模擬電子技術基礎完整版

1、 負反饋放大器負反饋放大器 5集成運算放大電路集成運算放大電路 8 基本放大電路基本放大電路 (三極管、場效應管三極管、場效應管 ）22半導體器件半導體器件 5集成運算放大器應用集成運算放大器應用 2復習復習 3內(nèi)容安排特別提醒特別提醒本課程5學分 成績 考試80分 平時20分1、本周四確定座位表本周四確定座位表, ,以后每位同學按自以后每位同學按自己的座位入坐己的座位入坐, ,若座位無人按缺席處理若座位無人按缺席處理, ,缺缺席一次平時成績扣一分，缺席過多按校規(guī)席一次平時成績扣一分，缺席過多按校規(guī)處理。如有重課請盡早到學院辦理重課單。處理。如有重課請盡早到學院辦理重課單。2 2、每周一交作業(yè)

2、本，缺交或所做的作業(yè)量、每周一交作業(yè)本，缺交或所做的作業(yè)量小于應做作業(yè)量的小于應做作業(yè)量的50%50%的、有明顯作業(yè)抄襲的、有明顯作業(yè)抄襲的則平時成績每次扣一分。的則平時成績每次扣一分。3、每周四課后答疑。緒論一一 主要內(nèi)容主要內(nèi)容1 電子器件電子器件 二極管二極管 器件的特性、器件的特性、 管子管子 晶體管晶體管 參數(shù)、等效電路參數(shù)、等效電路 場效應管場效應管 （熟悉）（熟悉） 差分對管差分對管 組件組件 集成電路集成電路緒論 2 、 電子電路電子電路 晶體管放大器晶體管放大器 電路組成，電路組成， 放大電路放大電路 場效應管放大器場效應管放大器 工作原理，工作原理， 集成運算放大器集成運算

3、放大器 性能特性，性能特性， 功率放大器功率放大器 基本分析方法基本分析方法 負反饋在放大電路中的應用負反饋在放大電路中的應用 工程計算方法工程計算方法 放大器的頻率響應放大器的頻率響應 緒論二二 電子電路的應用電子電路的應用 自動控制自動控制 計算機計算機 通信通信 文化娛樂文化娛樂 醫(yī)療儀器醫(yī)療儀器 家用電器家用電器三三 要求要求 了解器件的內(nèi)部工作原理了解器件的內(nèi)部工作原理 掌握器件的應用特性（外特性）掌握器件的應用特性（外特性） 掌握各單元電路的工作原理及分析方法掌握各單元電路的工作原理及分析方法 掌握實際技能及各種測試方法掌握實際技能及各種測試方法四四 學習方法學習方法 1 1 合理

4、近似合理近似 例：例：I=20 /I=20 /（1+0.91+0.9） =10.5 mA=10.5 mA 若把若把 1K / 10K =1K 1K / 10K =1K 則則 I=20/2K=10 mAI=20/2K=10 mA 僅差僅差5% 5% 而采用一般電阻元件其誤差有而采用一般電阻元件其誤差有10%10% 即即1K1K的元件可能是的元件可能是1.1K1.1K或或900 900 2 2 重視實驗環(huán)節(jié)重視實驗環(huán)節(jié) 堅持理論聯(lián)系實際堅持理論聯(lián)系實際 緒論+20v-1K1k10k0.9k緒論五五 參考書參考書 模擬電子技術基礎教程模擬電子技術基礎教程 浙大浙大 鄧漢馨鄧漢馨 模擬電子技術基礎模擬

5、電子技術基礎 清華清華 童詩白童詩白 電子技術基礎電子技術基礎 西安電子科大西安電子科大 孫肖子孫肖子 模擬電子技術模擬電子技術 北京理工北京理工 王遠王遠 模擬電子線路模擬電子線路(I) (I) 謝源清謝源清return第一章第一章1.1 PN1.1 PN結及晶體二極管結及晶體二極管總結總結1.2 1.2 晶體三極管晶體三極管半導體基礎知識半導體基礎知識結型場效應管結型場效應管(JFET)(JFET)1.3 1.3 場效應管場效應管金屬金屬- -氧化物氧化物- -半導體場效應管半導體場效應管（MOSFETMOSFET）return第一章第一章半導體基礎知識半導體基礎知識 自然界中物質按其導電

6、能力可分為自然界中物質按其導電能力可分為 導體 : 很容易傳導電流的物質 （銅 鉛）絕緣體: 幾乎不能傳導電流 (橡皮 陶瓷 石英 塑料) 半導體: 導電能力介于導體與絕緣體之間 (硅 鍺)(本征 雜質)(都是4階元素 )第一章第一章半導體物理基礎知識半導體物理基礎知識 一一 本征半導體本征半導體: - : - 純凈的半導體純凈的半導體 共價鍵共價鍵 在本征半導體晶體中，原子有序排列構成空間點陣（晶格），外層電子為相鄰原子共有，形成 共價鍵共價鍵 在絕對零度(-273.16)時晶體中沒有自由電子,所有價電子都被束縛在共價鍵中.所以 半導體不能導電價電子共價鍵第一章第一章半導體物理基礎知識半導體

7、物理基礎知識 電子電子空穴對空穴對 當T 或光線照射下,少數(shù)價電子因熱激發(fā)而獲得足夠的能量掙脫共價鍵的束縛 ,成為自由電子.同時在原來的共價鍵中留下一個空位空位稱 空穴空穴本征半導體在熱或光照射作用下, 產(chǎn)生電子空穴對-本征激發(fā) T光照電子-空穴對導電能力 所以 半導體的導電能力 與 T，光照 有關 在本征半導體中電子和空穴是成對出現(xiàn)的Ge第一章第一章半導體物理基礎知識半導體物理基礎知識 電子電流電子電流 電子在電場作用下移動產(chǎn)生的電流 x3 x2 x1 空穴電流空穴電流 空穴移動產(chǎn)生的電流 x1 x2 x3 激發(fā)激發(fā) 束縛電子獲能量成為自由電子和空穴 自由電子濃度=空穴濃度電子和空穴稱為載流

8、子電子和空穴稱為載流子第一章第一章半導體物理基礎知識半導體物理基礎知識 復合復合 運動中的自由電子如果“跳進”空穴.重新被共價鍵束縛起來,電子空穴對消失 稱復合 復合在一定溫度下, 使半導體中載流子濃度一定 +4+4+4+4+4第一章第一章半導體物理基礎知識半導體物理基礎知識 二二 雜質半導體雜質半導體- - 在本征半導體中摻入微量的雜 質使其導電能力產(chǎn)生明顯變化 N N型半導體型半導體- - 摻入微量的五價元素(磷 砷 銻)由于雜質原子提供自由電子-稱 施主原子 N N型型雜質半導體中電子濃度比同一溫度下本征半導體的電子濃度大得多 所以 加深了導電能力多子電子 少子空穴第一章第一章半導體物理

9、基礎知識半導體物理基礎知識 P P型半導體型半導體 摻入微量的三價元素（硼 鋁） 由于雜質原子吸收電子受主原子 多子空穴少子電子雜質半導體中 多子濃度由摻雜濃度決定 少子濃度由溫度決定 P P型型雜質半導體中空穴濃度比同一溫度下本征半導體的空穴濃度大得多所以 加深了導電能力return+5+4+4+4+4+3+4+4+4+4 + -1.1 PN1.1 PN結及二極管結及二極管 在一塊硅片上，用不同的摻雜工藝。使其 一邊形成N型半導體。另一邊形成P型 半導體 則在其交界面附近形成了PN結。一一 PNPN結的形成結的形成1.1.空間電荷區(qū)空間電荷區(qū) P型 N型半導體 結合在一起時， 由于交界面兩測

10、多子與少子 濃度不同 引起 擴散運動擴散運動 （濃度差引起） + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + +- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -1.1 PN1.1 PN結及二極管結及二極管 所以所以 在交面附近形成了不能移動的帶電離子組成的空間電荷區(qū) P區(qū)空穴 N區(qū)與電子復合在N區(qū)留下帶正電荷的離子 N區(qū)電子 P型與空穴結合在P區(qū)留下帶負電荷的離子 空間電荷區(qū)形成一個由N指向P的電場 內(nèi)電場 平衡后的PN結1.1 PN1.1 PN結及二極管結及二極管擴散使空間電荷區(qū)加寬。內(nèi)電場加深，而內(nèi)電場阻止擴散進行 漂移運動

11、（內(nèi)電場引起） 促使P區(qū)電子N N區(qū)空穴P 引起 內(nèi)電場增加，擴散減弱，漂移增加。 最后 漂移 = 擴散 動態(tài)平衡 通過PN結之間電流為零 1.1 PN1.1 PN結及二極管結及二極管2. 對稱結與不對稱結對稱結與不對稱結 空間電荷區(qū)中沒有載流子 又稱耗盡層 當N與P區(qū)雜質濃度相同時，耗盡層在兩個區(qū)內(nèi)的寬度也相等 對稱結對稱結否則雜質濃度較高的一側耗盡層寬度小于低的一側不對稱結不對稱結 P+N結 PN結 耗盡層中正負電荷量相等圖 1-8 不對稱PN結 1.1 PN1.1 PN結及二極管結及二極管二二 PNPN結的特征結的特征單向導電性單向導電性 1 1. .正向特征正向特征又稱又稱PNPN結正

12、向偏置結正向偏置 外電場作用下多子推向耗盡層，使耗盡層變窄，內(nèi)電場削弱 擴散 漂移 從而在外電路中出現(xiàn)了一個較大的電流 稱 正向電流 VbV1.1 PN1.1 PN結及二極管結及二極管 在正常工作范圍內(nèi)，PN結上外加電壓只要有變化，就能引起電流的顯著變化。 I I 隨 V V 急劇上升，PN結為一個很小的電阻（正向電阻?。?在外電場的作用下，PN結的平衡狀態(tài) 被打破，使P區(qū)中的空穴和N區(qū)中的電子 都向PN結移動，使耗盡層變窄 1.1 PN1.1 PN結及二極管結及二極管1.1.PNPN結的反向特性結的反向特性 外電場使耗盡層變寬 使 漂移（少子） 擴散（多子） 回路中的反向電流 I非常微弱一般

13、Si 為nA 級 Ge 為uA 級又少子是本征激發(fā)產(chǎn)生管子制成后其數(shù)值與溫度有關 T IT I 1.1 PN1.1 PN結及二極管結及二極管 反向電流不僅很小，而且當外加電壓超過零點幾伏后， 少子供應有限，它基本不隨外加電壓的增加而增加。 稱為反向飽和電流 反偏時電壓變化很大，而電流增加極微 PN結等效為一大電阻（反向電阻大） PN結這種只允許一個方向電流順利 通過的特性 單向導電性單向導電性-+1.1 PN1.1 PN結及二極管結及二極管3.3.PNPN結伏安特性表示式結伏安特性表示式 IsIs 反向飽和電流 決定于PN結的材料，制造工藝、溫度 U UT T =kT/q - =kT/q -

14、溫度的電壓當量或熱電壓 當 T=300K時, UT = 26mV K K波耳茲曼常數(shù) T T絕對溫度q q電子電荷 u u外加電壓U U 為反向時，且 1)(!1)1()1(nnTSUuSTkuqSUunIeIeIiT1.1 PN1.1 PN結及二極管結及二極管U正正偏時, VVT I=II=Is se eU/UTU/UT 實際特性在I I較大時與指數(shù)特性有一定差異在上面討論忽略了引出線的接觸電阻，P區(qū)N區(qū)的體電阻及表面漏電流影響 導通電壓- 正向電流有明顯數(shù) 值時所對應的電壓 正向電壓較小時,不足影響內(nèi)電場 載流子擴散運動尚未明顯增加 正向電流0 I GeSi導通電壓死區(qū)電壓閥植電壓 UGe

15、 0.2-0.3V 0.2V0.2VSi 0.6-0.8V 0.7V0.7V1.1 PN1.1 PN結及二極管結及二極管三三 溫度對伏安特性影響溫度對伏安特性影響 T T正向特性左移反向電流明顯增大，T T 每升高10攝氏度 IsIs增加一倍 V(BR)IUTT當T到一定程度時，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度超過原來雜質電離產(chǎn)生的多子濃度，雜質半導體與本征半導體一樣，PN結不再存在 關系式:1012122TTSSIIIS1IS2 當PN結處于反向偏置時,在一定范圍內(nèi)的反向電壓作用下,流過PN結的電流是很小的反向飽和電流,但當反向電壓超過某一數(shù)值后,反向電流會急劇增加 稱 PNPN結的擊穿結的擊穿 把

16、反向電流開始明顯增大時所對應的反向電壓 稱 擊穿電壓擊穿電壓 V V(BR)(BR)1.1 PN1.1 PN結及二極管結及二極管 為保證PN結正常工作。它的工作溫度不能 太高，溫度的限制與摻雜濃度有關，摻雜越 大，最高工作溫度越高三三 PNPN結的擊穿結的擊穿 1.1 PN1.1 PN結及二極管結及二極管雪崩擊穿雪崩擊穿輕摻雜 摻雜越低 擊穿電壓越大 PN結一旦擊穿后,可認為反向電壓幾乎不變 近似為V V(BR(BR) 擊穿齊納擊穿齊納擊穿重摻雜 摻雜越高 擊穿電壓越低V V(BR)(BR) 7V以上 擊穿 (SiSi)V V(BR)(BR) IEP IE IEN=IBN+ICN 1.21.2

17、晶體三極管晶體三極管 B B區(qū)區(qū)：傳遞和控制電子 復合產(chǎn)生的電流IBN IB=IBNICBO（擴散）（復合） 被復合的電子數(shù)極少,大部分都擴散到c結邊沿 基區(qū)很薄 空穴濃度低C C區(qū)區(qū)：收集電子ICN（漂移）IC=ICNICBO（反向飽和電流）集電區(qū)和基區(qū)的少子在結反向電壓作用下漂移到對方 形成ICBO過程：注入 擴散 復合 收集1.21.2晶體三極管晶體三極管 二二. . 電流分配關系電流分配關系 根據(jù)輸入輸出回路的公共端不同，可組成三種組態(tài). 無論哪種接法為保證正向受控作用 須使發(fā)射結正偏、 集電極反偏 且滿足 IE=IB+IC外接電路使發(fā)射結正偏、 集電極反偏外因：內(nèi)因：提高傳輸效率的條

18、件：1）制成不對稱結P+NP或N+PN 2）基區(qū)薄3）增加集電結面積1.21.2晶體三極管晶體三極管 三種組態(tài)共基極共集電極共發(fā)射極注注 意意發(fā)射極 即能做輸入端 又能做輸出端基極 只能做輸入端 不能做輸出端 集電極 只能做輸出端 不能做輸入端1.21.2晶體三極管晶體三極管 電流分配關系電流分配關系 定義 共基極直流電流放大系數(shù) 1ECBOCENCNIIIII IC= IE+ICBO IE 定義 共e極直流電流放大系數(shù) CBOIIIIIIBCBOCBNCNICEO = (1+ ) ICBO ICEO穿透電流 ICBO反向飽和電流IB = IBNICBO= IEIC =（1 ）IEICBO（1

19、 ）IE IE= IC+IB IC=ICN ICBO= IB+(1+ ) ICBO IB IEIEN= IBN+ ICN =(1+ ) IB(1+ ) ICBO(1+ ) IB 1.21.2晶體三極管晶體三極管 由于 都反映了管中基區(qū)擴散與復合的關系 11，由定義可得： 總結：總結：IC IE IE (1+ ) IB IC IB IB（1 ）IEIE= IC+IB1.21.2晶體三極管晶體三極管 一一. . 共射極特性共射極特性 1. 共射極輸入特性曲線共射極輸入特性曲線 以 為參量， 與 的關系 CEuBiBEuCBEBCE)(uufi特點：類似二極管特性， 但并非是e結特性， 因e結與c結

20、是相關的 即受 控制的 CEuSi UBE: 0.60.8V 0.7V Ge UBE: 0.10.3V 0.2V1.21.2晶體三極管晶體三極管 2. 2. 共射極輸出特性曲線共射極輸出特性曲線 以為參量時 與 的關系 BiCiCEu CCEC)(Biufi輸出特性劃分為三個區(qū)域 放大區(qū)放大區(qū)發(fā)射結正偏 集電結反偏的工作區(qū) 對 有很強的控制作用，反映在共射極交流放大系數(shù)上 BiCiCCEuBCII定義 =i iB B= =I ICBOCBOV VCE CE = V= VBEBE飽和區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)截止區(qū)放放 大大 區(qū)區(qū)1.21.2晶體三極管晶體三極管 變化對 影響很小 CEuCi飽和區(qū)飽和區(qū)發(fā)射

21、結和集電結都正偏 VCE的變化對Ic影響很大 而Ic不隨IB變化 僅受VCE控制 把VCE = VBE 稱臨界飽和飽和時 C.E間電壓 稱 飽和壓降飽和壓降 用V VCESCES表示 (Si管約為0.5V)小功率截止區(qū)截止區(qū)發(fā)射結和集電結均處于反偏 此時 iE=0 ,iC=ICBO 截止區(qū) 即為iB=ICBO 的那條曲線以下的區(qū)域 但小功率管ICBO很小 可忽略 近似以 iB=0 為其截止條件1.21.2晶體三極管晶體三極管 3. 3. 溫度對晶體管特性的影響溫度對晶體管特性的影響溫度對V VBEBE的影響T VBE 即輸入特性曲線左移溫度對I ICBOCBO的影響T ICBO 即輸出特性曲線

22、上移溫度對 的影響T 即輸出特性曲線上曲線間距離T T對 V VBE BE I ICBOCBO 的影響反映在集電極電流I IC C上 都使I IC C 1.21.2晶體三極管晶體三極管 二二. . 晶體管的主要參數(shù)晶體管的主要參數(shù) 1. 1. 電流放大系數(shù)電流放大系數(shù) 共射直、交 流電流放大系數(shù) CBCCBOBCBOCBNCNCE,uIIIIIIII直流交流共基直、交流電流放大系數(shù) CuECECBOCENCNCBIIIIIII,直流交流I ICBOCBO I ICEO CEO 都很小 在數(shù)值上 1.21.2晶體三極管晶體三極管 2. 2. 極間反向電流極間反向電流 I ICBO CBO 射極開

23、路 集一基反向電流 集電極反向飽和電流 I ICEO CEO 基極開路 集一射反向電流 集電極穿透電流 I IEBO EBO 集電極開路 射一基反向電流 3. 3. 結電容結電容 發(fā)射結電容Cbe，集電結電容Cbc，它們影響晶體管的頻率特性 4.4.極限參數(shù)極限參數(shù) 集電極最大允許功耗PCM 這參數(shù)決定于 管子的溫升。使用時不能超過且注意散熱1.21.2晶體三極管晶體三極管 由 PCM=ICVCE 在輸出 特性上畫出這一曲線PCMICMU（BR）CEO集電極最大允許電流ICM 引起明顯下降時 的最大集電極電流ICICM時 管子不一定會損壞 但明顯下降在晶體管線性運用時 icic不應超過ICM反

24、向擊穿電壓 U(BR)CBO 射極開路 集一基反向擊穿電壓 U(BR)CEO 基極開路 集一射反向擊穿電壓 U(BR)EBO 集電極開路 射一基反向擊穿電壓 1.21.2晶體三極管晶體三極管 1.3 1.3 場效應管場效應管 場效應管不僅具有一般晶體管體積小，重量輕，耗電省，壽命長等特點 而且還有輸入阻抗高（可達1015）、噪音低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強和制造工藝簡單等優(yōu)點。 因而應用范圍很廣，特別是大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路中應用很廣 特點：特點： 也是一種具有正向受控作用的有源器件晶體管 電流電流控制作用場效應管 電壓電壓控制作用1.3 1.3 場效應管場效應管晶體管： 是由電子和空穴二種

25、 載流子運動形成電流的場效應管： 是利用改變電場來控 制固體材料的導電能力 場效應管場效應管（按結構不同）分：（按結構不同）分：結型場效應管(JFET)絕緣柵場效應管(IGFET)N溝道P溝道 MOS管P溝道增強型耗盡型N溝道增強型耗盡型1.3 1.3 場效應管場效應管（利用半導體內(nèi)電場效應進行工作的）（利用半導體內(nèi)電場效應進行工作的） 在一塊N型半導體材料兩邊擴散高濃度P型區(qū)（重摻雜）形成兩個P+ +N結 為不對稱結（為不對稱結（PNPN摻雜濃度不同）摻雜濃度不同）兩個P中間所夾的N型半導體區(qū)稱為導電溝道N N溝道結型溝道結型 場效應管場效應管箭頭方向為柵源箭頭方向為柵源PNPN結的正偏方向

26、結的正偏方向P P溝道溝道一、結型場效應管一、結型場效應管(JFET)(JFET)1.3 1.3 場效應管場效應管一一.JFET.JFET的結構與工作原理的結構與工作原理( (以以N N溝道為例溝道為例) )1.V1.VGSGS對漏極電流對漏極電流I ID D的控制作用的控制作用 對N溝道JFET，正常工作時 UGS0 ，此時 ID=0 夾斷狀態(tài)時夾斷狀態(tài)時 I ID D=0 =0 |V|VGSGS| |P P+ +N N結的耗盡層結的耗盡層溝道變窄溝道變窄 （即溝道電阻（即溝道電阻 ）（1）改變VGS的大小就可達到控制溝道寬度的目的，從而實現(xiàn)了對溝道電阻的控制作用。 （2）當加VDS0的電壓

27、時ID就隨VGS的變化而變化，從而達到VGS對ID的控制作用 1.3 1.3 場效應管場效應管 場效應管GS上加反向偏壓 ，則反向電流很小， 若忽略反向電流 ， 則柵極電流基本為零， 控制信號的能量消耗很小(輸入電阻大)。 但當GS上加正向偏壓時會產(chǎn)生柵極電流若不采取限流措施會燒壞管子 使用時應注意+ +_0VGS 01.3 1.3 場效應管場效應管2. U2. UDSDS對對I ID D的影響的影響 (V(VGSGS=0)=0)一般對N溝道JFET， VDS0(1)當VGS=VDS=0時靠漏端與靠源端的 溝道寬度一樣，即具有均勻的溝道(2)當VGS=0而 VDS0時， 靠漏端的P+N結的反偏

28、程度靠源端的P+N結反偏程度這使溝道兩側的耗盡區(qū)從源極到漏極逐漸加寬，結果使溝道逐漸變窄。隨著VDS 溝道不等寬的情況越明顯溝道在漏極附近越來越窄 1.3 1.3 場效應管場效應管 當VDS增大到VDS= Vp 時 在漏極附近的耗盡區(qū)開始靠攏 稱預夾斷預夾斷在預夾斷狀態(tài)I ID D較大為 I IDSSDSS(3)當VDS再時 耗盡區(qū)沿溝道加長， 它們接觸部分稱夾斷區(qū)夾斷區(qū) 夾斷區(qū)加長并不意味著ID 為零，因為若ID為零則夾斷區(qū)也不復存在。夾斷區(qū)的加長意味著溝道電阻增大， VDS 繼續(xù)時， ID趨于不變。此時的電流稱為 漏極飽和電流漏極飽和電流I IDSSDSS1.3 1.3 場效應管場效應管

29、但VDS不能無限 VDS到一定值時會產(chǎn)生反向擊穿現(xiàn)象。 3. V3. VGSGS00 0 時的情況時的情況VGS越負使耗盡區(qū)變寬、導電溝道變窄，VDS越正使耗盡區(qū)和導電溝道進一步變得不等寬，(1)同一VDS下，改變VGS 使溝道寬度不同， ID也隨之改變 即 ID的大小受VGS控制。 隨著|VGS|，導電溝道變窄，電阻變大， 在同樣VDS作用下，產(chǎn)生的ID |V |VGSGS| | 溝道電阻溝道電阻 I ID D 1.3 1.3 場效應管場效應管 VDS VP 即 VDS - VP 預夾斷狀態(tài) 而又 VDS= VDG器件達到預夾斷狀態(tài)的條件是 V VGDGD V VP P VGD=VGS-VD

30、S VDS VGS-VP(2)VGS不同，產(chǎn)生預夾斷的VDS值也不同。(3)只有當 VGS=VP 時 溝道全部夾斷，此時 ID=01.3 1.3 場效應管場效應管二二. N. N溝道溝道JFETJFET的特性曲線的特性曲線1.1.轉移特性曲線轉移特性曲線CUGSDDSufi)(UUDSDS一定時，一定時，U UGSGS對對i iD D的控制作用的控制作用為保證JFET工作在恒流區(qū)恒流區(qū) 要求V VDSDS V VGSGS-V-VP P可用方程描述定義定義: : 漏極飽和電流I IDSSDSS V VGSGS=0=0時i iD D的值的值夾斷電壓 V VP P i iD D =0=0時V VGS

31、GS的值的值21 (）PGSDSSDVVII1.3 1.3 場效應管場效應管2.2.輸出特性曲線輸出特性曲線(1)(1)壓控電阻區(qū)（線性電阻區(qū)，非飽和區(qū)）壓控電阻區(qū)（線性電阻區(qū)，非飽和區(qū)）條件是：VP VGS00 VDS VGS-VPUDS=UGS-UGD1.3 1.3 場效應管場效應管 在該狀態(tài)時 導電溝道暢通，漏源之間呈線性電阻特性 又稱 線性電阻區(qū)線性電阻區(qū) 且該阻值大小與VGS有關： VGS越大( (越向越向0 0電壓逼近電壓逼近) )，導電溝道越寬，溝道電阻越小，在相同的VDS值時，iD越大 通過改變VGS的大小可控制漏源之間溝道電阻的大小，因而又稱 壓控電阻區(qū)。壓控電阻區(qū)。1.3

32、1.3 場效應管場效應管(2)(2)飽和區(qū)（恒流區(qū)，放大區(qū)）飽和區(qū)（恒流區(qū)，放大區(qū)）條件是：VP VGS VGS-VP這時器件工作于所謂預夾斷區(qū)，i iD D主要受V VGSGS控制，與V VDSDS基本無關，呈恒流特性 ，作放大器時工作于該區(qū)域。1.3 1.3 場效應管場效應管(3)(3)截止區(qū)截止區(qū)條件是：VDS 0 VGS VP這時漏源之間處于開路狀態(tài) iD=0 應用于開關電路(4)(4)擊穿區(qū)擊穿區(qū)為防器件損壞，工作時應避免進入該區(qū)須保證 V VDSDSVVT 才會形成導電溝道開啟電壓開啟電壓i iD D=0 =0 時時V VGSGS的值的值 1.3.41.3.4金屬金屬- -氧化物氧

33、化物- -半導體場效應管半導體場效應管(MOS(MOS管管) )器件達到預夾斷的條件為 VDS VGS-VT 對 N 增 MOS管 V VGSGS0 V0 VDSDS00iD+01.3.41.3.4金屬金屬- -氧化物氧化物- -半導體場效應管半導體場效應管(MOS(MOS管管) )對P 增 MOS管V VGSGS0 V0 VDSDS000 對P 耗 MOS管 V VGSGS可可+ - 0 V+ - 0 VDSDS00 ，P溝道 VDS0(1)(1)耗盡型耗盡型 當VGS=0時， iD =0夾斷電壓夾斷電壓VGS(off)顯然JFET也是耗盡型MOS MOS VGS可 + - 0JFETJFE

34、T要求VGS0 P (3) 增強型增強型當VGS=0時 iD =0對轉移特性：結型不過零，過零是對轉移特性：結型不過零，過零是MOSMOS1.3.41.3.4金屬金屬- -氧化物氧化物- -半導體場效應管半導體場效應管(MOS(MOS管管) )三三. . 場效應管的參數(shù)場效應管的參數(shù)1. 1. 直流參數(shù)直流參數(shù) V VT T、VP、I IDSSDSS 2. 2. 交流參數(shù)交流參數(shù)CuGSDmDSdudig低頻跨導gm定義對耗盡型對耗盡型對增強型對增強型2)(2GSthGSoxnDUuLWCi2/12)(DQoxnGSthGSoxnmILWCUuLWCg總結：總結：本征半導體 四價元素硅、鍺 化

35、合物砷化鎵 共價鍵 載流子（光、電、熱） P型半導體空穴電子 多子 少子 N型半導體 電子空穴 多子 少子 摻入三價元素硼鋁銦等 摻入五價元素 砷磷銻等濃度差 先多子擴散 電場力 后少子漂移 電子空穴動態(tài)平衡后形成 PN結 本征激發(fā)總結：總結：平衡后不存在載流子稱耗盡區(qū) 正負離子形成內(nèi)建電場UB阻擋了擴散 稱阻擋區(qū)或勢壘區(qū) PN結反偏內(nèi)電場增加為 PN結正偏內(nèi)電場下降為 UUBUUB多子推離耗盡區(qū)使之變寬 利多子擴散 耗盡區(qū)變窄 利少子漂移形成小的I IR R 小電壓引起大的I IF F 外加電壓對結的調寬效應 勢壘電容C CT T 擴散電容 C CD DPN結結電容 DTjCCC總結：總結：

36、PN結的V-A特性 正向特性 反向特性 RBUuV1 . 0SIi) 1(/kTquSeIiu:外加正向電壓 kTquSeI/qkTUT/nUunnSTI)(1!1=Is:反向飽和電流 mVUKTT26,300常溫下：RBUU ，UBR反向擊穿電壓 反向擊穿 總結：總結： 輕摻雜耗盡區(qū)寬 雪崩擊穿 反向電壓使少子加速 撞出區(qū)內(nèi)中性原子的電子 形成新的電子空穴對 再加速撞出更多 連鎖反應 雪崩現(xiàn)象 反向電流IR激增 重摻雜耗盡區(qū)窄 齊納擊穿 不大的反向電壓 區(qū)內(nèi)中性原子的 引起電子空穴對激增 反向擊穿 電子空穴對形成大的耗盡區(qū)電場價電子拉出鍵反向電流IR激增總結：總結：硅材料硅材料PNPN結結

37、雪崩擊穿 雪崩加齊納擊穿 齊納擊穿 VUBR7VUVBR75VUBR5The end. return第二章第二章 基本電路基本電路 2.1 2.1 晶體二極管電路晶體二極管電路2.2 2.2 晶體三極管放大電路晶體三極管放大電路二極管電路例題二極管電路例題2.4 2.4 場效應管放大器場效應管放大器范例分析范例分析第二章第二章 基本電基本電路路2.1 2.1 晶體二極管電路晶體二極管電路一、一、 二極管的基本應用電路二極管的基本應用電路 1.1.二極管整流電路二極管整流電路 a. a. 半波整流半波整流若二極管視為理想，正半周D導通 uo=ui 負半周時D截止uo=0 電路輸入輸出第二章第二章

38、 基本電路基本電路b.b.全波整流全波整流 利用四個二極管構成的橋堆可實現(xiàn)全波整流電路 電路堆棧簡化電路輸入輸出波形2.1 2.1 晶體二極管電路晶體二極管電路當 時V導通第二章第二章 基本電路基本電路2.2.二極管限幅電路二極管限幅電路 二極管上限幅電路及波形 當 時, V截止 E、V倒置可得下限幅 VUEuonDi7 . 2)(Vui7 . 2輸入輸出2.1 2.1 晶體二極管電路晶體二極管電路第二章第二章 基本電路基本電路雙向限幅器輸入、輸出波形 上圖是一簡單雙向限幅電路選擇不同的D，可得不同的限幅電平 輸入輸出波形雙向限幅器2.1 2.1 晶體二極管電路晶體二極管電路第二章第二章 基本

39、電路基本電路二二 穩(wěn)壓二極管及穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓二極管及穩(wěn)壓電路 利用PN結反向擊穿時，具有穩(wěn)壓特性而制作成 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管 穩(wěn)壓二極管及其特性曲線 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓電路 2.1 2.1 晶體二極管電路晶體二極管電路第二章第二章 基本電路基本電路特點:反向工作(具有穩(wěn)壓作用) 電路中需加限流電阻(防止熱擊穿)1.1.穩(wěn)壓二極管的參數(shù)穩(wěn)壓二極管的參數(shù) 穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電壓UzUz- 流過二極管電流為規(guī)定值時 穩(wěn)壓管二端的電壓額定功耗額定功耗PzPz- 由管子溫升所限 穩(wěn)定電流穩(wěn)定電流IzIz-正常工作時的參考電流,電流小于其,穩(wěn)定效果差，反之好,但受限制最大電流最大電流 ZZZUPImax2.1 2.

40、1 晶體二極管電路晶體二極管電路第二章第二章 基本電路基本電路動態(tài)電阻動態(tài)電阻 r rz z - - QZiur擊穿特性,工作點上切線斜率之倒數(shù)，工作電流越大其愈小。 溫度系數(shù)溫度系數(shù) - 溫度變化1時 穩(wěn)定電壓的變化量 硅穩(wěn)壓管VUZ5時 為負溫系數(shù)（齊納）時 為正溫系數(shù)（雪崩） VUZ7VUVZ75時溫度系數(shù)很小 而在左右的穩(wěn)壓管有廣泛應用VUZ62.1 2.1 晶體二極管電路晶體二極管電路第二章第二章 基本電路基本電路2.2.穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓電路 電路如圖 R為限流電阻RL為負載 ZUU 0穩(wěn)壓穩(wěn)壓 是指Ui ,RL變化時， Uo保持不變 ZUU 0基本不變，需使 Iz在IZMIN和IZM

41、AX之間為使2.1 2.1 晶體二極管電路晶體二極管電路第二章第二章 基本電路基本電路考慮 Ui在（U Uiminimin，U Uimaximax）內(nèi) IL在（I Ilminlmin，I ILmaxLmax）內(nèi)確定 限流電阻 R R 的取值范圍 所謂電路設計miniiUU minLLRR 時，Iz最小ZUU 0當 要使minminminzLZZiIRURUU必須maxminminminminRRUIRUURLZzLZi即2.1 2.1 晶體二極管電路晶體二極管電路第二章第二章 基本電路基本電路maxiiUU maxLLRR ，Iz最大 當maxmaxLmaxZZZiIRURUU必須minmax

42、LmaxmaxLmaxRRUIRUURZzZi即可見 R R的取值范圍是在 RminRmin與RmaxRmax之間若計算結果出現(xiàn)說明給定條件下UzUz已超出了的穩(wěn)壓工作范圍 maxminRR2.1 2.1 晶體二極管電路晶體二極管電路限幅電路例題（輸入波形：幅值為5V的正弦波）2V2VD導通：Vo=D截止：通：止：限幅電路例題導通：截止：通：止：限幅電路例題時通，止時止，通時止，通2.22.2 三極管放大電路三極管放大電路主要功能：不失真地放大電信號主要功能：不失真地放大電信號 一一. . 基本放大器電路組成及其工作原理基本放大器電路組成及其工作原理 (以NPN型共發(fā)射極放大電路為例)輸入回路

43、與輸出回路電流、電壓的關系 大小 靜態(tài)動態(tài)結合 大寫小寫 （瞬時值） beBEQBEuUu輸入回路（瞬時值）輸出回路bBQBiIiceCEQCEuUucCQCiIi書寫格式1.1.電路的組成及各節(jié)點信號電路的組成及各節(jié)點信號 2.22.2 三極管放大電路三極管放大電路習慣畫法iBiC2.2 2.2 三極管放大電路三極管放大電路晶體管：晶體管： 電路的核心無件，工作在放大狀態(tài)。 控制能量的轉換，將直流供電電源 UCC轉換成輸出信號的能量 V VBBBB: : 基極直流電源，保證e結在整個信號周期 內(nèi)均處于正偏狀態(tài) (不加VBB時，NPN管只有在正半周導通而負半周 截止，輸出信號失真了)RB: (

44、幾十 幾百K K)基極偏置電阻，防止交流 短路。由VBB和RB供給基極一個合適的基 極電流IBQ2.2 2.2 三極管放大電路三極管放大電路V VCCCC: 集電極直流電源（1.保證C結處于反向偏置狀態(tài) 2.提供了整個放大器的能源） 放大電路實質上是一種能量轉換器 作用是將直流能量轉化為所需的交流能量 RC: (幾 幾十K K)集電極電阻 將電流的變化轉化 為電壓變化，從而獲得電壓放大作用C1,C2: C1,C2: (幾ufuf 幾十ufuf)隔斷直流，耦合交流信號 (1.對直流相當于開路 2.對交流相當于短路) 2.2 2.2 三極管放大電路三極管放大電路2. 2. 放大原理及電流電壓波形放

45、大原理及電流電壓波形 待放大的信號須加在be回路CSE1BEieIiTUu由公式可知：當V VBE BE V VBE(ON)BE(ON)后V VBE BE 對i iC C 有敏感的控制作用而V VCE CE 對i iC C 的影響十分微弱 所以待放大的信號加在b b或e e極能有效的得到放大，而不能加在c c極。 2.2 2.2 三極管放大電路三極管放大電路 須設置合適的靜態(tài)工作點須設置合適的靜態(tài)工作點直流工作狀態(tài)： （靜態(tài)）當vivi0 0時 電路中各處的電壓電流都是不變的直流 對應的電流，電壓為I IBQBQ、I ICQCQ、V VCEQCEQ、V VBEQBEQ他們代表了輸入輸出特性上的

46、一個點 習慣上稱 靜態(tài)工作點 即Q點交流工作狀態(tài)： （動態(tài)）當vi0時靜態(tài)工作點設置是否合適對放大器的性能有很大影響 即要保證 輸出電壓要不失真地放大輸出電壓要不失真地放大 2.22.2三極管放大電路三極管放大電路如圖 若Q Q點選得很小則產(chǎn)生了截止失真 這種由于器件非線性而引起的畸變稱為 非線性失真為了防止非線性失真，在沒有輸入信號時Q Q點也不能為0 0而必須有合適的數(shù)值 以保證在vi的整個變化過程中晶體管始終工作在 放大區(qū)放大區(qū) 若Q Q點過大措施是Q點下移使I IB B變小若Q Q點過小措施是Q點上移使I IB B變大2.2 2.2 三極管放大電路三極管放大電路 放大狀態(tài)下管子的電壓，

47、電流波形放大狀態(tài)下管子的電壓，電流波形 晶體管上各端電壓，端電流為 直流直流+ +交流交流且 交流分量的幅值 直流分量的幅值，所以 在任一時刻e結正偏c結反偏 可見 放大作用放大作用是指輸出交流分量與輸入信號的關系， 因為只有交流分量才能反映輸入信號的變化 v vO O與v vi i反相 2.2 2.2 三極管放大電路三極管放大電路二二. . 放大器的主要性能指標放大器的主要性能指標 對信號源而言，放大器相當于它的負載。 放大器的輸入特性用輸入電阻Ri表示 1.1.放大器的二端口模型放大器的二端口模型 對負載而言，放大器相當于負載的信號源。 放大器的特性用輸出電阻R RO O和一個受控電壓源（

48、電流源）來表示 2.2 2.2 三極管放大電路三極管放大電路放大倍數(shù)或增益放大倍數(shù)或增益 2.2.主要指標主要指標定義為放大器輸出量和輸入量之比值 根據(jù)二端口模型中輸入量（Ui，Ii）和輸出量（Uo ，Io）的不同，有四種不同定義的放大倍數(shù) 電壓增益 ：iOuUUA 電流增益 ：iOiIIA iOgUIA 互導增益 :互阻增益： iOrIUA 2.2 2.2 三極管放大電路三極管放大電路為方便，Au,Ai有時用分貝dB來表示 )(lg20)(lg20dBIIAdBUUAiOiiOu，Au,Ai之積稱放大器的 功率增益 )(lg10dBPPGAAPPGiOPiuiOP倍或 輸入電阻輸入電阻RiR

49、i 用來衡量放大電路對信號源的影響 2.2 2.2 三極管放大電路三極管放大電路 當RiRs時 ViVs， Ri越大得到的輸入信號電壓較大越大得到的輸入信號電壓較大 信號源采用信號源采用電壓源電壓源即輸入電阻越大 - 信號源電壓Vs更有效地加到放大器的輸入端 反之（RiRs）Ri越小得到的輸入信號電流較大越小得到的輸入信號電流較大 信號源采用信號源采用電流源電流源 輸出電阻輸出電阻RoRo（計算方法與電路分析一致）（計算方法與電路分析一致）反映放大電路帶負載能力2.2 2.2 三極管放大電路三極管放大電路當Ro越小則RL變化對輸出電壓的影響越小VoVo 即輸出電壓Vo越穩(wěn)定 帶負載能力強反之，

50、若想在負載上得到電流較穩(wěn)定則應使Ro大 非線性失真系數(shù)非線性失真系數(shù)THDTHD 由于放大管輸入輸出特性的非線性，不可避免地要產(chǎn)生非線性失真，即放大器非線性失真的大小與工作點位置，信號大小有關 但如果放大器的靜態(tài)工作點設置在 放大區(qū) 且輸入信號足夠小， 則 非線性失真系數(shù)將很小 2.2 2.2 三極管放大電路三極管放大電路一般只有在大信號工作時才考慮非線性失真問題 非線性失真產(chǎn)生了新的頻率分量 頻率失真頻率失真( (線性失真線性失真) )輸入信號由許多頻率分量組成，由于放大器對不同頻率信號的增益產(chǎn)生不同的放大而造成的失真。(此時輸出信號中并未增加新的頻率分量) 2.2 2.2 三極管放大電路三

51、極管放大電路三三. . 直流工作狀態(tài)的分析直流工作狀態(tài)的分析-估算法估算法 1. 固定偏置電路固定偏置電路直流通路注意:在直流通路中只有直流分量注意：只有在放大區(qū)才是正確的。BBEQCCBQRVVIBQCQIICCQCCCEQRIVV2.2 2.2 三極管放大電路三極管放大電路討論：討論：1) 若基極接地或負電壓，則偏置電流為0。管子截止，此時VCEQ=Vcc(2) 若RB 變小，則 IBQ ICQ VCEQ ， 當VCEQ IIB B 時有穩(wěn)定工作點的作用有穩(wěn)定工作點的作用 CCBBBBQVRRRV212BEQBQEQVVVEEQEQCQRVII)(ECCQCCCEQRRIVV2.2 2.2

52、 三極管放大電路三極管放大電路* * 在此電路中RB1 ,RB2 ,RE如何選擇？為確保UB固定，則I1IBQ 所以RB1 ,RB2 選小些， 但太小時 將增大電源 Vcc 的損耗， 且會使放大器的輸入電阻減小 設計電路時使 發(fā)射極電阻RE越大,穩(wěn)定性越好，但直流壓降(IEQRE)越大，使VCEQ減小一般選)()105(1iBQSII )()2010(1eBQGII CCEQVV)3151(2.2 2.2 三極管放大電路三極管放大電路3. 3. 其他偏置電路分析法：其他偏置電路分析法： a.2.2 2.2 三極管放大電路三極管放大電路*反之，若式改為則RB對IE的影響是RE的 倍將將R RB

53、B折合到發(fā)射極時要乘折合到發(fā)射極時要乘CQBEQECQEQEQCQIVRIVVIT)(EBBEQCCEQRRVVI111112.2 2.2 三極管放大電路三極管放大電路b.2.2 2.2 三極管放大電路三極管放大電路管子截止時：管子截止時：VCEQ=VCC飽和時：飽和時：VCEQ=VCES 0二二. . 交流通路（交流通路（在交流通路中只有交流分量在交流通路中只有交流分量） 在畫交流通路時，電源相當于短路即接地電容-隔直通交2.2 2.2 三極管放大電路三極管放大電路2.2.22.2.2放大器的圖解分析法放大器的圖解分析法 放大器的分析方法有二種：圖解分析法：圖解分析法：形象、直觀，但難以準確

54、定量分析等效電路法：等效電路法：對器件建模進行電路分析，運算簡便，結果誤差小一一. . 直流圖解分析法（以共射極放大器為例）直流圖解分析法（以共射極放大器為例） 由前述方法，估算出IBQ，UCEQ，ICQ。在晶體管的輸出特性上找出二個特殊的點M（0,UCC/RC）N（UCC,0），用直線連接MN，其斜率為-1/ RC稱 直流負載線直流負載線 2.2.22.2.2放大器的圖解分析法放大器的圖解分析法 它和I IBQ BQ 線的交點Q Q 稱為靜態(tài)工作點，該點對應的 縱座標值為I ICQCQ 橫座標值為U UCEOCEO Ucc/Rc M NiB=iBQICQU UCEOCEOUcc 當R RC

55、C不變，R RB B,I IBQBQ，Q Q 點沿負載線上移，極限位置為Q Q2 2，對應的橫座標值為U UCE(sat)CE(sat)，表明靜態(tài)時晶體管已在飽和狀態(tài)。 反之 R RB B,I IBQBQ，Q點沿負載線下移至Q Q1 1， 極限位置N N，對應的橫座標值為UCC， 表示晶體管已工作在截止狀態(tài)了。 QRB Q2RB Q1 Q Q3 Q4RC RC 2.2.22.2.2放大器的圖解分析法放大器的圖解分析法 上述兩種狀態(tài)下晶體管都不能正常放大信號 正確方法是Q點應偏置在負載線的中點 當I IBQBQ不變時，R RC C，負載線斜率變小，Q Q點移至Q Q3 3反之，R RC C，負載

56、線斜率增大，Q Q點移至Q Q4 4Q點都不在負載線中點，將影響正常放大這時應重新設置I IBQBQ值 一一. .交流圖解分析法交流圖解分析法 交流負載線交流負載線 - 是一條通過Q點斜率為 -1/R-1/RL L 的一條線, 其中 R RL L=Rc/R=Rc/RL L2.2.22.2.2放大器的圖解分析法放大器的圖解分析法 原因: 交直流負載線必然在Q點相交,因為在線性 工作范圍內(nèi),Vi在變化過程中一定經(jīng)過O點 即 Vi=0,而這一時刻既是動態(tài)過程中的一個點, 又與靜態(tài)工作情況相符.根據(jù) Vce=ic*RL 設 ic 為 由Q點減小到0, 即 ic=ICQ Vce=ICQ*RL 方法方法:

57、 :cev2.2.22.2.2放大器的圖解分析法放大器的圖解分析法 三三. .直流工作點與放大器非線性失真直流工作點與放大器非線性失真 良好設計的放大器工作點應位于交流負載線的中點。不然當工作點過低，在信號負半周時會進入截止區(qū)。所以，因受截止失真限制，最大不失真輸出電壓幅度為截止失真截止失真LCQomRIU2.2.22.2.2放大器的圖解分析法放大器的圖解分析法 當工作點過高在信號正半周時會進入飽和區(qū)，因飽和失真限制，最大不失真輸出電壓幅度為飽和失真飽和失真CESCEQomUUU工作點在負載線中點時，上二式是近似相等的工作點不在中點時，則取小的一個作為Vom， 最大不失真信號的 峰峰值 即 為

58、該值的兩倍2.2.32.2.3放大器的交流等效電路分析法放大器的交流等效電路分析法 一一. . 晶體管交流小信號模型（共射為例）晶體管交流小信號模型（共射為例） 應用條件：應用條件： 靜態(tài)工作點選擇恰當，晶體管工作在放大區(qū) 輸入信號較小，非線性失真可忽略 1. 1. 混合混合型電路模型型電路模型 共發(fā)射極晶體管 電路模型 2.2.32.2.3放大器的交流等效電路分析法放大器的交流等效電路分析法 u ubebe對i ib b的控制，等效為b-e間交流結電阻r rbebe，其值： 發(fā)射結交流電阻eebeQEBEbeQBEeQEBEBEQBBEbbebe,1)1 (riuiuiiiiriuiiiui

59、urEQEQT/SQBEEe/Se2611/1,TBEQImvIUeIUuireIiUuTUuTBE而u ube be 通過 i ib b對 ic的控制可等效為一個流控電流源 bcQBCbciiiiii，其中2.2.32.2.3放大器的交流等效電路分析法放大器的交流等效電路分析法 或直接用一個壓控電流源來表示 ,bemCugi其中跨導 ebeQBBEBCbecQBEcm1/rriuiiuiuig 輸出特性上Q點處切線斜率之倒數(shù)， 表明了 對 的影響 cercceQCCEceiuiur幾百K數(shù)量級 bcrCi輸入特性上Q點處 對 的影響 CEuBicebceQCCEBCQBCEbcriuiuii

60、iur極大，可忽略 cev2.2.32.2.3放大器的交流等效電路分析法放大器的交流等效電路分析法 真正的晶體管還有寄生效應的影響，它們是三個摻雜區(qū)的體電阻,其中基區(qū)基區(qū)體電阻因該區(qū)很窄，數(shù)值較大，一般高頻管數(shù)十，低頻管數(shù)百。 另二個較小，可忽略。還有二個結的結電容：發(fā)射結電容（正偏勢壘）集電結電容（反偏擴散）低頻工作時可忽略。 完整的混合型電路模型（a）高頻時的電路模型；（b）低頻時的電路模型 2.2.32.2.3放大器的交流等效電路分析法放大器的交流等效電路分析法 2. 2. 低頻低頻H H參數(shù)電路模型參數(shù)電路模型 將晶體管視為一個雙端口回路時，可將其看成一個黑匣子，僅根據(jù)其輸入，輸出回路