半導體試題WPS版(12題不兼容)

1、1. P-N結雪崩擊穿、隧道擊穿和熱擊穿的原理答：雪崩擊穿：反向偏壓下，由于勢壘區(qū)電場很強，在電場的加速下，少數載流子受到強電場的漂移作用具有很大的能量，當它們與勢壘區(qū)晶格原子碰撞時，能把價建上的電子激發(fā)出來成為電子-空穴對，并在電場的作用下，向相反方向運動，繼續(xù)發(fā)生發(fā)生碰撞，如此下去載流子大量增加，迅速增大了反向電流，使P-N結擊穿。 隧道擊穿：在強電場作用下，由于隧道效應，將使P區(qū)價帶中大量的電子隧道穿過勢壘到達N區(qū)的導帶中去，使反向電流急劇增大，于是P-N結就發(fā)生了隧道擊穿。 熱擊穿：在P-N結上施加反向偏壓時，流過P-N結的反向電流要引起熱損耗，反向電壓增大時，熱損耗也隨之增大，如果這

2、些熱量不能及時導出去，會使結溫上升。而反向飽和電流密度隨溫度以指數形式增長，隨著結溫的上升反向飽和電流密度迅速增大，熱損耗也會迅速增大，又導致結溫上升，進而正反饋的使反向飽和電流密度迅速增大引起P-N擊穿。2. 簡述晶體管開關的原理上圖是晶體管開關電路原理圖。當基極輸入正脈沖，則基極電流立即上升到隨著IB的增加，發(fā)射結電壓降逐漸由反偏變?yōu)檎?，晶體管由截至變?yōu)閷?。集電極電路也隨著基極電流的增加而迅速增加，使得集電結逐漸由反偏變?yōu)榱闫踔琳?，集體管電壓降VCE也隨之迅速下降，C和E之間近似短路，相當于開關K閉合。當基極輸入負脈沖或零時。發(fā)射結反偏，集電結也反偏。晶體管處于截止狀態(tài)。集電結電流

3、。相當于開關K斷開。晶體管的開關作用是通過基極控制信號使晶體管在飽和態(tài)與截止態(tài)之間往復轉換來實現的。3. 簡述晶體管4個頻率參數的定義并討論它們之間的大小關系截止頻率表示共基極短路電流放大系數的幅值下降到時的頻率。截止頻率表示共射極短路電流放大系數的幅值下降到時的頻率。特征頻率表示共射極短路電流放大系數的幅值下降到時的頻率。最高振蕩頻率表示最佳功率增益等于1時的頻率。一般情況下，。4. 簡述弗侖克耳缺陷和肖特基缺陷的特點、共同點和關系弗侖克耳缺陷：間隙原子和空位成對出現的缺陷。肖特基缺陷：只在晶格內產生空位而不產生間隙原子的缺陷。共同點：都是點缺陷的產生方式，都能產生空位，都是由溫度引起的熱缺

4、陷。關系：它們在一個晶體中總是同時存在的。5. 以NPN型晶體管為例，試論述晶體管在不同工作模式下基區(qū)少數載流子分布特征及與晶體管輸出特性間的關系1） 截止狀態(tài)：由于發(fā)射結和集電結都處于反偏，基區(qū)邊界處電子處于抽取狀態(tài)故濃度很小。對應于該工作模式的輸出特性曲線位于反向飽和電流ICBO下方。特點是輸出電流很小，為反向飽和電流。2） 正向放大狀態(tài)：由于發(fā)射結正偏，集電結反偏，基區(qū)邊界靠近集電結一側處于抽取狀態(tài)，電子濃度小，靠近發(fā)射結一側處于注入狀態(tài)，電子濃度大。對應于該工作模式的輸出特性曲線位于集電極電流變化較為平穩(wěn)的區(qū)域。特點是集電極電流變化小，。反向放大狀態(tài)：由于發(fā)射結反偏，集電結正偏，基區(qū)邊

5、界靠近集電結一側處于注入狀態(tài)，電子濃度大，靠近發(fā)射結一側處于抽取狀態(tài)，電子濃度小。對應于該工作模式的輸出特性曲線位于發(fā)射結電流變化較為平穩(wěn)的區(qū)域。特點是發(fā)射結電流變化小。3） 飽和狀態(tài)：由于反射結正偏，集電結正偏，基區(qū)邊界處都處于注入狀態(tài)，電子濃度都較高，但由于集電區(qū)雜質濃度大于發(fā)射區(qū)，故經集電結注入的電子濃度大于經發(fā)射結注入的電子濃度。對應于該工作模式下的輸出特性曲線位于集電極電流隨VCE呈線性變化區(qū)。特點是，。6. 請闡述MOSFET的基本結構并結合示意圖說明在不同外置電壓情況下其工作狀態(tài)和輸出特性基本結構：MOSFET由漏-源區(qū)，柵氧化層及金屬電極等組成。由N型材料襯底制成的管子稱為P溝

6、MOSFET，對于由P型材料襯底制成的管子稱為N溝MOSFET。以N溝增強型MOSFET為例介紹其工作狀態(tài)和輸出特性?？烧{電阻區(qū)（線性工作區(qū)、三極管工作區(qū)） 條件： 其中VDS為漏-源電壓，VGS為柵-源電壓，VT為開啟電壓 該區(qū)內，溝道建立，從源到漏的溝道厚度稍有變化，但比氧化層厚度小的多，因此，此時的溝道區(qū)呈現電阻特性，電流IDS與電壓VDS基本上是線性關系。而且VGS越大，溝道電阻越小。輸出特性對應于圖中的區(qū)。飽和工作區(qū) 條件： 隨著VDS的增大，漏端溝道越來越薄，當漏端溝道厚度變?yōu)?時，即夾斷狀態(tài)時，就進入了飽和工作區(qū)。VDS繼續(xù)增大，夾斷點不斷向源端移動。但總的來說，溝道的長度變化不

7、大，所以漏-源電流基本達到飽和值。VDS的增大，只是使夾斷區(qū)變長，增加的電壓均落在夾斷區(qū)。輸出特性對應于區(qū)。雪崩擊穿區(qū) 條件：VDS超過漏與襯底間的擊穿電壓時，源和漏之間不必通過溝道形成電流，而是由漏極直接經襯底到達源極流過大的電流，IDS迅速增大。輸出特性對應于區(qū)。7. 敘述非平衡載流子的產生和復合過程，并描述影響非平衡載流子壽命的因素在熱平衡狀態(tài)下半導體中的電子和空穴的產生于復合處于相對平衡，即每秒產生的電子-空穴對數與復合掉的電子-空穴對數相等，從而保持載流子濃度的相對穩(wěn)定。當用光或者電注入的方式時，半導體中產生-復合的相對平衡被打破，產生超過了復合，在半導體中產生了非平衡載流子。停止注

8、入后，由于電子和空穴的數目增多了，它們在熱運動中相遇而復合的機會也大了。這時復合超過產生，非平衡載流子逐漸消失，最終恢復到平衡值。影響非平衡載流子壽命的因素：材料的不同純度和完整性不同的使用條件答：處于非平衡狀態(tài)的半導體，其載流子濃度將不再是n0和p0，可以比它們多出一部分。比平衡狀態(tài)多出來的這部分載流子稱為非平衡載流子。產生：半導體在外加作用（光注入、電注入）時，就能把價帶電子激發(fā)到導帶上去，產生電子-空穴對，使導帶比平衡時多出一部分電子n，價帶比平衡時多出一部分空穴 p。復合：因電子和空穴的濃度比平衡時增多了，當外加作用消失后，它們在熱運動中相互遭遇而復合的機會也成比例增加，這時的復合要超

9、過產生，造成了凈復合。原來激發(fā)到導帶的電子又回到價帶，非平衡載流子逐漸消失。復合機制：直接復合間接復合表面復合俄歇復合。影響因素：材料種類 雜質含量（特別是深能級雜質）表面狀態(tài) 缺陷密度8. 論述在外加直流電壓下P-N結勢壘的變化、載流子運動以及能帶特征1) 正向偏壓（P區(qū)接電源正極，N區(qū)接負極）：v P-N結勢壘的變化：當P-N結外加正向偏置電壓時，外加電壓形成的電場方向與內建電場相反，導致勢壘區(qū)總的電場強度減弱，空間電荷數量減少，勢壘區(qū)寬度減小，勢壘高度從qVD下降為q(VD-V)。 v 載流子運動：勢壘區(qū)電場減弱導致載流子的擴散運動大于漂移運動，形成凈擴散，以致勢壘區(qū)邊界載流子濃度大于該

10、區(qū)內部，從而在N區(qū)形成從勢壘邊界向N區(qū)內部的空穴擴散流，在P區(qū)形成從勢壘邊界向P區(qū)內部的電子擴散流。非平衡少子邊擴散邊與P區(qū)的空穴復合，經過擴散長度的距離后，全部被復合。v 能帶特征：從P型中性區(qū)到邊界xn處為一水平線，在空穴擴散區(qū)斜線上升，到注入空穴為零處與相等。而在N型中性區(qū)到邊界xP處為一水平線，在電子擴散區(qū)斜線下降，到注入電子為零處與相等。-=qV。2) 反向偏壓（N區(qū)接電源正極，P區(qū)接負極）v P-N結勢壘的變化：反向偏壓在勢壘區(qū)產生的電場與內建電場方向一致，勢壘區(qū)的電場增強，勢壘區(qū)也變寬，空間電荷數量變多，勢壘高度由qVD增加為q(VD-V)。v 載流子運動：當P-N結外加反向偏置

11、電壓時，外加電壓形成的電場方向與內建電場一致，導致勢壘區(qū)總的電場強度增強/減弱，空間電荷數量增多，勢壘區(qū)寬度增大，勢壘高度從qVD增加為q(VD-V)。此時，電場強度的變化導致載流子的漂移運動大于擴散運動，形成凈漂移，以致勢壘區(qū)邊界載流子濃度小于該區(qū)內部，從而在區(qū)形成從區(qū)內部向區(qū)勢壘邊界的空穴擴散流，在區(qū)形成從區(qū)內部向區(qū)勢壘邊界的電子擴散流。v 能帶特征：變化規(guī)律與正向偏壓時基本相似，不同的只是和的相對位置發(fā)生了變化，高于，即>。9. 試敘述P-N結的形成過程以及P-N結外加電壓時其單向導電特征v P-N結的形成：在一塊N型(或P型)半導體單晶上，用適當的工藝（如合金法、擴散法、生長法、

12、離子注入法等）把P型（或N 型）雜質摻入其中，使這塊半導體單晶的不同區(qū)域分別具有N型和P型的導電類型，在兩者的交界面處就形成了P-N結。v P-N結外加電壓時其單向導電特征：1) 在正向偏壓下，正向電流密度隨正向偏壓呈指數關系迅速增大。在室溫下，k0T/q=0.026V，一般外加正向偏壓約零點幾伏，故exp(qV/k0T)»1，可表示為：2) 在反向偏壓下，V<0，當q|V|遠大于k0T時，exp(qV/k0T)趨于零，可表示為： 負號表示電流密度方向與正向時相反；反向電流密度為常量，與外加電壓無關。正向及反向偏壓下，曲線是不對稱的，表現出P-N結具有單向導電性或整流效應。 1

13、0. 何謂截止頻率、特征頻率及振蕩頻率，請敘述共發(fā)射極短路電流放大系數與頻率間的關系v 截止頻率：截止頻率f表示共基極短路電流放大系數的幅值/下降到低頻值0的時的頻率，f反映了電流放大系數的幅值/隨頻率上升而下降的快慢；截止頻率f表示共發(fā)射極短路電流放大系數的幅值/下降到低頻值0的時的頻率，f反映了電流放大系數的幅值/隨頻率上升而下降的快慢。v 特征頻率：fT表示共射短路電流放大系數的幅值下降到/=1時的頻率，它是晶體管在共射運用中具有電流放大作用的頻率極限。v 振蕩頻率：fm表示最佳功率增益GPm=1時的頻率，它是晶體管真正具有功率放大能力的頻率限制。共發(fā)射極短路電流放大系數：工作在共射狀態(tài)

14、下的晶體管在輸出端交流短路VCE0=0時，集電極交流電流ic與基極輸入電流ib之比。 共射交流放大系數也是復數，其幅值隨著頻率升高而下降，相位滯后隨著頻率升高而增大。11.請敘述晶體管四種工作模式并分析不同模式下基區(qū)少數載流子的分布特征1）截止狀態(tài)：由于發(fā)射結和集電結都處于反偏，基區(qū)邊界處電子處于抽取狀態(tài)故濃度很小。對應于該工作模式的輸出特性曲線位于反向飽和電流ICBO下方。特點是輸出電流很小，為反向飽和電流。2) 正向放大狀態(tài)：由于發(fā)射結正偏，集電結反偏，基區(qū)邊界靠近集電結一側處于抽取狀態(tài)，電子濃度小，靠近發(fā)射結一側處于注入狀態(tài)，電子濃度大。對應于該工作模式的輸出特性曲線位于集電極電流變化較

15、為平穩(wěn)的區(qū)域。特點是集電極電流變化小，。3）反向放大狀態(tài)：由于發(fā)射結反偏，集電結正偏，基區(qū)邊界靠近集電結一側處于注入狀態(tài)，電子濃度大，靠近發(fā)射結一側處于抽取狀態(tài)，電子濃度小。對應于該工作模式的輸出特性曲線位于發(fā)射結電流變化較為平穩(wěn)的區(qū)域。特點是發(fā)射結電流變化小， 。4）飽和狀態(tài)：由于反射結正偏，集電結正偏，基區(qū)邊界處都處于注入狀態(tài)，電子濃度都較高，但由于集電區(qū)雜質濃度大于發(fā)射區(qū)，故經集電結注入的電子濃度大于經發(fā)射結注入的電子濃度。對應于該工作模式下的輸出特性曲線位于集電極電流隨VCE呈線性變化區(qū)。特點是，。12.請畫出P型半導體理想MOS的C-V曲線，并敘述曲線在不同外加電信號作用下的曲線特征

16、及原因1)為負電壓,在氧化層-半導體界面多數載流子空穴積累，且變化很快，載流子可以很快達到平衡，在高頻和低頻情況下，器件完全跟上所加交流信號的變化,很小可忽略,無論高頻還是低頻，C都近視等于。2）為小的正電壓，在柵上有-Q電荷，在半導體中有+Q的耗盡層電荷。在有效寬度為W的范圍內，多數載流子被中和排斥，而系統(tǒng)狀態(tài)同樣變化很快（高，低頻一致）,耗盡層寬度W隨所加交流信號在直流值附近呈準靜態(tài)漲落，此時C相當于串聯,并隨正壓增大而減小。3）為高的正電壓，近半導體表面堆積大量少數載流子，內部耗盡層寬度趨向于最大值，體現兩種情況：a低頻率（），少數載流子變化跟上所加交流信號，交流狀態(tài)本質上是直流狀態(tài)的延

17、續(xù)。如同積累狀態(tài)，b高頻率（），較慢的產生-復合過程無法跟上所加交流信號來提供或消除少數載流子，因此，反型層內少數載流子數目固定在固定的直流值，僅只有耗盡層寬度以直流值情況下在附近漲落，有由于為最大值，C最小。13.影響MOS的C-V特性的因素有哪些？它們是如何影響C-V曲線的1）氧化層內正電荷對C-V特性的影響 氧化層內正電荷（QSS）的作用，可以看作在沒有外加電壓（VG=0）時，相當于施加了一個正電壓。 2）金屬-半導體功函數的影響 真空能級和費米能級之間的能量差稱為材料的功函數（）。不同材料，具有不同功函數，因而MOS結構的兩個電極（金屬、半導體）就會存在功函數差（MS） 。由于鋁功函數

18、小于半導體，不管是N型還是P型半導體，功函數差MS都是負值；而一般鋁和N型半導體的MS總比與P型半導體的MS來得小。 MS使C-V曲線產生左移影響3）摻雜濃度、氧化層厚度、溫度對C-V特性影響 摻雜濃度提高，高頻反型電容會大大增加，耗盡偏置區(qū)將大大展寬。曲線上表現為電容下降的耗盡范圍從1V左右擴展到2V以上，反型區(qū)域最小電容值按（倍/數量級）增加，呈底部抬高之勢。而無曲線平移，且積累區(qū)電容固定，各摻雜濃度重疊一致。 氧化層厚度增加也會使耗盡偏置區(qū)展寬，并使高頻反型電容升高，形式與摻雜一致，主要由于展厚氧化層將分擔更大比例電壓所致。溫度對C-V的反型偏置電容有中等敏感度，其他區(qū)域則基本上不隨溫注

19、：灰色部分為答案，括號里的為詳解，自愿背。14.MOS中硅-二氧化硅，二氧化硅層中有哪些影響器件性能的不利因素答：硅-二氧化硅界面，二氧化硅層中存在一些嚴重影響器件性能的因素，主要是氧化層中可動離子，固定氧化層電荷，界面陷阱，以及輻射、高溫高負偏置應力會引起附加氧化層電荷的增加等。（可動離子：這些可動離子中有正離子，剛沾污氧化層時這些離子都在氧化層表面，在溫場和電場作用下會漂移至硅-二氧化硅界面處，使硅表面感應出負電荷，影響器件穩(wěn)定性。固定電荷：與氧化層厚度、半導體摻雜濃度、摻雜類型無關；受不同晶向影響而變化；溫度上升，固定電荷密度近似線性下降，且當經過不同溫度條件下生長的氧化層，其固定電荷由

20、最終溫度決定；氧化后硅片在惰性氣氛中退火（加熱）足夠長時間，不管其生長氧化層溫度高還是低，總能獲得最小固定電荷密度值。固定電荷影響導體表面電性質。界面陷阱：界面陷阱主要是由于半導體表面的不完全化學鍵或所謂的“懸掛鍵”引起的，是一種在鄰近材料表面電子占據的允許能態(tài)，使得界面態(tài)密度增加。電離陷阱：氧化層中產生的電子-空穴對除立即復合外剩余部分在電場作用下分離，空穴在躍遷后到達硅-二氧化硅界面后與來自硅的電子復合或在深能級處被陷住，形成電離陷阱。）15.介紹MIS結構及其特點，并結合能帶變化論述理想MIS結構在加不同偏壓時半導體表面特征答：MIS結構（金屬-絕緣體-半導體）結構可看做一個平行板電容器

21、，即是由中間絕緣層將金屬板和半導體兩個電極隔開。理想狀態(tài)MIS即絕緣體內無任何電荷且完全不導電，金屬與半導體功函數差為零，絕緣體與半導體界面不存在任何界面態(tài)。理想 M I S 結構在正偏和負偏時，半導體表面可有三種情形：（1）p型（理想MIS 二極管在V0時的三種能帶圖） 積累 耗盡 反型積累：能帶向上彎曲，導帶底接近費米能級，多數載流子在表面積累；耗盡：能帶向下彎曲，多數載流子耗盡；反型：能帶向下彎曲增加，本征能級與費米能級在表面相交，表面處的少數載流子多于多數載流子。（2） n型（理想MIS 二極管在V0時的三種能帶圖） 積累 耗盡 反型積累：能帶向下彎曲，價帶頂接近費米能級，多數載流子在

22、表面積累；耗盡：能帶向上彎曲，多數載流子耗盡；反型：能帶向上彎曲增加，本征能級與費米能級在表面相交，表面處的少數載流子多于多數載流子。16.晶體管具備放大能力須具備哪些條件答：發(fā)射區(qū)濃度遠高于基區(qū)濃度（NE>>NB>NC）以保證發(fā)射效率約等于1 基區(qū)寬度小于擴散寬度，產生大的濃度梯度，擴散更快 發(fā)射結正偏，集電結反偏。17.飽和開關電路和非飽和開關電路的區(qū)別（各自有缺點）是什么答：飽和開關電路：優(yōu)點：工作在截至區(qū)和飽和區(qū)，輸出電平較穩(wěn)定，對晶體管參數的均勻性要求不高，電路設計簡單；缺點：開關速度慢。非飽和開關電路：優(yōu)點：工作在截止區(qū)和放大區(qū)，開關速度快；缺點：對晶體管的參數均

23、勻性要求高，輸出電平也不夠穩(wěn)定。18.簡述勢壘區(qū)正負空間電荷區(qū)的寬度和該區(qū)雜質濃度的關系答：N區(qū)有均勻施主雜質，濃度為ND，P區(qū)有均勻受主雜質，濃度為NA。勢壘區(qū)的正負空間電荷區(qū)的寬度分別為Xn和-Xp。 上式表明，勢壘區(qū)內正負空間電荷區(qū)的寬度和該區(qū)的雜質濃度成反比。雜質濃度高的一邊寬度小，雜質濃度低的一邊寬度大。所以勢壘區(qū)主要向雜質濃度低的一邊擴散。19.結合能帶圖簡述絕緣體、半導體及導體的導電能力答：如下圖：導體能帶被電子部分占滿，在電場作用下這些電子可以導電；絕緣體禁帶很寬，價帶電子常溫下不能被激發(fā)到空的導帶，導電性不好；半導體禁帶比較窄，常溫下，部分價帶電子被激發(fā)到空的導帶，形成有少數

24、電子填充的導帶和留有少數空穴的價帶，都能帶電。導電性：導體>半導體>絕緣體。20.說明晶體管具有電信號放大能力的條件并畫出不同情況下晶體管的輸入輸出曲線并描述其特征晶體管具有電信號放大能力的條件是：（1）發(fā)射區(qū)雜質濃度比基區(qū)雜質濃度高得多，即NE遠大于NB，以保證發(fā)射效率1；（2）基區(qū)寬度WB遠小于LnB，保證基區(qū)輸運系數*1；（3）發(fā)射結必須正偏，使re很?。患娊Y反偏，使rc很大，rc遠大于re。共基極晶體管：輸入特性曲線特征：由于發(fā)射結正向偏置，所以，IEVBE輸入特性實際上就是正向P-N結的特性，因而IE隨VBE指數增大。但它與單獨P-N結間存在差別，這是由于集電結反向偏置

25、VCB影響的結果。若VCB增大，則集電結的勢壘變寬，勢壘區(qū)向基區(qū)擴展，這樣就使有效基區(qū)寬度隨VCB增加而減?。ㄟ@種現象稱為基區(qū)寬變效應）。由于WB減小，使少子在基區(qū)的濃度梯度增加，從而引起發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入的電子電流InE增加，因而發(fā)射極電流IE就增大。所以，輸入特性曲線隨VCB增大而左移。輸出特性曲線：特征：當IB=0（基極開路）時，IC=ICEO。這是因為共射極電路的輸出電壓為VCE，這個電壓雖然主要降落在集電結上，使集電結反偏，但也有一小部分電壓降落在發(fā)射結上，使發(fā)射結正偏。因此共射極電路中，當IB=0時，IE并不為零，這部分發(fā)射極電流輸運到集電極上，使輸出電流ICE0比ICB0大，這就是

26、圖中下面的第一條曲線。當IB0時，隨著IB的增加，IC就按IB的規(guī)律增加。IB取不同的數值，IBVCE關系就得到一組曲線。共發(fā)射極：輸入特性曲線：特征：由于發(fā)射結正偏，如將輸出端短路，VCE=0時，就相當于將發(fā)射結與集電結兩個正向P-N結并聯。所以，輸入特性曲線與正向P-N結伏安特性相似。當集電結處于反偏時，由于基區(qū)寬度減小，基區(qū)內載流子的復合損失減少，IB也就減少。所以，特性曲線隨VCE的增加而右移。而且，當VBE=0時，IpE和IVR都等于零，故IB=-ICBO。因而在VBE=0處，特性曲線下移至ICBO。輸出特性曲線：特征：當IB=0（基極開路）時，IC=ICEO。這是因為共射極電路的輸

27、出電壓為VCE，這個電壓雖然主要降落在集電結上，使集電結反偏，但也有一小部分電壓降落在發(fā)射結上，使發(fā)射結正偏。因此共射極電路中，當IB=0時，IE并不為零，這部分發(fā)射極電流輸運到集電極上，使輸出電流ICE0比ICB0大，這就是圖中下面的第一條曲線。當IB0時，隨著IB的增加，IC就按IB的規(guī)律增加。IB取不同的數值，IBVCE關系就得到一組曲線。21.請畫圖并敘述晶體管電流放大系數與頻率間的關系當頻率較低時，電流放大系數變化很小，但當頻率超過某一值之后，電流放大系數很快下降。22.請畫出MOSFET器件工作中的輸出特性及轉移特性曲線并描述其特征以N溝增強型為例：輸出特性曲線： 特征：1）.共分

28、為三個工作區(qū)，可調電阻區(qū)，飽和工作區(qū)和雪崩擊穿區(qū)2）當VGS<VDS-VDT時，此時溝道區(qū)呈現電阻特性，電流IDS與VDS基本上是線性關系。而且，VGS越大，溝道電阻越小，故稱為可調電阻區(qū)。3）隨VDS增加，IDS上升減慢，IDSVDS的直線關系變彎曲，當VGS>VDS-VDT時，漏源電流基本上達到飽和值IDSS，稱為飽和工作區(qū)4）當VDS超過漏與襯底間P-N結的擊穿電壓時，IDS迅速增大，稱為雪崩擊穿區(qū)。 轉移特性曲線：特征：曲線橫截距為VT，當VGS>VT，出現IDSS，且隨VGS增大，IDSS增大，增大速度越來越快。23.請敘述雙極型晶體管和場效應晶體管的工作原理及區(qū)別雙