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1、4.4 電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系 習(xí)慣用電阻率來討論問題(四探針法)習(xí)慣用電阻率來討論問題(四探針法)2*2*22*nnnnpppppnnpnpnqnnqmpqpqmpqnqnqpqmm型型混合形1111()nnppnpiinpnnqpqnqpqn qq型()型()混合型()本征()室溫下,本征硅的室溫下,本征硅的 約為約為2.3105cm,本征鍺,本征鍺(禁寬?。ń麑捫。?約為約為47cm。電阻率決定于載流子濃度和遷移率,與雜質(zhì)濃度電阻率決定于載流子濃度和遷移率,與雜質(zhì)濃度和溫度有關(guān)。和溫度有關(guān)。 4.4.1 電阻率和雜質(zhì)濃度的關(guān)系電阻率和雜質(zhì)濃度的
2、關(guān)系圖圖4-15是鍺、硅和砷化鎵(溫度定)是鍺、硅和砷化鎵(溫度定)300K時(shí)時(shí) 隨隨雜質(zhì)變化的曲線(非補(bǔ)償或輕補(bǔ)償)。雜質(zhì)變化的曲線(非補(bǔ)償或輕補(bǔ)償)。 A:輕摻(雜質(zhì)濃度:輕摻(雜質(zhì)濃度10161018cm-3),), 遷移率隨雜質(zhì)濃度的變化較小遷移率隨雜質(zhì)濃度的變化較小1iN 雜質(zhì)濃度增高時(shí),雜質(zhì)濃度增高時(shí),非線性曲線。非線性曲線。原因:原因:一是雜質(zhì)在室溫下不能全部電離,重?fù)诫s的簡(jiǎn)一是雜質(zhì)在室溫下不能全部電離,重?fù)诫s的簡(jiǎn)并半導(dǎo)體中情況更加嚴(yán)重;并半導(dǎo)體中情況更加嚴(yán)重; 二是遷移率隨雜質(zhì)濃度的增加將顯著下降。二是遷移率隨雜質(zhì)濃度的增加將顯著下降。由電阻率可確定所含雜質(zhì)的濃度。材料越純,電
3、由電阻率可確定所含雜質(zhì)的濃度。材料越純,電阻率越高(不適于高度補(bǔ)償?shù)牟牧希W杪试礁撸ú贿m于高度補(bǔ)償?shù)牟牧希?.4.2 4.4.2 電阻率隨溫度的變化電阻率隨溫度的變化1npnqpq()iTnu不變1)本征半導(dǎo)體)本征半導(dǎo)體2)摻雜半導(dǎo)體)摻雜半導(dǎo)體:雜質(zhì)電離、本征激發(fā)同時(shí):雜質(zhì)電離、本征激發(fā)同時(shí)存在,電離雜質(zhì)散射和晶格散射機(jī)構(gòu)的存在,電存在,電離雜質(zhì)散射和晶格散射機(jī)構(gòu)的存在,電阻率隨溫度的變化關(guān)系復(fù)雜。(阻率隨溫度的變化關(guān)系復(fù)雜。(AB BC C三段)三段)硅硅 與與T關(guān)系關(guān)系0 ABCTAB段段 溫度很低,本征激發(fā)可忽略,載流子主溫度很低,本征激發(fā)可忽略,載流子主要由雜質(zhì)電離提供,它隨溫
4、度升高而增加;散射要由雜質(zhì)電離提供,它隨溫度升高而增加;散射主要由電離雜質(zhì)決定,遷移率也隨溫度升高而增主要由電離雜質(zhì)決定,遷移率也隨溫度升高而增大,所以,電阻率隨溫度升高而下降。大,所以,電阻率隨溫度升高而下降。T*3/23/21iqBNmATT硅硅 與與T關(guān)系關(guān)系0 ABCTBC段段 溫度繼續(xù)升高,雜質(zhì)全部電離,本征激發(fā)溫度繼續(xù)升高,雜質(zhì)全部電離,本征激發(fā)還不十分顯著,載流子基本上不隨溫度變化,晶還不十分顯著,載流子基本上不隨溫度變化,晶格振動(dòng)散射上升為主要矛盾,遷移率隨溫度升高格振動(dòng)散射上升為主要矛盾,遷移率隨溫度升高而降低,所以,電阻率隨溫度升高而增大。而降低,所以,電阻率隨溫度升高而增
5、大。*3/23/21iqBNmATT硅硅 與與T關(guān)系關(guān)系0 ABCT C段段 溫度繼續(xù)升高,溫度繼續(xù)升高,本征激發(fā)很快增加本征激發(fā)很快增加,大量,大量本征載流子的產(chǎn)生超過遷移率減小對(duì)電阻率的影本征載流子的產(chǎn)生超過遷移率減小對(duì)電阻率的影響,雜質(zhì)半導(dǎo)體的電阻率將隨溫度的升高而急劇響,雜質(zhì)半導(dǎo)體的電阻率將隨溫度的升高而急劇地下降,表現(xiàn)出同地下降,表現(xiàn)出同本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體相似的特征。相似的特征。*3/23/21iqBNmATT硅硅 與與T關(guān)系關(guān)系0 ABCT 電阻率與材料性質(zhì)有關(guān),禁帶寬度越大,同一溫電阻率與材料性質(zhì)有關(guān),禁帶寬度越大,同一溫度下的本征載流子濃度就越低,進(jìn)入本征導(dǎo)電的溫度下的本征載流子濃度就越低,進(jìn)入本征導(dǎo)電的溫度也越高度也越高
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