北京大學(xué)出版社外延

1、吸附原子臺(tái)階邊緣扭轉(zhuǎn)位置下平臺(tái)上平臺(tái)ACBAwaferSiO2SiO2waferSiO2SiO2外延硅外延硅waferSiO2SiO2外延硅外延硅Poly-SiPoly-SiwaferSiO2SiO2缺點(diǎn)缺點(diǎn):在窗口邊緣進(jìn)行選擇外延時(shí)在窗口邊緣進(jìn)行選擇外延時(shí),在窗口在窗口邊緣不但具有較高的生長(zhǎng)速率邊緣不但具有較高的生長(zhǎng)速率,而且而且生長(zhǎng)速率也不規(guī)則生長(zhǎng)速率也不規(guī)則.原因原因:到達(dá)窗口內(nèi)的反應(yīng)劑到達(dá)窗口內(nèi)的反應(yīng)劑,如果不能成核如果不能成核,會(huì)在襯底表面做遷移運(yùn)動(dòng)會(huì)在襯底表面做遷移運(yùn)動(dòng),直到到達(dá)直到到達(dá)窗口邊緣并淀積窗口邊緣并淀積,窗口邊緣的生長(zhǎng)速窗口邊緣的生長(zhǎng)速率比中心的生長(zhǎng)速率高率比中心的生長(zhǎng)

2、速率高改善改善:降低生長(zhǎng)速率降低生長(zhǎng)速率waferSiO2SiO2waferSiO2SiO2waferSiO2SiO2waferwaferwaferiii垂直選擇外延垂直選擇外延橫向超速外延橫向超速外延原子面原子面外延層外延層 棒狀棒狀 V型型 型型 沿沿方向生長(zhǎng)的外方向生長(zhǎng)的外延層層錯(cuò)與表面交線延層層錯(cuò)與表面交線(沿沿方向方向)測(cè)量原理測(cè)量原理:層錯(cuò)界面處的原子排列不規(guī)則層錯(cuò)界面處的原子排列不規(guī)則,界面兩邊的界面兩邊的原子相互結(jié)合較弱原子相互結(jié)合較弱,具有較快的化學(xué)腐蝕速率具有較快的化學(xué)腐蝕速率,經(jīng)過適經(jīng)過適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)腐蝕后當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)腐蝕后,會(huì)在層錯(cuò)與表面交界處出現(xiàn)腐蝕溝會(huì)在層錯(cuò)與表面交界處出現(xiàn)

3、腐蝕溝,形成一個(gè)層錯(cuò)四面體形成一個(gè)層錯(cuò)四面體,通過顯微鏡測(cè)量出三角形的邊長(zhǎng)通過顯微鏡測(cè)量出三角形的邊長(zhǎng),可以測(cè)出厚度可以測(cè)出厚度.abcd外延層外延層襯底襯底(a)水平漂移水平漂移abcd外延層外延層襯底襯底(b)畸變畸變外延層外延層襯底襯底(c)圖形消失圖形消失圖形漂移圖形漂移,畸變畸變,消失依賴于襯底消失依賴于襯底取向取向,淀積率淀積率,反應(yīng)室的工作壓強(qiáng)反應(yīng)室的工作壓強(qiáng),反應(yīng)系統(tǒng)的類型反應(yīng)系統(tǒng)的類型,外延溫度和硅源外延溫度和硅源的選擇等的選擇等.漂移隨溫度升高而減小漂移隨溫度升高而減小,隨淀積率隨淀積率的增大而增大的增大而增大.不同襯底晶向?qū)D形漂移的影響不同襯底晶向?qū)D形漂移的影響:發(fā)生漂移和畸變的根本原因發(fā)生漂移和畸變的根本原因:硅的硅的生長(zhǎng)和腐蝕速率各向異性生長(zhǎng)和