電鏡培訓資料PPT課件

1、第1頁/共80頁第三章 掃描電子顯微鏡1. 掃描電鏡的優(yōu)點2. 電子束與固體樣品作用時產(chǎn)生的信號3. 掃描電鏡的工作原理4. 掃描電鏡的構造5. 掃描電鏡襯度像 二次電子像 背散射電子像6. 掃描電鏡的主要性能7. 樣品制備8. 應用舉例第2頁/共80頁1. 掃描電鏡的優(yōu)點 高的分辨率。由于超高真空技術的發(fā)展，場發(fā)射電子槍的應用得到普及，現(xiàn)代先進的掃描電鏡的分辨率已經(jīng)達到1納米左右。 有較高的放大倍數(shù)，20-20萬倍之間連續(xù)可調； 有很大的景深，視野大，成像富有立體感，可直接觀察各種試樣凹凸不平表面的細微結構 試樣制備簡單。 配有X射線能譜儀裝置，這樣可以同時進行顯微組織性貌的觀察和微區(qū)成分分

2、析。 第3頁/共80頁Optical Microscope VS SEM第4頁/共80頁2. 電子束與固體樣品作用時產(chǎn)生的信號 2.1 彈性散射和非彈性散射 2.2 電子顯微鏡常用的信號 2.3 各種信號的深度和區(qū)域大小第5頁/共80頁2.1 彈性散射和非彈性散射當一束聚焦電子束沿一定方向入射到試樣內時，由于受到固體物質中晶格位場和原子庫侖場的作用，其入射方向會發(fā)生改變，這種現(xiàn)象稱為散射。 （1）彈性散射。如果在散射過程中入射電子只改變方向，但其總動能基本上無變化，則這種散射稱為彈性散射。彈性散射的電子符合布拉格定律，攜帶有晶體結構、對稱性、取向和樣品厚度等信息，在電子顯微鏡中用于分析材料的結

3、構。 （2）非彈性散射。如果在散射過程中入射電子的方向和動能都發(fā)生改變，則這種散射稱為非彈性散射。在非彈性散射情況下，入射電子會損失一部分能量，并伴有各種信息的產(chǎn)生。非彈性散射電子：損失了部分能量，方向也有微小變化。用于電子能量損失譜，提供成分和化學信息。也能用于特殊成像或衍射模式。 第6頁/共80頁SEM中的三種主要信號 背散射電子：入射電子在樣品中經(jīng)散射后再從上表面射出來的電子。反映樣品表面不同取向、不同平均原子量的區(qū)域差別。 二次電子：由樣品中原子外殼層釋放出來，在掃描電子顯微術中反映樣品上表面的形貌特征。 X射線：入射電子在樣品原子激發(fā)內層電子后外層電子躍遷至內層時發(fā)出的光子。第7頁/

4、共80頁SEM中的三種主要信號第8頁/共80頁其他信號 俄歇電子：入射電子在樣品原子激發(fā)內層電子后外層電子躍遷至內層時，多余能量轉移給外層電子，使外層電子掙脫原子核的束縛，成為俄歇電子。詳細的介紹見本書第三篇第十三章俄歇電子能譜部分。 透射電子 :電子穿透樣品的部分。這些電子攜帶著被樣品吸收、衍射的信息，用于透射電鏡的明場像和透射掃描電鏡的掃描圖像, 以揭示樣品內部微觀結構的形貌特征。詳細的介紹見本書第二篇第九章電子衍射和顯微技術部分。第9頁/共80頁2.3 各種信號的深度和區(qū)域大小 可以產(chǎn)生信號的區(qū)域稱為有效作用區(qū)，有效作用區(qū)的最深處為電子有效作用深度。 但在有效作用區(qū)內的信號并不一定都能逸

5、出材料表面、成為有效的可供采集的信號。這是因為各種信號的能量不同，樣品對不同信號的吸收和散射也不同。 隨著信號的有效作用深度增加，作用區(qū)的范圍增加，信號產(chǎn)生的空間范圍也增加，這對于信號的空間分辨率是不利的。 第10頁/共80頁3. 掃描電鏡的工作原理 掃描電鏡的工作原理可以簡單地歸納為“光柵掃描，逐點成像”。 掃描電鏡圖像的放大倍數(shù)定義為 M=L/l L顯象管的熒光屏尺寸；l電子束在試樣上掃描距離。第11頁/共80頁4. 掃描電子顯微鏡的構造 電子光學系統(tǒng) 信號收集及顯示系統(tǒng) 真空系統(tǒng)和電源系統(tǒng)第12頁/共80頁電子光學系統(tǒng) 由電子槍，電磁透鏡，掃描線圈和樣品室等部件組成。 其作用是用來獲得掃

6、描電子束，作為信號的激發(fā)源。為了獲得較高的信號強度和圖像分辨率，掃描電子束應具有較高的亮度和盡可能小的束斑直徑第13頁/共80頁電子槍第14頁/共80頁信號收集及顯示系統(tǒng) 檢測樣品在入射電子作用下產(chǎn)生的物理信號，然后經(jīng)視頻放大作為顯像系統(tǒng)的調制信號。普遍使用的是電子檢測器，它由閃爍體，光導管和光電倍增器所組成第15頁/共80頁第16頁/共80頁真空系統(tǒng)和電源系統(tǒng) 真空系統(tǒng)的作用是為保證電子光學系統(tǒng)正常工作，防止樣品污染提供高的真空度，一般情況下要求保持10-4-10-5Torr的真空度。 電源系統(tǒng)由穩(wěn)壓，穩(wěn)流及相應的安全保護電路所組成，其作用是提供掃描電鏡各部分所需的電源。 第17頁/共80頁

7、5. 掃描電鏡襯度像 二次電子像 背散射電子像 x射線元素分布圖。第18頁/共80頁二次電子產(chǎn)額與二次電子束與試樣表面法向夾角有關，1/cos。因為隨著角增大，入射電子束作用體積更靠近表面層，作用體積內產(chǎn)生的大量自由電子離開表層的機會增多；其次隨角的增加，總軌跡增長，引起價電子電離的機會增多。5.1 二次電子像第19頁/共80頁（a）陶瓷燒結體的表面圖像（b）多孔硅的剖面圖二次電子像第20頁/共80頁5.2 背散射電子像 背散射電子既可以用來顯示形貌襯度，也可以用來顯示成分襯度。 1. 形貌襯度 用背反射信號進行形貌分析時，其分辨率元比二次電子低。 因為背反射電子時來自一個較大的作用體積。此外

8、，背反射電子能量較高，它們以直線軌跡逸出樣品表面，對于背向檢測器的樣品表面，因檢測器無法收集到背反射電子，而掩蓋了許多有用的細節(jié)。2. 成分襯度 背散射電子發(fā)射系數(shù)可表示為 樣品中重元素區(qū)域在圖像上是亮區(qū)，而輕元素在圖像上是暗區(qū)。利用原子序數(shù)造成的襯度變化可以對各種合金進行定性分析。 背反射電子信號強度要比二次電子低的多，所以粗糙表面的原子序數(shù)襯度往往被形貌襯度所掩蓋。416lnz第21頁/共80頁兩種圖像的對比錫鉛鍍層的表面圖像（a）二次電子圖像（b）背散射電子圖像第22頁/共80頁對有些既要進行形貌觀察又要進行成分分析的樣品，將左右兩個檢測器各自得到的電信號進行電路上的加減處理，便能得到單

9、一信息。對于原子序數(shù)信息來說，進入左右兩個檢測器的信號，其大小和極性相同，而對于形貌信息，兩個檢測器得到的信號絕對值相同，其極性恰恰相反。將檢測器得到的信號相加，能得到反映樣品原子序數(shù)的信息；相減能得到形貌信息。 背散射電子像的獲得第23頁/共80頁背散射電子探頭采集的成分像（a）和形貌像（b）第24頁/共80頁6. 掃描電子顯微鏡的主要性能分辨率 景深 第25頁/共80頁6.1分辨率 對微區(qū)成分分析而言，它是指能分析的最小區(qū)域；對成像而言，它是指能分辨兩點之間的最小距離。 入射電子束束斑直徑 入射電子束在樣品中的擴展效應 成像方式及所用的調制信號 二次電子像的分辨率約為5-10nm，背反射電

10、子像的分辨率約為50-200nm。X射線的深度和廣度都遠較背反射電子的發(fā)射范圍大，所以X射線圖像的分辨率遠低于二次電子像和背反射電子像。 第26頁/共80頁 6.2 景深 景深是指一個透鏡對高低不平的試樣各部位能同時聚焦成像的一個能力范圍。 掃描電鏡的景深為比一般光學顯微鏡景深大100-500倍，比透射電鏡的景深大10 倍。ccMtgmmtgdF02. 00d0臨界分辨本領， 電子束的入射角 c第27頁/共80頁7. 樣品制備 掃描電鏡的最大優(yōu)點是樣品制備方法簡單，對金屬和陶瓷等塊狀樣品，只需將它們切割成大小合適的尺寸，用導電膠將其粘接在電鏡的樣品座上即可直接進行觀察。 對于非導電樣品如塑料、

11、礦物等，在電子束作用下會產(chǎn)生電荷堆積，影響入射電子束斑和樣品發(fā)射的二次電子運動軌跡，使圖像質量下降。因此這類試樣在觀察前要噴鍍導電層進行處理，通常采用二次電子發(fā)射系數(shù)較高的金銀或碳膜做導電層，膜厚控制在20nm左右。 第28頁/共80頁第29頁/共80頁8. 掃描電鏡應用實例 斷口形貌分析 納米材料形貌分析 在微電子工業(yè)方面的應用 第30頁/共80頁1018號鋼在不同溫度下的斷口形貌8.1 斷口形貌分析第31頁/共80頁ZnO納米線的二次電子圖像 多孔氧化鋁模板制備的金納米線的形貌（a）低倍像（b）高倍像8.2納米材料形貌分析第32頁/共80頁（a）芯片導線的表面形貌圖， （b）CCD相機的光

12、電二極管剖面圖。8.3 在微電子工業(yè)方面的應用第33頁/共80頁34 電子光學系統(tǒng)示意圖由電子搶、電磁聚光鏡、光欄、樣品室等部件組成。1. 電子光學系統(tǒng)作用：獲得掃描電子束。第34頁/共80頁35 幾種類型電子槍性能比較幾種類型電子槍性能比較電子束應具有較高的亮度和盡可能小的束斑直徑第35頁/共80頁36 2. 偏轉系統(tǒng)偏轉系統(tǒng)作用：使電子束產(chǎn)生橫向偏轉。 主要包括：用于形成光柵狀掃描的掃描系統(tǒng)，以及使樣品上的電子束間斷性消隱或截斷的偏轉系統(tǒng)。 可以采用橫向靜電場，也可采用橫向磁場。電子束在樣品表面進行的掃描方式(a)光柵掃描(b)角光柵掃描第36頁/共80頁37 3信號檢測放大系統(tǒng)信號檢測放

13、大系統(tǒng) p作用：收集(探測)樣品在入射電子束作用下產(chǎn)生的各種物理信號，并進行放大。 p不同的物理信號，要用不同類型的收集系統(tǒng)（探測器）。 p二次電子、背散射電子和透射電子的信號都可采用閃爍計數(shù)器來進行檢測。 p閃爍計數(shù)器是由閃爍體、光導管、光電倍增管組成。具有低噪聲、寬頻帶(10Hz1MHz)、高增益(106)等特點 第37頁/共80頁38 3信號檢測放大系統(tǒng)信號檢測放大系統(tǒng) p信號電子進入閃爍體后即引起電離，當離子和自由電子復合后就產(chǎn)生可見光?？梢姽庑盘柾ㄟ^光導管送入光電倍增器，光信號放大，即又轉化成電流信號輸出，電流信號經(jīng)視頻放大器放大后就成為調制信號。 第38頁/共80頁 （1）放大倍數(shù)

14、放大倍數(shù) 熒光屏上的掃描振幅熒光屏上的掃描振幅 電子束在樣品上的掃描振幅電子束在樣品上的掃描振幅 放大倍數(shù)與掃描面積的關系：放大倍數(shù)與掃描面積的關系： (若熒光屏畫面面積為若熒光屏畫面面積為1010cm2) 放大倍數(shù)放大倍數(shù) 掃描面積掃描面積 10 (1cm) (1cm)2 2 100 (1mm) (1mm)2 2 1,000 (100m) (100m)2 2 10,000 (10m) (10m)2 2 100,000 (1m) (1m)2 2AcAsK4. SEM的主要性能指標的主要性能指標第39頁/共80頁40 4. SEM的主要性能指標的主要性能指標（2）分辨率 ：樣品上可以分辨的兩個鄰

15、近的質點或線條間的距離。 如何測量：拍攝圖象上，亮區(qū)間最小暗間隙寬度除以放大倍數(shù)。 影響SEM圖像分辨率的主要因素有： 掃描電子束斑直徑 ； 入射電子束在樣品中的擴展效應； 操作方式及其所用的調制信號； 信號噪音比； 雜散磁場； 機械振動將引起束斑漂流等，使分辨率下降。 （3）景深 SEM（二次電子像）的景深比光學顯微鏡的大，成像富有立體感。 第40頁/共80頁41 4. SEM的主要性能指標的主要性能指標（2）分辨率 ：樣品上可以分辨的兩個鄰近的質點或線條間 的距離。 如何測量：拍攝圖象上，亮區(qū)間最小暗間隙寬度除以放大倍數(shù)。 影響SEM圖像分辨率的主要因素有： 掃描電子束斑直徑 ； 入射電子

16、束在樣品中的擴展效應； 信號噪音比； 雜散磁場； 機械振動將引起束斑漂流等，使分辨率下降。 第41頁/共80頁42 掃描電子顯微鏡景深第42頁/共80頁43 日立日立 S-4800 場發(fā)射掃描電子顯微鏡場發(fā)射掃描電子顯微鏡 主要性能：二次電子像分辨率：1.0nm(15kv)；1.4nm(1kv,減速模式)；2.0nm (1kV)普通模式加速電壓：0.5 30kV放大倍率：20 800,000束流強度：1pA2nA 物鏡光欄：加熱自清潔式、四孔、可移動物鏡光欄 樣品室和樣品臺：移動范圍：X：050mm；Y：05mm；Z：1.530mm；T：-5700旋轉R：3600，最大樣品尺寸：100mm 探

17、測器: 高位探頭可選擇接受二次電子像或背散射像，并混合 INCA Energy 350 X射線能譜儀技術指標：X-sight Si(Li) 探測器 (專利)，SuperATW 窗口 30mm2 活區(qū)，分辨率優(yōu)于133eV (MnK處,計數(shù)率為4000cps)，分析元素范圍：Be4-U92第43頁/共80頁44 第二節(jié)第二節(jié) 像襯原理與應用像襯原理與應用 p一、像襯原理 p像的襯度：像的各部分(即各像元)強度相對于其平均強度的變化。 pSEM可以用二次電子、背散射電子、吸收電子、特征X射線（帶EDS或WDS）、俄歇電子（單獨的俄歇電子能譜儀）等信號成像。 第44頁/共80頁45 1二次電子像襯度

18、及特點二次電子像襯度及特點 p二次電子信號主要來自樣品表層510nm深度范圍，能量較低(小于50eV)。 p影響二次電子產(chǎn)額的因素主要有： (1)入射電子的能量； (2)材料的原子序數(shù)； (3)樣品傾斜角 。 第45頁/共80頁46 二次電子像的襯度可以分為以下幾類：二次電子像的襯度可以分為以下幾類： (1)形貌襯度 (2)成分襯度 (3)電壓襯度 (4)磁襯度(第一類)形貌襯度原理樣品傾斜角 入射電子束入射電子束表面法線表面法線樣品傾斜角 越大 二次電子產(chǎn)額越大 圖像越明亮第46頁/共80頁47 二次電子像襯度的特點：二次電子像襯度的特點： （1）分辨率高 （2）景深大，立體感強 （3）主要

19、反映形貌襯度。 通常所指的掃描電鏡的分辨率，就是指二次電子像的分辨率。 第47頁/共80頁48 2背散射電子像襯度及特點背散射電子像襯度及特點 影響背散射電子產(chǎn)額的因素： (1) 原子序數(shù)Z (2) 入射電子能量E0 (3) 樣品傾斜角 背散射電子像襯度： (1) 成分襯度 (2) 形貌襯度 (3) 磁襯度(第二類) 與二次電子像比較，其特點： （1）分辯率低 （2）背散射電子檢測效率低，襯度小 （3）主要反應原子序數(shù)襯度 背散射系數(shù)與原子序數(shù)的關系當觀察原子序數(shù)襯度時，需將當觀察原子序數(shù)襯度時，需將樣品磨平、拋光。樣品磨平、拋光。第48頁/共80頁元素像元素像形貌像形貌像第49頁/共80頁5

20、0 二次電子運動軌跡背散射電子運動軌跡二次電子像的分辨率高、景深大，為什么？二次電子像的分辨率高、景深大，為什么？第50頁/共80頁 一般玻璃材料，纖維材料，高分子材料以及陶瓷材料幾乎都是非導電性的物質。在利用掃描電鏡進行直接觀察時，會產(chǎn)生嚴重的荷電現(xiàn)象，影響對樣品的觀察，因此需要在樣品表面蒸鍍導電性能好的金等導電薄膜層。 在樣品表面鍍金屬層不僅可以防止荷電現(xiàn)象，換可以減輕由電子束引起的樣品表面損傷；增加二次電子的產(chǎn)率，提高圖像的清晰度；并可以掩蓋基材信息，只獲得表面信息。 第51頁/共80頁 一般金屬層的厚度在10納米以上，不能太厚。 鍍層太厚就可能會蓋住樣品表面的細微 ，得不到樣品表面的真

21、實信息。 假如樣品鍍層太薄，對于樣品表面粗糙的樣品，不容易獲得連續(xù)均勻的鍍層，容易形成島狀結構，從而掩蓋樣品的真實表面。 第52頁/共80頁 表面鍍膜最常用的方法有真空蒸發(fā)和離子濺射兩種方法。 其中真空蒸發(fā)一般是在105107Pa左右的真空中蒸發(fā)低熔點的金屬。 一般經(jīng)常采用的是蒸鍍金屬金薄膜，但當要求高放大倍數(shù)時，金屬膜的厚度應該在10nm以下，一般可以蒸鍍Au-Pd（6:4）合金。這樣可以避免島狀結構的形成。 從經(jīng)驗上看，先蒸發(fā)一層很薄的炭，然后再蒸鍍金屬層可以獲得比較好的效果。 第53頁/共80頁 離子濺射也是常用的表面鍍膜方法， 其濺射原理見圖9。 與真空蒸發(fā)相比，當金屬薄膜的厚度相同時

22、，利用離子濺射法形成的金屬膜具有粒子形狀小，島狀結構小的特點。 第54頁/共80頁 對于其它導電性好的樣品如金屬，合金以及半導體材料，薄膜樣品基本不需要進行樣品處理，就可以直接觀察。只要注意幾何尺寸上的要求。但要求樣品表面清潔，如果被污染容易產(chǎn)生荷電現(xiàn)象。 對于需要進行元素組成分析的樣品，一般在表面蒸發(fā)輕元素作為導電層如：金屬鋁和碳薄膜層。對于粉體樣品可以直接固定在導電膠帶上。 第55頁/共80頁56 二、應用二、應用 樣品制備方法簡介 1. 二次電子像 （1）顆粒形態(tài)、大小、分布觀察與分析 （2）斷口形貌觀察 （3）顯微組織觀察等 2. 背散射電子像 （1）分析晶界上或晶粒內部不同種類的析出

23、相 （2）定性地判定析出物相的類型 （3）形貌觀察等 3其它應用（背散射電子衍射花樣、電子通道花樣等用于晶體學取向測定）第56頁/共80頁57 第57頁/共80頁58 第三節(jié)第三節(jié) 電子探針電子探針X射線顯微分析（射線顯微分析（EPMA） 電子探針（Electron Probe Microanalysis-EPMA）的主要功能是進行微區(qū)成分分析。它是在電子光學和X射線光譜學原理的基礎上發(fā)展起來的一種高效率分析儀器。原理：用細聚焦電子束入射樣品表面，激發(fā)出樣品元素的特征X射線，分析特征X射線的波長（或能量）可知元素種類；分析特征X射線的強度可知元素的含量。其鏡筒部分構造和SEM相同，檢測部分使用

24、X射線譜儀。電子探針結構示意圖第58頁/共80頁第59頁/共80頁X射線譜儀是電子探針的信號檢測系統(tǒng)，分為： 能量分散譜儀（EDS），簡稱能譜儀，用來測定X射線特征能量。 波長分散譜儀（WDS），簡稱波譜儀，用來測定特征X射線波長。 第60頁/共80頁61 一、能譜儀一、能譜儀 p目前最常用的是Si(Li)X射線能譜儀，其關鍵部件是Si(Li)檢測器，即鋰漂移硅固態(tài)檢測器，它實際上是一個以Li為施主雜質的n-i-p型二極管。Si(Li)檢測器探頭結構示意圖第61頁/共80頁在在Si(Li)Si(Li)晶體兩端偏壓來收集電子空穴對晶體兩端偏壓來收集電子空穴對（前置放大器）（前置放大器）轉換成電流

25、脈沖轉換成電流脈沖（主放大器）轉換成電壓脈沖（主放大器）轉換成電壓脈沖（后進（后進入）多通脈沖高度分析器，按高度把脈沖分類，并計數(shù)，入）多通脈沖高度分析器，按高度把脈沖分類，并計數(shù)，從而描繪從而描繪I IE E圖譜。圖譜。 第62頁/共80頁63 Si(Li)能譜儀的特點能譜儀的特點 優(yōu)點： (1)定性分析速度快 可在幾分鐘內分析和確定樣品中含有的幾乎所有元素。 鈹窗口：11Na92U，新型材料窗口：4Be92U (2)靈敏度高 X射線收集立體角大，空間分辨率高。 (3)譜線重復性好 適合于表面比較粗糙的分析工作。 缺點： (1)能量分辨率低，峰背比低。能譜儀的能量分辨率(130eV)比波譜儀

26、的能量分辨率(5eV)低。(2)工作條件要求嚴格。Si(Li)探頭必須始終保持在液氦冷卻的低溫狀態(tài)。 (3)定量分析精度不如波譜儀。第63頁/共80頁64 二、波譜儀二、波譜儀 p組成：波譜儀主要由分光晶體和X射線檢測系統(tǒng)組成。 p原理：根據(jù)布拉格定律，從試樣中發(fā)出的特征X射線，經(jīng)過一定晶面間距的晶體分光，波長不同的特征X射線將有不同的衍射角。通過連續(xù)地改變，就可以在與X射線入射方向呈2 的位置上測到不同波長的特征X射線信號。根據(jù)莫塞萊定律可確定被測物質所含有的元素 lnRd 第64頁/共80頁第65頁/共80頁66 波譜儀的特點：波譜儀的特點：優(yōu)點： （1）波長分辨率很高 如，它可將波長十分

27、接近的VK (0.228434nm)、CrK 1(0.228962nm)和CrK 2(0.229351nm)3根譜線清晰地分開； （2）分析的元素范圍寬 4Be92U； （3）定量比能譜儀準確。 缺點： （1）X射線信號的利用率極低； （2）靈敏度低，難以在低束流和低激發(fā)強度下使用； （3）分析速度慢，不適合定性分析；第66頁/共80頁67 能譜議和波譜儀的譜線比較能譜議和波譜儀的譜線比較能譜曲線波譜曲線第67頁/共80頁68 三、電子探針分析的基本工作方式三、電子探針分析的基本工作方式 p定點分析定點分析：將電子束固定在要分析的微區(qū)上，用波譜儀分：將電子束固定在要分析的微區(qū)上，用波譜儀分析時

28、，改變分光晶體和探測器的位置，即可得到分析點的析時，改變分光晶體和探測器的位置，即可得到分析點的X X射線譜線；用能譜儀分析時，幾分鐘內即可直接從熒光射線譜線；用能譜儀分析時，幾分鐘內即可直接從熒光屏（或計算機）上得到微區(qū)內全部元素的譜線。屏（或計算機）上得到微區(qū)內全部元素的譜線。鎂合金中的析出相CaMgSi的鑒別 Spectrum1 位置析出相富含Ca、Mg、Si元素 第68頁/共80頁69 三、電子探針分析的基本工作方式三、電子探針分析的基本工作方式 p線掃描分析線掃描分析：將譜儀（波、能）固定在所要測量的某一元：將譜儀（波、能）固定在所要測量的某一元素特征素特征X X射線信號（波長或能量）的位置，把電子束沿著射線信號（波長或能量）的位置，把電子束沿著指定的方向作直線軌跡掃描，便可得到這一元素沿直線的指定的方向作直線軌跡掃描，便可得到這一元素沿直線的濃度分布情況。濃度分布情況。 改變位置可得到另一元素的濃度分布情況。改變位置可得到另一元素的濃度分布情況。 p面掃描分析（面掃描分析（ X X射線成像射線成像 ）：電子束在樣品表面作光柵：電子束在樣品表面作光柵掃描，將譜儀（波、能）固定在所要測量的某一元素特征掃描，將譜儀（波、能）固定在所要測量的某一元素特征X X射線信號（波長或能量）的位置，此時，在熒光屏上得射線信號（波長或能量）的位置，此時，在熒光屏上得到該元素的面分布