模擬電路與數(shù)字電路

1、第二章第二章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)內(nèi)容提要內(nèi)容提要半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)晶體二極管晶體二極管特殊二極管特殊二極管晶體三極管晶體三極管2.1 2.1 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體載流子的運(yùn)動(dòng)方式及形成的電流載流子的運(yùn)動(dòng)方式及形成的電流PNPN結(jié)及其單向?qū)щ娦越Y(jié)及其單向?qū)щ娦园雽?dǎo)體及其材料半導(dǎo)體及其材料 導(dǎo)體導(dǎo)體 : : 電阻率電阻率小于小于1010-3-3cm cm 絕緣體絕緣體: : 大于大于10108 8cm cm 半導(dǎo)體半導(dǎo)體: : 介于導(dǎo)體和絕緣體之間。介于導(dǎo)體和絕緣體之間。常用半導(dǎo)體材料有常用半導(dǎo)體材料有: : 硅（硅（Si）、

2、鍺（、鍺（Ge）、砷化鎵）、砷化鎵( (GaAs) )等等2.1.1 2.1.1 半導(dǎo)體半導(dǎo)體電阻率電阻率：數(shù)值上等于單位長(zhǎng)度、單位截面的某種物質(zhì)的電阻。：數(shù)值上等于單位長(zhǎng)度、單位截面的某種物質(zhì)的電阻。本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的原子結(jié)構(gòu): :化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體。在物理結(jié)構(gòu)上呈化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體。在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。單晶體形態(tài)。 硅硅(Si) 鍺鍺(Ge)制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到99.9999999%99.9999999%，常稱(chēng)為常稱(chēng)為“九個(gè)九個(gè)9”9”。半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 4 共價(jià)鍵共價(jià)鍵共價(jià)鍵中

3、的共價(jià)鍵中的兩個(gè)價(jià)電子兩個(gè)價(jià)電子原子核原子核 本征半導(dǎo)體概念本征半導(dǎo)體概念 4 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理 本征激發(fā)產(chǎn)生的本征激發(fā)產(chǎn)生的 價(jià)電子受熱或受光價(jià)電子受熱或受光照（即獲得一定能量）照（即獲得一定能量）后，可掙脫原子核的束后，可掙脫原子核的束縛，成為縛，成為自由電子自由電子（帶（帶負(fù)電），同時(shí)共價(jià)鍵中負(fù)電），同時(shí)共價(jià)鍵中留下一個(gè)帶正電的留下一個(gè)帶正電的空穴空穴。本征激發(fā)產(chǎn)生的本征激發(fā)產(chǎn)生的4 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理 在熱激發(fā)下，本征半導(dǎo)體中存在熱激發(fā)下，本征半導(dǎo)體中存在兩種能參與導(dǎo)電的載運(yùn)電荷在兩種能參與導(dǎo)電的載運(yùn)電荷的粒子的粒子( (載流子載流子) )

4、：自由電子回到共自由電子回到共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)中的現(xiàn)象。此時(shí)電價(jià)鍵結(jié)構(gòu)中的現(xiàn)象。此時(shí)電子空穴成對(duì)消失。子空穴成對(duì)消失。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理 自由電子和空穴成對(duì)產(chǎn)生的同時(shí)，又不斷復(fù)合。自由電子和空穴成對(duì)產(chǎn)生的同時(shí)，又不斷復(fù)合。在一定溫度下，載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，在一定溫度下，載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡， 半導(dǎo)體中載流子便維持一定的數(shù)目。半導(dǎo)體中載流子便維持一定的數(shù)目。T T300K300K時(shí)電子濃度時(shí)電子濃度硅：硅： 鍺：鍺：銅：銅：2238.5 10/incm1332.5 10 /iinpcm1031.5 10 /iinpcm光敏性：當(dāng)受到光照時(shí)，半導(dǎo)體的電阻率隨著光

5、照增強(qiáng)而下光敏性：當(dāng)受到光照時(shí)，半導(dǎo)體的電阻率隨著光照增強(qiáng)而下降，其導(dǎo)電能力增強(qiáng)。降，其導(dǎo)電能力增強(qiáng)。據(jù)此可制作各種光敏元件，據(jù)此可制作各種光敏元件，如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等。如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等。半導(dǎo)體的特性半導(dǎo)體的特性 熱敏性：半導(dǎo)體的電阻率隨著溫度的上升而明顯下降，其導(dǎo)熱敏性：半導(dǎo)體的電阻率隨著溫度的上升而明顯下降，其導(dǎo)電能力增強(qiáng)。電能力增強(qiáng)。據(jù)此可制作溫度敏感元件，如熱敏電據(jù)此可制作溫度敏感元件，如熱敏電阻。阻。本征半導(dǎo)體摻雜性：在純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，其電阻摻雜性：在純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，其電阻 率大大下降而導(dǎo)電能力顯著增強(qiáng)。率大大下降而導(dǎo)電能

6、力顯著增強(qiáng)。據(jù)此可據(jù)此可 制作各種半導(dǎo)體器件，如二極管制作各種半導(dǎo)體器件，如二極管和三極管和三極管 等。等。半導(dǎo)體特性半導(dǎo)體特性 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體2.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入微量其它元素而得到在本征半導(dǎo)體中摻入微量其它元素而得到的半導(dǎo)體。的半導(dǎo)體。雜質(zhì)半導(dǎo)體可分為：雜質(zhì)半導(dǎo)體可分為： N N型型( (電子電子) )半導(dǎo)體和半導(dǎo)體和P P型型( (空穴空穴) )半導(dǎo)體兩類(lèi)。半導(dǎo)體兩類(lèi)。1.N1.N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入在本征半導(dǎo)體中摻入微量微量物質(zhì)（磷、砷等）物質(zhì)（磷、砷等）而得到的雜質(zhì)半導(dǎo)體。而得到的雜質(zhì)半導(dǎo)體。 結(jié)構(gòu)圖結(jié)構(gòu)圖561010 摻雜后，某些

7、位置上的摻雜后，某些位置上的 硅原子被硅原子被5 5價(jià)雜質(zhì)原子（如磷價(jià)雜質(zhì)原子（如磷 原子）取代。磷原子的原子）取代。磷原子的5 5個(gè)價(jià)個(gè)價(jià) 電子中，電子中，4 4個(gè)價(jià)電子與鄰近硅個(gè)價(jià)電子與鄰近硅 原子的價(jià)電子形成共價(jià)鍵，剩原子的價(jià)電子形成共價(jià)鍵，剩 余價(jià)電子只要獲取較小能量即余價(jià)電子只要獲取較小能量即 可成為可成為。同時(shí)，提供電子的磷原子因帶正電荷而成為。同時(shí)，提供電子的磷原子因帶正電荷而成為。電子和正離子成對(duì)產(chǎn)生。上述過(guò)程稱(chēng)為。電子和正離子成對(duì)產(chǎn)生。上述過(guò)程稱(chēng)為5 5價(jià)雜質(zhì)原子又稱(chēng)價(jià)雜質(zhì)原子又稱(chēng)1. N 1. N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體常溫下雜質(zhì)原子電離，常溫下雜質(zhì)原子電離，產(chǎn)生電子產(chǎn)生電子正離

8、子對(duì)正離子對(duì)4 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理 本征激發(fā)產(chǎn)生的本征激發(fā)產(chǎn)生的 價(jià)電子受熱或受光價(jià)電子受熱或受光照（即獲得一定能量）照（即獲得一定能量）后，可掙脫原子核的束后，可掙脫原子核的束縛，成為縛，成為自由電子自由電子（帶（帶負(fù)電），同時(shí)共價(jià)鍵中負(fù)電），同時(shí)共價(jià)鍵中留下一個(gè)帶正電的留下一個(gè)帶正電的空穴空穴。本征激發(fā)產(chǎn)生的本征激發(fā)產(chǎn)生的這種電子為多數(shù)載流子的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱(chēng)為這種電子為多數(shù)載流子的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱(chēng)為N N型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體?？梢?jiàn)：在可見(jiàn)：在N N型半導(dǎo)體中型半導(dǎo)體中（簡(jiǎn)稱(chēng)（簡(jiǎn)稱(chēng)）；）；（簡(jiǎn)稱(chēng)（簡(jiǎn)稱(chēng)）。）。N N型半導(dǎo)體中還存在來(lái)自于熱激發(fā)的電子型半導(dǎo)體中還存在來(lái)自于熱激發(fā)的

9、電子- -空穴對(duì)?？昭▽?duì)。1.N 1.N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 N N型半導(dǎo)體是否帶電？型半導(dǎo)體是否帶電？正負(fù)電荷數(shù)正負(fù)電荷數(shù)，N N型半導(dǎo)體呈型半導(dǎo)體呈N N型半導(dǎo)體中電子型半導(dǎo)體中電子- -空穴數(shù)是否相同？空穴數(shù)是否相同？ 在本征半導(dǎo)體中摻入微量在本征半導(dǎo)體中摻入微量物質(zhì)（硼、鋁等）物質(zhì)（硼、鋁等）而得到的雜質(zhì)半導(dǎo)體而得到的雜質(zhì)半導(dǎo)體。2.P2.P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)圖結(jié)構(gòu)圖 摻雜后，某些位置上的摻雜后，某些位置上的 硅原子被硅原子被3 3價(jià)雜質(zhì)原子（如硼價(jià)雜質(zhì)原子（如硼 原子）取代。硼原子有原子）取代。硼原子有3 3個(gè)價(jià)個(gè)價(jià) 電子，與鄰近硅原子的價(jià)電子電子，與鄰近硅原子的價(jià)電子 構(gòu)成共價(jià)鍵時(shí)

10、會(huì)形成構(gòu)成共價(jià)鍵時(shí)會(huì)形成， 導(dǎo)致共價(jià)鍵中的電子很容易導(dǎo)致共價(jià)鍵中的電子很容易 運(yùn)動(dòng)到這里來(lái)。同時(shí)，接受一個(gè)電子的硼原子因帶負(fù)電荷而成為運(yùn)動(dòng)到這里來(lái)。同時(shí)，接受一個(gè)電子的硼原子因帶負(fù)電荷而成為不能移動(dòng)的不能移動(dòng)的?？昭ê拓?fù)離子成對(duì)產(chǎn)生。空穴和負(fù)離子成對(duì)產(chǎn)生。 上述過(guò)程稱(chēng)為上述過(guò)程稱(chēng)為3 3價(jià)雜質(zhì)原子又稱(chēng)價(jià)雜質(zhì)原子又稱(chēng)2. P2. P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 這種空穴為多數(shù)載流子的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱(chēng)為這種空穴為多數(shù)載流子的雜質(zhì)半導(dǎo)體稱(chēng)為P P型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體?？梢?jiàn)：在可見(jiàn)：在P P型半導(dǎo)體中型半導(dǎo)體中( (簡(jiǎn)稱(chēng)簡(jiǎn)稱(chēng)) ,) ,（簡(jiǎn)稱(chēng)（簡(jiǎn)稱(chēng)）。）。P P型半導(dǎo)體中還存在來(lái)自于熱激發(fā)的電子型半導(dǎo)體中還存在來(lái)自于熱

11、激發(fā)的電子- -空穴對(duì)?？昭▽?duì)。2.P2.P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體ppnniinpnpnp雜質(zhì)濃度對(duì)導(dǎo)電性能的影響Si原子濃度：5 1022 cm3 本征Si： ni= 1.5 1010 cm 3(300 K ) 105 cm 雜質(zhì)濃度：1013 cm3 103 cm 1021 cm3 10 3 cm 摻雜濃度對(duì)半導(dǎo)體導(dǎo)電性有很大的影響！載流子受擴(kuò)散力的作用所作的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。載流子受擴(kuò)散力的作用所作的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。 載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)所形成的電流稱(chēng)為擴(kuò)散電流。載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)所形成的電流稱(chēng)為擴(kuò)散電流。 擴(kuò)散電流大小與載流子濃度梯度成正比擴(kuò)散電流大小與載流子濃度梯度成正比載流子運(yùn)動(dòng)方式及形成電流載

12、流子運(yùn)動(dòng)方式及形成電流1.1.擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)及擴(kuò)散電流擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)及擴(kuò)散電流載流子在電場(chǎng)力作用下所作的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為漂移運(yùn)動(dòng)。載流子在電場(chǎng)力作用下所作的運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為漂移運(yùn)動(dòng)。 載流子漂移運(yùn)動(dòng)所形成的電流稱(chēng)為漂移電流。載流子漂移運(yùn)動(dòng)所形成的電流稱(chēng)為漂移電流。 漂移電流大小與電場(chǎng)強(qiáng)度成正比漂移電流大小與電場(chǎng)強(qiáng)度成正比2.2.漂移運(yùn)動(dòng)及漂移電流漂移運(yùn)動(dòng)及漂移電流1. PN1. PN結(jié)的形成結(jié)的形成 在一塊本征半導(dǎo)體的兩在一塊本征半導(dǎo)體的兩邊摻以不同的雜質(zhì)，使其一邊摻以不同的雜質(zhì)，使其一邊形成邊形成P P型半導(dǎo)體，另一邊型半導(dǎo)體，另一邊形成形成N N型半導(dǎo)體，型半導(dǎo)體， 另一方面，隨著擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行，另一方面，隨著擴(kuò)散運(yùn)

13、動(dòng)的進(jìn)行，P P區(qū)一邊失去空穴留下負(fù)區(qū)一邊失去空穴留下負(fù)離子，離子，N N區(qū)一邊失去電子留下正離子，區(qū)一邊失去電子留下正離子，2.1.32.1.3 PNPN結(jié)及其單向?qū)щ娦越Y(jié)及其單向?qū)щ娦?則在它們則在它們交界處就出現(xiàn)了電子和空穴交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差，于是的濃度差，于是P P區(qū)空穴向區(qū)空穴向N N區(qū)擴(kuò)散，區(qū)擴(kuò)散，N N區(qū)電子向區(qū)電子向P P區(qū)擴(kuò)散。區(qū)擴(kuò)散。 形成空間電荷區(qū)，產(chǎn)生內(nèi)形成空間電荷區(qū)，產(chǎn)生內(nèi)建電場(chǎng)。建電場(chǎng)。 電場(chǎng)方向由電場(chǎng)方向由N N區(qū)指向區(qū)指向P P區(qū)，有利于區(qū)，有利于P P區(qū)和區(qū)和N N區(qū)的少子漂移區(qū)的少子漂移運(yùn)動(dòng)，而阻止多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。運(yùn)動(dòng)，而阻止多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。U：勢(shì)

14、壘電壓 U= 0.60.8V 或 0.20.3VPNPN結(jié)平衡結(jié)平衡空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)/ /耗盡層耗盡層U內(nèi)建電場(chǎng)內(nèi)建電場(chǎng)1. PN1. PN結(jié)的形成結(jié)的形成 P 區(qū) 空間電荷區(qū) N 區(qū)PN 結(jié)及其內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)方向P 區(qū) N 區(qū)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)多子擴(kuò)散形成空間電荷區(qū),產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng) 少子漂移 擴(kuò)散與漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡動(dòng)態(tài)平衡形成一定寬度的PN結(jié)小結(jié)小結(jié) n 載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)既互相聯(lián)系又互相矛盾。載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)既互相聯(lián)系又互相矛盾。 n 漂移運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)= =擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)時(shí)，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)時(shí)，PNPN結(jié)形成且處于動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)。結(jié)形成且處于動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)。 PNPN結(jié)沒(méi)有電流通過(guò)。結(jié)沒(méi)有電流

15、通過(guò)。1.PN1.PN結(jié)的形成結(jié)的形成 擴(kuò)散交界處的濃度差P區(qū)的一些空 穴向N區(qū)擴(kuò)散N區(qū)的一些電 子向P區(qū)擴(kuò)散P區(qū)留下帶負(fù) 電的受主離子N區(qū)留下帶正 電的施主離子內(nèi)建電場(chǎng)漂移電流擴(kuò)散電流PN 結(jié)動(dòng)態(tài)平衡2. PN2. PN結(jié)的特性結(jié)的特性 (1)(1)單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦?2. PN2. PN結(jié)的特性結(jié)的特性 31 UUU 合成電場(chǎng)合成電場(chǎng)(1)(1)單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦?2. PN2. PN結(jié)的特性結(jié)的特性 PNPN外加正向電壓時(shí)，內(nèi)建外加正向電壓時(shí)，內(nèi)建電場(chǎng)被削弱，勢(shì)壘高度下電場(chǎng)被削弱，勢(shì)壘高度下降，降，未加偏壓時(shí)的耗盡層未加偏壓時(shí)的耗盡層 空間電荷區(qū)寬度變窄，空間電荷區(qū)寬度變窄，這使得這

16、使得P P區(qū)和區(qū)和N N區(qū)能越過(guò)這區(qū)能越過(guò)這個(gè)勢(shì)壘的個(gè)勢(shì)壘的數(shù)量數(shù)量大大增加，形成較大的大大增加，形成較大的。 加偏壓時(shí)加偏壓時(shí)的耗盡層的耗盡層32 流過(guò)流過(guò)PNPN結(jié)的電流隨外加電結(jié)的電流隨外加電壓壓U U的增加而迅速上升，的增加而迅速上升，PNPN結(jié)呈現(xiàn)為小電阻。該狀態(tài)結(jié)呈現(xiàn)為小電阻。該狀態(tài)稱(chēng)：稱(chēng)：加正向偏壓加正向偏壓時(shí)的耗盡層時(shí)的耗盡層UUU 合成電場(chǎng)合成電場(chǎng)未加偏壓時(shí)的耗盡層未加偏壓時(shí)的耗盡層33 加反向偏壓加反向偏壓時(shí)的耗盡層時(shí)的耗盡層UU+U 合成電場(chǎng)合成電場(chǎng)(1)(1)單向?qū)щ娦詥蜗驅(qū)щ娦?2. PN2. PN結(jié)的特性結(jié)的特性 PNPN外加反向電壓時(shí)，內(nèi)建外加反向電壓時(shí)，內(nèi)建電場(chǎng)

17、被增強(qiáng)，勢(shì)壘高度升電場(chǎng)被增強(qiáng)，勢(shì)壘高度升高，空間電荷區(qū)寬度變寬。高，空間電荷區(qū)寬度變寬。這就使得多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)很這就使得多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)很難進(jìn)行，擴(kuò)散電流趨于零，難進(jìn)行，擴(kuò)散電流趨于零，而而更容易產(chǎn)生更容易產(chǎn)生 。 未加偏壓時(shí)的耗盡層未加偏壓時(shí)的耗盡層34 加反向偏壓加反向偏壓時(shí)的耗盡層時(shí)的耗盡層UU+U 合成電場(chǎng)合成電場(chǎng)流過(guò)流過(guò)PNPN結(jié)的電流稱(chēng)為反結(jié)的電流稱(chēng)為反向飽和電流向飽和電流( (即即I IS S) )，PNPN結(jié)結(jié)呈現(xiàn)為大電阻。該狀態(tài)呈現(xiàn)為大電阻。該狀態(tài)稱(chēng)：稱(chēng)：未加偏壓時(shí)的耗盡層未加偏壓時(shí)的耗盡層小結(jié)小結(jié) n PNPN結(jié)加正向電壓時(shí)結(jié)加正向電壓時(shí)，正向擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流，正向擴(kuò)散電流

18、遠(yuǎn)大于漂移電流，PNPN結(jié)結(jié)導(dǎo)通導(dǎo)通；PNPN結(jié)加反向電壓時(shí)結(jié)加反向電壓時(shí)，僅有很小的反向飽和電流，僅有很小的反向飽和電流I IS S，考慮到考慮到I IS S 0 0，則認(rèn)為，則認(rèn)為PNPN結(jié)截止結(jié)截止。 n PNPN結(jié)正向?qū)?、反向截止的特性稱(chēng)結(jié)正向?qū)ā⒎聪蚪刂沟奶匦苑Q(chēng)PNPN結(jié)的結(jié)的。PNPN結(jié)外加反向電壓且電壓值超過(guò)一定限度時(shí)，反向結(jié)外加反向電壓且電壓值超過(guò)一定限度時(shí)，反向電流急劇增加而結(jié)兩端電壓基本不變的現(xiàn)象。電流急劇增加而結(jié)兩端電壓基本不變的現(xiàn)象。(2)(2)擊穿特性擊穿特性 2. PN2. PN結(jié)的特性結(jié)的特性 擊穿不一定導(dǎo)致?lián)p壞。擊穿不一定導(dǎo)致?lián)p壞。 利用利用PNPN結(jié)擊穿特性可以制作穩(wěn)壓管。結(jié)擊穿特性可以制作穩(wěn)壓管。 雪崩擊穿雪崩擊穿擊穿分類(lèi)擊穿分類(lèi)(2)(2)擊穿特性擊穿特性 2. PN2. PN結(jié)的特性結(jié)的特性 齊納擊穿齊納擊穿雪崩擊穿雪崩擊穿( (碰撞擊穿碰撞擊穿) )時(shí)，空間電荷區(qū)的合成電場(chǎng)較強(qiáng)，通過(guò)空間時(shí)，空間電荷區(qū)的合成電場(chǎng)較強(qiáng)，通過(guò)空間電荷區(qū)的電子在強(qiáng)電場(chǎng)的作用下加速獲得很大的動(dòng)能，于是電荷區(qū)的電子在強(qiáng)電場(chǎng)的作用下加