ch9二極管和晶體管

1、第第 9 章章 半導(dǎo)體二極管和三極管半導(dǎo)體二極管和三極管9.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管 9.3 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管9.4 半導(dǎo)體三極管半導(dǎo)體三極管9.1 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性退出退出第第 9 章章 半導(dǎo)體二極管和三極管半導(dǎo)體二極管和三極管9.1 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 本征半導(dǎo)體就是完全純凈的、具本征半導(dǎo)體就是完全純凈的、具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。 9.1.1 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體 自由電子自由電子空穴空穴共價(jià)鍵共價(jià)鍵SiSiSiSi本征半導(dǎo)體中自由本征半導(dǎo)體中自由電子和空穴的形成電子和空穴的形成 用得最多的半導(dǎo)體是硅或鍺用得最多的半導(dǎo)體是硅或鍺,它它們都是四

2、價(jià)元素。將硅或鍺材料提純們都是四價(jià)元素。將硅或鍺材料提純并形成單晶體后，便形成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。并形成單晶體后，便形成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。在獲得一定能量在獲得一定能量( (熱、光等熱、光等) )后，少量后，少量?jī)r(jià)電子即可掙脫價(jià)電子即可掙脫共價(jià)鍵的束縛成為共價(jià)鍵的束縛成為自自由電子由電子，同時(shí)在共價(jià)鍵中就留下一個(gè)，同時(shí)在共價(jià)鍵中就留下一個(gè)空位，稱為空位，稱為空穴空穴。自由電子和空穴總。自由電子和空穴總是成對(duì)出現(xiàn)，同時(shí)又不斷復(fù)合。是成對(duì)出現(xiàn)，同時(shí)又不斷復(fù)合。在外電場(chǎng)的作用下，在外電場(chǎng)的作用下，自由電子逆著電場(chǎng)方向定自由電子逆著電場(chǎng)方向定向運(yùn)動(dòng)形成向運(yùn)動(dòng)形成電子電流電子電流。帶。帶正電的空穴吸引相鄰原子正電的空穴

3、吸引相鄰原子中的價(jià)電子來(lái)填補(bǔ)，而在中的價(jià)電子來(lái)填補(bǔ)，而在該原子的共價(jià)鍵中產(chǎn)生另該原子的共價(jià)鍵中產(chǎn)生另一個(gè)空穴?？昭ū惶钛a(bǔ)和一個(gè)空穴。空穴被填補(bǔ)和相繼產(chǎn)生的現(xiàn)象，可以看相繼產(chǎn)生的現(xiàn)象，可以看成空穴順著電場(chǎng)方向移動(dòng)，成空穴順著電場(chǎng)方向移動(dòng)，形成形成空穴電流空穴電流?？梢?jiàn)在半導(dǎo)體中有可見(jiàn)在半導(dǎo)體中有自由自由電子電子和和空穴空穴兩種載流子，它兩種載流子，它們都能參與導(dǎo)電。們都能參與導(dǎo)電?？昭ㄒ苿?dòng)方向空穴移動(dòng)方向 電子移動(dòng)方向電子移動(dòng)方向 SiSiSiSiSiSiSi9.1.2 N 型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體1. N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體在硅或鍺的晶體中摻入五價(jià)元素磷，當(dāng)某一個(gè)硅原在硅或鍺的

4、晶體中摻入五價(jià)元素磷，當(dāng)某一個(gè)硅原子被磷原子取代時(shí)，磷原子的五個(gè)價(jià)電子中只有四個(gè)用子被磷原子取代時(shí)，磷原子的五個(gè)價(jià)電子中只有四個(gè)用于組成共價(jià)鍵，多余的一個(gè)很容易掙脫磷原子核的束縛于組成共價(jià)鍵，多余的一個(gè)很容易掙脫磷原子核的束縛而成為自由電子。因而自由電子的數(shù)量大大增加，是多而成為自由電子。因而自由電子的數(shù)量大大增加，是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子，將這種半導(dǎo)體稱為數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子，將這種半導(dǎo)體稱為 N 型型半導(dǎo)體。半導(dǎo)體。 SiSiSiSiSiSiSiP多余價(jià)電子多余價(jià)電子本征半導(dǎo)體中由于本征半導(dǎo)體中由于載流子數(shù)量極少，導(dǎo)電載流子數(shù)量極少，導(dǎo)電能力很低。如果在其中能力很低。如果在其中

5、參入微量的雜質(zhì)參入微量的雜質(zhì)( (某種元某種元素素) )將使其導(dǎo)電能力大大將使其導(dǎo)電能力大大增強(qiáng)。增強(qiáng)。2. P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 在硅或鍺的晶體中在硅或鍺的晶體中摻入三價(jià)元素硼，在組摻入三價(jià)元素硼，在組成共價(jià)鍵時(shí)將因缺少一成共價(jià)鍵時(shí)將因缺少一個(gè)電子而產(chǎn)生一個(gè)空位，個(gè)電子而產(chǎn)生一個(gè)空位，相鄰硅原子的價(jià)電子很相鄰硅原子的價(jià)電子很容易填補(bǔ)這個(gè)空位，而容易填補(bǔ)這個(gè)空位，而在該原子中便產(chǎn)生一個(gè)在該原子中便產(chǎn)生一個(gè)空穴，使空穴的數(shù)量大空穴，使空穴的數(shù)量大大增加，成為多數(shù)載流大增加，成為多數(shù)載流子，電子是少數(shù)載流子，子，電子是少數(shù)載流子，將這種半導(dǎo)體稱為將這種半導(dǎo)體稱為 P 型型半導(dǎo)體。半導(dǎo)體。 SiSi

6、SiSiSiSiSiB空位空位B空穴空穴價(jià)電子填補(bǔ)空位價(jià)電子填補(bǔ)空位9.1.3 PN 結(jié)及其單向?qū)щ娦越Y(jié)及其單向?qū)щ娦?. PN 結(jié)的形成結(jié)的形成 用專門的制造工藝在同一塊半導(dǎo)體單晶上，形成用專門的制造工藝在同一塊半導(dǎo)體單晶上，形成 P 型半型半導(dǎo)體區(qū)域和導(dǎo)體區(qū)域和 N 型半導(dǎo)體區(qū)域，在這兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成型半導(dǎo)體區(qū)域，在這兩個(gè)區(qū)域的交界處就形成了一個(gè)特殊的薄層，稱為了一個(gè)特殊的薄層，稱為 PN 結(jié)。結(jié)。 P 區(qū)區(qū)N 區(qū)區(qū)N區(qū)的電子向區(qū)的電子向P區(qū)擴(kuò)散并與空穴復(fù)合區(qū)擴(kuò)散并與空穴復(fù)合PN 結(jié)結(jié)內(nèi)電場(chǎng)方向內(nèi)電場(chǎng)方向2. PN 結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦? (1) ) 外加正向電壓外加正向電壓

7、內(nèi)電場(chǎng)方向內(nèi)電場(chǎng)方向E外電場(chǎng)方向外電場(chǎng)方向RIP 區(qū)區(qū)N 區(qū)區(qū)外電場(chǎng)驅(qū)使外電場(chǎng)驅(qū)使P區(qū)的空穴進(jìn)入空間區(qū)的空穴進(jìn)入空間電荷區(qū)抵消一部分負(fù)空間電荷電荷區(qū)抵消一部分負(fù)空間電荷N區(qū)電子進(jìn)入空間電荷區(qū)區(qū)電子進(jìn)入空間電荷區(qū)抵消一部分正空間電荷抵消一部分正空間電荷空間電荷區(qū)變窄空間電荷區(qū)變窄 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，形擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，形成較大的正向電流成較大的正向電流P 區(qū)區(qū)N 區(qū)區(qū)內(nèi)電場(chǎng)方向內(nèi)電場(chǎng)方向ER空間電荷區(qū)變寬空間電荷區(qū)變寬 外電場(chǎng)方向外電場(chǎng)方向IR2. 外加反向電壓外加反向電壓外電場(chǎng)驅(qū)使空間電荷區(qū)兩側(cè)的空穴和自由電子移走外電場(chǎng)驅(qū)使空間電荷區(qū)兩側(cè)的空穴和自由電子移走少數(shù)載流子越過(guò)少數(shù)載流子越過(guò) PN 結(jié)結(jié)形成

8、很小的反向電流形成很小的反向電流 多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)難于進(jìn)行多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)難于進(jìn)行返回返回9.2 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管9.2.1 基本結(jié)構(gòu)基本結(jié)構(gòu) 將將 PN 結(jié)加上相應(yīng)的電極引線和管殼，就成為半導(dǎo)體二極結(jié)加上相應(yīng)的電極引線和管殼，就成為半導(dǎo)體二極管。按結(jié)構(gòu)分，有點(diǎn)接觸型和面接觸型兩類。管。按結(jié)構(gòu)分，有點(diǎn)接觸型和面接觸型兩類。點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型表示符號(hào)表示符號(hào)正極正極負(fù)極負(fù)極金銻合金金銻合金面接觸型面接觸型N型鍺型鍺 正極引線正極引線負(fù)極引線負(fù)極引線 PN 結(jié)結(jié)底座底座鋁合金小球鋁合金小球引線引線觸絲觸絲N 型鍺型鍺外殼外殼9.2.2 伏安特性伏安特性 二極管和二極管和 PN 結(jié)一樣

9、，具有單向?qū)щ娦?，由伏安特性曲線結(jié)一樣，具有單向?qū)щ娦?，由伏安特性曲線可見(jiàn)，當(dāng)外加正向電壓很低時(shí)，電流很小，幾乎為零。正向電可見(jiàn)，當(dāng)外加正向電壓很低時(shí)，電流很小，幾乎為零。正向電壓超過(guò)一定數(shù)值后，電流很快增大，將這一定數(shù)值的正向電壓壓超過(guò)一定數(shù)值后，電流很快增大，將這一定數(shù)值的正向電壓稱為死區(qū)電壓。通常，硅管的死區(qū)電壓約為稱為死區(qū)電壓。通常，硅管的死區(qū)電壓約為0.5V，鍺管約為，鍺管約為0.1V。導(dǎo)通時(shí)的正向壓降，硅管約為。導(dǎo)通時(shí)的正向壓降，硅管約為0.6 0.7V，鍺管約為，鍺管約為0.2 0.3V。604020 0.02 0.0400.4 0.82550I / mAU / V正向特性正向特

10、性硅管的伏安特性硅管的伏安特性死區(qū)電壓死區(qū)電壓擊穿電壓擊穿電壓U(BR)反向特性反向特性I / mAU / V0.20.4 25 50510150.010.02鍺管的伏安特性鍺管的伏安特性0 在二極管上加反向電壓時(shí)，反向電流很小。但當(dāng)反向電在二極管上加反向電壓時(shí)，反向電流很小。但當(dāng)反向電壓增大至某一數(shù)值時(shí)，反向電流將突然增大。這種現(xiàn)象稱為壓增大至某一數(shù)值時(shí)，反向電流將突然增大。這種現(xiàn)象稱為擊穿，二極管失去單向?qū)щ娦?。產(chǎn)生擊穿時(shí)的電壓稱為反向擊穿，二極管失去單向?qū)щ娦?。產(chǎn)生擊穿時(shí)的電壓稱為反向擊穿電壓擊穿電壓 U(BR)。9.2.3 主要參數(shù)主要參數(shù) 1. 最大整流電流最大整流電流 IOM 最大

11、整流電流是指二極管長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)，允許流過(guò)二極管最大整流電流是指二極管長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。的最大正向平均電流。 2. 反向工作峰值電壓反向工作峰值電壓 URWM 它是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是它是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是反向擊穿反向擊穿電壓的一半或三分之二。電壓的一半或三分之二。 3. 反向峰值電流反向峰值電流 IRM它是指二極管上加反向工作峰值電壓時(shí)的反向電流值。它是指二極管上加反向工作峰值電壓時(shí)的反向電流值。 二極管電路分析舉例二極管電路分析舉例 定性分析：定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)判斷二極管的工作狀態(tài)導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止

12、 若二極管是理想的，若二極管是理想的，例例1：D6V12V3k BAUAB+例例2:mA43122D IBD16V12V3k AD2UAB+ 例例 3 在圖中，輸入電位在圖中，輸入電位 VA = + 3 V， VB = 0 V， 電阻電阻 R 接負(fù)電源接負(fù)電源 12 V。求輸出端電位。求輸出端電位 VY。 解解 因?yàn)橐驗(yàn)?VA 高于高于VB ，所以，所以DA 優(yōu)先導(dǎo)通。如果二極管的正向優(yōu)先導(dǎo)通。如果二極管的正向壓降是壓降是 0.3 V，則，則 VY = + 2.7 V。當(dāng)當(dāng) DA 導(dǎo)通后導(dǎo)通后, DB 因反偏而截止。因反偏而截止。 在這里，在這里，DA 起鉗位作用，起鉗位作用，將輸出端電位鉗制

13、在將輸出端電位鉗制在 + 2.7 V。 二極管的應(yīng)用范圍很廣，主要都是利用它的單向?qū)щ娦?。二極管的應(yīng)用范圍很廣，主要都是利用它的單向?qū)щ娦?。它可用與整流、檢波、限幅、元件保護(hù)以及在數(shù)字電路中作為它可用與整流、檢波、限幅、元件保護(hù)以及在數(shù)字電路中作為開關(guān)元件。開關(guān)元件。 DA 12VYVAVBDBR返回返回V sin18itu t 穩(wěn)壓管是一種特殊的面接穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管。其表示觸型半導(dǎo)體硅二極管。其表示符號(hào)如下圖所示。符號(hào)如下圖所示。 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管工作于反向擊穿區(qū)。工作于反向擊穿區(qū)。從反向特性曲線上可以看出，從反向特性曲線上可以看出，反向電壓在一定范圍內(nèi)變化時(shí)，反向電壓在

14、一定范圍內(nèi)變化時(shí)，反向電流很小。當(dāng)反向電壓增反向電流很小。當(dāng)反向電壓增高到擊穿電壓時(shí)，反向電流突高到擊穿電壓時(shí)，反向電流突然劇增，然劇增，穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管反向擊穿。此反向擊穿。此后，電流雖然在很大范圍內(nèi)變后，電流雖然在很大范圍內(nèi)變化，但化，但穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管兩端的電壓變化兩端的電壓變化很小。利用這一特性，很小。利用這一特性，穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管在電路中能起作用。在電路中能起作用。I/mAU/VOUZIZIZM+ 正向正向 +反向反向 UZ IZ 穩(wěn)壓管的主要參數(shù)有下面幾個(gè)：穩(wěn)壓管的主要參數(shù)有下面幾個(gè)：1. 穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電壓 UZ 4. 穩(wěn)定電流穩(wěn)定電流 IZ 3. 動(dòng)態(tài)電阻動(dòng)態(tài)電阻 rZ2. 電壓溫度系數(shù)電壓

15、溫度系數(shù) U5. 最大允許耗散功率最大允許耗散功率 PZMZZZIUr 例例 1 圖中通過(guò)穩(wěn)壓管的電流圖中通過(guò)穩(wěn)壓管的電流 IZ 等于多少？等于多少？R 是限流電阻，是限流電阻，其值是否合適？其值是否合適？IZDZ+20R = 1.6 k UZ = 12V IZM = 18 mAIZ例例 1 的圖的圖IZ IZM ，電阻值合適。，電阻值合適。 解解 mA5A105A106 . 1122033Z I(a)NNCEBPCETBIBIEIC(b)BECPPNETCBIBIEICCENNPBCEPPNB1. 三極管三極管放大放大的外部條件的外部條件EEBRBRC9.4.2 電流分配和放大原理電流分配和

16、放大原理 我們通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)說(shuō)明晶體管的放大原理和其中的電流分我們通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)說(shuō)明晶體管的放大原理和其中的電流分配，實(shí)驗(yàn)電路采用配，實(shí)驗(yàn)電路采用共發(fā)射極接法共發(fā)射極接法，發(fā)射極是基極電路和集電，發(fā)射極是基極電路和集電極電路的公共端。實(shí)驗(yàn)中用的是極電路的公共端。實(shí)驗(yàn)中用的是 NPN 型管，為了使晶體管具型管，為了使晶體管具有放大作用，電源有放大作用，電源 EB 和和 EC 的極性必須使的極性必須使發(fā)射結(jié)上加正向電發(fā)射結(jié)上加正向電壓壓( (正向偏置正向偏置) )，集電結(jié)加反向電壓，集電結(jié)加反向電壓( (反向偏置反向偏置) )。mA AVVmAICECIBIERB+UBE +UCE EBCEB3DG100

17、 設(shè)設(shè) EC = 6 V，改，改變可變電阻變可變電阻 RB，則，則基極電流基極電流 IB、集電極、集電極電流電流 IC 和發(fā)射極電流和發(fā)射極電流 IE 都發(fā)生變化，測(cè)量都發(fā)生變化，測(cè)量結(jié)果如下表：結(jié)果如下表：基極電路基極電路集電極電路集電極電路IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10IC/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95IE/mA 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05晶體管電流測(cè)量數(shù)據(jù)晶體管電流測(cè)量數(shù)據(jù)結(jié)論：結(jié)論：( (1) )BCEIII 符合基爾霍夫定律符合基爾霍夫定律( (2) ) IC 和和 IE 比比

18、IB 大得多。從第三列和第四列的數(shù)據(jù)可得大得多。從第三列和第四列的數(shù)據(jù)可得, 5 .3704. 050. 1BC II 3 .3806. 030. 2BC II 這就是晶體管的電流放大作用。這就是晶體管的電流放大作用。 稱為共發(fā)射極靜態(tài)稱為共發(fā)射極靜態(tài)電流電流( (直流直流) )放大系數(shù)。電流放大作用還體現(xiàn)在放大系數(shù)。電流放大作用還體現(xiàn)在基極電流的基極電流的少量變化少量變化 IB 可以引起集電極電流較大的變化可以引起集電極電流較大的變化 IC 。 4002. 080. 004. 006. 050. 130. 2BC II 稱為稱為動(dòng)態(tài)電流動(dòng)態(tài)電流( (交流交流) )放大系數(shù)放大系數(shù) ( (3)

19、 )當(dāng)當(dāng) IB = 0( (將基極開路將基極開路) )時(shí)，時(shí)，IC = ICEO， 表中表中 ICEO 0UBC VB VE對(duì)于對(duì)于 PNP 型三極管應(yīng)滿足型三極管應(yīng)滿足: UEB 0UCB 0即即 VC VB 0，UBC UBE。BCII ICEC=UCCIBRB+ UBE +UCE EBCEB共發(fā)射極電路共發(fā)射極電路IC / mAUCE /V100 A80A60 A40 A20 AIB =0O 3 6 9 1243212.31.5放放 大大 區(qū)區(qū) 飽和區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)截止區(qū)( (2) ) 截止區(qū)截止區(qū) IB = 0 的曲線以下的的曲線以下的區(qū)域稱為截止區(qū)。區(qū)域稱為截止區(qū)。IB = 0 時(shí)時(shí),

20、 IC = ICEO( (很小很小) )。對(duì)。對(duì) NPN 型硅管，當(dāng)型硅管，當(dāng)UBE 0.5 V 時(shí)，即已開始截止，但時(shí)，即已開始截止，但為了使晶體管可靠截止，為了使晶體管可靠截止，常使常使 UBE 0，截止時(shí)集，截止時(shí)集電結(jié)也處于反向偏置電結(jié)也處于反向偏置( (UBC 0) )，此時(shí)此時(shí), IC 0 ，UCE UCC 。( (3) ) 飽和區(qū)飽和區(qū) 當(dāng)當(dāng) UCE 0) )，晶體晶體管工作于飽和狀態(tài)。在飽和區(qū)，管工作于飽和狀態(tài)。在飽和區(qū)，IC 和和 IB 不成正比。此時(shí)，發(fā)不成正比。此時(shí)，發(fā)射結(jié)也處于正向偏置，射結(jié)也處于正向偏置，UCE 0 ， IC UCC/RC 。IC / mAUCE /V

21、100 A80 A60 A40 A20 AIB = 0O 3 6 9 1243212.31.5放放 大大 區(qū)區(qū) 當(dāng)晶體管飽和時(shí)，當(dāng)晶體管飽和時(shí)， UCE 0，發(fā)射極與集電極之間如同一，發(fā)射極與集電極之間如同一個(gè)開關(guān)的接通，其間電阻很??；當(dāng)晶體管截止時(shí)，個(gè)開關(guān)的接通，其間電阻很小；當(dāng)晶體管截止時(shí)，IC 0 ，發(fā)，發(fā)射極與集電極之間如同一個(gè)開關(guān)的斷開，其間電阻很大，可射極與集電極之間如同一個(gè)開關(guān)的斷開，其間電阻很大，可見(jiàn)，晶體管除了有放大作用外，還有開關(guān)作用。見(jiàn)，晶體管除了有放大作用外，還有開關(guān)作用。晶體管的三種工作狀態(tài)如下圖所示晶體管的三種工作狀態(tài)如下圖所示+ UBE 0 ICIB+UCE (

22、(a) )放大放大 UBC 0+IC 0 IB = 0+ UCE UCC ( (b) )截止截止 UBC 0 IB+ UCE 0 ( (c) )飽和飽和 UBC 0+CCCCRUI 管管 型型 工工 作作 狀狀 態(tài)態(tài) 飽和飽和 放大放大 截截 止止 UBE/V UCE/V UBE/V UBE/V 開始截止開始截止 可靠截止可靠截止硅管硅管( (NPN) )鍺管鍺管( (PNP) ) 0.7 0.3 0.3 0.1 0.6 0.7 0.2 0.3 0.5 0.1 0 0.1晶體管結(jié)電壓的典型值晶體管結(jié)電壓的典型值9.4.4 主要參數(shù)主要參數(shù)1. 電流放大系數(shù)電流放大系數(shù) ， 當(dāng)晶體管接成共發(fā)射極

23、電路時(shí)，在靜態(tài)當(dāng)晶體管接成共發(fā)射極電路時(shí)，在靜態(tài)( (無(wú)輸入信號(hào)無(wú)輸入信號(hào)) )時(shí)集時(shí)集電極電流與基極電流的比值稱為電極電流與基極電流的比值稱為靜態(tài)電流靜態(tài)電流( (直流直流) )放大放大系數(shù)系數(shù) BCII 當(dāng)晶體管工作在動(dòng)態(tài)當(dāng)晶體管工作在動(dòng)態(tài)( (有輸入信號(hào)有輸入信號(hào)) )時(shí)，基極電流的變化時(shí)，基極電流的變化量為量為 IB ，它引起集電極電流的變化量為，它引起集電極電流的變化量為 IC 。 IC 與與 IB的比值稱為的比值稱為動(dòng)態(tài)電流動(dòng)態(tài)電流( (交流交流) )放大系數(shù)放大系數(shù) BCII 在輸出特性曲線近于平行等距并且在輸出特性曲線近于平行等距并且 ICEO 較小的情況下較小的情況下,可近似

24、認(rèn)為可近似認(rèn)為 ，但二者含義不同。，但二者含義不同。 2. 集集基極反向截止電流基極反向截止電流 ICBO ICBO 是當(dāng)發(fā)射極開路時(shí)流經(jīng)集電結(jié)的反向電流，其值很小。是當(dāng)發(fā)射極開路時(shí)流經(jīng)集電結(jié)的反向電流，其值很小。3. 集集射極反向截止電流射極反向截止電流 ICEO ICEO 是當(dāng)基極開路是當(dāng)基極開路( (IB = 0) )時(shí)的集電極電流，也稱為穿透時(shí)的集電極電流，也稱為穿透電流，其值越小越好。電流，其值越小越好。 4. 集電極最大允許電流集電極最大允許電流 ICM 當(dāng)當(dāng) 值下降到正常數(shù)值的三分之二時(shí)的集電極電流，稱為值下降到正常數(shù)值的三分之二時(shí)的集電極電流，稱為集電極最大允許電流集電極最大允

25、許電流 ICM 。 5. 集集射反相擊穿電壓射反相擊穿電壓 U(BR)CEO 6. 集電極最大允許耗散功率集電極最大允許耗散功率 PCM 基極開路時(shí)，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓，基極開路時(shí)，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓，稱為集稱為集射反相擊穿電壓射反相擊穿電壓 U(BR)CEO 。 當(dāng)晶體管因受熱而引起的參數(shù)變化不超過(guò)允許值時(shí)，集電當(dāng)晶體管因受熱而引起的參數(shù)變化不超過(guò)允許值時(shí)，集電極所消耗的最大功率，稱為集電極最大允許耗散功率極所消耗的最大功率，稱為集電極最大允許耗散功率 PCM。ICICMU(BR)CEOUCEPCMOICEO安安全全 工工 作作 區(qū)區(qū) 由由 ICM 、 U(BR)CEO 、 PCM 三者共同確定晶體管三者共同確定晶體管的安全工作區(qū)。的安全工作區(qū)。返回返回晶體管處于放大狀態(tài)。晶體管處于放大狀態(tài)。 (2) 開關(guān)開關(guān) S 合向合向 b 時(shí)時(shí) 例例9.1.1 圖示電路，晶體管的圖示電路，晶體管的 = 100，求開關(guān)