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文檔簡介

1、MOSFET損耗計算歐陽引擎(2021.01.01)MOSFET在開關(guān)過程中，會產(chǎn)生一定的損耗，主要包括以下幾 部分：開通損耗開通過程中的電壓、電流和功耗波形近似如下：Pswitch-on = 1/2* VDSiD*(t2-tO)*f導(dǎo)通損耗Pon=Id2 * Rds(on)*Ton*f其中：Rds(on):實際結(jié)溫下的導(dǎo)通電阻，可以通過查閱datasheet中的相關(guān)曲線獲得；Id :導(dǎo)通時的電流有效值；Ton :個周期內(nèi)的導(dǎo)通時間；f：開關(guān)頻率。D:占空比，D = Ton*f。根據(jù)電流的工作模式可以分為下面3種：電流模式波形計算公式常值idPon=Rds(on)*id2 *D()toil/

2、ipeak歐陽引擎創(chuàng)駕/2021.01.010ton電流不連續(xù)Pon= 1/3* Rds(on)*ipeak2 *D電流連續(xù)ipeakl/Pon=l/3*Rds(on)*ipeak 12+ ipeakl*ipeak2+ ipeak2 2*D0ton關(guān)斷損耗關(guān)斷過程中的電壓.電流和功耗波形近似如下:Pswitch-off = 1/2* VDSiD*(t5-t3)*f截止損耗Poff=VDS*IDSS*toff*f其中：VDS :截止時的D-S間的電壓IDSS止時的實際結(jié)溫下的漏電流toff:個周期內(nèi)的截止時間除了以上4種損耗外，門極驅(qū)動和輸出電容也會消耗一定的功門極損耗Pgate=QG*Vgs*

3、 f*RG/(RG+Rdrive)其中：QG :門極充電總電荷RG : MOSFET內(nèi)部門極寄生輸入電阻Rdrive :外接的門極驅(qū)動電阻歐陽引擎創(chuàng)編2021.01.01輸出電容損耗Pcoss = l/2*Co(er)*VDS2*f其中：Co(er):等效輸出電容(能量一定)；VDS :截止時的D-S間的電壓此損耗一般在開關(guān)頻率較高、硬開關(guān)工作時的幅值較高，需要 考慮。有時候MOSFET的內(nèi)部反并寄生二極管會流過電流，也會產(chǎn)生 定的功耗，寄生二極管的功耗Pdiode計算可以參考二極管的 功耗計算方法。綜上，MOSFET的總損耗如下：Ptotal = Pswitch-on + Pon + Pswitch-off + Poff + Pgate + Pcoss+Pdiode,說明：(1) Poff、Pgate. Pcoss這3個損耗在總的損耗中占的比重很 小，設(shè)計時不用重點考慮；2021.01.01(2) 由于電路拓撲、軟開關(guān)技術(shù)

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