中山靶材生產(chǎn)建設(shè)項(xiàng)目投資計(jì)劃書

1、泓域咨詢/中山靶材生產(chǎn)建設(shè)項(xiàng)目投資計(jì)劃書中山靶材生產(chǎn)建設(shè)項(xiàng)目投資計(jì)劃書泓域咨詢機(jī)構(gòu)承諾書申請(qǐng)人鄭重承諾如下：“中山靶材生產(chǎn)建設(shè)項(xiàng)目”已按國(guó)家法律和政策的要求辦理相關(guān)手續(xù)，報(bào)告內(nèi)容及附件資料準(zhǔn)確、真實(shí)、有效，不存在虛假申請(qǐng)、分拆、重復(fù)申請(qǐng)獲得其他財(cái)政資金支持的情況。如有弄虛作假、隱瞞真實(shí)情況的行為，將愿意承擔(dān)相關(guān)法律法規(guī)的處罰以及由此導(dǎo)致的所有后果。公司法人代表簽字：xxx科技發(fā)展公司（蓋章）xxx年xx月xx日項(xiàng)目概要靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān)，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn)，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。鍍膜靶材是通過(guò)磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜

2、系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡(jiǎn)單說(shuō)的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長(zhǎng)的激光與不同的靶材相互作用時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。該靶材項(xiàng)目計(jì)劃總投資8603.25萬(wàn)元，其中：固定資產(chǎn)投資6300.67萬(wàn)元，占項(xiàng)目總投資的73.24%；流動(dòng)資金2302.58萬(wàn)元，占項(xiàng)

3、目總投資的26.76%。達(dá)產(chǎn)年?duì)I業(yè)收入18966.00萬(wàn)元，總成本費(fèi)用14466.93萬(wàn)元，稅金及附加178.63萬(wàn)元，利潤(rùn)總額4499.07萬(wàn)元，利稅總額5298.26萬(wàn)元，稅后凈利潤(rùn)3374.30萬(wàn)元，達(dá)產(chǎn)年納稅總額1923.96萬(wàn)元；達(dá)產(chǎn)年投資利潤(rùn)率52.30%，投資利稅率61.58%，投資回報(bào)率39.22%，全部投資回收期4.05年，提供就業(yè)職位315個(gè)。充分依托項(xiàng)目承辦單位現(xiàn)有的資源或社會(huì)公共設(shè)施，以降低投資，加快項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度，采取切實(shí)可行的措施節(jié)約用水。貫徹主體工程與環(huán)境保護(hù)、勞動(dòng)安全和工業(yè)衛(wèi)生、消防工程“同時(shí)設(shè)計(jì)、同時(shí)建設(shè)、同時(shí)投產(chǎn)”的總體規(guī)劃與建設(shè)要求。報(bào)告主要內(nèi)容：項(xiàng)目承擔(dān)單

4、位基本情況、項(xiàng)目技術(shù)工藝特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)、項(xiàng)目建設(shè)主要內(nèi)容和規(guī)模、項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)、工程方案、產(chǎn)品工藝路線與技術(shù)特點(diǎn)、設(shè)備選型、總平面布置與運(yùn)輸、環(huán)境保護(hù)、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防與節(jié)能、項(xiàng)目實(shí)施進(jìn)度、項(xiàng)目投資與資金來(lái)源、財(cái)務(wù)評(píng)價(jià)等。第一章 項(xiàng)目承辦單位基本情況一、公司概況公司是全球領(lǐng)先的產(chǎn)品提供商。我們?cè)诶m(xù)為客戶創(chuàng)造價(jià)值，堅(jiān)持圍繞客戶需求持續(xù)創(chuàng)新，加大基礎(chǔ)研究投入，厚積薄發(fā)，合作共贏。公司堅(jiān)持“以人為本，無(wú)為而治”的企業(yè)管理理念，以“走正道，負(fù)責(zé)任，心中有別人”的企業(yè)文化核心思想為指針，實(shí)現(xiàn)新的跨越，創(chuàng)造新的輝煌。熱忱歡迎社會(huì)各界人士咨詢與合作。公司基于業(yè)務(wù)優(yōu)化提升客戶體驗(yàn)與滿意度，通過(guò)關(guān)鍵業(yè)務(wù)優(yōu)化改善產(chǎn)業(yè)

5、相關(guān)流程；并結(jié)合大數(shù)據(jù)等技術(shù)實(shí)現(xiàn)智能化管理，推動(dòng)業(yè)務(wù)體系提升。公司生產(chǎn)的項(xiàng)目產(chǎn)品系列產(chǎn)品，各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到國(guó)內(nèi)同類產(chǎn)品的領(lǐng)先水平，可廣泛應(yīng)用于國(guó)民經(jīng)濟(jì)相關(guān)的各個(gè)領(lǐng)域，產(chǎn)品受到了廣大用戶的一致好評(píng)；公司設(shè)備先進(jìn)，技術(shù)實(shí)力雄厚，擁有一批多年從事項(xiàng)目產(chǎn)品研制、開(kāi)發(fā)、制造、管理、銷售的人才團(tuán)隊(duì)，企業(yè)管理人員經(jīng)驗(yàn)豐富，其知識(shí)、年齡結(jié)構(gòu)合理，具備配合高端制造研發(fā)新品的能力，保障了企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展；在原料供應(yīng)鏈及產(chǎn)品銷售渠道方面，已經(jīng)與主要原材料供應(yīng)商及主要目標(biāo)客戶達(dá)成戰(zhàn)略合作意向，在工藝設(shè)計(jì)和生產(chǎn)布局以及設(shè)備選型方面采用了系統(tǒng)優(yōu)化設(shè)計(jì)，充分考慮了自動(dòng)化生產(chǎn)、智能化節(jié)電、節(jié)水和互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的應(yīng)用，產(chǎn)品遠(yuǎn)銷

6、全國(guó)二十余個(gè)省、市、自治區(qū)，并部分出口東南亞、歐洲各國(guó)，深受廣大客戶的歡迎。公司研發(fā)試驗(yàn)的核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)來(lái)自知名的外企，具有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，公司還聘用多名外籍專家長(zhǎng)期擔(dān)任研發(fā)顧問(wèn)。公司近年來(lái)的快速發(fā)展主要得益于企業(yè)對(duì)于產(chǎn)品和服務(wù)的前瞻性研發(fā)布局。公司所屬行業(yè)對(duì)產(chǎn)品和服務(wù)的定制化要求較高，公司技術(shù)與管理團(tuán)隊(duì)專業(yè)和穩(wěn)定，對(duì)行業(yè)和客戶需求理解到位，以及公司不斷加強(qiáng)研發(fā)投入，保證了產(chǎn)品研發(fā)目標(biāo)的實(shí)施。未來(lái)，公司將堅(jiān)持研發(fā)投入，穩(wěn)定研發(fā)團(tuán)隊(duì)，加大研發(fā)人才引進(jìn)與培養(yǎng)，保證公司在行業(yè)內(nèi)的技術(shù)領(lǐng)先水平。公司堅(jiān)守企業(yè)契約精神，專業(yè)為客戶提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，致力成為行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)，創(chuàng)造價(jià)值，履行社會(huì)責(zé)任。隨著公司近年來(lái)的快

7、速發(fā)展，業(yè)務(wù)規(guī)模及人員規(guī)模迅速擴(kuò)張，企業(yè)規(guī)模將得到進(jìn)一步提升，產(chǎn)線的自動(dòng)化，信息化水平將進(jìn)一步提升，這需要公司管理流程不斷調(diào)整改進(jìn)，公司管理團(tuán)隊(duì)管理水平不斷提升。二、所屬行業(yè)基本情況濺射靶材是利用物理氣相沉積技術(shù)制備電子薄膜材料的被轟擊材料，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、太陽(yáng)能電池、平板顯示、信息存儲(chǔ)等領(lǐng)域，其中半導(dǎo)芯片用濺射靶材技術(shù)要求最高，具有規(guī)模化生產(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量也相對(duì)較少，主要分布在美國(guó)、日本等國(guó)家和地區(qū)。超大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過(guò)加速聚集

8、，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。三、公司經(jīng)濟(jì)效益分析上一年度，xxx有限責(zé)任公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入11399.59萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)13.05%（1315.53萬(wàn)元）。其中，主營(yíng)業(yè)業(yè)務(wù)靶材生產(chǎn)及銷售收入為10194.39萬(wàn)元，占營(yíng)業(yè)總收入的89.43%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)序號(hào)項(xiàng)目第一季度第二季度第三季度第四季度合計(jì)1營(yíng)業(yè)收入2393.913191.892963.892849.9011399.592主營(yíng)業(yè)務(wù)收入2140.822854.432650.542548.6010

9、194.392.1靶材(A)706.47941.96874.68841.043364.152.2靶材(B)492.39656.52609.62586.182344.712.3靶材(C)363.94485.25450.59433.261733.052.4靶材(D)256.90342.53318.06305.831223.332.5靶材(E)171.27228.35212.04203.89815.552.6靶材(F)107.04142.72132.53127.43509.722.7靶材(.)42.8257.0953.0150.97203.893其他業(yè)務(wù)收入253.09337.46313.35301

10、.301205.20根據(jù)初步統(tǒng)計(jì)測(cè)算，公司實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)總額3031.96萬(wàn)元，較去年同期相比增長(zhǎng)347.25萬(wàn)元，增長(zhǎng)率12.93%；實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)2273.97萬(wàn)元，較去年同期相比增長(zhǎng)234.96萬(wàn)元，增長(zhǎng)率11.52%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)項(xiàng)目單位指標(biāo)完成營(yíng)業(yè)收入萬(wàn)元11399.59完成主營(yíng)業(yè)務(wù)收入萬(wàn)元10194.39主營(yíng)業(yè)務(wù)收入占比89.43%營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)率（同比）13.05%營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)量（同比）萬(wàn)元1315.53利潤(rùn)總額萬(wàn)元3031.96利潤(rùn)總額增長(zhǎng)率12.93%利潤(rùn)總額增長(zhǎng)量萬(wàn)元347.25凈利潤(rùn)萬(wàn)元2273.97凈利潤(rùn)增長(zhǎng)率11.52%凈利潤(rùn)增長(zhǎng)量萬(wàn)元234.96投資利潤(rùn)率57.52%投資

11、回報(bào)率43.14%財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率27.98%企業(yè)總資產(chǎn)萬(wàn)元14758.28流動(dòng)資產(chǎn)總額占比萬(wàn)元32.80%流動(dòng)資產(chǎn)總額萬(wàn)元4840.41資產(chǎn)負(fù)債率26.17%第二章 項(xiàng)目技術(shù)工藝特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)一、技術(shù)方案（一）技術(shù)方案選用方向1、對(duì)于生產(chǎn)技術(shù)方案的選用，遵循“自動(dòng)控制、安全可靠、運(yùn)行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則，選用當(dāng)前較先進(jìn)的集散型控制系統(tǒng)，由計(jì)算機(jī)統(tǒng)一控制整個(gè)生產(chǎn)線的各項(xiàng)工藝參數(shù)，使產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定在高水平上，同時(shí)可降低物料的消耗。嚴(yán)格按行業(yè)規(guī)范要求組織生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)活動(dòng)，有效控制產(chǎn)品質(zhì)量，為廣大顧客提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和良好的服務(wù)。2、遵循“高起點(diǎn)、優(yōu)質(zhì)量、專業(yè)化、經(jīng)濟(jì)規(guī)?！钡慕ㄔO(shè)原則。積極采用新技

12、術(shù)、新工藝和高效率專用設(shè)備，使用高質(zhì)量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產(chǎn)品質(zhì)量，制造高附加值的產(chǎn)品，不斷提高企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)能力。3、在工藝設(shè)備的配置上，依據(jù)節(jié)能的原則，選用新型節(jié)能型設(shè)備，根據(jù)有利于環(huán)境保護(hù)的原則，優(yōu)先選用環(huán)境保護(hù)型設(shè)備，滿足項(xiàng)目所制訂的產(chǎn)品方案要求，優(yōu)選具有國(guó)際先進(jìn)水平的生產(chǎn)、試驗(yàn)及配套等設(shè)備，充分顯現(xiàn)龍頭企業(yè)專業(yè)化水平，選擇高效、合理的生產(chǎn)和物流方式。4、生產(chǎn)工藝設(shè)計(jì)要滿足規(guī)?；a(chǎn)要求，注重生產(chǎn)工藝的總體設(shè)計(jì)，工藝布局采用最佳物流模式，最有效的倉(cāng)儲(chǔ)模式，最短的物流過(guò)程，最便捷的物資流向。5、根據(jù)該項(xiàng)目的產(chǎn)品方案，所選用的工藝流程能夠滿足產(chǎn)品制造的要求，同時(shí)，加強(qiáng)員工技術(shù)培訓(xùn)，嚴(yán)格質(zhì)

13、量管理，按照工藝流程技術(shù)要求進(jìn)行操作，提高產(chǎn)品合格率，努力追求產(chǎn)品的“零缺陷”，以關(guān)鍵生產(chǎn)工序?yàn)橘|(zhì)量控制點(diǎn)，確保該項(xiàng)目產(chǎn)品質(zhì)量。6、在項(xiàng)目建設(shè)和實(shí)施過(guò)程中，認(rèn)真貫徹執(zhí)行環(huán)境保護(hù)和安全生產(chǎn)的“三同時(shí)”原則，注重環(huán)境保護(hù)、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防及節(jié)能等法律法規(guī)和各項(xiàng)措施的貫徹落實(shí)。（三）工藝技術(shù)方案選用原則1、在基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中，應(yīng)全面實(shí)施清潔生產(chǎn)，盡可能降低總的物耗、水耗和能源消費(fèi)，通過(guò)物料替代、工藝革新、減少有毒有害物質(zhì)的使用和排放，在建筑材料、能源使用、產(chǎn)品和服務(wù)過(guò)程中，鼓勵(lì)利用可再生資源和可重復(fù)利用資源。2、遵循“高起點(diǎn)、優(yōu)質(zhì)量、專業(yè)化、經(jīng)濟(jì)規(guī)模”的建設(shè)原則，積極采用新技術(shù)、新工藝

14、和高效率專用設(shè)備，使用高質(zhì)量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產(chǎn)品質(zhì)量，制造高附加值的產(chǎn)品，不斷提高企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。（四）工藝技術(shù)方案要求1、對(duì)于生產(chǎn)技術(shù)方案的選用，遵循“自動(dòng)控制、安全可靠、運(yùn)行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則，選用當(dāng)前較先進(jìn)的集散型控制系統(tǒng)，控制整個(gè)生產(chǎn)線的各項(xiàng)工藝參數(shù)，使產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定在高水平上，同時(shí)可降低物料的消耗；嚴(yán)格按照電氣機(jī)械和器材制造行業(yè)規(guī)范要求組織生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)活動(dòng)，有效控制產(chǎn)品質(zhì)量，為廣大顧客提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和良好的服務(wù)。2、建立完善柔性生產(chǎn)模式；本期工程項(xiàng)目產(chǎn)品具有客戶需求多樣化、產(chǎn)品個(gè)性差異化的特點(diǎn)，因此，產(chǎn)品規(guī)格品種多樣，單批生產(chǎn)數(shù)量較小，多品種、小批量的制造特點(diǎn)直接

15、影響生產(chǎn)效率、生產(chǎn)成本及交付周期；益而益（集團(tuán)）有限公司將建設(shè)先進(jìn)的柔性制造生產(chǎn)線，并將柔性制造技術(shù)廣泛應(yīng)用到產(chǎn)品制造各個(gè)環(huán)節(jié)，可以在照顧到客戶個(gè)性化要求的同時(shí)不犧牲生產(chǎn)規(guī)模優(yōu)勢(shì)和質(zhì)量控制水平，同時(shí)，降低故障率、提高性價(jià)比，使產(chǎn)品性能和質(zhì)量達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平。二、項(xiàng)目工藝技術(shù)設(shè)計(jì)方案（一）技術(shù)來(lái)源及先進(jìn)性說(shuō)明項(xiàng)目技術(shù)來(lái)源為公司的自有技術(shù)，該技術(shù)達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平。（二）項(xiàng)目技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析本期工程項(xiàng)目采用國(guó)內(nèi)先進(jìn)的技術(shù)，該技術(shù)具有資金占用少、生產(chǎn)效率高、資源消耗低、勞動(dòng)強(qiáng)度小的特點(diǎn)，其技術(shù)特性屬于技術(shù)密集型，該技術(shù)具備以下優(yōu)勢(shì)：1、技術(shù)含量和自動(dòng)化水平較高，處于國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平，在產(chǎn)品質(zhì)量水平上

16、相對(duì)其他生產(chǎn)技術(shù)性能費(fèi)用比優(yōu)越，結(jié)構(gòu)合理、占地面積小、功能齊全、運(yùn)行費(fèi)用低、使用壽命長(zhǎng)；在工藝水平上該技術(shù)能夠保證產(chǎn)品質(zhì)量高穩(wěn)定性、提高資源利用率和節(jié)能降耗水平；根據(jù)初步測(cè)算，利用該技術(shù)生產(chǎn)產(chǎn)品，可提高原料利用率和用電效率，在裝備水平上，該技術(shù)使用的設(shè)備自動(dòng)控制程度和性能可靠性相對(duì)較高。2、本期工程項(xiàng)目采用的技術(shù)與國(guó)內(nèi)資源條件適應(yīng)，具有良好的技術(shù)適應(yīng)性；該技術(shù)工藝路線可以適應(yīng)國(guó)內(nèi)主要原材料特性，技術(shù)工藝路線簡(jiǎn)潔，有利于流程控制和設(shè)備操作，工藝技術(shù)已經(jīng)被國(guó)內(nèi)生產(chǎn)實(shí)踐檢驗(yàn)，證明技術(shù)成熟，技術(shù)支援條件良好，具有較強(qiáng)的可靠性。3、技術(shù)設(shè)備投資和產(chǎn)品生產(chǎn)成本低，具有較強(qiáng)的經(jīng)濟(jì)合理性；本期工程項(xiàng)目采用本技

17、術(shù)方案建設(shè)其主要設(shè)備多數(shù)可按通用標(biāo)準(zhǔn)在國(guó)內(nèi)采購(gòu)。4、節(jié)能設(shè)施先進(jìn)并可進(jìn)行多規(guī)格產(chǎn)品轉(zhuǎn)換，項(xiàng)目運(yùn)行成本較低，應(yīng)變市場(chǎng)能力很強(qiáng)。第三章 背景及必要性一、靶材項(xiàng)目背景分析超大規(guī)模集成電路制造過(guò)程中要反復(fù)用到的濺射（Sputtering）工藝屬于物理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過(guò)加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。一般來(lái)說(shuō)，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構(gòu)成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目

18、標(biāo)材料，屬于濺射靶材的核心部分，在濺射鍍膜過(guò)程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來(lái)并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在專用的機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過(guò)程，機(jī)臺(tái)內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過(guò)不同的焊接工藝進(jìn)行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。在濺射靶材應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品，因此，半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的要求是最高的，價(jià)格也最為昂貴；相較于半導(dǎo)體芯片，平

19、面顯示器、太陽(yáng)能電池對(duì)于濺射靶材的純度和技術(shù)要求略低一籌，但隨著靶材尺寸的增大，對(duì)濺射靶材的焊接結(jié)合率、平整度等指標(biāo)提出了更高的要求。此外，濺射靶材需要安裝在濺射機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過(guò)程，濺射機(jī)臺(tái)專用性強(qiáng)，對(duì)濺射靶材的形狀、尺寸和精度也設(shè)定了諸多限制。高純度乃至超高純度的金屬材料是生產(chǎn)高純?yōu)R射靶材的基礎(chǔ)，以半導(dǎo)體芯片用濺射靶材為例，若濺射靶材雜質(zhì)含量過(guò)高，則形成的薄膜無(wú)法達(dá)到使用所要求的電性能，并且在濺射過(guò)程中易在晶圓上形成微粒，導(dǎo)致電路短路或損壞，嚴(yán)重影響薄膜的性能。通常情況下，高純金屬提純分為化學(xué)提純和物理提純，為了獲得更高純度的金屬材料，最大限度地去除雜質(zhì)，需要將化學(xué)提純和物理提純結(jié)合使用。在

20、將金屬提純到相當(dāng)高的純度后，往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，在這個(gè)過(guò)程中，需要經(jīng)過(guò)熔煉、合金化和鑄造等步驟：通過(guò)精煉高純金屬，去除氧氣、氮?dú)獾榷嘤鄽怏w；再加入少量合金元素，使其與高純金屬充分結(jié)合并均勻分布；最后將其鑄造成沒(méi)有缺陷的錠材，滿足生產(chǎn)加工過(guò)程中對(duì)金屬成份、尺寸大小的要求。濺射靶材制造環(huán)節(jié)首先需要根據(jù)下游應(yīng)用領(lǐng)域的性能需求進(jìn)行工藝設(shè)計(jì)，然后進(jìn)行反復(fù)的塑性變形、熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關(guān)鍵指標(biāo)，再經(jīng)過(guò)焊接、機(jī)械加工、清洗干燥、真空包裝等工序。濺射靶材制造所涉及的工序精細(xì)且繁多，工序流程管理及制造工藝水平將直接影響到濺射靶材的質(zhì)量和良品率。濺射鍍膜是指物體被離子撞擊時(shí)，被濺

21、射飛散出，因被濺射飛散的物體附著于目標(biāo)基板上而制成薄膜的過(guò)程，濺射靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料。此環(huán)節(jié)是在濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈條中對(duì)生產(chǎn)設(shè)備及技術(shù)工藝要求最高的環(huán)節(jié)，濺射薄膜的品質(zhì)對(duì)下游產(chǎn)品的質(zhì)量具有重要影響。在濺射鍍膜過(guò)程中，濺射靶材需要安裝在機(jī)臺(tái)中完成濺射反應(yīng)，濺射機(jī)臺(tái)專用性強(qiáng)、精密度高，市場(chǎng)長(zhǎng)期被美國(guó)、日本跨國(guó)集團(tuán)壟斷，主要設(shè)備提供商包括AMAT（美國(guó)）、ULVAC（日本）、ANELVA（日本）、Varian（美國(guó)）等行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)。終端應(yīng)用是針對(duì)各類市場(chǎng)需求利用封裝好的元器件制成面向最終用戶的產(chǎn)品，包括汽車電子、智能手機(jī)、平板電腦、家用電器等終端消費(fèi)電子產(chǎn)品。通常情況下，在半導(dǎo)體靶材濺

22、射鍍膜后，需要將鍍膜硅片切割并進(jìn)行芯片封裝。封裝是指將電路用導(dǎo)線連接到外部接頭處，以便與其他器件連接的工序，不僅能夠起到保護(hù)芯片的作用，還將芯片與外界隔離，防止空氣中的雜質(zhì)對(duì)芯片電路造成腐蝕而損害導(dǎo)電性能。此外，終端應(yīng)用也包括制備太陽(yáng)能電池、光學(xué)鍍膜、工具改性、高檔裝飾用品等，此環(huán)節(jié)技術(shù)面較寬，呈現(xiàn)多樣化特征。全球范圍內(nèi)，濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)參與企業(yè)數(shù)量基本呈金字塔型分布，高純?yōu)R射靶材制造環(huán)節(jié)技術(shù)門檻高、設(shè)備投資大，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少，主要分布在美國(guó)、日本等國(guó)家和地區(qū)，其中，部分企業(yè)同時(shí)開(kāi)展金屬提純業(yè)務(wù)，將產(chǎn)業(yè)鏈延伸到上游領(lǐng)域；部分企業(yè)只擁有濺射靶材生產(chǎn)能力，高純度金屬需要上

23、游企業(yè)供應(yīng)。濺射靶材最高端的應(yīng)用是在超大規(guī)模集成電路芯片制造領(lǐng)域，這個(gè)領(lǐng)域只有美國(guó)和日本的少數(shù)公司（日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯等）從事相關(guān)業(yè)務(wù)，是一個(gè)被跨國(guó)公司壟斷的行業(yè)。作為濺射靶材客戶端的濺射鍍膜環(huán)節(jié)具有規(guī)模化生產(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較多，但質(zhì)量參差不齊，美國(guó)、歐洲、日本、韓國(guó)等知名企業(yè)居于技術(shù)領(lǐng)先地位，品牌知名度高、市場(chǎng)影響力大，通常會(huì)將產(chǎn)業(yè)鏈擴(kuò)展至下游應(yīng)用領(lǐng)域，利用技術(shù)先導(dǎo)優(yōu)勢(shì)和高端品牌迅速占領(lǐng)終端消費(fèi)市場(chǎng)，如IBM、飛利浦、東芝、三星等。終端應(yīng)用環(huán)節(jié)是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中規(guī)模最大的領(lǐng)域，其產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)分散在各個(gè)行業(yè)領(lǐng)域，同時(shí)，此環(huán)節(jié)具有突出的勞動(dòng)密集性特點(diǎn)，參與企業(yè)數(shù)量最多，機(jī)器設(shè)

24、備投資一般，主要分布在日本、中國(guó)臺(tái)灣和中國(guó)大陸等，并逐漸將生產(chǎn)工廠向人力成本低的國(guó)家和地區(qū)轉(zhuǎn)移。濺射靶材產(chǎn)業(yè)分布具有一定的區(qū)域性特征，美國(guó)、日本跨國(guó)集團(tuán)產(chǎn)業(yè)鏈完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用各個(gè)環(huán)節(jié)，具備規(guī)?；a(chǎn)能力，在掌握先進(jìn)技術(shù)以后實(shí)施壟斷和封鎖，主導(dǎo)著技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展；韓國(guó)、新加坡及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)在磁記錄及光學(xué)薄膜領(lǐng)域有所特長(zhǎng)。另外由于上述地區(qū)芯片及液晶面板產(chǎn)業(yè)發(fā)展較早，促使服務(wù)分工明確，可以為產(chǎn)業(yè)鏈下游的品牌企業(yè)提供如焊接、清洗、包裝等專業(yè)代工服務(wù)，將上游基礎(chǔ)材料和下游終端應(yīng)用對(duì)接，起到承上啟下的作用，并在一定程度上推動(dòng)上游濺射靶材的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)擴(kuò)展。但是上述地區(qū)的

25、靶材服務(wù)廠商缺少核心技術(shù)及裝備，不能夠在金屬的提純、組織的控制等核心技術(shù)領(lǐng)域形成競(jìng)爭(zhēng)力濺射靶材的材料即靶坯依然依賴美國(guó)和日本的進(jìn)口。超高純金屬材料及濺射靶材在我國(guó)還屬于較新的行業(yè)，以芯片制造廠商、液晶面板制造企業(yè)為代表的下游濺射鍍膜和終端用戶正在加大力度擴(kuò)展產(chǎn)能。從全球來(lái)看，芯片及液晶面板行業(yè)制造向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移趨勢(shì)愈演愈烈，中國(guó)正在迎來(lái)這一領(lǐng)域的投資高峰。為此高端濺射靶材的應(yīng)用市場(chǎng)需求正在快速增長(zhǎng)。由于濺射鍍膜工藝起源于國(guó)外，所需要的濺射靶材產(chǎn)品性能要求高、專業(yè)應(yīng)用性強(qiáng)，因此，長(zhǎng)期以來(lái)全球?yàn)R射靶材研制和生產(chǎn)主要集中在美國(guó)、日本少數(shù)幾家公司，產(chǎn)業(yè)集中度相當(dāng)高。以霍尼韋爾（美國(guó)）、日礦金屬（日本）

26、、東曹（日本）等跨國(guó)集團(tuán)為代表的濺射靶材生產(chǎn)商較早涉足該領(lǐng)域，經(jīng)過(guò)幾十年的技術(shù)積淀，憑借其雄厚的技術(shù)力量、精細(xì)的生產(chǎn)控制和過(guò)硬的產(chǎn)品質(zhì)量居于全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，占據(jù)絕大部分市場(chǎng)份額。這些企業(yè)在掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后，實(shí)施極其嚴(yán)格的保密措施，限制技術(shù)擴(kuò)散，同時(shí)不斷進(jìn)行橫向擴(kuò)張和垂直整合，將業(yè)務(wù)觸角積極擴(kuò)展到濺射鍍膜的各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域，牢牢把握著全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)的主動(dòng)權(quán)，并引領(lǐng)著全球?yàn)R射靶材行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步。受到發(fā)展歷史和技術(shù)限制的影響，濺射靶材行業(yè)在我國(guó)起步較晚，目前仍然屬于一個(gè)較新的行業(yè)。與國(guó)際知名企業(yè)生產(chǎn)的濺射靶材相比，我國(guó)濺射靶材研發(fā)生產(chǎn)技術(shù)還存在一定差距，市場(chǎng)影響力相對(duì)有限，尤

27、其在半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域，全球高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)依然被美國(guó)、日本的濺射靶材生產(chǎn)廠商所控制或壟斷。隨著濺射靶材朝著更高純度、更大尺寸的方向發(fā)展，我國(guó)濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)只有不斷進(jìn)行研發(fā)創(chuàng)新，具備較強(qiáng)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)能力，研制出適用不同應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材產(chǎn)品，才能在全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)中占得一席之地。半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池等下游工業(yè)對(duì)產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定性等方面有較高的要求，為了嚴(yán)格控制產(chǎn)品質(zhì)量，下游客戶尤其是全球知名廠商在選擇供應(yīng)商時(shí)，供應(yīng)商資格認(rèn)證壁壘較高，且認(rèn)證周期較長(zhǎng)。我國(guó)高純?yōu)R射靶材企業(yè)要進(jìn)入國(guó)際市場(chǎng)，首先要通過(guò)部分國(guó)際組織和行業(yè)協(xié)會(huì)為高純?yōu)R射靶材設(shè)置的行業(yè)性質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn)

28、，例如，應(yīng)用于汽車電子的半導(dǎo)體廠商普遍要求上游濺射靶材供應(yīng)商能夠通過(guò)ISO/TS16949質(zhì)量管理體系認(rèn)證，應(yīng)用于電器設(shè)備的濺射靶材生產(chǎn)商需要滿足歐盟制定的RoHS強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn)；其次，半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池等下游知名客戶均建立了十分完善的客戶認(rèn)證體系，在高純?yōu)R射靶材供應(yīng)商滿足行業(yè)性質(zhì)量管理體系認(rèn)證的基礎(chǔ)上，下游客戶往往還會(huì)根據(jù)自身的質(zhì)量管理要求再對(duì)供應(yīng)商進(jìn)行合格供應(yīng)商認(rèn)證。認(rèn)證過(guò)程主要包括技術(shù)評(píng)審、產(chǎn)品報(bào)價(jià)、樣品檢測(cè)、小批量試用、批量生產(chǎn)等幾個(gè)階段，認(rèn)證過(guò)程相當(dāng)苛刻，從新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)到實(shí)現(xiàn)大批量供貨，整個(gè)過(guò)程一般需要2-3年時(shí)間。為了降低供應(yīng)商開(kāi)發(fā)與維護(hù)成本，保證產(chǎn)品質(zhì)量的持續(xù)性，濺射靶

29、材供應(yīng)商在通過(guò)下游客戶的資格認(rèn)證后，下游客戶會(huì)與濺射靶材供應(yīng)商保持長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系，不會(huì)輕易更換供應(yīng)商，并在技術(shù)合作、供貨份額等方面向優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商傾斜。近年來(lái)，受益于國(guó)家從戰(zhàn)略高度持續(xù)地支持電子材料行業(yè)的發(fā)展及應(yīng)用推廣，我國(guó)國(guó)內(nèi)開(kāi)始出現(xiàn)不少專業(yè)從事高純?yōu)R射靶材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，并成功開(kāi)發(fā)出一批能適應(yīng)高端應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎(chǔ)和市場(chǎng)化條件。通過(guò)將濺射靶材研發(fā)成果產(chǎn)業(yè)化，積極參與濺射靶材的國(guó)際化市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，我國(guó)濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)在技術(shù)和市場(chǎng)方面都取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，改變了高純?yōu)R射靶材長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的不利局面。目前，包括長(zhǎng)沙鑫康在內(nèi)的一些國(guó)內(nèi)企業(yè)已經(jīng)掌握了高純?yōu)R射

30、靶材生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，積累了較為豐富的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，擁有了一定的市場(chǎng)知名度，獲得了全球知名客戶的認(rèn)可。二、鼓勵(lì)中小企業(yè)發(fā)展改革開(kāi)放以來(lái)，我國(guó)非公有制經(jīng)濟(jì)發(fā)展迅速，在支撐增長(zhǎng)、促進(jìn)就業(yè)、擴(kuò)大創(chuàng)新、增加稅收，推動(dòng)社會(huì)主義市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)制度完善等方面發(fā)揮了重要作用，已成為我國(guó)經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的重要基礎(chǔ)。但部分民營(yíng)企業(yè)經(jīng)營(yíng)管理方式和發(fā)展模式粗放，管理方式、管理理念落后，風(fēng)險(xiǎn)防范機(jī)制不健全，先進(jìn)管理模式和管理手段應(yīng)用不夠廣泛，企業(yè)文化和社會(huì)責(zé)任缺乏，難以適應(yīng)我國(guó)經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的新常態(tài)和新要求。公有制為主體、多種所有制經(jīng)濟(jì)共同發(fā)展,是我國(guó)的基本經(jīng)濟(jì)制度；毫不動(dòng)搖鞏固和發(fā)展公有制經(jīng)濟(jì)，毫不動(dòng)搖鼓勵(lì)、支持和引導(dǎo)非公有制經(jīng)濟(jì)發(fā)展

31、，是黨和國(guó)家的大政方針。今天，我們對(duì)民營(yíng)經(jīng)濟(jì)的包容與支持始終如一，人們?cè)谑袌?chǎng)經(jīng)濟(jì)中創(chuàng)造未來(lái)的激情也澎湃如昨。在我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展中，制造業(yè)領(lǐng)域民營(yíng)企業(yè)數(shù)量占比已達(dá)90%以上，民間投資的比重超過(guò)85%，成為推動(dòng)制造業(yè)發(fā)展的重要力量。近年來(lái)，受多重因素影響，制造業(yè)民間投資增速明顯放緩，2015年首次低于10%，2016年繼續(xù)下滑至3.6%。黨中央、國(guó)務(wù)院高度重視民間投資工作，近年來(lái)部署出臺(tái)了一系列有針對(duì)性的政策措施并開(kāi)展了專項(xiàng)督查，民間投資增速企穩(wěn)回升，今年1-10月，制造業(yè)民間投資增長(zhǎng)4.1%，高于去年同期1.5個(gè)百分點(diǎn)。中小企業(yè)是我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展的重要力量，促進(jìn)中小企業(yè)發(fā)展，是保持國(guó)

32、民經(jīng)濟(jì)平穩(wěn)較快發(fā)展的重要基礎(chǔ)，是關(guān)系民生和社會(huì)穩(wěn)定的重大戰(zhàn)略任務(wù)。受國(guó)際金融危機(jī)沖擊，去年下半年以來(lái)，我國(guó)中小企業(yè)生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)困難。中央及時(shí)出臺(tái)相關(guān)政策措施，加大財(cái)稅、信貸等扶持力度，改善中小企業(yè)經(jīng)營(yíng)環(huán)境，中小企業(yè)生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)出現(xiàn)了積極變化，但發(fā)展形勢(shì)依然嚴(yán)峻。中小企業(yè)是我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展的重要力量，促進(jìn)中小企業(yè)發(fā)展，是保持國(guó)民經(jīng)濟(jì)平穩(wěn)較快發(fā)展的重要基礎(chǔ)，是關(guān)系民生和社會(huì)穩(wěn)定的重大戰(zhàn)略任務(wù)。受國(guó)際金融危機(jī)沖擊，去年下半年以來(lái)，我國(guó)中小企業(yè)生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)困難。中央及時(shí)出臺(tái)相關(guān)政策措施，加大財(cái)稅、信貸等扶持力度，改善中小企業(yè)經(jīng)營(yíng)環(huán)境，中小企業(yè)生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)出現(xiàn)了積極變化，但發(fā)展形勢(shì)依然嚴(yán)峻?！笆濉逼陂g，創(chuàng)新是

33、中小企業(yè)發(fā)展的最大機(jī)遇，走出去也是中小企業(yè)提升自我素質(zhì)、加速成長(zhǎng)成熟的重要機(jī)會(huì)。中小企業(yè)的發(fā)展機(jī)遇體現(xiàn)在兩方面:一是“十三五”時(shí)期是我國(guó)消費(fèi)升級(jí)期，將給創(chuàng)新的中小企業(yè)帶來(lái)很多新機(jī)會(huì)。目前我國(guó)的人均GDP已經(jīng)超過(guò)8000美元，按照國(guó)際經(jīng)驗(yàn)，消費(fèi)將進(jìn)入快速升級(jí)期，文化、旅游、養(yǎng)老、高科技等產(chǎn)業(yè)將快速增長(zhǎng)。二是技術(shù)的快速迭代將有利于創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)的中小企業(yè)。目前，我國(guó)最具成長(zhǎng)性的中小企業(yè)都集中于互聯(lián)網(wǎng)及互聯(lián)網(wǎng)+相關(guān)產(chǎn)業(yè)，“十三五”期間，技術(shù)的高速變革將給更多的中小企業(yè)帶來(lái)機(jī)會(huì)。三、宏觀經(jīng)濟(jì)形勢(shì)分析當(dāng)前，我國(guó)經(jīng)濟(jì)已由高速增長(zhǎng)轉(zhuǎn)向高質(zhì)量發(fā)展階段，正處在轉(zhuǎn)變發(fā)展方式、優(yōu)化經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)、轉(zhuǎn)換增長(zhǎng)動(dòng)力的攻關(guān)期，建設(shè)現(xiàn)代

34、化經(jīng)濟(jì)體系是跨越關(guān)口的迫切要求和我國(guó)發(fā)展的戰(zhàn)略目標(biāo)。國(guó)家統(tǒng)計(jì)局最近發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2015年至2017年我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展新動(dòng)能指數(shù)分別為123.5、156.7、210.1，分別比上年增長(zhǎng)23.5%、26.9%和34.1%，呈逐年加速之勢(shì)。四、靶材項(xiàng)目建設(shè)必要性分析濺射靶材是利用物理氣相沉積技術(shù)制備電子薄膜材料的被轟擊材料，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、太陽(yáng)能電池、平板顯示、信息存儲(chǔ)等領(lǐng)域，其中半導(dǎo)芯片用濺射靶材技術(shù)要求最高，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量也相對(duì)較少，主要分布在美國(guó)、日本等國(guó)家和地區(qū)。中國(guó)濺射靶材行業(yè)起步較晚，目前仍然屬于一個(gè)較新的行業(yè)，受益于國(guó)家戰(zhàn)略的支持，已經(jīng)開(kāi)始出現(xiàn)少量專業(yè)從事高純?yōu)R射靶

35、材研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)(如江豐電子，有研新材等)，并成功開(kāi)發(fā)出一批高端應(yīng)用領(lǐng)域的濺射靶材，為高純?yōu)R射靶材大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化提供了良好的研發(fā)基礎(chǔ)和市場(chǎng)化條件。靶材全球市場(chǎng)預(yù)計(jì)16-19復(fù)合增速13%。2016年全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)容量達(dá)113.6億美元，相比于2015年的94.8億美元增長(zhǎng)20%。預(yù)測(cè)2016-2019年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)13%，到2019年全球高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)163億美元。2016年全球靶材市場(chǎng)的下游結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體占比10%、平板顯示占34%、太陽(yáng)能電池占21%、記錄媒體占29%，靶材性能要求依次降低。市場(chǎng)集中度高，日、美占據(jù)80%高端靶材市場(chǎng)。濺射靶材由于其高技術(shù)、高投資、高客戶壁壘

36、，具有規(guī)?；a(chǎn)能力企業(yè)較少，以霍尼韋爾、日礦金屬、東曹、普萊克斯等為代表的靶材龍頭企業(yè)2017年占據(jù)全球約80%靶材市場(chǎng)。美、日等跨國(guó)企業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈較為完整，囊括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用各個(gè)環(huán)節(jié)，主導(dǎo)高端的半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)；韓國(guó)、新加坡及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)擅長(zhǎng)磁記錄及光學(xué)薄膜領(lǐng)域，原料多從國(guó)外進(jìn)口；中國(guó)靶材產(chǎn)業(yè)正處于起步階段，逐步切入以原料以進(jìn)口為主的全球主流半導(dǎo)體、顯示、光伏等龍頭企業(yè)客戶。預(yù)計(jì)2018-2020年國(guó)內(nèi)顯示靶材需求增速維持20-25%增速。中國(guó)大陸從上世紀(jì)80年代開(kāi)始進(jìn)入液晶顯示領(lǐng)域，在政府政策導(dǎo)向和產(chǎn)業(yè)扶植下，我國(guó)大陸液晶顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，成為平板顯示行業(yè)發(fā)展速度最快的

37、地區(qū)。2016年中國(guó)平板顯示器件產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達(dá)到1500億元，同比增長(zhǎng)25.99%；2012-2016年國(guó)內(nèi)平板顯示增速基本保持在25%以上。此外考慮到國(guó)內(nèi)LCD國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速、再加上OLED滲透率有望快速提升，預(yù)計(jì)2018-2020年國(guó)內(nèi)平板顯示產(chǎn)業(yè)增速將至少維持在20-25%；對(duì)應(yīng)到國(guó)內(nèi)顯示靶材的需求也將相應(yīng)增加。靶材應(yīng)用的戰(zhàn)略高地17-20年全球半導(dǎo)體增速有望超預(yù)期，17年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體增速24.81%。半導(dǎo)體靶材性能要求位居各類應(yīng)用之首。半導(dǎo)體行業(yè)所需濺射靶材主要用于晶圓制造材料和封裝測(cè)試材料。芯片制造對(duì)濺射靶材純度要求很高，通常需達(dá)99.9995%（5N5）甚至99.9999%（6N）

38、以上。2017全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)超預(yù)期增速21.62%，從下游需求結(jié)構(gòu)看，17年增長(zhǎng)主要源于半導(dǎo)體的主要應(yīng)用是集成電路中的存儲(chǔ)器，增速達(dá)到61.49%，增量來(lái)源于人工智能、大數(shù)據(jù)、汽車電子等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅苄酒枨罂焖偬嵘?。?5年開(kāi)始國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)維持20%左右增速，漸成常態(tài)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從臺(tái)灣向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)比較確定，國(guó)內(nèi)政策、資金、稅收等各方面也在扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金第一期規(guī)模1,387億元。，至少帶動(dòng)省市地方基金共4,651億元，拉動(dòng)國(guó)內(nèi)企業(yè)內(nèi)生增長(zhǎng)和海外并購(gòu)。未來(lái)第二期基金計(jì)劃啟動(dòng)，也將持續(xù)拉動(dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)。2011-2016全球半導(dǎo)體用靶材年復(fù)合增長(zhǎng)率3.17%，預(yù)計(jì)2

39、018-2020國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體靶材需求增速在20%左右。國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)全球半導(dǎo)體用濺射靶材銷售額從2011年的10.1億美元到2016年為11.7億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為3.17%，其中晶圓制造用濺射靶材年均復(fù)合增長(zhǎng)率為2.07%，封裝測(cè)試用濺射靶材年均復(fù)合增長(zhǎng)率為4.65%。2016年我國(guó)集成電路用濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模約14億元，年增速達(dá)20%。供給端，隨著國(guó)產(chǎn)濺射靶材技術(shù)成熟，尤其是國(guó)產(chǎn)濺射靶材具備一定性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，并且符合濺射靶材國(guó)產(chǎn)化的政策導(dǎo)向；需求端，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)已基本確立，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起將推動(dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體靶材需求的提升。預(yù)計(jì)2018-2020年我國(guó)濺射靶材的市

40、場(chǎng)規(guī)模有望持續(xù)擴(kuò)大，復(fù)合增速將維持在2016年20%左右增速水平。2011-2016全球太陽(yáng)能用靶材增速保持20%以上。太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展給太陽(yáng)能電池用濺射靶材市場(chǎng)帶來(lái)了可觀的成長(zhǎng)空間，2016年全球太陽(yáng)能電池用濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模23.4億美元，在全球靶材市場(chǎng)中占比約21%。2011-2016年全球太陽(yáng)能靶材規(guī)模增速一直保持在20%以上。國(guó)內(nèi)靶材需求和供給反差懸殊，國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速。2015國(guó)內(nèi)靶材需求全球占比近25%，年速約20%；但國(guó)內(nèi)靶材企業(yè)市場(chǎng)份額不到2%，供需比例反差明顯。隨著國(guó)內(nèi)濺射靶材技術(shù)的成熟和高純鋁生產(chǎn)技術(shù)的提高，我國(guó)靶材生產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)明顯，靶材原料之一高純鋁的國(guó)內(nèi)進(jìn)出口量

41、差距也在逐步縮小。隨著2019年國(guó)家進(jìn)口靶材免稅期結(jié)束，國(guó)內(nèi)靶材企業(yè)優(yōu)勢(shì)更加突出。預(yù)計(jì)2018-2020年國(guó)內(nèi)靶材需求將維持20%以上高速增長(zhǎng)，市場(chǎng)份額有望進(jìn)一步擴(kuò)大。五、靶材行業(yè)分析靶材是濺射薄膜制備的源頭材料，又稱濺射靶材。是制備晶圓、面板、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。高純度濺射靶材主要應(yīng)用于電子元器件制造的物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition，PVD）工藝。PVD鍍膜目前主要有三種形式，分別是濺射鍍膜、蒸發(fā)鍍膜以及離子鍍膜。為推動(dòng)國(guó)內(nèi)靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，帶動(dòng)傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造和產(chǎn)品升級(jí)換代，我國(guó)制定了一系列靶材行業(yè)相關(guān)支持政策。靶材行業(yè)產(chǎn)

42、業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)。其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個(gè)靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。靶材產(chǎn)業(yè)下游包括半導(dǎo)體、光伏電池、平板顯示器等等，其中，半導(dǎo)體芯片行業(yè)用的金屬靶材，主要種類包括：銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純靶材，以及鎳鉑、鎢鈦等合金類的靶材。銅靶和鉭靶通常配合起來(lái)使用。靶材主要應(yīng)用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。其中，在靶材應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體芯片對(duì)靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。因此，半導(dǎo)體芯片對(duì)靶材的要求是最高的，價(jià)格也最為昂貴。半導(dǎo)體芯片行業(yè)

43、是金屬濺射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一，也是對(duì)靶材的成分、組織和性能要求最高的領(lǐng)域。目前晶圓的制造正朝著更小的制程方向發(fā)展，銅導(dǎo)線工藝的應(yīng)用量在逐步增大，因此，銅和鉭靶材的需求將有望持續(xù)增長(zhǎng)。鋁靶和鈦靶通常配合起來(lái)使用。目前，在汽車電子芯片等需要110nm以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)來(lái)保證其穩(wěn)定性和抗干擾性的領(lǐng)域，仍需大量使用鋁、鈦靶材。目前，全球的靶材制造行業(yè)，特別是高純度的靶材市場(chǎng)，呈現(xiàn)寡頭壟斷格局，主要由幾家美日大企業(yè)把持，如日本的三井礦業(yè)、日礦金屬、日本東曹、住友化學(xué)、日本愛(ài)發(fā)科，以及美國(guó)霍尼韋爾、普萊克斯等。日礦金屬是全球最大的靶材供應(yīng)商，靶材銷售額約占全球市場(chǎng)的30%，霍尼韋爾在并購(gòu)JohnsonMat

44、tey、整合高純鋁、鈦等原材料生產(chǎn)廠后，占到全球市約20%的份額，此外，東曹和普萊克斯分別占20%和10%。目前，國(guó)內(nèi)靶材廠商主要聚焦在低端產(chǎn)品領(lǐng)域，在半導(dǎo)體、平板顯示器和太陽(yáng)能電池等市場(chǎng)還無(wú)法與國(guó)際巨頭全面競(jìng)爭(zhēng)。但是，依靠國(guó)內(nèi)的巨大市場(chǎng)潛力和利好的產(chǎn)業(yè)政策，以及產(chǎn)品價(jià)格優(yōu)勢(shì)，它們已經(jīng)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有一定的市場(chǎng)份額，并逐步在個(gè)別細(xì)分領(lǐng)域搶占了部分國(guó)際大廠的市場(chǎng)空間。近年來(lái)，我國(guó)政府制定了一系列產(chǎn)業(yè)政策，如863計(jì)劃、02專項(xiàng)基金等來(lái)加速濺射靶材供應(yīng)的本土化進(jìn)程，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)靶材在多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從無(wú)到有的跨越。這些都從國(guó)家戰(zhàn)略高度扶植并推動(dòng)著濺射靶材產(chǎn)業(yè)的發(fā)展壯大。六、靶材市場(chǎng)分析預(yù)測(cè)靶材材料的技術(shù)

45、發(fā)展趨勢(shì)與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān)，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn)，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。鍍膜靶材是通過(guò)磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡(jiǎn)單說(shuō)的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長(zhǎng)的激光與不同的靶材相互作用時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及

46、工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來(lái)，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導(dǎo)體集成電路制造過(guò)程中，以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計(jì)算機(jī)的顯示器制造;在信息存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對(duì)所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來(lái)越高的要求，需求數(shù)量也逐年增加。日本。就美國(guó)而言.約有50家中小規(guī)模的靶材制造商及經(jīng)銷商，其中最大的公司員工大約有幾百人。不過(guò)為了能更接近使用者，以便提供更完善

47、的售后服務(wù)，全球主要靶材制造商通常會(huì)在客戶所在地設(shè)立分公司。近段時(shí)間，亞洲的一些國(guó)家和地區(qū)，如臺(tái)灣.韓國(guó)和新加坡，就建立了越來(lái)越多制造薄膜元件或產(chǎn)品的工廠，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠。對(duì)靶材廠商而言，這是相當(dāng)重要的新興市場(chǎng)。中國(guó)靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展也是與日俱增，不斷的擴(kuò)大自己的規(guī)模和生產(chǎn)技術(shù)，國(guó)內(nèi)一線生產(chǎn)制造靶材的品牌已經(jīng)達(dá)到國(guó)外最頂尖的技術(shù)水平。2010年，日本三菱公司就在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)建立了光碟塒靶材的生產(chǎn)基地，可以滿足臺(tái)灣50%的靶材需要。BCC(BusinessCommunicationsCompany，商業(yè)咨詢公司)最新的統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出，全球靶材市場(chǎng)將以8.8%的年平均增長(zhǎng)率(AAGR)在今

48、后的5年內(nèi)持續(xù)增長(zhǎng)，估計(jì)銷售額將從1999年的7.2億美元增加到2004年的11億美元。靶材是一種具有高附加價(jià)值的特種電子材料，主要使用在微電子，顯示器，存儲(chǔ)器以及光學(xué)鍍膜等產(chǎn)業(yè)上，用以濺射用于尖端技術(shù)的各種薄膜材料。BCC的報(bào)告顯示：全球的上述產(chǎn)業(yè)在1999年使用了2.88百萬(wàn)公斤靶材。換算為面積，則濺射了363百萬(wàn)平方米的薄膜。而若以單位靶材來(lái)計(jì)算，全球在1999年則大約使用了37400單位的靶材。這里所要指出的是，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的不同，靶材的形狀與大小也有所差異，其直徑從15Gm到3m都有，而上述的統(tǒng)計(jì)資料，則是平均化后的結(jié)果。在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是最苛刻的

49、。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來(lái).而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對(duì)靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認(rèn)為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大，過(guò)去99.995%(4N5)純度的銅靶，或許能夠滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求，但是卻無(wú)法滿足如今0.25um的工藝要求，而未米的0.18um藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達(dá)到5甚至6N以上。平面顯示器(FPD)這些年來(lái)大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場(chǎng)，亦將帶動(dòng)ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需

50、求。如今的iTO靶材有兩種.一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結(jié)，一種是采用銦錫合金靶材。銦錫合金靶材可以采用直流反應(yīng)濺射制造ITO薄膜，但是靶表面會(huì)氧化而影響濺射率，并且不易得到大尺寸的臺(tái)金靶材。如今一般采取第一種方法生產(chǎn)ITO靶材，利用LIRF反應(yīng)濺射鍍膜.靶材具有沉積速度快.且能精確控制膜厚，電導(dǎo)率高，薄膜的一致性好，與基板的附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)l。但是靶材制作困難，這是因?yàn)檠趸熀脱趸a不容易燒結(jié)在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結(jié)添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關(guān)系極大。在儲(chǔ)存技術(shù)方面，高密度、大容量硬盤

51、的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoFCu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展，用它制造的磁光盤具有存儲(chǔ)容量大，壽命長(zhǎng)，可反復(fù)無(wú)接觸擦寫的特點(diǎn)。如今開(kāi)發(fā)出來(lái)的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復(fù)合膜結(jié)構(gòu)，TbFeCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr旋轉(zhuǎn)角達(dá)到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn)，低磁導(dǎo)率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強(qiáng)度。基于鍺銻碲化物的相變存儲(chǔ)器(PCM)顯示出顯著的商業(yè)化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場(chǎng)的一項(xiàng)替代性存儲(chǔ)器技術(shù)，不過(guò),在實(shí)現(xiàn)更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn)之一,便是缺乏

52、能夠生產(chǎn)可進(jìn)一步調(diào)低復(fù)位電流的完全密閉單元。降低復(fù)位電流可降低存儲(chǔ)器的耗電量,延長(zhǎng)電池壽命和提高數(shù)據(jù)帶寬,這對(duì)于當(dāng)前以數(shù)據(jù)為中心的、高度便攜式的消費(fèi)設(shè)備來(lái)說(shuō)都是很重要的特征。第四章 項(xiàng)目建設(shè)主要內(nèi)容和規(guī)模（一）用地規(guī)模該項(xiàng)目總征地面積26039.68平方米（折合約39.04畝），其中：凈用地面積26039.68平方米（紅線范圍折合約39.04畝）。項(xiàng)目規(guī)劃總建筑面積30726.82平方米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程20240.96平方米，計(jì)容建筑面積30726.82平方米；預(yù)計(jì)建筑工程投資2362.69萬(wàn)元。（二）設(shè)備購(gòu)置項(xiàng)目計(jì)劃購(gòu)置設(shè)備共計(jì)73臺(tái)（套），設(shè)備購(gòu)置費(fèi)2391.42萬(wàn)元。二、產(chǎn)值規(guī)模

53、項(xiàng)目計(jì)劃總投資8603.25萬(wàn)元；預(yù)計(jì)年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入18966.00萬(wàn)元。第五章 項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)一、靶材項(xiàng)目建設(shè)選址原則為了更好地發(fā)揮其經(jīng)濟(jì)效益并綜合考慮環(huán)境等多方面的因素，根據(jù)靶材項(xiàng)目選址的一般原則和靶材項(xiàng)目建設(shè)地的實(shí)際情況，“靶材項(xiàng)目”選址應(yīng)遵循以下原則：1、布局相對(duì)獨(dú)立，便于集中開(kāi)展科研、生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)和管理活動(dòng)。2、與靶材項(xiàng)目建設(shè)地的建成區(qū)有較方便的聯(lián)系。3、地理?xiàng)l件較好，并有足夠的發(fā)展?jié)摿Α?、城市基礎(chǔ)設(shè)施等配套較為完善。5、以城市總體規(guī)劃為依據(jù)，統(tǒng)籌考慮用地與城市發(fā)展的關(guān)系。6、兼顧環(huán)境因素影響，具有可持續(xù)發(fā)展的條件。二、靶材項(xiàng)目選址方案及土地權(quán)屬（一）靶材項(xiàng)目選址方案1、靶材項(xiàng)目建設(shè)單位

54、通過(guò)對(duì)靶材項(xiàng)目擬建場(chǎng)地縝密調(diào)研，充分考慮了靶材項(xiàng)目生產(chǎn)所需的內(nèi)部和外部條件：距原料產(chǎn)地的遠(yuǎn)近、企業(yè)勞動(dòng)力成本、生產(chǎn)成本以及擬建區(qū)域產(chǎn)業(yè)配套情況、基礎(chǔ)設(shè)施條件及土地成本等。2、通過(guò)對(duì)可供選擇的建設(shè)地區(qū)進(jìn)行比選，綜合考慮后選定的靶材項(xiàng)目最佳建設(shè)地點(diǎn)靶材項(xiàng)目建設(shè)地，所選區(qū)域完善的基礎(chǔ)設(shè)施和配套的生活設(shè)施為靶材項(xiàng)目建設(shè)提供了良好的投資環(huán)境。中山，古稱香山，人杰地靈，名人輩出，是一代偉人孫中山先生的故鄉(xiāng)。廣東省地級(jí)市，全國(guó)4個(gè)不設(shè)區(qū)的地級(jí)市之一，珠三角中心城市之一、粵港澳大灣區(qū)重要節(jié)點(diǎn)城市、廣東地區(qū)性中心城市之一、連續(xù)多年保持廣東省第5的經(jīng)濟(jì)總量，并與順德、南海、東莞一起被稱為廣東四小虎。前身為1152

55、年設(shè)立的香山縣；1925年，為紀(jì)念孫中山而改名為中山縣，位于珠江三角洲中部偏南的西、北江下游出海處，北接廣州市番禺區(qū)和佛山市順德區(qū)，西鄰江門市區(qū)、新會(huì)區(qū)和珠海市斗門區(qū)，東南連珠海市，東隔珠江口伶仃洋與深圳市和香港特別行政區(qū)相望。中山是國(guó)家歷史文化名城，是廣府文化的代表城市之一，發(fā)祥于中山的香山文化是中國(guó)近代文化的重要源頭，享有廣東省曲藝之鄉(xiāng)（粵?。?、華僑之鄉(xiāng)的美譽(yù)。有旅居世界五大洲87個(gè)國(guó)家和地區(qū)的海外僑胞、港澳臺(tái)同胞80多萬(wàn)人。2019年8月，中國(guó)海關(guān)總署主辦的中國(guó)海關(guān)雜志公布了2018年中國(guó)外貿(mào)百?gòu)?qiáng)城市排名，中山排名第29。（二）工程地質(zhì)條件1、根據(jù)建筑抗震設(shè)計(jì)規(guī)范（GB50011）標(biāo)準(zhǔn)要

56、求，靶材項(xiàng)目建設(shè)地?zé)o活動(dòng)斷裂性通過(guò)，無(wú)液化土層及可能震陷的土層分布，地層均勻性密實(shí)較好，因此，本期工程靶材項(xiàng)目建設(shè)區(qū)處于地質(zhì)構(gòu)造運(yùn)動(dòng)相對(duì)良好的地帶，地下水為上層滯水，對(duì)混凝土無(wú)腐蝕性，各土層分布穩(wěn)定、均勻而適宜建筑。2、擬建場(chǎng)地目前尚未進(jìn)行地質(zhì)勘探，參考臨近建筑物的地質(zhì)資料，地基土層由第四系全新統(tǒng)（Q4）雜填土、粉質(zhì)粘土、淤泥質(zhì)粉土、圓礫卵石層組成，圓礫卵石作為建筑物的持力層，Pk=300.00Kpa；建設(shè)區(qū)域地質(zhì)抗風(fēng)化能力較強(qiáng)，地層承載力高，工程地質(zhì)條件較好，不會(huì)受到滑坡及泥石流等次生災(zāi)害的影響，無(wú)不良地質(zhì)現(xiàn)象，地殼處于穩(wěn)定狀態(tài)，場(chǎng)地地貌簡(jiǎn)單適應(yīng)本期工程靶材項(xiàng)目建設(shè)。三、靶材項(xiàng)目用地總體要求

57、（一）靶材項(xiàng)目用地控制指標(biāo)分析1、“靶材項(xiàng)目”均按照項(xiàng)目建設(shè)地建設(shè)用地規(guī)劃許可證及建設(shè)用地規(guī)劃設(shè)計(jì)要求進(jìn)行設(shè)計(jì)，同時(shí)，嚴(yán)格按照建設(shè)規(guī)劃部門與國(guó)土資源管理部門提供的界址點(diǎn)坐標(biāo)及用地方案圖布置場(chǎng)區(qū)總平面圖。2、建設(shè)靶材項(xiàng)目平面布置符合輕工產(chǎn)品制造行業(yè)、重點(diǎn)產(chǎn)品的廠房建設(shè)和單位面積產(chǎn)能設(shè)計(jì)規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)，達(dá)到工業(yè)靶材項(xiàng)目建設(shè)用地控制指標(biāo)（國(guó)土資發(fā)【2008】24號(hào)）文件規(guī)定的具體要求。（二）靶材項(xiàng)目建設(shè)條件比選方案1、靶材項(xiàng)目建設(shè)單位通過(guò)對(duì)可供選擇的建設(shè)地區(qū)進(jìn)行縝密比選后，充分考慮了靶材項(xiàng)目擬建區(qū)域的交通條件、土地取得成本及職工交通便利條件，靶材項(xiàng)目經(jīng)營(yíng)期所需的內(nèi)外部條件：距原料產(chǎn)地的遠(yuǎn)近、企業(yè)勞動(dòng)力成本、生產(chǎn)成本以及擬建區(qū)域產(chǎn)業(yè)配套情況、基礎(chǔ)設(shè)施條件等，通過(guò)建設(shè)條件比選最終選定的靶材項(xiàng)目最佳建設(shè)地點(diǎn)靶材項(xiàng)目建設(shè)地，本期工程靶材項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域供電、供水、道路、照明、供汽、供氣、通訊網(wǎng)絡(luò)、施工環(huán)境等條件均較好，可保證靶材項(xiàng)目的建設(shè)和正常經(jīng)營(yíng)，所選區(qū)域完善的基礎(chǔ)設(shè)施和配套的生活設(shè)施為靶材項(xiàng)目建設(shè)提供了良好的投資環(huán)境。2、由靶材項(xiàng)目建設(shè)單位承辦的“靶材項(xiàng)目”，擬選址在靶材項(xiàng)目建設(shè)地，所選區(qū)域土地資源