數(shù)字電路與邏輯設(shè)計習(xí)題7第七章半導(dǎo)體存儲器(精)5頁

1、第七章半導(dǎo)體存儲器一、 選擇題1一個容量為1K ×8的存儲器有 個存儲單元。A.8 B.8K C.8000 D.81922要構(gòu)成容量為4K ×8的R AM ，需要 片容量為256×4的R AM 。A.2 B.4 C.8 D. 323尋址容量為16K ×8的RAM 需要 根地址線。A.4 B. 8 C.14 D. 16 E.16K4若R AM 的地址碼有8位，行、列地址譯碼器的輸入端都為4個，則它們的輸出線（即字線加位線）共有 條。A.8 B.16 C.32 D.2565某存儲器具有8根地址線和8根雙向數(shù)據(jù)線，則該存儲器的容量為 。A.8×3 B

2、.8K ×8 C. 256×8 D. 256×2566. 采用對稱雙地址結(jié)構(gòu)尋址的1024×1的存儲矩陣有 。A.10行10列 B.5行5列 C.32行32列 D. 1024行1024列7隨機(jī)存取存儲器具有 功能。A. 讀/寫 B. 無讀/寫 C. 只讀 D. 只寫8欲將容量為128×1的R AM 擴(kuò)展為1024×8，則需要控制各片選端的輔助譯碼器的輸出端數(shù)為 。A.1 B.2 C.3 D. 89欲將容量為256×1的R AM 擴(kuò)展為1024×8，則需要控制各片選端的輔助譯碼器的輸入端數(shù)為 。A.4 B.2 C.3

3、 D. 810只讀存儲器ROM 在運(yùn)行時具有 功能。A. 讀/無寫 B. 無讀/寫 C. 讀/寫 D. 無讀/無寫11只讀存儲器R OM 中的內(nèi)容，當(dāng)電源斷掉后又接通，存儲器中的內(nèi)容 。A. 全部改變 B. 全部為0 C. 不可預(yù)料 D. 保持不變12隨機(jī)存取存儲器RAM 中的內(nèi)容，當(dāng)電源斷掉后又接通，存儲器中的內(nèi)容 。A. 全部改變 B. 全部為1 C. 不確定 D. 保持不變13一個容量為512×1的靜態(tài)RAM 具有 。A. 地址線9根，數(shù)據(jù)線1根 B. 地址線1根，數(shù)據(jù)線9根C. 地址線512根，數(shù)據(jù)線9根 D. 地址線9根，數(shù)據(jù)線512根14用若干R AM 實現(xiàn)位擴(kuò)展時，其方

4、法是將 相應(yīng)地并聯(lián)在一起。A. 地址線 B. 數(shù)據(jù)線 C. 片選信號線 D. 讀/寫線15PROM 的與陳列（地址譯碼器）是 。A. 全譯碼可編程陣列 B. 全譯碼不可編程陣列C. 非全譯碼可編程陣列 D. 非全譯碼不可編程陣列二、 判斷題（正確打，錯誤的打×） 實際中，常以字?jǐn)?shù)和位數(shù)的乘積表示存儲容量。（ ） RAM 由若干位存儲單元組成，每個存儲單元可存放一位二進(jìn)制信息。（ ） 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器需要不斷地刷新，以防止電容上存儲的信息丟失。（ ） 用2片容量為16K ×8的R AM 構(gòu)成容量為32K ×8的R AM 是位擴(kuò)展。（ ） 所有的半導(dǎo)體存儲器在運(yùn)行時

5、都具有讀和寫的功能。（ ） ROM 和R AM 中存入的信息在電源斷掉后都不會丟失。（ ） RAM 中的信息，當(dāng)電源斷掉后又接通，則原存的信息不會改變。（ ） 存儲器字?jǐn)?shù)的擴(kuò)展可以利用外加譯碼器控制數(shù)個芯片的片選輸入端來實現(xiàn)。（ ） PROM 的或陣列（存儲矩陣）是可編程陣列。（ ）ROM 的每個與項（地址譯碼器的輸出）都一定是最小項。（ ）三、填空題1存儲器的 和 是反映系統(tǒng)性能的兩個重要指標(biāo)。2. ROM 用于存儲固定數(shù)據(jù)信息，一般由 、 和 三部分組成。3. 隨機(jī)讀寫存儲器不同于RO M ，它不但能讀出所存信息，而且能夠?qū)懭胄?息。根據(jù)存儲單元的工作原理，可分為 和 兩種4. PROM 和ROM 的區(qū)別在于它的或陣列是 的。第七章答案一、 選擇題1 BD2 D3 C4 C5 C6 C7 A8 D9 B10 A11 D12 C13 A14 ACD15 B二、 判斷題1. 2. 3. 4. ×5. × 6