磁控濺射操作流程及注意事項

1、磁控濺射操作流程及注意事項一、打開冷卻水箱電源（注：水箱電源是設備的總電源。）檢查水壓是否足夠大（O.IMPa）,水壓控制器是否起作用。二、放氣2.1 確認磁控濺射室內部溫度己經冷卻到室溫；2.2 檢查所有閥門是否全部處于關閉狀態(tài)；2.3 磁控濺射室的放氣閥是V2,放氣時旋鈕緩慢打開，這可以保證進入氣流不會太大;2.4 放氣完畢將氣閥關緊。三、裝卸試樣與靶材1.1 打開B柜總電源（在B9面板上），電源三相指示燈全亮為正常。1.2 提升或降落（B4 “升”或“降”）樣品臺要注意點動操作，不要連續(xù)操作。3.3 裝卸試樣與靶材要戴一次性薄膜手套，避免油污、灰塵等污染。1.4 磁控靶屏蔽罩與陰極間距為

2、2-3亳米，屏蔽罩與陰極應該為斷路狀態(tài)。3.5裝 我試樣要注意試驗所用樣品座位置與檔板上濺射孔的對應，并記錄樣品座的編號及目前所 對應的靶位。1.6 降落樣品臺時要注意樣品臺與濺射室的吻合，并用工業(yè)酒精擦洗干凈樣品臺與濺 射室的配合面。四、抽真空4. 1確認D面板“熱電偶測量選擇”指示“ I ”時；4. 2確認閘板閥G2、G4已經關 閉：4. 3打開B4上“機械泵I ”，再打開氣閥VI,開始抽低真空。4.1 打開B3面板的電源開關，同時關閉“復合”鍵?？梢詮腂3-1處觀察低真空度。 （低真空測量下限為0. IPa）。當真空度小于5Pa可以開始抽高真空。4.2 關閉氣閥VI,打開B4上“電磁閥I

3、 ”（確認聽到響聲表示電磁閥已開）4.3 打開B8面板的磁控室分子泵電源，按下“STARL犍，按下FUNC/DATA鍵，數(shù)字開始逐步上升，等大于H100.0后打開閘板閥G1,隨后分子泵速上升并穩(wěn)定到H400. 0。4.4 磁控室的高真空度在B2面板顯示，不要一直開著高真空的測量，也不要頻繁開 關，通常每隔1-2小時可打開觀察一次，等示數(shù)穩(wěn)定后再關閉（一般不超過3分鐘）。五、充氣5.1確認高真空度達到了-4、-5的數(shù)量級，在充氣之前必須關閉高真空計；5. 2打開A1面板上MFC電源，預熱3分鐘；5.1 稍關閉閘板閥G1到一定程度，但不要完全關緊5.2 打開V4、V6 （若是二路進氣，V5應和V6

4、同時打開）閥門5.5將控制閥扳到 “閥控”位置5. 6打開氣瓶閥門，稍旋緊減壓閥至壓力示數(shù)為0. IMPa即可；5. 7調節(jié)MFC閥控的 設定（一般在30左右），再進一步關緊閘板閥使得低真空（B3-1）讀數(shù)接近所需的濺射壓強，然后通過微調MFC閥控得到所需的濺射壓強。六、濺射6.1確認濺射靶位電源已經連接。6.2確認定位銷已經脫開。6. 3直流濺射6. 3.1打開電源開關，調節(jié)旋鈕至電壓達到一定值（一般不超過0.3kv）,直流可以 順利啟輝，此時電流開始有數(shù)值。1.3.2 電壓與電流乘積為功率值，可繼續(xù)調節(jié)旋鈕到所需濺射功率，但是要小于160W。1.3.3 直流濺射的關閉：調節(jié)旋鈕至最小，關閉

5、電源。6.4射頻濺射6. 4. 1打開Uf預熱5分鐘6.1 .2面板E或F上的量程按鈕設定為200/406.2 .3打開Ua,并通過粗調與微調Ua,接近設定工藝功率，然后通過匹配調節(jié)，即 調整面板E或F上的C1和C2,得到所需濺射功率。匹配的調整規(guī)定如下：F為設定功率（小于160W） , R要小于1.5或F的8船 對于絕 緣材料，在滿足F功率的要求下，R要盡量小，且最大不能超過F的15%。6.3 .4射頻濺射的關閉：粗調與微調Ua關到最小一關閉Ua等待3min-關閉此。 注：連續(xù)濺射一小時后需暫停濺射，關閉氣路，等抽真空30分鐘后再重新充氣濺射。七、濺射結束6.4 關閉氣瓶閥門，旋松減壓閥至壓

6、力示數(shù)為0：6.5 將MFC閥開關置于“關閉”位，并將流量調至零，然后關閉電源開關；7.3關 閉V6和V4閥門（若是二路進氣,V5應和V6同時關閉）；7.4打開閘板閥，繼續(xù)抽真空 30分鐘后關閉閘板閥；6.6 關閉分子泵：按下“STOP”鍵一等待分子泵速下降到H100.0以下一關閉電源。7. 6關閉電磁閥I與機械泵Io7.7等30分鐘后，關冷卻水電源。八、其他操作說明8.1 加負偏壓加偏壓方法：打開偏壓電源，調整偏壓為200V即可。偏壓要在開始鍍膜之前施加。8. 2基板加熱8.1 1確認熱偶回路、加熱回路連接正常，完好；8.2.2打開加熱電源L設定加熱溫度，調整電流加熱；8.2.3結束加熱：先

7、將電流 調到最小，然后關閉電源。九、清理工作及離開注意事項9.1 將所用工具放回原處，整理室內衛(wèi)生：9.2在離開之前，應確認拉閘斷電，關 閉門窗。十、緊急情況處理突然停電后的措施：盡快關閉閘板閥，然后關閉各路氣閥，關閉電路按鈕開關。進樣室加熱退火操作流程及注意事項一、打開冷卻水箱電源（注：水箱電源是設備的總電源。）檢查水壓是否足夠大（O.IMPa）,水壓控制器是否起作用。二、放氣9.2 確認進樣室內部溫度已經冷卻到室溫；9.3 檢查所有閥門是否全部處于關閉狀態(tài)；9.4 進樣室的放氣閥是V8,放氣時旋鈕緩慢打開，這可以保證進入氣流不會太大； 2.4放氣完畢將氣閥關緊。三、裝卸樣品3.1 打開進樣

8、室門，將樣品朝下，送入退火爐內，使樣品托的尖端插入圓形槽內，保 證樣品托與退火爐平行：3.2 關閉進樣室門并鎖緊旋鈕。四、抽真空4. 1確認閘板閥G2、G4已經關閉4.2打開B5面板上“機械泵網(wǎng)”，再打開氣閥V9, 開始抽低真空。4.3 打開B3面板的電源開關，同時關閉“復合”鍵?？梢詮腂3-2處觀察低真空度。 （低真空測量下限為0. IPa）。當真空度小于5Pa可以開始抽高真空。4.4 關閉氣閥V9,打開B4上“電磁閥III” （確認聽到響聲表示電磁閥已開）;4.5 打開B7面板的進樣室分子泵電源，按下“工作”鍵，高速/轉速指示燈亮，隨后分子泵速上升并穩(wěn)定到704,然后打開閘板閥G3,。4.

9、6 進樣室的高真空度在B3-2面板顯示（復合鍵燈亮，測量值為高真空度），不要直開著高真空的測量，也不要頻繁開關，通常1小時后可達到4x10-3Pa,打開后等示 數(shù)穩(wěn)定后再關閉（一般不超過1分鐘）五、加熱退火5.1 確認熱偶回路、加熱回路連接正常，完好；5.2 打開對應加熱電源，設定加熱溫度，調整電流加熱；5.3結束加熱：先將電流 調到最小，然后關閉電源。六、結束6. 1關閉閘板閥：6.2關閉分子泵：按下“工作”健一等待分子泵速下降到0關閉電源；7.6關閉電 磁閥HI與機械泵III： 7. 7等1小時后，關冷卻水電源。七、清理工作及離開注意事項9.1將所用工具放回原處，整理室內衛(wèi)生：9.2在離開

10、之前，應確認拉閘斷電，關 閉門窗。八、緊急情況處理突然停電后的措施：盡快關閉閘板閥，關閉電路按鈕開關。附：簡單操作步驟一、磁控濺射1. 1 1.2 1. 3 1.4 1.5準備工作：打開冷卻水箱電源一打開V2放氣一關閉V2 -打開磁控室裝樣品與 靶材一關閉磁控室抽真空：開機械泵I -打開VI氣閥至低真空小于5Pa -關閉VI氣閥一開電 磁閥I -開分子泵-至轉速大于H100. 0 -打開閘板閥G1充氣：打開MFC預熱3分 鐘一稍關閉閘板閥G1 -打開V4 打開V6 （或V5）-將MFC打到“閥控” 一打 開氣瓶一關緊閘板閥G1 調節(jié)MFC濺射：打開電源開關一調節(jié)功率至啟輝濺射結束：將功率調至最

11、小一關閉電源一關閉氣瓶-關MFC 一關V6 （或V5） 關丫4 f打開閘板閥G1 -抽真空30分鐘一關閉閘板閥一關閉分子泵一關閉 電磁閥I 關機械泵I - 30分鐘后關冷卻水電源整理工作：整理儀器和衛(wèi)生一拉閘 斷電，關閉門窗1.6二、進樣室退火2. 1 2. 2 2. 3 2. 4 2. 5準備工作：打開冷卻水箱電源一打開V2放氣一關閉V2 -打開進樣室裝樣品一 關閉進樣室抽真空：開機械泵III -打開V9氣閥一至低真空小于5Pa 關閉V9氣閥一開 電磁閥HI 一開分子泵一至轉速穩(wěn)定704 -打開閘板閥G3加熱：打開電源一設定 加熱程序一調整電流開始加熱加熱結束：將電流調至最小一關閉電源一關閉閘板閥一關閉分子泵一關閉電 磁閥HI -關機械泵III - 1小時后關冷卻水電源整理工作：整理儀器和衛(wèi)生一拉 閘斷電，關閉門窗附：SR93溫度控制器說明書（進樣室退火和磁控室基板加熱）1.打開電源，按GRP,進入Prog （程序）設置：Stepl （升溫曲線）：*按“step”調加熱溫度（）,按“Ent”確認:*按“ ”調升溫時間（小時），按“Ent”確認;Step2 （保溫曲線）：重復上述步驟Step3 （降溫曲線）：重復上述步驟（但一般都 隨爐冷卻，保溫時間到后直接關電源即可）2.設定完程序，退