半導體器件基礎(chǔ)測試題

1、資料收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán) 請聯(lián)系網(wǎng)站刪除第一章 半導體器件基礎(chǔ)測試題（高三） 姓名 班次 分數(shù) 一、選擇題1、N 型半導體是在本征半導體中加入下列物質(zhì)而形成的。A 、電子；B 、空穴；C、三價元素；D 、五價元素。2、在摻雜后的半導體中，其導電能力的大小的說法正確的是A 、摻雜的工藝；B 、雜質(zhì)的濃度：C、溫度；D 、晶體的缺陷。3、晶體三極管用于放大的條件，下列說法正確的是。A 、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；B、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏；C、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏；D、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏；4、晶體三極管的截止條件，下列說法正確的是。A 、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏；B、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏；C、

2、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏；D、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏；5、晶體三極管的飽和條件，下列說法正確的是B、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏；D、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏；AB 兩端的電壓是A 、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏； C、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏；6、理想二極管組成的電路如下圖所示，其A、 12V；B、 6V；C、+6V ；D 、+12V 。7、要使普通二極管導通，下列說法正確的是。A 、運用它的反向特性；B 、鍺管使用在反向擊穿區(qū)；C、硅管使用反向區(qū)域，而鍺管使用正向區(qū)域；D 、都使用正向區(qū)域。8、對于用萬用表測量二極管時，下列做法正確的是A、用萬用表的 R100 或 R 1000的歐姆，黑棒接正極，紅棒接負極

3、，指針偏轉(zhuǎn)；B、用萬用表的 R10K 的歐姆，黑棒接正極，紅棒接負極，指針偏轉(zhuǎn)；C、用萬用表的 R100 或 R1000 的歐姆，紅棒接正極，黑棒接負極，指針偏轉(zhuǎn)；D、用萬用表的 R 10，黑棒接正極，紅棒接負極，指針偏轉(zhuǎn)；9、電路如下圖所示，則 A 、B 兩點的電壓正確的是A、UA=3.5V， UB=3.5V，D 截止；只供學習與交流資料收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán) 請聯(lián)系網(wǎng)站刪除B、UA=3.5V， UB=1.0V，D 截止；C、UA=1.0V， UB=3.5V，D 導通；D、UA=1.0V， UB=1.0V，D 截止。10 、穩(wěn)壓二極管在電路中的接法，正確的說法是。A 、穩(wěn)壓管是正向并接在電路中

4、，即穩(wěn)壓管正極接電路中電源的正極，負極接電源的負 極；B、穩(wěn)壓管是反向并接在電路中，即穩(wěn)壓管正極接電路中電源的負極，負極接電源的正 極；C、穩(wěn)壓管是正向串接在電路中，即穩(wěn)壓管正極串接電路中電源的高電位，負極接電源 的低電位。D、穩(wěn)壓管是反向串接在電路中，即穩(wěn)壓管正極串接電路中電源的低電位，負極接電源 的高電位。11、電路如下圖所示，當電路輸入端的電壓發(fā)生變化時，會引起輸出電壓的變化，則下列四種變化中正確的是A 、UI U0 I W I R UR U0； B 、 UI U0 I W I R UR U0 ； C、 UI U0 I W I R UR U0； D 、 UI U0 I W I R UR

5、U0 。12、對于三極管放大作用來說，下列說法中最確切的是A 、三極管具有電壓放大作用；B、三極管具有功率放大作用；C、三極管具有電流放大作用；D 、三極管具有能量放大作用。B、二極管同樣具有放大作用； D 、二極管具有開關(guān)等功能。13、對于二極管來說，下列說法中錯誤的是A 、二極管具有單向?qū)щ娦?；C、二極管具有箝位功能；Ube之間的關(guān)系； Uce之間的關(guān)系； Ic 之間的關(guān)系； Ie 之間的關(guān)系；。14、對于三極管的輸入特性，下列說法正確的是A 、三極管的輸入特性是指三極管的基極電流與B、三極管的輸入特性是指三極管的基極電流與C、三極管的輸入特性是指三極管的基極電流與 D、三極管的輸入特性是

6、指三極管的基極電流與15 、 下圖中兩只二極管的導通狀態(tài)是A、D1、D2 導通；B、D1、D2截止； 只供學習與交流資料收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán) 請聯(lián)系網(wǎng)站刪除C、D1導通、 D2截止；D、D1截止、 D2導通。16、下圖中二極管為理想二極管，則輸出電壓是 A、UAO=15V；B、UAO=12V ；C、UAO= -15V；D、UAO= -12 V。17、下圖中二極管為理想二極管，則輸出電壓是A、UAO=15V；B、UAO=12V ；C、UAO= -12V；D、UAO= 0V。18、下圖中二極管為理想二極管，則輸出電壓是A、UAO=6V；B、UAO= 6V；C、UAO= -12V；D、UAO=12V

7、 。19、金屬導體的電阻率隨溫度升高而，A 、升高/升高；B、降低 /降低；半導體的導電能力隨溫度的升高而C、升高 /降低；D、降低 /升高20、下列是 PN 結(jié)兩端的電位值，使 PN 結(jié)導通的是A、P端接 +5V，N 端通過一電阻接 +7V；B、N 端接+2V ， P端通過一電阻接 +7V ；C、P端接3V， N 端通過一電阻接 +7V；D、P端接 +1V，N 端通過一電阻接 +6V。A 、 0.5V ；C、3V；22、如圖所示，B、15V；D 、以上答案都不對。21、電路如圖所示， R=1K ，設(shè)二管導通時的管壓降為0.5V，則電壓表的讀數(shù)是設(shè)輸入信號 ui 為正弦波， 幅值為 1V，二極

8、管導通時正向電壓降為 0.6V ，關(guān)于輸出信號 u0 波形的說法，正確的是A 、輸出電壓值的范圍介于B、輸出電壓值的范圍介于C、輸出電壓值的范圍介于-0.6V +0.6V 之間；-0V +0.6V 之間；-0.6V 0V 之間；D、輸出電壓值的范圍介于0V 1V 之間。23、對于 3AG11C 三極管的型號，下列說法正確的是A、鍺管 PNP型高頻小功率晶體管；B、鍺管 PNP 型低頻大功率晶體管；C、硅管 NPN 型高頻小功率晶體管；D、硅管 NPN 型低頻大功率晶體管；只供學習與交流資料收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán) 請聯(lián)系網(wǎng)站刪除24、對于 3DD80C 三極管的型號，下列說法正確的是。A、鍺管 P

9、NP型高頻小功率晶體管；B、鍺管 PNP 型低頻大功率晶體管；C、硅管 NPN 型高頻小功率晶體管；D、硅管 NPN 型低頻大功率晶體管；25、對于 3DG12C 三極管的型號，下列說法正確的是。A、鍺管 PNP型高頻小功率晶體管；B、鍺管 PNP 型低頻大功率晶體管；C、硅管 NPN 型高頻小功率晶體管；D、硅管 NPN 型低頻大功率晶體管26、對于 3AD30B 三極管的型號，下列說法正確的是。A、鍺管 PNP型高頻小功率晶體管；B、鍺管 PNP 型低頻大功率晶體管；C、硅管 NPN 型高頻小功率晶體管；D、硅管 NPN 型低頻大功率晶體管控制器件。D、電流 / 電流27、場效應管屬于控制

10、型器件，晶體三極管則屬于A 、電壓 /電流；B、電流 /電壓；C 、電壓 /電壓；28、電路其如圖所示， D 為理想二極管，則 u0 為。A、3V；B、6V；C、-3V；D、-6V 。29、電路如下圖所示，已知 Rb=10K，Rc=1K，Ec=10V ， 晶體管的 =50， Ube=0.7V ，當 Ui=0V 時， 三極管處于 。A 、截止狀態(tài)；B 、放大狀態(tài)；C 、飽和狀態(tài)；D 、擊穿狀態(tài)。、判斷下列說法是否正確，用“”和“”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。P 型半導體。（ ）1）在 N 型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為（ 2）因為 N 型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。（ ）（3）PN 結(jié)在無光照、無外加電壓時，結(jié)電流為零。 （ ）（ 4）處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運動形成的。（ ）（ 5）結(jié)型場效應管外加的柵 -源電壓應使柵 -源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其RGS大的特點。（ ）6）若耗盡型 N 溝道 MOS 管的 U GS大于零，則其輸入電阻會明顯變小。 （ ）只供學習與交流資料收集于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán) 請聯(lián)系網(wǎng)站刪除三、寫出下圖所示各電路的輸出電壓值，設(shè)二極管導通電壓四、已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值 UZ6V，穩(wěn)定電流的最小值 IZmin5mA 。求下圖所示電路中 UO1 和 UO2 各為多少伏。只供學習與交流資