43.5822員工數(shù)量人816第二章 項目建設(shè)背景一、中高頻熔煉設(shè)備項目背景分析半導(dǎo)體設(shè)備按生產(chǎn)工藝流程可分為前端設(shè)備（晶圓加工設(shè)備、晶圓制造設(shè)備）和后道設(shè)備（封裝及測試設(shè)備），占總體設(shè)備投資的比例分別為70%和30%。我們進一步梳理了各環(huán)節(jié)主要設(shè)備的龍頭企業(yè)，其中

19、應(yīng)用材料作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，在晶圓制造設(shè)備的幾個核心環(huán)節(jié)熱處理、鍍膜設(shè)備、離子注入設(shè)備等領(lǐng)先全球。日本公司更擅長制造刻蝕設(shè)備、涂膠機、顯影機、測試設(shè)備等產(chǎn)品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。半導(dǎo)體設(shè)備的上游為電子元器件和機械加工行業(yè)，原材料包括機械零件、視覺系統(tǒng)、繼電器、傳感器、計算機和PCB板等，優(yōu)質(zhì)的上游產(chǎn)品或服務(wù)有助于設(shè)備產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。行業(yè)的下游主要為封裝測試、晶圓制造、芯片設(shè)計。集成電路產(chǎn)品技術(shù)含量高、工藝復(fù)雜，技術(shù)更新和工藝升級依托于裝備的發(fā)展；反之，下游信息產(chǎn)業(yè)不斷開發(fā)的新產(chǎn)品和新工藝，為設(shè)備行業(yè)提供了新需求和市場空間。以晶圓加工為例，

20、8英寸的晶圓制造設(shè)備無法運用于其他尺寸的加工，因此當(dāng)半導(dǎo)體行業(yè)進入12英寸時代后，8英寸產(chǎn)品需要全部更新?lián)Q代，由此也帶來了設(shè)備行業(yè)的增量空間，促進了其持續(xù)發(fā)展?？傮w設(shè)備市場恢復(fù)性增長，接近歷史最高水平。設(shè)備行業(yè)與半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣程度密切相關(guān)，且波動較大。2008、2009年受到金融危機的影響，同比分別下降31%和46%，2010年強勢回升，并于次年達到歷史最高點435億美元，隨后受到周期性影響設(shè)備支出有所下降。而2016年全球集成電路設(shè)備市場規(guī)模為412億美元，同比增長13%。由于隨后幾年全球各大廠商加速12英寸晶圓廠建設(shè)，將帶動上游設(shè)備銷售，2017年全球半導(dǎo)體新設(shè)備銷售額將達494億美元

21、，同比增長19.8%，突破歷史最高水平。分產(chǎn)品來看，SEMI預(yù)計2017年晶圓加工設(shè)備達到398億美元，同比增長21.7%；光罩等其他前端設(shè)備23億美元，增長25.6%；而封裝測試裝備總計約73億美元。下游企業(yè)競爭日趨激烈，產(chǎn)業(yè)預(yù)期持續(xù)向好。中國設(shè)備占比逐步提升。分地區(qū)來看，全球半導(dǎo)體設(shè)備主要銷售區(qū)域為中國、日本、韓國、北美和臺灣地區(qū)，2016年占比分別為16%、11%、19%、11%和30%。中國大陸在05年僅占4%，近幾年隨著大陸新建晶圓廠的增加，為半導(dǎo)體設(shè)備、服務(wù)、材料等廠商提供了寶貴的機遇。2016年中國大陸設(shè)備銷售收入64.6億美元，同比增長32%，并首次超過日本，成為全球第三大半導(dǎo)

22、體設(shè)備銷售地區(qū)。同時，SEMI預(yù)計韓國設(shè)備銷售將在2017年達到129.7億美元，超過臺灣成為全球第一大市場。晶圓產(chǎn)能集中度提高，12英寸是當(dāng)前主流。遵循摩爾定律的半導(dǎo)體行業(yè)曾經(jīng)實現(xiàn)了快速增長，在較低成本的基礎(chǔ)上帶來了強大的計算能力。為了保持成本，既有通過技術(shù)進步的小型化之路，也有增大晶圓尺寸的做法。通常，半導(dǎo)體行業(yè)每十年升級fab架構(gòu)來增加晶圓直徑，而同時技術(shù)進步則是每兩年一個節(jié)點。隨著納米尺度逼近物理極限，技術(shù)進步已經(jīng)放緩，晶圓尺寸的增加變得越來越重要。目前全球12英寸晶圓產(chǎn)能約為每月11.5百萬片，占總體產(chǎn)能的65%左右，未來12英寸產(chǎn)能預(yù)計會繼續(xù)擴張。但是，更大晶圓尺寸的資本投入也會大

23、幅增長，這為更弱小的玩家設(shè)置了進入壁壘。設(shè)備行業(yè)在12英寸平臺開發(fā)上投入了116億美元，幾乎是開發(fā)8英寸平臺的9倍。由于這樣的尺寸遷移會產(chǎn)生進入壁壘，領(lǐng)先的設(shè)備供應(yīng)商的擴張速度會遠優(yōu)于行業(yè)平均水平，促進集中度的提升。行業(yè)前十企業(yè)的集中度已由2009年的54%大幅提升至2016年的74%。由于行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動力是技術(shù)進步和晶圓尺寸增加帶來的多樣化新應(yīng)用和成本降低，這給設(shè)備供應(yīng)商帶來了更大的增量空間。二、中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)必要性分析中國晶圓廠建設(shè)加速。預(yù)估在2017-2020年間，全球?qū)⒂?2座新的晶圓廠投入營運。中國大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營運，占新增晶圓廠的比重高達42%，美國

24、為10座，臺灣為9座，下游產(chǎn)能的擴張帶來設(shè)備需求的彈性。據(jù)江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計，2016年中國大陸已進入連年國產(chǎn)階段的晶圓生產(chǎn)線有近100條，其中12英寸晶圓生產(chǎn)線共有9條，8英寸晶圓生產(chǎn)線共有16條，6英寸晶圓生產(chǎn)線共有40條，5英寸晶圓生產(chǎn)線約有16條。中芯國際在北京的Fab4廠是中國最早量產(chǎn)的12英寸晶圓廠，經(jīng)過幾次技術(shù)改進工藝水平達到65nm。除此之外，中芯國際也分別在北京和上海擁有兩條12英寸產(chǎn)線，技術(shù)節(jié)點達到了28nm，領(lǐng)先國內(nèi)水平。除了中芯與武漢新芯外，還暫未有國產(chǎn)企業(yè)擁有量產(chǎn)的12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開始布局。SK海力士早在08年就在無錫建設(shè)了

25、8英寸晶圓產(chǎn)線，隨后升級為12英寸。而英特爾大連工廠在2010年完工后用于生產(chǎn)65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3DNANDFlash。目前國內(nèi)已經(jīng)量產(chǎn)的12英寸晶圓廠僅有9座，合計產(chǎn)能42.9萬片/月。在政策和資本的雙重驅(qū)動下，中國大陸晶圓生產(chǎn)線建設(shè)進入了新一輪發(fā)展浪潮。除了已經(jīng)量產(chǎn)的9條12英寸產(chǎn)線外，從2014下半年至2017上半年，中國大陸正在興建或宣布計劃興建的12英寸晶圓生產(chǎn)線共有20條（包括擴產(chǎn)升級的產(chǎn)線），大大超越了已有數(shù)量，這在史上也是絕無僅有的集建設(shè)時期。中國大陸正在興建的12英寸晶圓產(chǎn)線，按主流產(chǎn)品和工藝技術(shù)來分，可以分為邏輯（L

26、ogic）芯片、存儲器（Memory）芯片和專用芯片生產(chǎn)線3類。目前興建中技術(shù)水平最高的廠商依然是中芯國際，其在北京投資40億美元的B3產(chǎn)線已達到14nm制程；同時還投資675億元在上海興建新晶圓廠，生產(chǎn)工藝涵蓋28-14nm，并且開始著手研發(fā)10/7nm工藝，預(yù)計2018年正式投產(chǎn)。而作為臺灣地區(qū)晶圓代工龍頭臺積電，也于2017年宣布在南京建設(shè)12英寸晶圓廠，這也意味著16nm制程芯片將在大陸量產(chǎn)。除了新建產(chǎn)線，原有的外資12英寸產(chǎn)線也開始了技術(shù)升級、產(chǎn)能擴建的進程。其中包括SK海力士（無錫）進行第5期擴建工程，以及三星（西安）進行第二座12英寸晶圓3DNANDFlash工廠建設(shè)。根據(jù)目前的

27、規(guī)劃，若這些晶圓廠全部量產(chǎn)，可達到的理論產(chǎn)能約為125萬片/月。疊加現(xiàn)有產(chǎn)能，則未來中國12英寸晶圓產(chǎn)能將超過160萬片/月，將大大拉動對半導(dǎo)體設(shè)備的需求。從2016年下半年起，國內(nèi)外8英寸晶圓產(chǎn)能日趨緊張，現(xiàn)有的8英寸產(chǎn)線投片量日益飽滿，因而在大陸新建和擴建12英寸產(chǎn)線的同時，8英寸晶圓生產(chǎn)線的新建和擴建也隨勢展開。至今，新建的8英寸晶圓生產(chǎn)線主要有大連宇宙半導(dǎo)體和淮安德克瑪?shù)?，擴建的8英寸產(chǎn)線主要是中芯國際（天津）Fab7?？傮w來說，國內(nèi)的8英寸產(chǎn)線共計21條，其中量產(chǎn)16條，在建或擴建5條，共計產(chǎn)能115萬片/月。中國晶圓廠投資迎來爆發(fā)期。我們統(tǒng)計了國內(nèi)所有8英寸及12英寸產(chǎn)線的投資數(shù)據(jù)

28、，從未來的投資軌跡來看，2017-2020年是晶圓廠投資的高峰期。這四年內(nèi)，將有20條產(chǎn)線12英寸晶圓產(chǎn)線實現(xiàn)量產(chǎn)，其中包括紫光集團兩條、中芯國際四條、長江存儲三條，臺積電、三星、美國AOS、聯(lián)華電子、力晶、華力微電子、合肥長鑫、格羅方德、福建晉華、德克瑪、SK海力士各一條，合計投資金額約6827億元（去除紫光成都產(chǎn)線和中芯國際寧波產(chǎn)線，因為其只與政府簽訂合作意向，項目并未實際動工）。全部投產(chǎn)后，中國的12英寸晶圓產(chǎn)能將領(lǐng)先臺灣與韓國。同時，未來國內(nèi)新增的8英寸晶圓產(chǎn)能45.5萬片/月，相比目前的量產(chǎn)規(guī)模增長65%，新增投資247億元。來國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場空間測算：根據(jù)我們?nèi)斯そy(tǒng)計的晶圓產(chǎn)線數(shù)

29、據(jù)，按照產(chǎn)線的投資額進行4年的平滑，可以計算出未來每年晶圓廠投資數(shù)據(jù)。在過去的十年中，全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出占總體資本支出的比例平均約為67%，即一條晶圓產(chǎn)線的全部資本投資中，2/3的資金用于購買設(shè)備，剩下的1/3用于廠房建設(shè)，包括人員開支、設(shè)計、材料等費用。我們以一條15億美元的產(chǎn)線為例，其中10億美元用于設(shè)備支出，主要的設(shè)備包括以下幾種：i.光刻機：最高端的ASML光刻機售價高達1億美元，整條產(chǎn)線根據(jù)產(chǎn)能大小只需要幾臺光刻機即可；ii.等離子刻蝕機：一條產(chǎn)線需要30-50臺，單臺價格在200-250萬美元左右。iii.CVD設(shè)備：一個晶圓廠至少需要30臺，單臺價格200-300萬美元。iv

30、.檢測設(shè)備：最貴的美國檢測機單價約為100萬-120萬美元，其中前道工序需要50臺，而后道工序則需要上百臺。約70%的市場為前端晶圓制造設(shè)備，而封裝設(shè)備、測試設(shè)備的占比分別為15%和10%。由于光刻、刻蝕、沉積等流程在芯片生產(chǎn)過程中不斷循環(huán)往復(fù)，對于設(shè)備穩(wěn)定性和精度的要求極高，這部分設(shè)備價值體量也最高，其中最核心裝備光刻機、鍍膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備分別占晶圓廠設(shè)備總投資的20%、15%和14%左右。中國晶圓廠設(shè)備未來幾年的投資額將達到千億級別，對應(yīng)的設(shè)備投資額也為585億-1210億元不等，我們預(yù)計2019年設(shè)備投資額將達到近期峰值水平，其中晶圓制造的設(shè)備投資額將達到847億元。由于前道設(shè)備技術(shù)

31、難度極高，同時國外實施技術(shù)封鎖，國產(chǎn)企業(yè)無法掌握核心技術(shù)而較難切入該領(lǐng)域。后道的封裝測試環(huán)節(jié)技術(shù)難度相對較低，尤其是測試設(shè)備，大陸憑借著技術(shù)引進和較低的勞動力成本優(yōu)勢已經(jīng)在該領(lǐng)域有所建樹，2017年測試設(shè)備市場規(guī)模有望達到59億元。持續(xù)的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移不僅帶動了國內(nèi)集成電路整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平的提高，也為裝備制造業(yè)提供了巨大的市場空間。第三章 項目調(diào)研分析一、中高頻熔煉設(shè)備行業(yè)分析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與面板產(chǎn)業(yè)相似，都是重資產(chǎn)投入，設(shè)備投資占總投資規(guī)模的比例達到60%以上，其中一些關(guān)鍵的制程環(huán)節(jié)需要綜合運用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)含量高、制造難度大、設(shè)備價值高等特點。因此下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出了巨

32、大的設(shè)備投資市場。IC產(chǎn)品生產(chǎn)附加值極高，工藝進步依托于設(shè)備提升。目前的集成電路技術(shù)大多基于元素硅，并在晶片上構(gòu)建各種復(fù)雜電路。硅元素在地殼中的含量達到26.4%，是僅次于氧的第二大元素，而單晶硅則可通過富含二氧化硅的砂石經(jīng)提煉獲得。由價格低廉的砂石到性能卓越的芯片，IC的生產(chǎn)過程就是硅元素附加值大量增長的過程。從最初的設(shè)計，到最終的下線檢測，生產(chǎn)過程需經(jīng)過幾十步甚至幾百步的工藝，整個制造過程工藝復(fù)雜，其中任何一步的錯誤都可能是最后導(dǎo)致產(chǎn)品失效的原因，因此對設(shè)備可靠性的要求極高。下游廠商也愿意為高可靠性、高精度設(shè)備支付技術(shù)溢價，這也是半導(dǎo)體投資中設(shè)備投資占比較高的原因之一。從生產(chǎn)工藝來看，半導(dǎo)

33、體制造過程可以分為IC設(shè)計（電路與邏輯設(shè)計）、制造（前道工序）和封裝與測試環(huán)節(jié)（后道工序）。設(shè)備主要針對制造及測封環(huán)節(jié)，設(shè)計部分的占比較少。IC設(shè)計：是一個將系統(tǒng)、邏輯與性能的設(shè)計要求轉(zhuǎn)化為具體的物理版圖的過程，主要包含邏輯設(shè)計、電路設(shè)計和圖形設(shè)計等。將最終設(shè)計出的電路圖制作成光罩，進入下一個制造環(huán)節(jié)。由于設(shè)計環(huán)節(jié)主要通過計算機完成，所需的設(shè)備占比較少。IC制造：制造環(huán)節(jié)又分為晶圓制造和晶圓加工兩部分。前者是指運用二氧化硅原料逐步制得單晶硅晶圓的過程，主要包含硅的純化-多晶硅制造-拉晶-切割、研磨等，對應(yīng)的設(shè)備分別是熔煉爐、CVD設(shè)備、單晶爐和切片機等；晶圓加工則是指在制備晶圓材料上構(gòu)建完整的

34、集成電路芯片的過程，主要包含鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入等幾大工藝。i.鍍膜工藝：通過PECVD、LPCVD等設(shè)備，在晶圓表面增加一層二氧化硅構(gòu)成絕緣層，使CPU不再漏電；ii.光刻工藝：通過光刻機，對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進行開孔，以便進行雜質(zhì)的定域擴散的一種加工技術(shù)，加工的晶體管數(shù)量和密度都會隨著制程工藝的升級而不斷加強；iii.刻蝕工藝：通過刻蝕機，對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離；iv.離子注入：通過離子注入機或擴散爐為材料加入特殊元素，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。IC測封：封裝是半導(dǎo)體設(shè)備制造過程中的最后一個環(huán)節(jié)，主要包含減薄/切割、貼

35、裝/互聯(lián)、封裝、測試等過程，分別對應(yīng)切割減薄設(shè)備、引線機、鍵合機、分選測試機等。將半導(dǎo)體材料模塊集中于一個保護殼內(nèi)，防止物理損壞或化學(xué)腐蝕，最后通過測試的產(chǎn)品將作為最終成品投入到下游的應(yīng)用中去。IC制造是將光罩上的電路圖轉(zhuǎn)移到晶圓上的過程，這段時期硅晶片附加值增長最快。該環(huán)節(jié)的制造難度相較后端的封裝測試要高很多，對于設(shè)備穩(wěn)定性和精度的要求極高，該部分設(shè)備投資體量巨大，占整體設(shè)備投資的70%以上。其核心工藝主要包含晶圓制造、鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入5大環(huán)節(jié)。晶圓制造工藝及設(shè)備：硅晶圓的制造可以歸納為三個基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。首先硅提純。將原料放入熔爐中進行化學(xué)反應(yīng)得到冶

36、金級硅，然后通過蒸餾和化學(xué)還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達99.9999999%（7個9以上），成為電子級硅。然后在單晶爐中使用提拉法得到單晶硅。即先將多晶硅熔化，然后將籽晶浸入其中，并由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時緩慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會按籽晶晶格排列的方向不斷地生長上去，形成單晶硅棒。硅晶棒再經(jīng)過切段、滾磨、切片、倒角、拋光、激光刻后，成為集成電路工廠的基本原料硅晶圓片。二、中高頻熔煉設(shè)備市場分析預(yù)測在泛半導(dǎo)體行業(yè)，國內(nèi)廠商已接近國外先進水平。半導(dǎo)體和光伏等行業(yè)均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對晶圓純度要求更高，運用于泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的晶圓生長設(shè)備適當(dāng)提

37、高精度即可實現(xiàn)一定程度上的互相替代。在泛半導(dǎo)體行業(yè)，單晶硅生長爐技術(shù)水平的指標(biāo)有晶棒尺寸、投料量、自動化程度和單晶硅棒成品品質(zhì)等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標(biāo)準。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產(chǎn)成本越低，技術(shù)難度也越大。目前國內(nèi)市場單晶硅生長爐的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。當(dāng)前只有少量幾家公司能夠生產(chǎn)150kg和8英寸以上的單晶硅生長爐，如德國的PVATePlaAG公司，美國的Kayex公司等。目前，以晶盛機電為代表的國內(nèi)廠商，其設(shè)備技術(shù)水平已經(jīng)接近甚至趕超了國外廠商水平，并且擁有明顯的成本優(yōu)勢，占據(jù)了國內(nèi)光伏市場的絕大部分份額。未來，國產(chǎn)晶圓生長設(shè)備有望提高在半

38、導(dǎo)體行業(yè)的滲透率。光刻工藝及設(shè)備：光刻是在一片平整的硅片上構(gòu)建半導(dǎo)體MOS管和電路的基礎(chǔ)，利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的精密微細加工技術(shù)。由于晶圓表面上的電路設(shè)計圖案直接由光刻技術(shù)決定，因此光刻也是IC制造最核心的環(huán)節(jié)。光刻主要步驟是先在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，讓強光通過一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板照射在硅片上，使被照射到的部分（如源區(qū)和漏區(qū)）光刻膠發(fā)生變質(zhì)，然后用腐蝕性液體清洗硅片，除去變質(zhì)的光刻膠；而被光刻膠覆蓋住的部分則不會被刻蝕液影響。光刻工藝價值巨大，ASML獨領(lǐng)風(fēng)騷。即使是微米級的光刻工藝，也需要重

39、復(fù)循環(huán)5次以上，而目前的28nm工藝則需要20道以上的光刻步驟，整個光刻成本約為硅片制造工藝的1/3，耗費時間約占40%-60%。而光刻機則是IC制造中最核心的設(shè)備，價值量占到設(shè)備總投資的比例約為20%。全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭ASML在光刻機領(lǐng)域優(yōu)勢巨大，其EUV光刻機工藝水平已經(jīng)達到10nm的級別，單臺設(shè)備售價超過1億美元。公司的市場份額超過60%，甩開了兩個老對手Nikon和Canon。極紫外光刻EUV是實現(xiàn)10nm以下工藝制程的最經(jīng)濟手段，并且只有ASML一家供應(yīng)商具備開發(fā)EUV光刻機的能力。因此半導(dǎo)體三巨頭英特爾、臺積電、三星均爭相投資ASML開發(fā)EUV技術(shù)，助其快速實現(xiàn)量產(chǎn)，以及獲得EU

40、V設(shè)備的優(yōu)先購買權(quán)。雖然我國上海微電子也研發(fā)出光刻機，但由于中國半導(dǎo)體起步較晚，技術(shù)上與外資品牌差距巨大?？涛g工藝：按照掩模圖形對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)工藝，是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的主要工藝，通常分為干法刻蝕和濕法刻蝕。濕法刻蝕主要是在較為平整的膜面上用稀釋的化學(xué)品等刻出絨面，從而增加光程，減少光的反射。干法刻蝕是用等離子體（氣體）進行薄膜刻蝕的技術(shù)工藝，通過電場對等離子體進行引導(dǎo)和加速，使其具備一定能量，當(dāng)其轟擊被刻蝕物的表面時，更快地與材料進行反應(yīng)，從而利用物理上的能量轉(zhuǎn)移實現(xiàn)刻蝕目的。中微半導(dǎo)體崛起，泛林雄踞榜首。在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，美國的泛林半導(dǎo)體憑借著

41、先發(fā)優(yōu)勢和大量研發(fā)投入保持行業(yè)龍頭地位，但中國廠商中微半導(dǎo)體在近十年迅速崛起，并開始打入國際市場。中微半導(dǎo)體的16nm刻蝕機實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)，目前已經(jīng)進入臺積電的5個半導(dǎo)體生產(chǎn)線，7-10nm刻蝕機設(shè)備可以與世界最前沿技術(shù)比肩。隨著中微的崛起，2015年美國商業(yè)部的工業(yè)安全局特別發(fā)布公告，承認中國已經(jīng)擁有制造具備國際競爭力刻蝕機的能力，且等離子刻蝕機已經(jīng)進入量產(chǎn)階段，因而決定將等離子刻蝕機從美國對中國控制出口名錄中去除。離子注入工藝及設(shè)備：是人為地將所需雜質(zhì)以一定方式摻入到硅片表面薄層，并使其達到規(guī)定的數(shù)量和符合要求的分布形式，主要包括兩種方法。高溫?zé)釘U散法是將摻雜氣體導(dǎo)入放有硅片的高溫爐，將雜

42、質(zhì)擴散到硅片內(nèi)一種方法；離子注入法是通過注入機的加速和引導(dǎo)，將能量為100keV量級的離子束入射到材料中去，與材料中的原子或分子發(fā)生一系列理化反應(yīng)，入射離子逐漸損失能量，并引起材料表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化，最后停留在材料中，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。在離子注入機領(lǐng)域，美國應(yīng)用材料占據(jù)了70%以上的市場份額。成膜工藝及設(shè)備：主要運用CVD技術(shù)（ChemicalVaporDeposition，化學(xué)氣相沉積），是把含有構(gòu)成薄膜元素的反應(yīng)劑蒸氣引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。CVD技術(shù)具有淀積溫度低、薄膜成份易控的特點，膜厚與淀積時間成正比，均勻性和重復(fù)性好，

43、其中應(yīng)用最廣的是PECVD和MOCVD。PECVD（等離子體增強化學(xué)氣相沉積），是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，利用等離子很強的化學(xué)活性，在基片上沉積出所期望的薄膜；MOCVD（金屬有機化合物化學(xué)氣相沉積），是以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延，生長各種-V族、-族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長都是在常壓或低壓下通氫氣的冷壁不銹鋼反應(yīng)室中進行，襯底溫度為500-1200，用射頻感應(yīng)加熱石墨基座，氫氣通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機物到生長區(qū)。薄膜工藝也是IC制造的一個基礎(chǔ)工藝，加工難度較高。該環(huán)節(jié)設(shè)備投資

44、占整體設(shè)備的14%-15%。在CVD設(shè)備領(lǐng)域，中國與世界先進水平差距較大。美國應(yīng)用材料幾乎涵蓋了除光刻機以外的前制程設(shè)備，并在CVD及PVD設(shè)備領(lǐng)域位居全球市占率第一，而中國企業(yè)近年來在“02”專項的支持下也實現(xiàn)了技術(shù)突破，其中北方華創(chuàng)的CVD設(shè)備已經(jīng)進入中芯國際28nm生產(chǎn)線，14nm設(shè)備正處于驗證階段。第四章 產(chǎn)品規(guī)劃方案一、產(chǎn)品規(guī)劃項目主要產(chǎn)品為中高頻熔煉設(shè)備，根據(jù)市場情況，預(yù)計年產(chǎn)值43625.00萬元。通過以上分析表明，項目承辦單位所生產(chǎn)的項目產(chǎn)品市場風(fēng)險較低，具有較強的市場競爭力和廣闊的市場發(fā)展空間，因此，項目產(chǎn)品市場前景良好，投資項目建設(shè)具有良好的經(jīng)濟效益和社會效益，其市場可拓展

45、的空間巨大，倍增效應(yīng)顯著，具有較強的市場競爭力和廣闊的市場空間。二、建設(shè)規(guī)模（一）用地規(guī)模該項目總征地面積52859.75平方米（折合約79.25畝），其中：凈用地面積52859.75平方米（紅線范圍折合約79.25畝）。項目規(guī)劃總建筑面積61317.31平方米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程46469.56平方米，計容建筑面積61317.31平方米；預(yù)計建筑工程投資4714.59萬元。（二）設(shè)備購置項目計劃購置設(shè)備共計136臺（套），設(shè)備購置費6867.41萬元。（三）產(chǎn)能規(guī)模項目計劃總投資17172.14萬元；預(yù)計年實現(xiàn)營業(yè)收入43625.00萬元。第五章 項目選址一、項目選址原則對周圍環(huán)境不應(yīng)產(chǎn)

46、生污染或?qū)χ車h(huán)境污染不超過國家有關(guān)法律和現(xiàn)行標(biāo)準的允許范圍，不會引起當(dāng)?shù)鼐用竦牟粷M，不會造成不良的社會影響。二、項目選址該項目選址位于某某開發(fā)區(qū)。湖北省，簡稱鄂，中華人民共和國省級行政區(qū)，省會武漢。地處中國中部地區(qū)，東鄰安徽，西連重慶，西北與陜西接壤，南接江西、湖南，北與河南毗鄰，介于北緯29015333647、東經(jīng)10821421160750之間，東西長約740千米，南北寬約470千米，總面積18.59萬平方千米，占中國總面積的1.94%。最東端是黃梅縣，最西端是利川市，最南端是來鳳縣，最北端是鄖西縣。湖北省地勢大致為東、西、北三面環(huán)山，中間低平，略呈向南敞開的不完整盆地。在全省總面積中，

47、山地占56%，丘陵占24%，平原湖區(qū)占20%，屬長江水系。湖北省地處亞熱帶，全省除高山地區(qū)屬高山氣候外，大部分地區(qū)屬亞熱帶季風(fēng)性濕潤氣候。截至2019年末，湖北省共轄12個地級市、1個自治州、4個省直轄縣級行政單位，共有25個縣級市、36個縣、2個自治縣、1個林區(qū)，常住人口5927萬人。實現(xiàn)地區(qū)生產(chǎn)總值（GD）45828.31億元，其中，第一產(chǎn)業(yè)完成增加值3809.09億元，第二產(chǎn)業(yè)完成增加值19098.62億元，第三產(chǎn)業(yè)完成增加值22920.60億元。三、建設(shè)條件分析項目承辦單位已經(jīng)培養(yǎng)和集聚了一大批具有豐富經(jīng)驗的項目產(chǎn)品生產(chǎn)專業(yè)技術(shù)和管理人才，通過引進和內(nèi)部培養(yǎng)，搭建了一支研究方向多元、完

48、整的專業(yè)研發(fā)團隊，形成了核心技術(shù)專家、關(guān)鍵技術(shù)骨干、一般技術(shù)人員的完整梯隊。當(dāng)?shù)叵嚓P(guān)行業(yè)的前列，具有顯著的人才優(yōu)勢；項目承辦單位還與多家科研院所建立了長期的緊密合作關(guān)系，并建立了向科研開發(fā)傾斜的獎勵機制，每年都拿出一定數(shù)量的專項資金用于對重點產(chǎn)品及關(guān)鍵工藝開發(fā)的獎勵。完善的國內(nèi)銷售網(wǎng)絡(luò)，項目承辦單位經(jīng)過多年來的經(jīng)營，不僅有長期穩(wěn)定客戶和潛在客戶，而且有非常完善的銷售體系；企業(yè)的銷售激勵制度大大提高了員工的工作積極性，再加上平時公司領(lǐng)導(dǎo)對員工的感情投資，使銷售員工對公司有很強的向心力；正是具備穩(wěn)定有激情的銷售團隊，才保證了企業(yè)的銷售政策很好的貫徹執(zhí)行下去，也使企業(yè)的銷售業(yè)績有很大的提高；企業(yè)的銷

49、售團隊將在有項目產(chǎn)品銷售市場的區(qū)域，根據(jù)當(dāng)?shù)貙嶋H情況，銷售適合當(dāng)?shù)丶庸て髽I(yè)需要的項目產(chǎn)品。四、用地控制指標(biāo)投資項目占地稅收產(chǎn)出率符合國土資源部發(fā)布的工業(yè)項目建設(shè)用地控制指標(biāo)（國土資發(fā)【2008】24號）中規(guī)定的產(chǎn)品制造行業(yè)占地稅收產(chǎn)出率150.00萬元/公頃的規(guī)定；同時，滿足項目建設(shè)地確定的“占地稅收產(chǎn)出率150.00萬元/公頃”的具體要求。投資項目土地綜合利用率100.00%，完全符合國土資源部發(fā)布的工業(yè)項目建設(shè)用地控制指標(biāo)（國土資發(fā)【2008】24號）中規(guī)定的產(chǎn)品制造行業(yè)土地綜合利用率90.00%的規(guī)定；同時，滿足項目建設(shè)地確定的“土地綜合利用率95.00%”的具體要求。五、地總體要求本期

50、工程項目建設(shè)規(guī)劃建筑系數(shù)68.81%，建筑容積率1.16，建設(shè)區(qū)域綠化覆蓋率5.55%，固定資產(chǎn)投資強度161.45萬元/畝。土建工程投資一覽表序號項目單位指標(biāo)備注1占地面積平方米52859.7579.25畝2基底面積平方米36372.793建筑面積平方米61317.314714.59萬元4容積率1.165建筑系數(shù)68.81%6主體工程平方米46469.567綠化面積平方米3404.028綠化率5.55%9投資強度萬元/畝161.45六、節(jié)約用地措施投資項目依托項目建設(shè)地已有生活設(shè)施、公共設(shè)施、交通運輸設(shè)施，建設(shè)區(qū)域少建非生產(chǎn)性設(shè)施，因此，有利于節(jié)約土地資源和節(jié)省建設(shè)投資。土地既是人類賴以生存

51、的物質(zhì)基礎(chǔ)，也是社會經(jīng)濟可持續(xù)發(fā)展必不可少的條件，因此，項目承辦單位在利用土地資源時，嚴格執(zhí)行國家有關(guān)行業(yè)規(guī)定的用地指標(biāo)，根據(jù)建設(shè)內(nèi)容、規(guī)模和建設(shè)方案，按照國家有關(guān)節(jié)約土地資源要求，合理利用土地。采用大跨度連跨廠房，方便生產(chǎn)設(shè)備的布置，提高廠房面積的利用率，有利于節(jié)約土地資源；原料及輔助材料倉庫采用簡易貨架，提高了庫房的面積和空間利用率，從而有效地節(jié)約土地資源。七、總圖布置方案（一）平面布置總體設(shè)計原則同時考慮用地少、施工費用節(jié)約等要求，沿圍墻、路邊和可利用場地種植花卉、樹木、草坪及常綠植物，改善和美化生產(chǎn)環(huán)境。達到工藝流程（經(jīng)營程序）順暢、原材料與各種物料的輸送線路最短、貨物人流分道、生產(chǎn)調(diào)

52、度方便的標(biāo)準要求。（二）主要工程布置設(shè)計要求項目承辦單位在工藝流程、技術(shù)參數(shù)和主要設(shè)備選擇確定以后，根據(jù)設(shè)備的外形、前后位置、上下位差以及各種物料輸入（出）、操作等規(guī)劃統(tǒng)一設(shè)計，選擇并確定車間布置方案。項目承辦單位在工藝流程、技術(shù)參數(shù)和主要設(shè)備選擇確定以后，根據(jù)設(shè)備的外形、前后位置、上下位差以及各種物料輸入（出）、操作等規(guī)劃統(tǒng)一設(shè)計，選擇并確定車間布置方案。道路在項目建設(shè)場區(qū)內(nèi)呈環(huán)狀布置，擬采用城市型水泥混凝土路面結(jié)構(gòu)形式，可以滿足不同運輸車輛行駛的功能要求。（三）綠化設(shè)計投資項目綠化的重點是場區(qū)周邊、辦公區(qū)及主要道路兩側(cè)的空地，美化的重點是辦公區(qū)，場區(qū)周邊以高大喬木為主，辦公區(qū)以綠色草坪、花

53、壇為主，道路兩側(cè)以觀賞樹木、綠籬、草坪為主，適當(dāng)結(jié)合花壇和垂直綠化，起到環(huán)境保護與美觀的作用，創(chuàng)造一個“環(huán)境優(yōu)美、統(tǒng)一協(xié)調(diào)”的建筑空間。場區(qū)植物配置以本地區(qū)樹種為主，綠化設(shè)計的樹木花草配置應(yīng)依據(jù)項目建設(shè)區(qū)域的總體布置、豎向、道路及管線綜合布置等要求，并適合當(dāng)?shù)貧庀?、土壤、生態(tài)習(xí)性與防護性能，疏密適當(dāng)高低錯落，形成一定的層次感。（四）輔助工程設(shè)計1、場內(nèi)供水采用生活供水系統(tǒng)、消防供水系統(tǒng)、生產(chǎn)補給水系統(tǒng)，消防供水系統(tǒng)在場區(qū)內(nèi)形成供水管網(wǎng)。2、投資項目廠房排水方案采用室內(nèi)懸吊管接入主管排至室外，室外排水采用暗溝、雨水井、檢修井、下水管組成的排水系統(tǒng)。項目用水由項目建設(shè)地市政管網(wǎng)給水干管統(tǒng)一提供，供

54、水管網(wǎng)水壓大于0.40Mpa可以滿足項目用水需求；進廠總管徑選用DN300?L，各車間分管選用DN50?L-DN100?L，給水管道在場區(qū)內(nèi)形成完善的環(huán)狀給水管網(wǎng)，各單體用水從場區(qū)環(huán)網(wǎng)上分別接出支管，以滿足各單體的生產(chǎn)、生活、消防用水的需要；室外給水主管道采用PP-R給水管，消防管道采用熱鍍鋅鋼管。undefined3、電源設(shè)備選用隔爆型dBT4級防爆電器，照明導(dǎo)線穿鋼管敷設(shè)，其他環(huán)境按一般建筑物設(shè)計；進入易燃易爆區(qū)域的各類電纜采用防火性能較高的阻燃電纜；場內(nèi)配電采用放射式配電方式，室外電纜直埋或電纜溝敷設(shè)，直埋埋深1.00米，過路及穿墻以鋼管保護。項目承辦單位采用高壓計度方式結(jié)算電費，低壓回

55、路裝有電度表，便于各車間成本核算；在10KV電源進線處設(shè)置電能總計量；每路10KV出線柜均裝設(shè)有功電度表和無功電度表。4、短距離的運輸任務(wù)將利用社會運力解決，基本可以滿足各類運輸需求，因此，投資項目不考慮增加汽車運輸設(shè)備。該項目由于需要考慮項目產(chǎn)品所涉及的原輔材料和成品的運輸，運輸需求量較大，初步考慮鐵路運輸與公路運輸方式相結(jié)合的運輸方式。場外運輸全部采用汽車運輸、外部運力為主。5、車間采用傳統(tǒng)的熱水循環(huán)取暖形式，其他廠房及辦公室采用燃氣輻射采暖形式。有空調(diào)要求的辦公室和生活間夏季設(shè)置空調(diào)，空調(diào)溫度范圍要求為26.00-28.00，空調(diào)設(shè)備采用分體式空調(diào)控制器。八、選址綜合評價投資項目建設(shè)地址

56、及周邊地區(qū)具有較強的生產(chǎn)配套與協(xié)作能力，項目建設(shè)地工業(yè)種類齊全制造業(yè)發(fā)達，技術(shù)人員與高等級工程技術(shù)人力資源充足，項目配套及輔助材料均能找到合適的服務(wù)廠家，供應(yīng)商分布在周邊150.00公里的范圍內(nèi)，供貨運輸時間約在2.00小時之內(nèi)，而且鐵路、公路運輸非常方便快捷。項目建設(shè)地擁有多支具備相應(yīng)資質(zhì)的勘測隊伍、設(shè)計隊伍和專業(yè)化建設(shè)工程隊伍，擁有一大批高素質(zhì)的產(chǎn)業(yè)工人，確保投資項目的實施能力，同時，項目建設(shè)地商貿(mào)流通行業(yè)發(fā)達，與國內(nèi)260多個大中城市開設(shè)了貨運直達業(yè)務(wù)。第六章 項目工程方案分析一、建筑工程設(shè)計原則建筑物平面設(shè)計以滿足生產(chǎn)工藝要求為前提，力求生產(chǎn)流程布置合理，盡量做到人貨分流，功能分區(qū)明確，符合建筑設(shè)計防火規(guī)范（GB50016）要求。二、項目總平面設(shè)計要求本工程項目位于項目建設(shè)地，本次設(shè)計通過與建設(shè)方的多次溝通、考察、論證，最后達成共識。本次設(shè)計融入了全新的設(shè)計理念，以建設(shè)和諧企業(yè)為前