半導體版圖器件識別

1、一 MOS管工藝（1） 普通MOS管這種結構很容易和多晶硅電阻混淆，判別方法是：1 多晶硅是否放置在有源區(qū)上面；2 看多晶硅有幾個端口引出。高寬長比MOS器件：（2） 叉指MOS管叉指MOS管判斷的關鍵是看多晶硅層，觀察它有幾個輸入。（3） 耐高壓MOS管 該晶體管為Extended-Drain, High-Voltage transistor，為非自對準工藝，版圖示意如上。這種晶體管使用n阱作為輕摻雜的漏極。這種結構為源漏不對稱的MOS管，具體實現(xiàn)高壓原理不是很清楚。（4） 功率開關MOS管版圖上的一半面積都用來做電路中的一個關鍵器件功率開關MOS，版圖示意如上。源漏區(qū)域為矩陣結構，且漏極也

2、做在n阱中，為非自對準工藝，因此判斷這個晶體管是waffle transistor和Extended Drain HV transistor的結合，可承受高壓大電流。另外，在版圖中，NMOS和PMOS可通過如下規(guī)則判斷：1、對于數(shù)字電路，CMOS中的P管W/L大，N管W/L小2、源極接Vdd的一般為PMOS，接Vss的一般為NMOS3、模擬電路不完全服從以上規(guī)律?？山Y合電路結構來分析。如差分放大器尾電流接Vss，則差分對及尾電流MOS器件為NMOS，負載管則可以基本判定為PMOS二 BJT工藝基本規(guī)則：從版圖上來看，晶體管的集電極和發(fā)射極具有相同的顏色。BJT工藝一般分為VNPN和LPNP兩種

3、工藝，其中VNPN又分兩種：Standard VNPN 和 double-base VNPN（1） VNPN （2） double-base VNPN（3） LPNP其他形式的版圖：（4） LNPN這種結構與一般VNPN結構的區(qū)別在于，后者一般是用P-SUB制作，而它采用的是N-SUB，P-WELL的工藝。在版圖中，NPN管和PNP管可通過如下規(guī)則判斷：縱向管：除極特殊的情況外，NPN管的C極接向電源正極，PNP的C極接向電源負極。NPN管小尺寸管，PNP往往為大尺寸橫向或縱向管。三 BICMOS工藝1CMOS工藝的NPN管與標準CMOS相比，增加一個低濃度P區(qū)，在N阱中形成NPN的基區(qū)，P+

4、有源作基極引出，N+有源作NPN發(fā)射極，集電極擴展隔離，通過N+ plug深擴展，既構成集電極引出塞子，又形成隔離槽。這是雙阱雙埋層結構。2GC-LCPNP將傳統(tǒng)的PNP的E，也就是發(fā)射極用poly gate包圍起來，形成類似PMOS的結構，symbol如圖右所示。加這個gate的要求是Vg>Ve>Vb，通常Vg不應小于Ve，如果比Ve還小，就無法工作了，所以強調(diào)Vg>=Ve)。· 假設Vg太小，即加在PMOS的gate的加壓，會導致PMOS導通，進而使Ve接近于Vc(飽和 ) · 參照PNP的工作原理 (類似共集電極)，可參照下面剖面

5、圖進行分析。(Ve>Vb>>Vc，EB正偏，BC反偏)（forward） · 分析后可以得出, 類似PMOS結構必須截止! o 但不等于將E(發(fā)射極)切斷，反而是電子積聚在B(基極)，從而加大從E到B的電場作用，并使基極濃度加大，電子經(jīng)過基極時間減少，迅速到達發(fā)射極。o 如此分析得出結論，此種結構增強了PNP的工作性能，并能在受影響的環(huán)境中工作正常，這也是現(xiàn)在大家愿意采用這種結構的原由所在。四 二極管工藝通常二極管是由三極管通過B-C或C-E對接來構成二極管，前一種連接為普通二極管，后一種連接為齊納二極管。這兩種二極管的版圖識別可以通過先判斷晶體管，然后再

6、判斷晶體管有幾個引出端來判斷。除此之外，由于電路性能的需要，可能存在比較特殊的二極管版圖結構。 五 電阻工藝電阻工藝可以分為三類：Diff Resistor，Poly Resistor和Nwell Resisitor。六 電容工藝最形象的電容結構為兩個導電極板中間夾一個介質層，在版圖識別中，可以看作導電極板的是POLY，METAL1，METAL2以及擴散層，一般介質層都是由絕緣硅層構成的。電容主要為POLY-POLY電容，METAL-POLY電容，METAL2-METAL1電容，多晶硅-n+擴散層MOS電容，MOS管源漏對接電容。下面是一些常見電容版圖：MMC：三明治：七 簡單電路RS觸發(fā)器的識別（1） 由NAND構成的RS觸發(fā)器（2） 由NOR構成的RS觸發(fā)器對這兩個版圖進行分析，前者基本單元是NAND，后者的基本