2020屆高三化學(xué)一輪考點(diǎn)精講精析(15)：晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

1、2021屆高三化學(xué)一輪考點(diǎn)精講精析(15):晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)考點(diǎn)15晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)考點(diǎn)聚焦1了解晶體與非晶體的區(qū)不2了解常見(jiàn)晶體類型及不同類型晶體的要緊性質(zhì)3把握關(guān)于晶胞的簡(jiǎn)單運(yùn)算知識(shí)梳理一、晶體特點(diǎn)及分類：(1) 晶體是內(nèi)部微粒 (原子、離子、分子 )在空間按一定規(guī)那么做 構(gòu)成的物質(zhì)，晶體區(qū)不于非晶體的三個(gè)特點(diǎn)是： 具有的幾何外形，各向和具有固定的。(2) 依照晶體內(nèi)部微粒的 的微粒間 的不同能夠?qū)⒕w分為通過(guò)離子鍵形成的 晶體，以金屬鍵差不多作用形成的 晶體，通過(guò)價(jià)鍵形成的晶體和通過(guò)分子間相互作用形成的 晶體。(3) 常見(jiàn)晶體類型比擬：、晶體類型 類型、 比擬分子晶體原子晶體離子晶體金屬晶體

2、構(gòu)成晶體微粒形成晶體微粒間作用力作用力大小決定因素物 理 性 質(zhì)熔沸點(diǎn)硬度導(dǎo)電性傳熱性延展性溶解性典型實(shí)例P4、干冰、硫金剛石、Si02NaCI、KOH、NH4CI金屬單質(zhì)二、晶體的堆積模型分子晶體中分子間盡可能采納緊密排列方式，分子的排列方式與其形狀的關(guān)；離子晶體可視為不等徑圓球的密堆積，離子晶體中正負(fù)離子的配位數(shù)要緊由正負(fù)電荷的幾何因素、正負(fù)電荷的 電荷因素以及離子鍵的純粹程度鍵性因素決定；金屬晶體的結(jié)構(gòu)能夠歸結(jié)為等徑圓球的堆積，可分為Po的簡(jiǎn)單立方堆積、 _型、_型和_型。三、晶胞1.概念：描述叫做晶胞；整塊晶體由晶胞無(wú)隙并置而成；晶胞中 Ti、0、Ca原子數(shù)分不為 _、_、_;晶 胞中

3、A、B、C、D原子數(shù)分不為 、。17t 0 Ob：_yi ；O-711 1/ *TCO 2常見(jiàn)晶體的結(jié)構(gòu)在金剛石的晶體結(jié)構(gòu)中每個(gè)碳原子與周?chē)?個(gè)碳原子形成四個(gè)碳碳單鍵， 這5個(gè)碳原子形成的是結(jié)構(gòu)，兩個(gè)碳碳單鍵的鍵角為，其中的碳原子采取雜化,金剛石晶體中C原子數(shù)與C-C鍵數(shù)之比為,晶體中最小的環(huán)上上的碳原子數(shù)為石墨晶體中C原子數(shù)與C-C鍵數(shù)之比為；NaCI晶體中Na+的配位數(shù)為,CI-的配位數(shù)為 _，每個(gè)Na+的周?chē)嚯x最近且相等的Na+的個(gè)數(shù)為 _, CsCI數(shù)為, CI-的配位數(shù)為，每個(gè)Cs+的周?chē)嚯x最近且相等的Cs+的個(gè)數(shù)為 ;二氧化硅晶體中每個(gè)硅原子與個(gè)氧原子相連，在二氧化硅晶體中最

4、小的環(huán)中有個(gè)原子，1mol二氧化硅晶體中，Si-0的數(shù)目為晶體中Cs+的配位摸索：右圖是二氧化硅晶體的一局部，立方體體心的黑點(diǎn)表示一個(gè)硅原子,在圖中畫(huà)出與硅原子相連的氧原子所在的位置。、晶體熔、沸點(diǎn)上下比擬不同類型的晶體：一樣而言，熔、沸點(diǎn)上下順序?yàn)樵泳w離子晶體和金屬晶體 分子晶體(2)同類晶體： 原子晶體的熔、沸點(diǎn)取決于共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)和鍵能，鍵長(zhǎng)越短、鍵越大，熔、沸點(diǎn)越高，如金剛石 金剛砂 晶體硅 離子晶體的熔、沸點(diǎn)取決于離子鍵的強(qiáng)弱，通常離子半徑越小、離子所帶電荷數(shù)大，離子鍵越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)高，如KFKCIKBr、NaCIKCI ；晶格能是指 形成1摩離子晶體開(kāi)釋的能量，通常取正值，晶格能

5、越大，形成的離子晶體越，且熔沸點(diǎn) 分子晶體的熔、沸點(diǎn)取決于分子間作用力的大小，通常分子極性越強(qiáng)、 相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔、沸越高，有氫鍵的分子晶體，還要考慮氫鍵的強(qiáng)弱 同類金屬晶體中，金屬離子半徑越小，陽(yáng)離子帶電荷數(shù)越高，金屬鍵越強(qiáng)，熔、沸點(diǎn)越高，如 LiNaK， NaMgCaOC.熔點(diǎn)：NaINaBrD.熔沸點(diǎn)：CO2NaCl解析：離子半徑 Cl-NaBr，晶格能 NaCINaBr，A項(xiàng)錯(cuò)誤；MgO、CaO均為離子晶體，離子半徑 Mg2+Ca2+， MgO中離子鍵強(qiáng)，鍵能大，晶格能大，硬度大，B正確；C類似；D中CO2分子晶體，NaCI是離子晶體，熔沸點(diǎn)：CO2NaCI答案：B【例5】金屬能導(dǎo)電的緣故是A.金屬晶體中金屬陽(yáng)離子與自由電子間的相互作用較弱B 金屬晶體中的自由電子在外加電場(chǎng)作用下可發(fā)生定向移動(dòng)C 金屬晶體中的金屬陽(yáng)離子在外加電場(chǎng)作用下可發(fā)生定向移動(dòng)D 金屬晶體在外加電場(chǎng)作用下可失去電子解析：金屬晶體中金屬陽(yáng)離子與自由電子間的相互作用屬于靜電作用，是強(qiáng)烈的相互作用，A錯(cuò)誤；金屬晶體在外加電場(chǎng)作用下電子定向移動(dòng)，可不能失去。答案：B【例6】現(xiàn)有甲、乙、丙、丁四種晶胞如下列圖，可推知：甲晶體中 A與B的離子個(gè)數(shù)比為;乙晶體的化學(xué)式為 ;丙晶體的化學(xué)式為 ; 丁晶體的化學(xué)式為丁解析：立方晶胞體心的微粒一個(gè)晶胞所有,面心的微粒為兩個(gè)晶胞