第1章 晶閘管的串并聯(lián)和保護

1、2021-6-24電力電子技術(shù)1 第六章第六章 晶閘管的串并聯(lián)和保護晶閘管的串并聯(lián)和保護 第一節(jié)第一節(jié) 晶閘管的串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管的串聯(lián)和并聯(lián) 對較大型的整流裝置，單個晶閘管的電壓對較大型的整流裝置，單個晶閘管的電壓 和電流定額遠不能滿足要求。在高電壓和大電流和電流定額遠不能滿足要求。在高電壓和大電流 的場合，必須把晶閘管的串聯(lián)或并聯(lián)起來應用，的場合，必須把晶閘管的串聯(lián)或并聯(lián)起來應用， 或者晶閘管裝置串聯(lián)或并聯(lián)起來應用?；蛘呔чl管裝置串聯(lián)或并聯(lián)起來應用。 2021-6-24電力電子技術(shù)2 一一. . 晶閘管的串聯(lián)晶閘管的串聯(lián) 目的目的：當晶閘管額定電壓小于要求時，可以串聯(lián)。：當晶閘管額定電壓小于

2、要求時，可以串聯(lián)。 問題問題：理想串聯(lián)希望器件分壓相等，但因特性差：理想串聯(lián)希望器件分壓相等，但因特性差 異，使器件電壓分配不均勻。異，使器件電壓分配不均勻。 靜態(tài)不均壓靜態(tài)不均壓，串聯(lián)的器件流過的漏電流相同，但，串聯(lián)的器件流過的漏電流相同，但 因靜態(tài)伏安特性的分散性，各器件分壓不等。因靜態(tài)伏安特性的分散性，各器件分壓不等。 承受電壓高的器件首先達到轉(zhuǎn)折電壓而導通，使承受電壓高的器件首先達到轉(zhuǎn)折電壓而導通，使 另一個器件承擔全部電壓也導通，失去控制作用。另一個器件承擔全部電壓也導通，失去控制作用。 反向時，可能使其中一個器件先反向擊穿，另一反向時，可能使其中一個器件先反向擊穿，另一 個隨之擊穿

3、。個隨之擊穿。 2021-6-24電力電子技術(shù)3 靜態(tài)均壓措施靜態(tài)均壓措施 選用參數(shù)和特性盡量一致的器件選用參數(shù)和特性盡量一致的器件 采用電阻均壓采用電阻均壓，Rp的阻值應比器件阻斷時的的阻值應比器件阻斷時的 正、反向電阻小得多正、反向電阻小得多 2021-6-24電力電子技術(shù)4 動態(tài)不均壓動態(tài)不均壓由于器件由于器件 動態(tài)參數(shù)和特性的差異造動態(tài)參數(shù)和特性的差異造 成的不均壓。成的不均壓。 動態(tài)均壓措施：動態(tài)均壓措施： 選擇動態(tài)參數(shù)和特性盡選擇動態(tài)參數(shù)和特性盡 量一致的器件。量一致的器件。 用用RC并聯(lián)支路作動態(tài)均并聯(lián)支路作動態(tài)均 壓。壓。 采用門極強脈沖觸發(fā)可采用門極強脈沖觸發(fā)可 以顯著減小器

4、件開通時以顯著減小器件開通時 間上的差異。間上的差異。 2021-6-24電力電子技術(shù)5 器件串聯(lián)時，必須降低電壓的額定值使用：器件串聯(lián)時，必須降低電壓的額定值使用： mTNs UUn)32()9 . 08 . 0( 式中：式中：ns 為串聯(lián)器件數(shù)為串聯(lián)器件數(shù) UTN 為晶閘管額定電壓為晶閘管額定電壓 Um 作用于串聯(lián)器件上的正反向峰值電壓作用于串聯(lián)器件上的正反向峰值電壓 s m s m TN n U n U U) 8 . 32 . 2( ) 9 . 08 . 0( ) 32( 2021-6-24電力電子技術(shù)6 二二. . 晶閘管的并聯(lián)晶閘管的并聯(lián) 目的目的：多個器件并聯(lián)來承擔較大的電流：多個

5、器件并聯(lián)來承擔較大的電流 問題問題：會分別因靜態(tài)和動態(tài)特性參數(shù)的差異而電流：會分別因靜態(tài)和動態(tài)特性參數(shù)的差異而電流 分配不均勻分配不均勻 均流措施均流措施 挑選特性參數(shù)盡量一致的器件挑選特性參數(shù)盡量一致的器件 采用均流電抗器采用均流電抗器 用門極強脈沖觸發(fā)也有助于動態(tài)均流用門極強脈沖觸發(fā)也有助于動態(tài)均流 當需要同時串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時，通常采用先串當需要同時串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時，通常采用先串 后并的方法聯(lián)接后并的方法聯(lián)接 2021-6-24電力電子技術(shù)7 電阻均流電阻均流 均流變壓器均流變壓器 2021-6-24電力電子技術(shù)8 器件并聯(lián)時，必須降低電流的額定值使用：器件并聯(lián)時，必須降低電流的額定值

6、使用： IIn AVTp )0 . 25 . 1 ()9 . 08 . 0( )( 式中：式中：np 為并聯(lián)支路數(shù)為并聯(lián)支路數(shù) IT（ （AV） 為晶閘管額定電流 為晶閘管額定電流 I 為允許過載時晶閘管一組（橋臂）的為允許過載時晶閘管一組（橋臂）的 平均電流平均電流 pp AVT n I n I I) 5 . 27 . 1 ( ) 9 . 08 . 0( ) 0 . 25 . 1 ( )( 2021-6-24電力電子技術(shù)9 電力電力MOSFETMOSFET和和IGBTIGBT并聯(lián)運行的特點并聯(lián)運行的特點 電力電力MOSFET并聯(lián)運行的特點并聯(lián)運行的特點 Ron具有正溫度系數(shù)，具有電流自動均衡

7、的能力，容易具有正溫度系數(shù)，具有電流自動均衡的能力，容易 并聯(lián)并聯(lián) 注意選用注意選用Ron、UT、Gfs和和Ciss盡量相近的器件并聯(lián)盡量相近的器件并聯(lián) 電路走線和布局應盡量對稱電路走線和布局應盡量對稱 可在源極電路中串入小電感可在源極電路中串入小電感,起到均流電抗器的作用起到均流電抗器的作用 IGBT并聯(lián)運行的特點并聯(lián)運行的特點 在在1/2或或1/3額定電流以下的區(qū)段，通態(tài)壓降具有負的額定電流以下的區(qū)段，通態(tài)壓降具有負的 溫度系數(shù)溫度系數(shù) 在以上的區(qū)段則具有正溫度系數(shù)在以上的區(qū)段則具有正溫度系數(shù) 并聯(lián)使用時也具有電流的自動均衡能力，易于并聯(lián)并聯(lián)使用時也具有電流的自動均衡能力，易于并聯(lián) 202

8、1-6-24電力電子技術(shù)10 第二節(jié)第二節(jié) 晶閘管的保護晶閘管的保護 一一. . 晶閘管的過電流及其保護晶閘管的過電流及其保護 晶閘管在規(guī)定的冷卻條件下，晶閘管在規(guī)定的冷卻條件下， 通過通過兩倍兩倍通態(tài)平均電流時，可經(jīng)受的時間為通態(tài)平均電流時，可經(jīng)受的時間為0.5s； 通過通過三倍三倍通態(tài)平均電流時，可經(jīng)受的時間為通態(tài)平均電流時，可經(jīng)受的時間為60ms； 通過通過六倍六倍通態(tài)平均電流時，可經(jīng)受的時間為通態(tài)平均電流時，可經(jīng)受的時間為20ms； 通過通過二十倍二十倍通態(tài)平均電流時，可經(jīng)受的時間為通態(tài)平均電流時，可經(jīng)受的時間為10ms。 浪涌電流浪涌電流ITSM 2021-6-24電力電子技術(shù)11

9、過電流過電流過載和短路兩種情況過載和短路兩種情況 常用措施：常用措施： 快速熔斷器快速熔斷器、直流快速斷路器直流快速斷路器和和過電流繼電器過電流繼電器 同時采用幾種過電流保護措施，提高可靠性和同時采用幾種過電流保護措施，提高可靠性和 合理性合理性 二二. . 過電流保護的一般方法過電流保護的一般方法 2021-6-24電力電子技術(shù)12 電子電路作為第一保護措施，快熔僅作為短電子電路作為第一保護措施，快熔僅作為短 路時的部分區(qū)段的保護，直流快速斷路器整路時的部分區(qū)段的保護，直流快速斷路器整 定在電子電路動作之后實現(xiàn)保護，過電流繼定在電子電路動作之后實現(xiàn)保護，過電流繼 電器整定在過載時動作電器整定

10、在過載時動作 2021-6-24電力電子技術(shù)13 （一）快速熔斷器（快熔）的過載特性與晶閘管的（一）快速熔斷器（快熔）的過載特性與晶閘管的 配合配合 快速熔斷器快速熔斷器是電力電子裝置中最有效、應用最是電力電子裝置中最有效、應用最 廣的一種過電流保護措施廣的一種過電流保護措施 曲線曲線1是是300A快熔快熔的保的保 護特性，表明流過護特性，表明流過快快 熔熔的電流越大，其熔的電流越大，其熔 斷時間越短。當短路斷時間越短。當短路 電流通過時，熔斷時電流通過時，熔斷時 間可縮短到間可縮短到5ms以下。以下。 在額定電流下工作時，在額定電流下工作時， 熔斷時間為無窮大，熔斷時間為無窮大， 可長期工作

11、?？砷L期工作。 2021-6-24電力電子技術(shù)14 曲線曲線2是額定電流是額定電流200A 晶閘管晶閘管的過載特性。在的過載特性。在 交點交點A的左側(cè)，快溶的的左側(cè)，快溶的 熔斷時間小于晶閘管達熔斷時間小于晶閘管達 到額定結(jié)溫所需時間，到額定結(jié)溫所需時間， 快熔起到保護作用。在快熔起到保護作用。在 A點的右側(cè)快熔不起保點的右側(cè)快熔不起保 護作用。護作用。 再考慮到快熔和晶閘管的特性都有分散性，而且還再考慮到快熔和晶閘管的特性都有分散性，而且還 隨溫度而變化，所以快熔用作短路保護是合適的，隨溫度而變化，所以快熔用作短路保護是合適的， 但不宜作過載保護。但不宜作過載保護。 2021-6-24電力電

12、子技術(shù)15 （二）快速熔斷器的主要參數(shù)（二）快速熔斷器的主要參數(shù) 1. 額定電壓額定電壓 根據(jù)熔斷后快熔能實際承受的電壓。根據(jù)熔斷后快熔能實際承受的電壓。 有有250、500、750、1000、1500V五個等級。五個等級。 2 . 額定電流額定電流 指快熔能能長期通過的電流有效值。指快熔能能長期通過的電流有效值。 有有10、50、100、200、350、500、750、1000A。 3 . 允通能量允通能量 通常用通常用 表示。快熔的表示。快熔的 值應值應 小于被保護器件的允許小于被保護器件的允許 值。值。 為保證熔體在正常過載情況下不熔化，應考慮為保證熔體在正常過載情況下不熔化，應考慮 其

13、時間其時間 電流特性。電流特性。 dti 2 dti 2 dti 2 2021-6-24電力電子技術(shù)16 快熔對器件的保護方式：全保護和短路保護兩快熔對器件的保護方式：全保護和短路保護兩 種種 全保護：過載、短路均由快熔進行保護，適全保護：過載、短路均由快熔進行保護，適 用于小功率裝置或器件裕度較大的場合用于小功率裝置或器件裕度較大的場合 短路保護方式：快熔只在短路電流較大的區(qū)短路保護方式：快熔只在短路電流較大的區(qū) 域起保護作用域起保護作用 對重要的且易發(fā)生短路的晶閘管設備，或全控對重要的且易發(fā)生短路的晶閘管設備，或全控 型器件（很難用快熔保護），需采用電子電路型器件（很難用快熔保護），需采用

14、電子電路 進行過電流保護進行過電流保護 常在全控型器件的驅(qū)動電路中設置電子電路過常在全控型器件的驅(qū)動電路中設置電子電路過 電流保護環(huán)節(jié)，響應最快電流保護環(huán)節(jié)，響應最快 2021-6-24電力電子技術(shù)17 （三）快速開關和過流繼電器（三）快速開關和過流繼電器 快速開關都用在直流電路，全分斷時間最快快速開關都用在直流電路，全分斷時間最快 為為10ms。 過流繼電器有直流和交流兩種，動作時間一過流繼電器有直流和交流兩種，動作時間一 般都是幾百毫秒。般都是幾百毫秒。 在容易發(fā)生過流的裝置中，加設在容易發(fā)生過流的裝置中，加設快速開關快速開關或或 過流繼電器過流繼電器。動作值整定得低些，當出現(xiàn)過流時，。動

15、作值整定得低些，當出現(xiàn)過流時， 總是快速開關或過流繼電器首先動作，即使動作總是快速開關或過流繼電器首先動作，即使動作 速度不如快熔，也不致危及晶閘管。此后經(jīng)過復速度不如快熔，也不致危及晶閘管。此后經(jīng)過復 位，又可恢復正常工作。位，又可恢復正常工作。 2021-6-24電力電子技術(shù)18 （四）利用反饋控制作過流保護的原理（四）利用反饋控制作過流保護的原理 (電子電路過電流保護環(huán)節(jié)電子電路過電流保護環(huán)節(jié)) 保護特點保護特點：動作速度比上述任何一種過流：動作速度比上述任何一種過流 保護電器都快。常用于容易發(fā)生短路的設備如逆保護電器都快。常用于容易發(fā)生短路的設備如逆 變器中。但內(nèi)部發(fā)生短路時還得靠快熔

16、來保護。變器中。但內(nèi)部發(fā)生短路時還得靠快熔來保護。 2021-6-24電力電子技術(shù)19 偏移電壓預先整定在偏移電壓預先整定在 使控制角使控制角 90的位的位 置，使整流電壓下降，置，使整流電壓下降， 抑制了短路電流，由抑制了短路電流，由 于電路處于逆變狀態(tài)，于電路處于逆變狀態(tài)， 釋放電抗器中的能量，釋放電抗器中的能量， 直到逆變電壓降低到直到逆變電壓降低到 晶閘管阻斷。晶閘管阻斷。 正常情況下，電流信號小于過電流整定值，電壓正常情況下，電流信號小于過電流整定值，電壓 比較器輸出使控制門開，由給定電壓控制觸發(fā)系統(tǒng)工比較器輸出使控制門開，由給定電壓控制觸發(fā)系統(tǒng)工 作，晶閘管正常導通。作，晶閘管正常

17、導通。 當負載短路或過載時電壓比較器輸出關閉控制門，當負載短路或過載時電壓比較器輸出關閉控制門， 2021-6-24電力電子技術(shù)20 三. 過電壓及過電壓及晶閘管晶閘管的過電壓保護的過電壓保護 （一）幾種主要的過電壓情況（一）幾種主要的過電壓情況 外因過電壓外因過電壓和和內(nèi)因過電壓內(nèi)因過電壓 外因過電壓外因過電壓 主要來自雷擊和系統(tǒng)中的操作過程等外因。主要來自雷擊和系統(tǒng)中的操作過程等外因。 (1) 操作過電壓：由分閘、合閘等開關操作操作過電壓：由分閘、合閘等開關操作 引起。引起。 (2) 雷擊過電壓：由雷擊引起。雷擊過電壓：由雷擊引起。 2021-6-24電力電子技術(shù)21 內(nèi)因過電壓內(nèi)因過電壓

18、 主要來自電力電子裝置內(nèi)部器件的開關過程主要來自電力電子裝置內(nèi)部器件的開關過程 (1) 換相過電壓：晶閘管或與全控型器件反換相過電壓：晶閘管或與全控型器件反 并聯(lián)的二極管在換相結(jié)束后不能立刻恢復阻斷，并聯(lián)的二極管在換相結(jié)束后不能立刻恢復阻斷， 因而有較大的反向電流流過，當恢復了阻斷能因而有較大的反向電流流過，當恢復了阻斷能 力時，該反向電流急劇減小，會由線路電感在力時，該反向電流急劇減小，會由線路電感在 器件兩端感應出過電壓。器件兩端感應出過電壓。 (2) 關斷過電壓：全控型器件關斷時，正向關斷過電壓：全控型器件關斷時，正向 電流迅速降低而由線路電感在器件兩端感應出電流迅速降低而由線路電感在器

19、件兩端感應出 的過電壓。的過電壓。 2021-6-24電力電子技術(shù)22 （二）過電壓保護概述（二）過電壓保護概述 抑制過電壓的方法：抑制過電壓的方法： （1）用非線性元件限制過電壓的幅度；）用非線性元件限制過電壓的幅度； （2）用電阻消耗過電壓的能量；）用電阻消耗過電壓的能量； （3）用儲能元件吸收過電壓的能量。）用儲能元件吸收過電壓的能量。 2021-6-24電力電子技術(shù)23 避雷器避雷器 變壓器靜變壓器靜 電屏蔽層電屏蔽層 靜電感應過靜電感應過 電壓抑制電容電壓抑制電容 2021-6-24電力電子技術(shù)24 閥側(cè)浪涌過電壓閥側(cè)浪涌過電壓 抑制用抑制用RC電路電路 閥側(cè)浪涌過電壓抑制用閥側(cè)浪涌

20、過電壓抑制用 三相整流式三相整流式RC電路電路 2021-6-24電力電子技術(shù)25 壓敏電阻過壓敏電阻過 電壓抑制器電壓抑制器 閥器件換相過電閥器件換相過電 壓抑制用壓抑制用RC電路電路 2021-6-24電力電子技術(shù)26 直流側(cè)直流側(cè)RC 抑制電路抑制電路 閥器件關斷過電壓閥器件關斷過電壓 抑制用抑制用RCD電路電路 電力電子裝置電力電子裝置 可視具體情況只采可視具體情況只采 用其中的幾種。用其中的幾種。 其中其中RC3和和 RCD為抑制內(nèi)因過為抑制內(nèi)因過 電壓的措施，屬于電壓的措施，屬于 緩沖電緩沖電 路范疇。路范疇。 2021-6-24電力電子技術(shù)27 （三）限制過電壓的非線性元件（三）

21、限制過電壓的非線性元件 1. 硒堆硒堆 若干片硒整流元件組成硒堆。具有較陡若干片硒整流元件組成硒堆。具有較陡 的反向非線性特性，當超過轉(zhuǎn)折電壓時，反向電的反向非線性特性，當超過轉(zhuǎn)折電壓時，反向電 流增加很快，消耗較大瞬時功率，過電壓被限制流增加很快，消耗較大瞬時功率，過電壓被限制 在硒堆的反向擊穿電壓。在硒堆的反向擊穿電壓。 每片硒片的額定電壓有效值一般為每片硒片的額定電壓有效值一般為2030V。 硒片的缺點是，長期不用反向電阻會下降。硒片的缺點是，長期不用反向電阻會下降。 初次使用時，必須先加初次使用時，必須先加50%額定電壓額定電壓10min，再，再 加額定電壓加額定電壓2h，才能恢復其原

22、有的反向伏安特，才能恢復其原有的反向伏安特 性。性。 2021-6-24電力電子技術(shù)28 2. 金屬氧化物壓敏電阻金屬氧化物壓敏電阻 擊穿前漏電流為微安級，擊穿前漏電流為微安級， 損耗小。擊穿后能通過數(shù)千安的浪涌電流，但是損耗小。擊穿后能通過數(shù)千安的浪涌電流，但是 每次擊穿流過較大浪涌電流之后，擊穿電壓有所每次擊穿流過較大浪涌電流之后，擊穿電壓有所 降低，因此不宜用于抑制頻繁出現(xiàn)過電壓的場合。降低，因此不宜用于抑制頻繁出現(xiàn)過電壓的場合。 2021-6-24電力電子技術(shù)29 壓敏電阻壓敏電阻的主要參數(shù)：的主要參數(shù)： U1mA 漏電流為漏電流為1mA時的額定電壓值；時的額定電壓值； U 放電電流達

23、到規(guī)定值放電電流達到規(guī)定值 I 使的電壓；使的電壓； 通流容量通流容量在規(guī)定沖擊電流波形下，允許通過的在規(guī)定沖擊電流波形下，允許通過的浪浪 涌電流值；涌電流值； 殘壓殘壓壓敏電阻壓敏電阻通過通過電流時在其兩端的電壓降。電流時在其兩端的電壓降。 非線性元件還有：轉(zhuǎn)非線性元件還有：轉(zhuǎn) 折二極管折二極管BOD、對稱硅、對稱硅過過 電壓抑制器電壓抑制器SSOS等。等。 2021-6-24電力電子技術(shù)30 （四）用非線性元件抑制過電壓（四）用非線性元件抑制過電壓 硒堆硒堆正向為二極管特性，使用時將兩組硒堆正向為二極管特性，使用時將兩組硒堆 反向?qū)樱闺p向具有穩(wěn)壓管特性。反向?qū)?，使雙向具有穩(wěn)壓管特性。

24、 2021-6-24電力電子技術(shù)31 壓敏電阻壓敏電阻： 2021-6-24電力電子技術(shù)32 外因過電壓抑制措施中，外因過電壓抑制措施中，RC過電壓抑制電路最過電壓抑制電路最 為常見，典型聯(lián)結(jié)方式見圖。為常見，典型聯(lián)結(jié)方式見圖。 RC過電壓抑制電路可接于供電變壓器的兩側(cè)過電壓抑制電路可接于供電變壓器的兩側(cè) （供電網(wǎng)一側(cè)稱網(wǎng)側(cè)，電力電子電路一側(cè)稱閥（供電網(wǎng)一側(cè)稱網(wǎng)側(cè)，電力電子電路一側(cè)稱閥 側(cè)），或電力電子電路的直流側(cè)。側(cè)），或電力電子電路的直流側(cè)。 +-+- a)b) 網(wǎng)側(cè) 閥側(cè)直流側(cè) 圖1 -35 CaRa CaRa CdcRdcCdcRdc CaRa CaRa （五）用（五）用RC抑制過電壓

25、抑制過電壓 2021-6-24電力電子技術(shù)33 在變壓器二次側(cè)并聯(lián)電阻電容，可以把變壓器在變壓器二次側(cè)并聯(lián)電阻電容，可以把變壓器 繞組中釋放出的電磁能量轉(zhuǎn)化為電容器的電場能量繞組中釋放出的電磁能量轉(zhuǎn)化為電容器的電場能量 儲存起來。電容器電壓不能突變，有效地抑制過電儲存起來。電容器電壓不能突變，有效地抑制過電 壓。串聯(lián)電阻能消耗部分產(chǎn)生過電壓的能量，并抑壓。串聯(lián)電阻能消耗部分產(chǎn)生過電壓的能量，并抑 制制LC回路的振蕩。回路的振蕩。 2021-6-24電力電子技術(shù)34 大容量電力電子裝置可采用圖示的大容量電力電子裝置可采用圖示的三相整流式三相整流式 RC電路電路（P131圖圖6-9）多用一組三相整

26、流橋，只）多用一組三相整流橋，只 用一個電容，并因只承受直流電壓，可采用體用一個電容，并因只承受直流電壓，可采用體 積小容量大的電解電容，縮小了保護裝置的體積小容量大的電解電容，縮小了保護裝置的體 積。又可避免電容放電增加晶閘管的積。又可避免電容放電增加晶閘管的di/dt。 2021-6-24電力電子技術(shù)35 直流側(cè)保護直流側(cè)保護可采用與交流側(cè)保護相同的方法，可采用與交流側(cè)保護相同的方法， 阻容保護和非線性元件保護。阻容保護和非線性元件保護。 在在晶閘管晶閘管兩端兩端并聯(lián)阻容保護電路并聯(lián)阻容保護電路，抑制晶閘管，抑制晶閘管 關斷過電壓。關斷過電壓。 晶閘管關晶閘管關 斷時，變壓器斷時，變壓器

27、電流可經(jīng)電流可經(jīng)RC續(xù)續(xù) 流，減小流，減小di/dt， 抑制過電壓。抑制過電壓。 電阻可阻尼電阻可阻尼LC 振蕩，限制晶振蕩，限制晶 閘管開通時電閘管開通時電 容放電的容放電的di/dt。 2021-6-24電力電子技術(shù)36 四四. 晶閘管的晶閘管的du/dt和和di/dt承受能力及保護承受能力及保護 （一）電壓上升率（一）電壓上升率du/dt 在阻斷狀態(tài)下，晶閘管的在阻斷狀態(tài)下，晶閘管的J2結(jié)面相當于一個結(jié)面相當于一個 電容，如果突然受到正向陽極電壓，就有充電電電容，如果突然受到正向陽極電壓，就有充電電 流流過門極與陰極的流流過門極與陰極的PN結(jié)，相當于流過一觸發(fā)電結(jié)，相當于流過一觸發(fā)電 流。當正向陽極電壓上升率流。當正向陽極電壓上升率du/dt較大時較大時，充電電充電電 流也較大，就會使晶閘管誤導通。因此對流也較大，就會使晶閘管誤導通。因此對du/dt有有 一定限制。一定限制。 2021-6-24電力電子技術(shù)37 電壓上升率電壓上升率du/dt過大的原因：過大的原因： 1.由電網(wǎng)侵入的過電壓。由電網(wǎng)侵入的過電壓。 2.換相時相當于線電壓短路，換相結(jié)束后線電壓換相時相當于線電壓短路，換相結(jié)束后線電壓 又