江南大學(xué)物聯(lián)網(wǎng)復(fù)試電子技術(shù)

1、模擬電路單選題一般說(shuō)二極管有單向?qū)щ娞匦?，反向不?dǎo)通，實(shí)際上反向有很微弱的電流，而且1當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將（ ） A增大 B不變 C減小 D不可預(yù)測(cè)2對(duì)于三種不同組態(tài)的三極管基本放大電路，輸入電阻最低的電路是（ ）A共射（輸入電阻居中，輸出電阻較大） B共基 C共集（輸入電阻最大，輸出電阻最小） D共射和共基3.輸出量又進(jìn)入輸入叫反饋，有反饋的電路稱(chēng)為閉環(huán)，而電路開(kāi)環(huán)是指（ ） A信號(hào)無(wú)源 B無(wú)反饋 C無(wú)電源 D. 無(wú)負(fù)載4測(cè)得硅晶體管電路各點(diǎn)對(duì)地電位如圖1所示。則該晶體管的工作狀態(tài)為（ ）A放大 B飽和 C截止 D損壞 E，C都比B高或低為飽和，B，E方向與箭頭相反為截止。5

2、某三極管的PCM=100mW，ICM=20 mA，V（BR）CEO=15V。三極管能正常工作的狀態(tài) （ ） AIC=10 mA，VCE=13V BIC=40 mA，VCE=2V CIC=20 mA，VCE=6V DIC=4 mA，VCE=20V 6下列哪種互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功放既是單電源供電，又輸出功率大。AOTL （無(wú)輸出變壓器功放）  B.OCL （無(wú)輸出電容功放，雙電源供電）  C.BTL（橋式推挽功放，單電源） D任意一種7單管放大電路是（    ）信號(hào)放大器。A小   B中  

3、0; C大 D任意8評(píng)價(jià)功率放大器的主要性能指標(biāo)有（）APo, ,非線性失真  BAv, ,非線性失真CPc, ,非線性失真 DAv，Ri，Ro9（  ）類(lèi)功放存在交越失真。 A甲類(lèi)   B甲乙類(lèi) C乙類(lèi) D丙類(lèi)10（  ）類(lèi)功放效率最低，最高只能達(dá)到50。A甲類(lèi)   B甲乙類(lèi) C乙類(lèi) D丙類(lèi)1-1二極管（理想）限幅電路如圖（a）所示，輸入信號(hào)電壓如圖（b）所示。設(shè)二極管具有理想特性。試畫(huà)出圖示電路的輸出電壓波形，并標(biāo)出其數(shù)值。（6分） 解： 2-1電路如圖所示，已知場(chǎng)效應(yīng)管（N溝道增強(qiáng)型）的低頻跨導(dǎo)為gm=2mS，R1=200K，R2=51K

4、，R3=2M，Rd=20K，Rs=10K，RL=20K。試求(1)畫(huà)出微變等效電路；（2）求、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。（10分）這是三個(gè)主要的放大性能指標(biāo) 解： 1） 2） 3-1在圖示電路中，分別要求（6分）（1） 穩(wěn)定的輸出電流；（電流負(fù)反饋）（2） 提高輸入電阻。（串聯(lián)負(fù)反饋）試問(wèn)j、k、m、n四點(diǎn)哪兩點(diǎn)應(yīng)連起來(lái)？電壓負(fù)反饋穩(wěn)定輸出電壓，電流負(fù)反饋穩(wěn)定輸出電流。串聯(lián)反饋提高輸入電阻，并聯(lián)反饋減小輸入電阻。解：1）m連到j(luò) 2）n連到k 4-1圖示為差動(dòng)放大電路，兩管均為硅管，且=100，解答下列問(wèn)題： 1） RW=0，求：A VT2管的靜態(tài)集電極電位VC2=？B 差模輸入電阻Rid=

5、？C 差模電壓放大倍數(shù)Avd=？D若輸入電壓為V=12V，（直流），VO（直流）=？2） 調(diào)整RW0和RW=0時(shí)相比較：A Avd的絕對(duì)值是增大、減小、還是基本不變？B RW的存在能提高電路的共模抑制比嗎？（12分）解：IC1=IC2=I/2=1mA 。當(dāng)Rw=0時(shí)，1）；2） ； 3）；4）此時(shí)VT1處于飽和，電流絕大部分在VT1流過(guò)，VO=15V。 當(dāng)Rw0時(shí)，1）由 知，Avd絕對(duì)值增大；2）共模和差模電壓增益均增大，所以RW不能提高共模抑制比。 5-1試推導(dǎo)圖示電路的輸出電壓與輸入電壓的關(guān)系。（10分）運(yùn)放有負(fù)反饋，是線性應(yīng)用用作運(yùn)算等。解： 6-1直流穩(wěn)壓電路如圖所示，已知三端集成穩(wěn)

6、壓器7805（W7800系列型號(hào)后面的兩個(gè)數(shù)字表示輸出電壓值）的靜態(tài)電流I3=2mA，晶體管T的=150，VBE=0.7V ，Vi=16V，R1=200，R2=300。求輸出電壓Vo是多少伏？ （6分）數(shù)字電路1. JK觸發(fā)器在CP時(shí)鐘脈沖作用下，不能實(shí)現(xiàn)Q n+1 = n 的輸入信號(hào)是 ( )（Qn+1=JQn+KQn） A. J=Q n , K=n B. J=n , K= Q n C. J=n , K=1 D. J=1 , K=Q n2. 關(guān)于PROM和PLA的結(jié)構(gòu),下列敘述不正確的是 ( )A.PROM的與陣列固定,不可編程 B. PROM的或陣列可編程C.PLA的與、或陣列均可編程 D

7、. PROM的與、或陣列均不可編3. 和TTL電路相比，CMOS電路最突出的優(yōu)勢(shì)在于（）A.可靠性高 B.抗干擾能力強(qiáng) C.速度快 D.功耗低4. ( ) 碼的特點(diǎn)是相鄰兩個(gè)代碼之間僅有一位不同。A. BCD碼 B. 余3碼 C. 奇偶校驗(yàn)碼 D. 格雷碼5. 八路 數(shù)據(jù)分配器 , 其地址輸入端有 ( )個(gè)。A. 4 B. 3 C. 2 D. 16. 4個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成8421BCD碼計(jì)數(shù)器，共有 ( )個(gè)無(wú)效狀態(tài)A. 6 B. 8 C. 10 D.不定7. 某存貯器芯片的容量為32KB，則其地址線和數(shù)據(jù)線的根數(shù)分別為（）A.15和8B.16和8.C.5和4D.6和48. ROM中的內(nèi)容，當(dāng)電源掉

8、電后又接通，存貯器中的內(nèi)容（）A.全部改變 B.全部為0 C.不可預(yù)料 D.保持不變9 可以將輸出端直接并聯(lián)實(shí)現(xiàn)“線與”邏輯的門(mén)電路是（ ）A. 推拉式輸出結(jié)構(gòu)的TTL門(mén)電路B. 三態(tài)輸出的門(mén)電路C.互補(bǔ)輸出結(jié)構(gòu)的CMOS門(mén)電路D.集電極開(kāi)路輸出的TTL電路10. 555集成定時(shí)器是( )A. 模擬電路的電子器件 B. 數(shù)字電路的電子器件C. 模擬電路和數(shù)字電路相結(jié)合的電子器件 D. 分立元件電路計(jì)算題邏輯主要是“與”“或”“非”三類(lèi)，其表達(dá)有三種方式：邏輯圖，表達(dá)式，真值表1-1化簡(jiǎn)（每題3分，共6分）主要用公式，（1） (2) 解： 1） 2） 2-1用譯碼器和門(mén)電路生成多輸出函數(shù)的電路圖

9、，多輸出邏輯函數(shù)為 （8分）解：1） 3-1用74160計(jì)數(shù)器構(gòu)成同步七進(jìn)制加計(jì)數(shù)器，并畫(huà)出其狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖。（8分）解：1）狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖2）用 74LS160設(shè)計(jì)七進(jìn)制計(jì)數(shù)器的圖： 采用同步置數(shù)法 4-1某同步時(shí)序電路由兩個(gè)D-FF構(gòu)成，其驅(qū)動(dòng)方程為,，A為控制輸入信號(hào)，請(qǐng)畫(huà)出該時(shí)序邏輯電路的邏輯圖，列出狀態(tài)方程和畫(huà)出狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖及波形圖。（設(shè)初態(tài)為“0”，且為上升沿觸發(fā)）（10分）解：1）邏輯圖3） 狀態(tài)方程：， 3）狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖4）波形圖5-1. 用555定時(shí)器構(gòu)成多諧振蕩器，試畫(huà)出電容兩端電壓uc及輸出uo的波形。已知R1+R215K，R3+R210K，C0.05F，Vcc9V，估算振蕩頻率和占空比。（8分）解：1）2）其振蕩頻率為: 占空比為： 6-1設(shè)計(jì)用三個(gè)開(kāi)關(guān)控制一個(gè)電燈的邏輯電路，要求改變?nèi)魏我粋€(gè)開(kāi)關(guān)的狀態(tài)都能控制電燈由亮變滅或由滅變亮，要求用數(shù)據(jù)選擇器來(lái)實(shí)現(xiàn)。（10分） 輸 入輸 出選通地 址數(shù) 據(jù)A0A1DiY 1 0 0 0 0×