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1、3.2 離子鍵 離子晶體一、離子鍵1.離子鍵的形成前面我們已經(jīng)學(xué)過,金屬元素的電負(fù)性小,其原子易失去價(jià)電子形成陽離子;非金屬元素的電負(fù)性較大,其原子易得到電子形成陰離子,當(dāng)這兩種原子相互接近到一定程度時(shí),容易發(fā)生電子得失而形成陰、陽離子,陰、陽離子通過靜電作用形成穩(wěn)定化合物。這種陰、陽離子通過靜電作用形成的化學(xué)鍵叫離子鍵。陰、陽離子是形成離子鍵必不可少的粒子,缺一不可。如mgcl2中含有mg2+、cl-,kal(so4)2·12h2o中含有k+、al3+、so2-4及h2o分子??梢?,離子化合物中含陰、陽離子至少各1種,且不一定不含分子。2.離子鍵的實(shí)質(zhì)離子鍵的實(shí)質(zhì)是靜電作用,它包括
2、陰、陽離子之間的引力和它們的核與核、電子與電子之間的斥力兩個(gè)方面,當(dāng)引力和斥力之間達(dá)到平衡時(shí),就形成了穩(wěn)定的離子化合物,它就不再顯電性,即顯電中性。離子鍵的強(qiáng)弱與陰、陽離子所帶電荷及核間距有關(guān)。據(jù)庫侖定律可知(k為系數(shù))。3.離子鍵的特征沒有方向性和飽和性。為什么這樣說呢?那是因?yàn)樵谕ǔG闆r下,陰、陽離子可看成球形對稱,它們的電荷分布也是球形對稱的,它們在空間的各個(gè)方向上的靜電作用相同,所以在各個(gè)方向上都可以與帶相反電荷的離子發(fā)生靜電作用,且在靜電作用能達(dá)到的范圍內(nèi),只要空間條件允許、一個(gè)離子可以同時(shí)吸引多個(gè)帶相反電荷的離子。因此,離子鍵沒有方向性和飽和性。二、離子晶體1.離子鍵:(1)定義:
3、陰、陽離子之間強(qiáng)烈的電性作用。(2)特征:無飽和性和方向性。(3)本質(zhì):電性作用。(4)存在:離子晶體中。2.離子晶體:(1)定義:陰、陽離子通過離子鍵結(jié)合,在空間呈現(xiàn)有規(guī)律的排列所形成的晶體。注意:離子晶體的構(gòu)成粒子是陰、陽離子,所以在離子晶體中,無分子存在,也無原子存在。如nacl、cscl只表示晶體中陰陽離子個(gè)數(shù)比,不表示分子式。(2)常見的ab型離子晶體有nacl型、cscl型、zns型等。(3)晶格能:定義:1 mol離子化合物中陰、陽離子,由相互遠(yuǎn)離的氣態(tài)結(jié)合成離子晶體所放出的能量;表示意義:晶格能越大,表示離子鍵越強(qiáng),離子晶體越穩(wěn)定,熔、沸點(diǎn)越高。可借助庫侖定律來比較;晶格能的大
4、?。壕Ц衲芘c離子晶體中陰、陽離子所帶電荷的乘積成正比,與陰、陰離子的距離成反比,數(shù)學(xué)表達(dá)式為:晶格能。(4)離子晶體的物理性質(zhì):離子晶體具有較高的熔點(diǎn)、沸點(diǎn),難揮發(fā)。離子晶體中,陰、陽離子間有強(qiáng)烈的相互作用(離子鍵),要克服離子間的相互作用力使物質(zhì)熔化和沸騰,就需要較多的能量。因此,離子晶體具有較高的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)和難揮發(fā)的性質(zhì)。nacl、cscl的熔點(diǎn)分別是801 、645 ;沸點(diǎn)分別是1 413 、1 290 。而共價(jià)化合物h2o的熔點(diǎn)為0 、沸點(diǎn)為100 ,這就低得多了。離子晶體硬而脆。離子晶體中,陰、陽離子之間有較強(qiáng)的離子鍵,因此離子晶體表現(xiàn)出了較高的硬度,當(dāng)晶體受到?jīng)_擊力作用時(shí),部分離子
5、鍵發(fā)生斷裂,導(dǎo)致晶體破碎。離子晶體不導(dǎo)電,熔化或溶于水后能導(dǎo)電。離子晶體中,離子鍵較強(qiáng),離子不能自由移動,即晶體中無自由移動的離子,因此離子晶體不導(dǎo)電。當(dāng)升高溫度時(shí),陰、陽離子獲得足夠能量,克服了離子間的相互作用,成了自由移動的離子,在外界電場作用下,離子定向移動而導(dǎo)電。離子化合物溶于水時(shí),陰、陽離子受到水分子作用變成了自由移動的離子(或水合離子),在外界電場作用下,陰、陽離子定向移動而導(dǎo)電。大多數(shù)離子晶體易溶于極性溶劑(如水)中,難溶于非極性溶劑(如汽油、煤油)中。當(dāng)把離子晶體放在水中時(shí),極性水分子對離子晶體中的離子產(chǎn)生吸引作用,使晶體中的離子克服了離子間的作用而電離,變成在水中自由移動的離
6、子。離子晶體包括強(qiáng)堿、活潑金屬形成的鹽、銨鹽、活潑金屬氧化物等。一般地,活潑金屬(如k、ca、na、mg等)與活潑的非金屬(如氯、溴、氧等)化合成的物質(zhì)形成的晶體為離子晶體。但并不是所有金屬和非金屬元素形成的化合物都為離子化合物,如alcl3為分子晶體。(5)疑難點(diǎn):有關(guān)離子晶體晶胞的計(jì)算處于立方體頂點(diǎn)的粒子同時(shí)為8個(gè)晶胞所共有,每個(gè)粒子有1/8屬于該晶胞。處于立方體棱上的粒子,同時(shí)為4個(gè)晶胞所共有,每個(gè)粒子有1/4屬于該細(xì)胞。處于立方體面上的粒子,同時(shí)為2個(gè)晶胞所共有,每個(gè)粒子有1/2屬于該晶胞。處于立方體內(nèi)部的粒子,完全屬于該晶胞。三、離子晶體中離子的配位數(shù)為什么不同的正、負(fù)離子結(jié)合成離子
7、晶體時(shí),會形成配位數(shù)不同的空間構(gòu)型呢?這是因?yàn)樵谀撤N結(jié)構(gòu)下該離子化合物的晶體最穩(wěn)定,體系的能量最低,一般決定離子晶體構(gòu)型的主要因素有正、負(fù)離子的半徑(幾何因素)和離子的電子層結(jié)構(gòu)(電荷因素)。(1)對于ab型離子晶體來說,正、負(fù)離子的半徑比與配位數(shù)和晶體構(gòu)型的關(guān)系如下表所示。半徑比()配位數(shù)構(gòu)型實(shí)例0.4140.7326nacl型nacl、kcl、nabr、lif、cao、mgo、cas0.73218cscl型cscl、csbr、csi、nh4cl表中的半徑比可以根據(jù)圖中的三角形,利用幾何圖形計(jì)算出的值。即當(dāng)=0.414時(shí),陰、陽離子間是直接接觸的,陰離子也是相互接觸的。當(dāng)0.414時(shí),負(fù)離子
8、互相接觸(排斥),而正負(fù)離子接觸不良,這樣的構(gòu)型不穩(wěn)定,所以晶體只能轉(zhuǎn)更小的配位數(shù)以求穩(wěn)定,如zns;當(dāng)0.414時(shí),陰離子之間接觸不良,而陰、陽離子之間相互接觸吸引作用較強(qiáng),這種結(jié)構(gòu)較為穩(wěn)定,配位數(shù)為6;當(dāng)0.732時(shí),陽離子相對地增大,它有可能接觸更多的陰離子,使配位數(shù)為8。對于離子化合物中離子的任一配位數(shù)來說,都有一相應(yīng)的陰、陽離子半徑的比值。例如:nacl的=95 pm/181 pm=0.52,配位數(shù)為6;cscl的=169 pm/181 pm=0.93,配位數(shù)為8。(2)陰、陽離子的電荷也是決定離子晶體配位數(shù)的一個(gè)重要因素。如果正、負(fù)離子的電荷不同,正、負(fù)離子的個(gè)數(shù)比一定不同,結(jié)果是,正、負(fù)離子的配位數(shù)就不會相同。這種正、負(fù)離子的電荷比決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素,就是電荷因素。如caf2晶體中,ca2+的配位數(shù)是8,f-的配位數(shù)是4。值得注意的是,離子型化合物的正、負(fù)離子半徑比規(guī)則,只能應(yīng)用于離子型晶體,而不能用它判斷共價(jià)型化合物的結(jié)構(gòu)。6edbc3191f2351dd815ff33d4435f3756edbc3191f2351dd815ff33d
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