計(jì)機(jī)原理及系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

1、計(jì)算機(jī)原理及系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 第三十一講主講教師：趙主講教師：趙宏偉宏偉 學(xué)時(shí)：學(xué)時(shí)：64第第7 7章章多級結(jié)構(gòu)的存儲器系統(tǒng)概述多級結(jié)構(gòu)的存儲器系統(tǒng)概述和主存儲器和主存儲器3本章主要內(nèi)容本章主要內(nèi)容w多級結(jié)構(gòu)的存儲器系統(tǒng)概述多級結(jié)構(gòu)的存儲器系統(tǒng)概述w主存儲器部件的組成和設(shè)計(jì)主存儲器部件的組成和設(shè)計(jì)n主存儲器概述n動(dòng)態(tài)存儲器原理n靜態(tài)存儲器原理n存儲器的組織w教學(xué)計(jì)算機(jī)的內(nèi)存儲器實(shí)例教學(xué)計(jì)算機(jī)的內(nèi)存儲器實(shí)例w提高儲存器系統(tǒng)性能的途徑提高儲存器系統(tǒng)性能的途徑4存儲器系統(tǒng)的概念與目標(biāo)存儲器系統(tǒng)的概念與目標(biāo)輸入設(shè)備輸入設(shè)備輸出設(shè)備輸出設(shè)備入出接口和總?cè)氤鼋涌诤涂偩€線外存設(shè)備外存設(shè)備主存儲器主存儲器高速緩存高速

2、緩存控控 制制 器器運(yùn)運(yùn) 算算 器器p197p1975存儲器系統(tǒng)的概念與目標(biāo)存儲器系統(tǒng)的概念與目標(biāo)w存儲器的作用存儲器的作用n計(jì)算機(jī)中用來存放和的部件，是馮.諾依曼結(jié)構(gòu)計(jì)算機(jī)的重要組成n程序和數(shù)據(jù)的共同特點(diǎn)：二進(jìn)制位串w存儲器的要求存儲器的要求n能夠有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)來表示二進(jìn)制中的“0”和“1”n容易識別，兩個(gè)狀態(tài)能方便地進(jìn)行轉(zhuǎn)換n幾種常用的存儲介質(zhì)：磁介質(zhì)、觸發(fā)器、電容、光盤6存儲器系統(tǒng)的概念與目標(biāo)存儲器系統(tǒng)的概念與目標(biāo)w存儲器追求的目標(biāo)存儲器追求的目標(biāo)：應(yīng)能基本滿足cpu對數(shù)據(jù)的要求：可以滿足程序?qū)Υ鎯臻g的要求：（價(jià)格/位）在用戶能夠承受范圍內(nèi)w怎么實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)？怎么實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)？n用多級

3、結(jié)構(gòu)存儲器把要用的程序和數(shù)據(jù)，按其使用的急迫程度分段調(diào)入存儲容量不同、運(yùn)行速度不同的存儲器中，并由硬軟件系統(tǒng)統(tǒng)一調(diào)度管理n例如三級結(jié)構(gòu)存儲器：cache主存虛存7多級結(jié)構(gòu)存儲器系統(tǒng)多級結(jié)構(gòu)存儲器系統(tǒng)w選用生產(chǎn)與運(yùn)行成本不同的、存儲容量不同的、讀寫速度不同的多種存儲介質(zhì)，組成一個(gè)統(tǒng)一的存儲器系統(tǒng)，使每種介質(zhì)都處于不同的地位，發(fā)揮不同的作用，充分發(fā)揮各自在速度、速度、容量容量、成成本本方面的優(yōu)勢，從而達(dá)到最優(yōu)性能價(jià)格比，以滿足使用要求。w例如：用容量更小但速度最快的 sram芯片組成 cache，容量較大速度適中的 dram芯片組成 main memory，用容量特大但速度較慢的磁盤設(shè)備構(gòu)成 vi

4、rtual memory。p197p1978多級結(jié)構(gòu)存儲器系統(tǒng)多級結(jié)構(gòu)存儲器系統(tǒng)9程序運(yùn)行的程序運(yùn)行的局部性原理局部性原理w程序運(yùn)行的程序運(yùn)行的局部性原理局部性原理表現(xiàn)在三方面表現(xiàn)在三方面：在一小段在一小段時(shí)間時(shí)間內(nèi)，最近被訪問過的程序和內(nèi)，最近被訪問過的程序和數(shù)據(jù)很可能再次被訪問，數(shù)據(jù)很可能再次被訪問，例如：程序循環(huán)例如：程序循環(huán)：在在空間空間上這些被訪問的程序和數(shù)據(jù)往往集上這些被訪問的程序和數(shù)據(jù)往往集中在一小片存儲區(qū)，中在一小片存儲區(qū)，例如：數(shù)組存放例如：數(shù)組存放：在訪問在訪問順序順序上，指令順序執(zhí)行比上，指令順序執(zhí)行比轉(zhuǎn)移執(zhí)行的可能性大轉(zhuǎn)移執(zhí)行的可能性大 (大約大約 5:1 )p198p

5、19810多級結(jié)構(gòu)存儲器之間應(yīng)滿足的原則多級結(jié)構(gòu)存儲器之間應(yīng)滿足的原則w一致性原則一致性原則n同一個(gè)信息可以處在不同層次存儲器中，此時(shí)，這一同一個(gè)信息可以處在不同層次存儲器中，此時(shí)，這一信息在幾個(gè)級別的存儲器中應(yīng)保持相同的值。信息在幾個(gè)級別的存儲器中應(yīng)保持相同的值。w包含性原則包含性原則n處在內(nèi)層的信息一定被包含在其外層的存儲器中，反處在內(nèi)層的信息一定被包含在其外層的存儲器中，反之則不成立，即內(nèi)層存儲器中的全部信息是其相鄰?fù)庵畡t不成立，即內(nèi)層存儲器中的全部信息是其相鄰?fù)鈱哟鎯ζ髦幸徊糠中畔⒌膹?fù)制品層存儲器中一部分信息的復(fù)制品 。p198p19811微電子技術(shù)發(fā)展趨勢微電子技術(shù)發(fā)展趨勢wcpu與

6、與dram性能比較性能比較處理器性能每年處理器性能每年增長增長60%動(dòng)態(tài)存儲器性能每年增長9%110100100019801981198319841985198619871988198919901991199219931994199519961997199819992000dramcpu1982cpu與主存儲器的性能差與主存儲器的性能差異，每年增長異，每年增長50%性能性能摩爾定律年份年份12現(xiàn)代計(jì)算機(jī)中的存儲層次現(xiàn)代計(jì)算機(jī)中的存儲層次w利用程序的局部性原理利用程序的局部性原理n以最低廉的價(jià)格提供盡可能大的存儲空間n以最快速的技術(shù)實(shí)現(xiàn)高速存儲訪問13本章主要內(nèi)容本章主要內(nèi)容w多級結(jié)構(gòu)的存儲器系

7、統(tǒng)概述多級結(jié)構(gòu)的存儲器系統(tǒng)概述w主存儲器部件的組成和設(shè)計(jì)主存儲器部件的組成和設(shè)計(jì)n主存儲器概述n動(dòng)態(tài)存儲器原理n靜態(tài)存儲器原理n存儲器的組織w教學(xué)計(jì)算機(jī)的內(nèi)存儲器實(shí)例教學(xué)計(jì)算機(jī)的內(nèi)存儲器實(shí)例w提高儲存器系統(tǒng)性能的途徑提高儲存器系統(tǒng)性能的途徑14主存儲器概述主存儲器概述w計(jì)算機(jī)中存儲計(jì)算機(jī)中存儲正處在運(yùn)行中正處在運(yùn)行中的程序和數(shù)據(jù)的程序和數(shù)據(jù)(或一部分或一部分) 的部件，通過的部件，通過地址、數(shù)據(jù)、控制三類總線與地址、數(shù)據(jù)、控制三類總線與 cpu等其他部件連通。等其他部件連通。w地址總線地址總線 ab 的位數(shù)決定了可尋址的最大內(nèi)存空間的位數(shù)決定了可尋址的最大內(nèi)存空間w數(shù)據(jù)總線數(shù)據(jù)總線 db 的位

8、數(shù)與工作頻率的乘積正比于最高數(shù)據(jù)入出量的位數(shù)與工作頻率的乘積正比于最高數(shù)據(jù)入出量w控制總線控制總線 cb 指出總線周期的類型和指出總線周期的類型和本次讀寫操作完成的時(shí)刻本次讀寫操作完成的時(shí)刻readywriteread cpu mainmemoryab k 位（給出地址）位（給出地址）db n 位（傳送數(shù)據(jù)）位（傳送數(shù)據(jù)）例如：例如：k= 32 位位n= 64 位位p200p20015主存儲器的讀寫過程主存儲器的讀寫過程主存儲體數(shù)據(jù)寄存器地址寄存器/we/cs0/cs1讀過程：給出地址給出地址給出片選與讀命令給出片選與讀命令保存讀出內(nèi)容保存讀出內(nèi)容寫過程：給出地址給出地址給出片選與數(shù)據(jù)給出片選

9、與數(shù)據(jù)給出寫命令給出寫命令主存儲體16主存儲器概述主存儲器概述w主要技術(shù)指標(biāo)主要技術(shù)指標(biāo)n存取時(shí)間w通常用讀寫一個(gè)存儲單元所需的時(shí)間度量，即讀寫速度n存儲周期w連續(xù)兩次讀寫存儲單元所需的時(shí)間間隔w大于讀寫一次存儲單元的存取時(shí)間n存儲容量w通常用構(gòu)成存儲器的字節(jié)（8位）或者字?jǐn)?shù)（2、4、8個(gè)字節(jié)）表述w多數(shù)計(jì)算機(jī)能在邏輯上同時(shí)支持按字節(jié)或者字讀寫存儲器17半導(dǎo)體存儲器的分類半導(dǎo)體存儲器的分類 易失性 存儲器 非易失性 存儲器 半導(dǎo)體存儲器 只讀 存儲器 rom 隨機(jī)讀寫存儲器ram 掩膜 rom 可編程 rom （prom） 可擦除 rom （eprom） 電擦除 rom （e2prom） 靜態(tài)

10、 ram （sram） 動(dòng)態(tài) ram （dram） 快速擦寫存儲器 （flash memory） 計(jì)算機(jī)原理及系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 第三十二講主講教師：趙主講教師：趙宏偉宏偉 學(xué)時(shí)：學(xué)時(shí)：6419靜態(tài)和動(dòng)態(tài)靜態(tài)和動(dòng)態(tài)ram芯片特性芯片特性 sramdram存儲信息觸發(fā)器電容 破壞性讀出非是需要刷新不要需要 送行列地址同時(shí)送分兩次送運(yùn)行速度快慢集成度低高發(fā)熱量大小存儲成本高低20動(dòng)態(tài)存儲器讀寫原理動(dòng)態(tài)存儲器讀寫原理w動(dòng)態(tài)存儲器，是用金屬氧化物半導(dǎo)體（動(dòng)態(tài)存儲器，是用金屬氧化物半導(dǎo)體（mos）的單個(gè)）的單個(gè)mos管來存儲一個(gè)二進(jìn)制位（管來存儲一個(gè)二進(jìn)制位（bit）信息的。信息被存儲）信息的。信息被存儲在在mo

11、s管管t的源極的寄生電容的源極的寄生電容cs中，例如，用中，例如，用cs中存儲中存儲有電荷表示有電荷表示1，無電荷表示，無電荷表示0。+- -字線字線位位線線高，高，t 導(dǎo)通，導(dǎo)通，低，低，t 截止。截止。vddcs柵極柵極t源極源極漏極漏極充電充電放電放電通過電容通過電容cs有有無無存儲電荷來存儲電荷來區(qū)分信號區(qū)分信號1、0p201p20121+ +- -vddcs字線字線位位線線t 寫寫 1 ：使位線為低電平，：使位線為低電平，高，高，t 導(dǎo)通，導(dǎo)通，低，低，t 截止。截止。低低若若cs 上無電荷，則上無電荷，則 vdd 向向 cs 充電；充電； 把把 1 信號寫入了電容信號寫入了電容 c

12、s 中。中。若若cs 上有電荷，則上有電荷，則 cs 的電荷不變，的電荷不變，保持原記憶的保持原記憶的 1 信號不變。信號不變。22+ +- -vddcs字線字線位位線線t高，高，t 導(dǎo)通，導(dǎo)通，低，低，t 截止。截止。高高寫寫 0 ：使位線為高電平，：使位線為高電平， 若若cs 上有電荷，則上有電荷，則 cs 通過通過 t 放電；放電； 若若cs 上無電荷，則上無電荷，則 cs 無充放電動(dòng)作，無充放電動(dòng)作，保持原記憶的保持原記憶的 0 信號不變。信號不變。把把 0 信號寫入了電容信號寫入了電容 cs 中。中。 23+- -vddcs字線字線位位線線t接在位線上的讀出放大器會(huì)感知這種變化，讀出

13、為接在位線上的讀出放大器會(huì)感知這種變化，讀出為 1。高，高，t 導(dǎo)通，導(dǎo)通，高高讀操作：讀操作： 首先使位線充電至高電平，當(dāng)字線來高電平后，首先使位線充電至高電平，當(dāng)字線來高電平后，t導(dǎo)通，導(dǎo)通，低低 若若 cs 上無電荷，則位線上無電位變化上無電荷，則位線上無電位變化 ，讀出為，讀出為 0 ； 若若 cs 上有電荷，則會(huì)放電，并使位線電位由高變低，上有電荷，則會(huì)放電，并使位線電位由高變低，242526動(dòng)態(tài)存儲器讀寫原理動(dòng)態(tài)存儲器讀寫原理w破壞性讀出破壞性讀出：讀操作后，被讀單元的內(nèi)容一定被清為零，：讀操作后，被讀單元的內(nèi)容一定被清為零，必須把剛讀出的內(nèi)容立即寫回去，通常稱其為預(yù)充電延遲，必須

14、把剛讀出的內(nèi)容立即寫回去，通常稱其為預(yù)充電延遲，它影響存儲器的工作頻率，在結(jié)束預(yù)充電前不能開始下一它影響存儲器的工作頻率，在結(jié)束預(yù)充電前不能開始下一次讀。次讀。w要定期刷新要定期刷新：在不進(jìn)行讀寫操作時(shí)，：在不進(jìn)行讀寫操作時(shí)，dram 存儲器的各存儲器的各單元處于斷路狀態(tài)，由于漏電的存在，保存在電容單元處于斷路狀態(tài)，由于漏電的存在，保存在電容cs 上上的電荷會(huì)慢慢地漏掉，為此必須定時(shí)予以補(bǔ)充，通常稱其的電荷會(huì)慢慢地漏掉，為此必須定時(shí)予以補(bǔ)充，通常稱其為刷新操作。刷新不是按字處理，而是每次刷新一行，即為刷新操作。刷新不是按字處理，而是每次刷新一行，即為連接在同一行上所有存儲單元的電容補(bǔ)充一次能量

15、。刷為連接在同一行上所有存儲單元的電容補(bǔ)充一次能量。刷新周期一般為新周期一般為2ms，刷新有，刷新有兩種常用方式兩種常用方式：n集中刷新，停止內(nèi)存讀寫操作，逐行將所有各行刷新一遍；n分散刷新，每隔一定時(shí)間段，刷新一行，各行輪流進(jìn)行。w信號序關(guān)系：結(jié)論性內(nèi)容參考信號序關(guān)系：結(jié)論性內(nèi)容參考p203。27靜態(tài)存儲器存儲原理靜態(tài)存儲器存儲原理w靜態(tài)存儲器（靜態(tài)存儲器（sram）是用觸發(fā)器線路記憶和讀寫數(shù)據(jù)的，）是用觸發(fā)器線路記憶和讀寫數(shù)據(jù)的，通常用通常用6個(gè)個(gè)mos管組成存儲一位二進(jìn)制信息的存儲單元。管組成存儲一位二進(jìn)制信息的存儲單元。其中其中4個(gè)個(gè)mos管組成兩個(gè)反相器，輸入輸出交叉耦合構(gòu)成管組成兩

16、個(gè)反相器，輸入輸出交叉耦合構(gòu)成一位觸發(fā)器，記憶一位二進(jìn)制信息。一位觸發(fā)器，記憶一位二進(jìn)制信息。p204p2042829存儲器的組織存儲器的組織w用用10241位的芯片組成位的芯片組成1kb ram a0 a9 d0 d7 8 i/o 7 i/o 6 i/o 5 i/o 4 i/o 3 i/o 2 i/o 1 10241 i/o 地址線 數(shù)據(jù)線 30存儲器的組織存儲器的組織w用用2564位的芯片組成位的芯片組成1kb rama8a9a0a7d0d7地址線數(shù)據(jù)線a0 ce 4 i/oa0 ce 32564a7 i/oa0 ce 6 i/oa0 ce 52564a7 i/oa0 ce 8 i/oa0

17、 ce 72564a7 i/oa0 ce 2 i/oa0 ce 12564a7 i/o譯碼器計(jì)算機(jī)原理及系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 第三十三講主講教師：趙主講教師：趙宏偉宏偉 學(xué)時(shí)：學(xué)時(shí)：6432存儲器設(shè)計(jì)存儲器設(shè)計(jì)w地址譯碼（芯片選擇）地址譯碼（芯片選擇）w字?jǐn)U展字?jǐn)U展w位擴(kuò)展位擴(kuò)展33本章主要內(nèi)容本章主要內(nèi)容w多級結(jié)構(gòu)的存儲器系統(tǒng)概述多級結(jié)構(gòu)的存儲器系統(tǒng)概述w主存儲器部件的組成和設(shè)計(jì)主存儲器部件的組成和設(shè)計(jì)n主存儲器概述n動(dòng)態(tài)存儲器原理n靜態(tài)存儲器原理n存儲器的組織w教學(xué)計(jì)算機(jī)的內(nèi)存儲器實(shí)例教學(xué)計(jì)算機(jī)的內(nèi)存儲器實(shí)例w提高儲存器系統(tǒng)性能的途徑提高儲存器系統(tǒng)性能的途徑34教學(xué)計(jì)算機(jī)的內(nèi)存儲器實(shí)例教學(xué)計(jì)算機(jī)的內(nèi)存

18、儲器實(shí)例w設(shè)計(jì)基本要求設(shè)計(jì)基本要求n需要rom來存放監(jiān)控程序n需要ram供用戶和監(jiān)控程序使用n能夠讓用戶進(jìn)行擴(kuò)展w地址總線：地址總線：16位，高位，高3位譯碼產(chǎn)出片選信號位譯碼產(chǎn)出片選信號w數(shù)據(jù)總線：數(shù)據(jù)總線：16位，分為內(nèi)部位，分為內(nèi)部db和外部和外部dbw控制總線：控制總線：n時(shí)鐘信號：與cpu時(shí)鐘同步，簡化設(shè)計(jì)n讀寫信號：由/mio，req和/we譯碼生成內(nèi)存和io讀寫信號35靜態(tài)存儲器字位擴(kuò)展靜態(tài)存儲器字位擴(kuò)展w教學(xué)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲器的容量為教學(xué)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲器的容量為 10k字，每個(gè)字的字長為字，每個(gè)字的字長為 16 位。位。存儲器芯片選用兩種：存儲器芯片選用兩種：n有 8192

19、個(gè)存儲單元、每個(gè)存儲單元由 8 位組成的靜態(tài)存儲器芯片58c65romn有 2048 個(gè)存儲單元、每個(gè)存儲單元由 8 位組成的靜態(tài)存儲器芯片6116ramw為組成為組成 16 位的存儲器，必須使用兩片芯片完成字長擴(kuò)展（位的存儲器，必須使用兩片芯片完成字長擴(kuò)展（位擴(kuò)展位擴(kuò)展）；）；為達(dá)到為達(dá)到10k的內(nèi)容容量，還必須用兩片芯片完成存儲單元的數(shù)量擴(kuò)展的內(nèi)容容量，還必須用兩片芯片完成存儲單元的數(shù)量擴(kuò)展（字?jǐn)U展字?jǐn)U展）；）；w為訪問為訪問 8192 個(gè)存儲單元，需要使用個(gè)存儲單元，需要使用13位地址，應(yīng)把地址總線的低位地址，應(yīng)把地址總線的低13位地址送到每個(gè)位地址送到每個(gè)58c65存儲器芯片的地址引腳

20、；存儲器芯片的地址引腳；w為訪問為訪問 2048 個(gè)存儲單元，需要使用個(gè)存儲單元，需要使用11位地址，應(yīng)把地址總線的低位地址，應(yīng)把地址總線的低11位地址送到每個(gè)位地址送到每個(gè)6116存儲器芯片的地址引腳；存儲器芯片的地址引腳； w對地址總線的高位部分進(jìn)行譯碼，產(chǎn)生的譯碼信號送到相應(yīng)的存儲器對地址總線的高位部分進(jìn)行譯碼，產(chǎn)生的譯碼信號送到相應(yīng)的存儲器芯片的片選信號引腳芯片的片選信號引腳 /cs，用于選擇讓哪一個(gè)地址范圍內(nèi)的存儲器，用于選擇讓哪一個(gè)地址范圍內(nèi)的存儲器芯片工作，保證不同存儲器芯片在時(shí)間上以互斥方式（分時(shí)）運(yùn)行。芯片工作，保證不同存儲器芯片在時(shí)間上以互斥方式（分時(shí)）運(yùn)行。w還要向存儲器

21、芯片提供讀寫控制信號還要向存儲器芯片提供讀寫控制信號 /we，以區(qū)分是讀、還是寫操，以區(qū)分是讀、還是寫操作，作，/we信號為高電平是讀，為低是寫。信號為高電平是讀，為低是寫。36靜態(tài)存儲器字位擴(kuò)展靜態(tài)存儲器字位擴(kuò)展地址總線低地址總線低13位位高位地址譯碼給出高位地址譯碼給出片選信號片選信號/cs0/cs1高八位數(shù)據(jù)高八位數(shù)據(jù)低八位數(shù)據(jù)低八位數(shù)據(jù)/we 2k * 8 bit 8k * 8 bit 8k * 8 bit 2k * 8 bit 譯碼器譯碼器13113110 01fff1fff2000200027ff27ff37本章主要內(nèi)容本章主要內(nèi)容w多級結(jié)構(gòu)的存儲器系統(tǒng)概述多級結(jié)構(gòu)的存儲器系統(tǒng)概述

22、w主存儲器部件的組成和設(shè)計(jì)主存儲器部件的組成和設(shè)計(jì)n主存儲器概述n動(dòng)態(tài)存儲器原理n靜態(tài)存儲器原理n存儲器的組織w教學(xué)計(jì)算機(jī)的內(nèi)存儲器實(shí)例教學(xué)計(jì)算機(jī)的內(nèi)存儲器實(shí)例w提高儲存器系統(tǒng)性能的途徑提高儲存器系統(tǒng)性能的途徑38提高儲存器系統(tǒng)性能的途徑提高儲存器系統(tǒng)性能的途徑w動(dòng)態(tài)存儲器系統(tǒng)的快速讀寫技術(shù)動(dòng)態(tài)存儲器系統(tǒng)的快速讀寫技術(shù)n快速頁式工作技術(shù)快速頁式工作技術(shù) ：連續(xù)讀寫屬于同一行的多個(gè)列中的數(shù)據(jù)，其行地址只需在第一次讀寫時(shí)送入（鎖存），之后保持不變，則每次讀寫屬于該行的多個(gè)列中的數(shù)據(jù)時(shí)，僅鎖存列地址即可，從而省掉了鎖存行地址時(shí)間，也就加快了主存儲器的讀寫速度。nedo（extended data out）技術(shù)：在數(shù)據(jù)輸出部分增加數(shù)據(jù)鎖存線路，延長輸出數(shù)據(jù)的有效保持時(shí)間，即使地址信號改變了，仍能取到正確的讀出數(shù)據(jù)，這可以進(jìn)一步縮短地址送入時(shí)間，也就加快了主存儲器的讀寫速度。 39提高儲存器系統(tǒng)性能的途徑提高儲存器系統(tǒng)性能的途徑w主存儲器的并行讀寫技術(shù)主存儲器的并行讀寫技術(shù)n并行讀寫能夠使主存儲器在一個(gè)工作周期或略多一點(diǎn)的時(shí)間內(nèi)讀并行讀寫能夠使主存儲器在一個(gè)工作周期或略多一點(diǎn)的時(shí)間內(nèi)讀出多個(gè)主存字。在靜態(tài)和動(dòng)態(tài)的存儲器都可使用并行讀寫技術(shù)。出多個(gè)主存字。在靜態(tài)和動(dòng)態(tài)的存儲器都可使用并行讀寫技術(shù)。w主要有兩種方案：主要有兩種方案：n一體多字：一體多字：