材料科學基礎選擇題精編版資料

1、1、極化會對晶體結構產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（B）過渡，最終使晶體結構類型發(fā)生變化。 （A）共價鍵向離子鍵 （B）離子鍵向共價鍵 （C）金屬鍵向共價鍵 （D）鍵金屬向離子鍵 2、離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負離子間的距離（B），離子配位數(shù)（）。 （A）增大，降低 （B）減小，降低 （C）減小，增大 （D）增大，增大 3、氯化鈉具有面心立方結構，其晶胞分子數(shù)是（C）。 （A）5 （B）6 （C）4 （D）3 4、NaCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為4，Na+填充在Cl-所構成的（B）空隙中。 （A）全部四面體 （B）全部八面體 （C）1/2四面體 （D）1/2八面體 5、CsCl單位晶胞

2、中的“分子數(shù)”為1，Cs+填充在Cl-所構成的（C）空隙中。 （A）全部四面體 （B）全部八面體 （C）全部立方體 （D）1/2八面體 6、MgO晶體屬NaCl型結構，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成，其一個單位晶胞中有（B）個MgO分子。 （A）2 （B）4 （C）6 （D）8 7、螢石晶體可以看作是Ca2+作面心立方堆積，F(xiàn)-填充了（D）。 （A）八面體空隙的半數(shù) （B）四面體空隙的半數(shù) （C）全部八面體空隙 （D）全部四面體空隙 8、螢石晶體中Ca2+的配位數(shù)為8，F(xiàn)-配位數(shù)為（B）。 （A）2 （B）4 （C）6 （D）8 9、CsCl晶體中Cs+的配位數(shù)為8，Cl-

3、的配位數(shù)為（D）。 （A）2 （B）4 （C）6 （D）8 10、硅酸鹽晶體的分類原則是（B）。 （A）正負離子的個數(shù) （B）結構中的硅氧比 （C）化學組成 （D）離子半徑 11、鋯英石ZrSiO4是（A）。 （A）島狀結構 （B）層狀結構 （C）鏈狀結構 （D）架狀結構 1 12、硅酸鹽晶體中常有少量Si4+被Al3+取代，這種現(xiàn)象稱為（C）。 （A）同質(zhì)多晶 （B）有序無序轉變 （C）同晶置換 （D）馬氏體轉變 13.鎂橄欖石Mg2SiO4是（A）。 （A）島狀結構 （B）層狀結構 （C）鏈狀結構 （D）架狀結構 14、對沸石、螢石、MgO三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序為（

4、A）。 （A）沸石螢石MgO （B）沸石MgO螢石 （C）螢石沸石MgO （D）螢石MgO沸石 15、根據(jù)鮑林（Pauling）規(guī)則，離子晶體MX2中二價陽離子的配位數(shù)為8時，一價陰離子的配位數(shù)為（B）。 （A）2 （B）4 （C）6 （D）8 16、構成硅酸鹽晶體的基本結構單元SiO4四面體，兩個相鄰的SiO4四面體之間只能（A）連接。 （A）共頂 （B）共面 （C）共棱 （D）A+B+C 17、點缺陷與材料的電學性質(zhì)、光學性質(zhì)、材料的高溫動力學過程等有關，以下點缺陷中屬于本征缺陷的是（D）。 （A）弗侖克爾缺陷 （B）肖特基缺陷 （C）雜質(zhì)缺陷 （D）A+B 18、位錯的（A）是指在熱缺陷

5、的作用下，位錯在垂直滑移方向的運動，結果導致空位或間隙原子的增值或減少。 （A）攀移 （B）攀移 （C）增值 （D）減少 19、對于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價正離子占據(jù)高價正離子位置時，該位置帶有負電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（D）。 （A）負離子空位 （B）間隙正離子 （C）間隙負離子 （D）A或B 20、對于形成雜質(zhì)缺陷而言，高價正離子占據(jù)低價正離子位置時，該位置帶有正電荷，為了保持電中性，會產(chǎn)生（D）。 （A）正離子空位 （B）間隙負離子 （C）負離子空位 （D）A或B 21、形成固溶體后對晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生影響,主要表現(xiàn)為（D）。 （A）穩(wěn)定晶格 （B）活化晶格 （C）固溶強化 （D）A+B

6、+C 22、固溶體的特點是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結構不發(fā)生轉變，但點陣畸變，性能變化。固溶體有有限和無限之分，其中（B）。 2 （A）結構相同是無限固溶的充要條件 （B）結構相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件 （C）結構相同是有限固溶的必要條件 （D）結構相同不是形成固溶體的條件 23、缺陷對晶體的性能有重要影響，常見的缺陷為（D）。 （A）點缺陷 （B）線缺陷 （C）面缺陷 （D）A+B+C 24、按照晶體結構缺陷形成的原因，可將晶體結構缺陷的類型分為（D）。 （A）熱缺陷 （B）雜質(zhì)缺陷 （C）非化學計量缺陷 （D）A+B+C 25、晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加，其變化

7、規(guī)律是（B）。 （A）線性增加 （B）呈指數(shù)規(guī)律增加 （C）無規(guī)律 （D）線性減少 26、間隙式固溶體亦稱填隙式固溶體，其溶質(zhì)原子位于點陣的間隙中。討論形成間隙型固溶體的條件須考慮（D）。 （A）雜質(zhì)質(zhì)點大小 （B）晶體（基質(zhì)）結構 （C）電價因素 （D）A+B+C 27、位錯的滑移是指位錯在（A）作用下，在滑移面上的運動，結果導致永久形變。 （A）外力 （B）熱應力 （C）化學力 （D）結構應力 28、柏格斯矢量（BurgersVector）與位錯線垂直的位錯稱為（A），其符號表示為（）。 （A）刃位錯； （B）刃位錯；VX （C）螺位錯； （D）刃位錯； 29、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由

8、熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點（原子或離子）。當離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時，（B）。 （A）正離子空位和負離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的縮小 （B）正離子空位和負離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加 （C）正離子空位和負離子間隙是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加 （D）正離子間隙和負離子空位是同時成對產(chǎn)生的，同時伴隨晶體體積的增加 30、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點（原子或離子）。生成弗侖克爾缺陷（Frenkeldefect）時，（A）。 （A）間隙和空位質(zhì)點同時成對出現(xiàn) （B）正離子空位和負離

9、子空位同時成對出現(xiàn) （C）正離子間隙和負離子間隙同時成對出現(xiàn) 3 （D）正離子間隙和位錯同時成對出現(xiàn) 31、位錯的具有重要的性質(zhì)，下列說法不正確的是（C）。 （A）位錯不一定是直線 （B）位錯是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界 （C）位錯可以中斷于晶體內(nèi)部 （D）位錯不能中斷于晶體內(nèi)部 32、位錯的運動包括位錯的滑移和位錯的攀移，其中（A）。 （A）螺位錯只作滑移，刃位錯既可滑移又可攀移 （B）刃位錯只作滑移，螺位錯只作攀移 （C）螺位錯只作攀移，刃位錯既可滑移又可滑移 （D）螺位錯只作滑移，刃位錯只作攀移 33、硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度（數(shù)量）受（D）因素的影響。 （A）組成 （B）溫度

10、 （C）時間 （D）A+B+C 34、當熔體組成不變時，隨溫度升高，低聚物數(shù)量（C），粘度（）。 （A）降低；增加 （B）不變；降低 （C）增加；降低 （D）增加；不變 35、當溫度不變時，熔體組成的O/Si比高，低聚物（C），粘度（）。 （A）降低；增加 （B）不變；降低 （C）增加；降低 （D）增加；不變 36、硅酸鹽熔體的粘度隨O/Si升高而（B），隨溫度下降而（）。 （A）增大，降低 （B）降低，增大 （C）增大，增大 （D）降低，降低 37、由結晶化學觀點知，具有（A）的氧化物容易形成玻璃。 （A）極性共價鍵 （B）離子鍵 （C）共價鍵 （D）金屬鍵 38、Na2OAl2O34SiO

11、2熔體的橋氧數(shù)為（D）。 （A）1 （B）2 （C）3 （D）4 39、Na2O?CaO?Al2O3?SiO2玻璃的橋氧數(shù)為（B）。 （A）2.5 （B）3 （C）3.5 （D）4 40、如果在熔體中同時引入一種以上的R2O時，粘度比等量的一種R2O高，這種現(xiàn)象為（B）。 （A）加和效應 （B）混合堿效應 （C）中和效應 （D）交叉效應 41、對普通硅酸鹽熔體，隨溫度升高，表面張力將（A）。 （A）降低 （B）升高 （C）不變 （D）A或B 4 42、熔體的組成對熔體的表面張力有很重要的影響，一般情況下，O/Si減小，表面張力將（A）。 （A）降低 （B）升高 （C）不變 （D）A或B 43、

12、由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉變的過程是（C）的過程。 （A）可逆與突變 （B）不可逆與漸變 （C）可逆與漸變 （D）不可逆與突變 44、當組成變化時，玻璃的物理、化學性質(zhì)隨成分變化具有（C）。 （A）突變性 （B）不變性 （C）連續(xù)性 （D）A或B 45、熔體組成對熔體的表面張力有重要的影響，一般情況下，O/Si減小，表面張力將（A）。 （A）降低（B）升高（C）不變（D）A或B 46、不同氧化物的熔點TM和玻璃轉變溫度Tg的比值（Tg/TM）接近（B）易形成玻璃。 （A）二分之一 （B）三分之二 （C）四分之一 （D）五分之一 47、可用三T（Time-Temperature-Transformati

13、on）曲線來討論玻璃形成的動力學條件，三T曲線前端即鼻尖對應析出106體積分數(shù)的晶體的時間是最少的，由此可得出形成玻璃的臨界冷卻速率，通常，該臨界冷卻速率愈大，則系統(tǒng)形成玻璃（A）。 （A）愈困難 （B）愈容易 （C）質(zhì)量愈好 （D）質(zhì)量愈差 48、不同O/Si比對應著一定的聚集負離子團結構，形成玻璃的傾向大小和熔體中負離子團的聚合程度有關。聚合程度越低，形成玻璃（A）。 （A）越不容易 （B）越容易 （C）質(zhì)量愈好 （D）質(zhì)量愈差 49、當熔體中負離子集團以（C）的歪曲鏈狀或環(huán)狀方式存在時，對形成玻璃有利。 （A）低聚合 （B）不聚合 （C）高聚合 （D）A或C 25、橋氧離子的平均數(shù)Y是玻

14、璃的結構參數(shù)，玻璃的很多性質(zhì)取決于Y值。在形成玻璃范圍內(nèi)，隨Y的增大，粘度（D），膨脹系數(shù)（）。 （A）增大；不變 （B）降低；增大 （C）不變；降低 （D）增大；降低 50、對于實際晶體和玻璃體，處于物體表面的質(zhì)點，其境遇和內(nèi)部是不同的，表面的質(zhì)點處于（A）的能階，所以導致材料呈現(xiàn)一系列特殊的性質(zhì)。 5 （A）較高 （B）較低 （C）相同 （D）A或C 51、由于固相的三維周期性在固體表面處突然中斷，表面上原子產(chǎn)生的相對于正常位置的上、下位移，稱為（B）。 （A）表面收縮 （B）表面弛豫 （C）表面滑移 （D）表面擴張 52、固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說來，同一種物質(zhì)，其固體

15、的表面能（B）液體的表面能。 （A）小于 （B）大于 （C）小于等于 （D）等于 53、重構表面是指表面原子層在水平方向上的周期性與體內(nèi)（），垂直方向的層間距與體內(nèi)（A）。 （A）不同；相同 （B）相同；相同 （C）相同；不同 （D）不同；不同 54、粘附劑與被粘附體間相溶性（C），粘附界面的強度（）。 （A）越差；越牢固 （B）越好；越差 （C）越好；越牢固 （D）越好；不變 55、離子晶體MX在表面力作用下，極化率小的正離子應處于穩(wěn)定的晶格位置，易極化的負離子受誘導極化偶極子作用而移動，從而形成表面（C，這種重排的結果使晶體表面能量趨于穩(wěn)定。 （A）收縮 （B）弛豫 （C）雙電層 （D）B

16、+C 56、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會強烈地影響表面性質(zhì)，對于脆性材料的強度這種影響尤為重要，微裂紋長度（），斷裂強度（A）。 （A）越長；越低 （B）越長；越高 （C）越短；越低 （D）越長；不變 57、界面對材料的性質(zhì)有著重要的影響，界面具有（D）的特性。 （A）會引起界面吸附 （B）界面上原子擴散速度較快 （C）對位錯運動有阻礙作用 （D）A+B+C 58、只要液體對固體的粘附功（B）液體的內(nèi)聚功，液體即可在固體表面自發(fā)展開。 （A）小于 （B）大于 （C）小于等于 （D）等于 59、當液體對固體的潤濕角90時，即在潤濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的

17、潤濕（C）。 （A）更難 （B）不變 （C）更易 （D）A或B 60、當液體對固體的潤濕角90時，即在不潤濕的前提下，表面粗糙化后， 6 液體與固體之間的潤濕（A）。 （A）更難 （B）不變 （C）更易 （D）A或B 61、粘附功數(shù)值的大小，標志著固-液兩相輔展結合的牢固程度，粘附功數(shù)值（B），固-液兩相互相結合（）；相反，粘附功越小，則越易分離。 （A）越大；越松散 （B）越大；越牢固 （C）越?。辉嚼喂?（D）越大；不變 62、為了提高液相對固相的潤濕性，在固-氣和液-氣界面張力不變時，必須使液-固界面張力（B）。 （A）降低 （B）升高 （C）保持不變 （D）有時升高，有時降低 63、對

18、于附著潤濕而言，附著功表示為W=SV+LV-SL，根據(jù)這一原理，（A）才能使陶瓷釉在坯體上附著牢固。 （A）盡量采用化學組成相近的兩相系統(tǒng) （B）盡量采用化學組成不同的兩相系統(tǒng) （C）采用在高溫時不發(fā)生固相反應的兩相系統(tǒng) （D）前三種方法都不行 64、將高表面張力的組分加入低表面張力的組分中去，則外加組分在表面層的濃度（C）體積內(nèi)部的濃度。 （A）等于 （B）大于 （C）小于 （D）A或B 65、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會強烈地影響表面性質(zhì)，對于脆性材料的強度這種影響尤為重要，微裂紋長度（A），斷裂強度（）。 （A）越長；越低 （B）越長；越高 （C）越短；越低 （

19、D）越長；不變 66、吸附膜使固體表面張力（B）。 （A）增大 （B）減小 （C）不變 （D）A或B 67、粗糙度對液固相潤濕性能的影響是：C （A）固體表面越粗糙，越易被潤濕 （B）固體表面越粗糙，越不易被潤濕 （C）不一定 （D）粗糙度對潤濕性能無影響 7 68、下列關于晶界的說法哪種是錯誤的。A （A）晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不同的 （B）晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松 （C）晶界是原子、空位快速擴散的主要通道 （D）晶界易受腐蝕 69、相平衡是指在多相體系中，物質(zhì)在各相間分布的平衡。相平衡時，各相的組成及數(shù)量均不會隨時間而改變，是（C）。 （A）絕對平衡 （B）靜態(tài)平衡 （C）動態(tài)

20、平衡 （D）暫時平衡 70、二元凝聚系統(tǒng)平衡共存的相數(shù)最多為3，而最大的自由度數(shù)為（A）。 （A）2 （B）3 （C）4 （D）5 71、熱分析法是相平衡的研究方法之一，其原理是根據(jù)系統(tǒng)在冷卻過程中溫度隨時間的變化情況來判斷系統(tǒng)中是否發(fā)生了相變化，該方法的特點是（D）。 （A）簡便 （B）測得相變溫度僅是一個近似值 （C）能確定相變前后的物相 （D）A+B 72、淬冷法是相平衡的研究的動態(tài)方法，其特點是（D）。 （A）準確度高 （B）適用于相變速度慢的系統(tǒng) （C）適用于相變速度快的系統(tǒng) （D）A+B 73、可逆多晶轉變是一種同質(zhì)多晶現(xiàn)象，多晶轉變溫度（A）兩種晶型的熔點。 （A）低于 （B）高

21、于 （C）等于 （D）A或B 74、不可逆多晶轉變的多晶轉變溫度（B種晶型的熔點。 （A）低于 （B）高于 （C）等于 （D）A或B 75、在熱力學上，每一個穩(wěn)定相有一個穩(wěn)定存在的溫度范圍，超過這個范圍就變成介穩(wěn)相。在一定溫度下，穩(wěn)定相具有（C）的蒸汽壓。 （A）最高 （B）與介穩(wěn)相相等 （C）最低 （D）A或B 76、多晶轉變中存在階段轉變定律，系統(tǒng)由介穩(wěn)狀態(tài)轉變?yōu)榉€(wěn)定態(tài)不是直接完成的，而是依次經(jīng)過中間的介穩(wěn)狀態(tài)，最后變?yōu)樵摐囟认碌姆€(wěn)定狀態(tài)。最終存在的晶相由（D）決定。 （A）轉變速度 （B）冷卻速度 （C）成型速度 （D）A與B 77、二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，相界線上的自由度為（C）。 8

22、（A）3 （B）2 （C）1 （D）0 78、根據(jù)杠杠規(guī)則，在二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，如果一個總質(zhì)量為M的相分解為質(zhì)量G1和G2的兩個相，則生成兩個相的質(zhì)量與原始相的組成到兩個新生相的組成點之間線段（B。 （A）成正比 （B）成反比 （C）相等 （D）A或C 79、三元相圖中，相界線上的自由度為（C）。 （A）3 （B）2 （C）1 （D）0 80、固體中質(zhì)點的擴散特點為：（D）。 （A）需要較高溫度 （B）各向同性 （C）各向異性 （D）A+C 81、在離子型材料中，影響擴散的缺陷來自兩個方面：熱缺陷與不等價置換產(chǎn)生的點缺陷，后者引起的擴散為（C）。 （A）互擴散 （B）無序擴散 （C）非本征

23、擴散 （D）本征擴散 82、固體中質(zhì)點的擴散特點為：D （A）需要較高溫度 （B）各向同性 （C）各向異性 （D）A+C 83、擴散之所以能進行，在本質(zhì)上是由于體系內(nèi)存在（A）。 （A）化學位梯度 （B）濃度梯度 （C）溫度梯度 （D）壓力梯度 84、固溶體的類型及溶質(zhì)的尺寸對溶質(zhì)擴散的活化能有較大影響。則H、C、Cr在-Fe中擴散的活化能的大小順序為（B）。 （A）QHQCQCr （B）QCrQCQH （C）QCQHQCr （D）QCrQHQC 85、晶體的表面擴散系數(shù)Ds、界面擴散系數(shù)Dg和體積擴散系數(shù)Db之間存在（A）的關系。 （A）DsDgDb （B）DbDgDsDb （D）DgDs空

24、位擴散 （B）易位擴散間隙擴散=空位擴散 （C）易位擴散間隙擴散空位擴散 （D）易位擴散間隙擴散空位擴散 91、一般晶體中的擴散為（D）。 （A）空位擴散 （B）間隙擴散 （C）易位擴散 （D）A和B 92、由肖特基缺陷引起的擴散為（A） （A）本征擴散 （B）非本征擴散 （C）正擴散 （D）負擴散 93、空位擴散是指晶體中的空位躍遷入鄰近原子，而原子反向遷入空位，這種擴散機制適用于（C）的擴散。 （A）各種類型固溶體 （B）間隙型固溶體 （C）置換型固溶體 （D）A和B 94、擴散過程與晶體結構有密切的關系，擴散介質(zhì)結構（A），擴散（）。 （A）越緊密；越困難 （B）越疏松；越困難 （C）越

25、緊密；活化能越小 （D）越疏松；活化能越大 95、不同類型的固溶體具有不同的結構，其擴散難易程度不同，間隙型固溶體比置換型（D）。 （A）難于擴散 （B）擴散活化能大 （C）擴散系數(shù)小 （D）容易擴散 96、擴散相與擴散介質(zhì)性質(zhì)差異越大，（B）。 （A）擴散活化能越大 （B）擴散系數(shù)越大 （C）擴散活化能不變 （D）擴散系數(shù)越小 97、在晶體中存在雜質(zhì)時對擴散有重要的影響，主要是通過（D），使得擴散系 10 數(shù)增大。 （A）增加缺陷濃度 （B）使晶格發(fā)生畸變 （C）降低缺陷濃度 （D）A和B 98、通常情況下，當氧化物在雜質(zhì)濃度較低時，其在高溫條件下引起的擴散主要是（A）。 （A）本征擴散 （B）非本征擴散 （C）互擴散 （D）A+B 99、按熱力學方法分類，相變可以分為一級相變和二級相變，一級相變是在相變時兩相化學勢相等，其一階偏微熵不相等，因此一級相變（B）。 （A）有相變潛熱，無體積改變 （B）有相變潛熱，并伴隨有體積改變 （C）無相變潛熱，并伴隨有體積改變 （D）無相變潛熱，無體積改變 100、二級相變是指在相變時兩相化學勢相等，其