單結(jié)晶體管的識別及檢測

1、湖南省技工學(xué)校理論教學(xué)教案教師 ：學(xué) 科變頻 調(diào)速執(zhí) 行 記 錄日期星期檢查 簽字班級節(jié)次課題單結(jié)晶體管的識別與檢測課類 的型實驗教學(xué)目的了解單結(jié)晶體管及觸發(fā)電路的工作原理。教 學(xué) 重 點單結(jié)晶體管的識別與檢測。教 學(xué) 難 點單結(jié)晶體管及觸發(fā)電路的工作原理。主要 教學(xué) 方法演示，示，講授。教 具 掛 圖BT33、電阻、電容、萬用表、電烙鐵等。教學(xué) 環(huán)節(jié) 時間 分配1、組織教學(xué)時間23、講授新課時間702、復(fù)習(xí)導(dǎo)入時間84、歸納小結(jié)時間55、作業(yè)布置時間5教 學(xué) 后 記實驗二 單結(jié)晶管振蕩電路的制作與調(diào)試任務(wù)一 單結(jié)晶體管的識別與檢測欲使晶閘管導(dǎo)通，它的控制極上必須加上觸發(fā)電壓 vG，產(chǎn)生觸發(fā)

2、電壓 vG的電路稱為觸發(fā)電路。觸發(fā)電路種類繁多，各具特色。本節(jié)主 要介紹用單結(jié)晶體管組成的觸發(fā)電路。一、 單結(jié)晶體管 它的外形與普通三極管相似，具有三個電極，但不是三極管，而 是具有三個電極的二極管， 管只有一個 PN結(jié)，所以稱之為單結(jié)晶體管。 三個電極中，一個是發(fā)射極，兩個是基極，所以也稱為雙基極二極管。1. 結(jié)構(gòu)與符號其結(jié)構(gòu)如圖 7-2-1(a) 所示。它有三個電極，但在結(jié)構(gòu)上只有一個 PN結(jié)。有發(fā)射極 E，第一基極 B1 和第二基極 B2，其符號見圖 7-2-1(b) 。2. 伏安特性單結(jié)晶體管的等效電路如圖 7-2-1(c) 所示，兩基極間的電阻為 RBB = RB1 + RB2，用

3、D表示 PN結(jié)。 RBB的阻值圍為 215K之間。如果在 Bl 、 B2兩個基極間加上電壓 VBB，則 A與 Bl 之間即 RB1兩端得到的電壓為VAB1 VBB VBB(7-2-1)RB1 RB2式中稱為分壓比，它與管子的結(jié)構(gòu)有關(guān)， 一般在 0.3 0.8 之間， 是單結(jié)晶體管的主要參數(shù)之一。B2結(jié)構(gòu)等效電路(a) 結(jié)構(gòu)示意圖符號(c)(b)圖 7-2-1 單結(jié)晶體管單結(jié)晶體管的伏安特性是指它的發(fā)射極電壓VE 與流入發(fā)射極電流I E 之間的關(guān)系。圖 7-2-1(a) 是測量伏安特性的實驗電路，在 B2、 Bl 間RE接在 E和 Bl 之間。( a)測試電路(b) 伏安特性圖 7-2-2 單結(jié)

4、晶體管伏安特性當外加電壓 VE<VBB+VD時( VD為PN結(jié)正向壓降 ) ，PN結(jié)承受反向電 壓而截止，故發(fā)射極回路只有微安級的反向電流，單結(jié)晶體管子處于 截止區(qū)，如圖 7-2-2(b) 的 aP 段所示。在 VE =VBB+VD時，對應(yīng)于圖 7-2-2(b) 中的 P 點，該點的電壓和 電流分別稱為峰點電壓 VP和峰點電流 IP。由于 PN結(jié)承受了正向電壓而 導(dǎo)通，此后 RB1 急劇減小， VE隨之下降， I E迅速增大，單結(jié)晶體管呈現(xiàn) 負阻特性，負阻區(qū)如圖 7-2-2 (b) 中的 PV段所示。V 點的電壓和電流分別稱為谷點電壓 VV和谷點電流 I V。過了谷點以后，I E繼續(xù)增大

5、， VE略有上升，但變化不大，此時單結(jié)晶體管進入飽 狀態(tài)，圖中對應(yīng)于谷點 V 以右的特性，稱為飽和區(qū)。當發(fā)射極電壓減 小到 VE<VV時，單結(jié)晶體管由導(dǎo)通恢復(fù)到截止狀態(tài)。綜上所述，峰點電壓 VP 是單結(jié)晶體管由截止轉(zhuǎn)向?qū)ǖ呐R界點。VP VD VA VA VBB( 7-2-2 )所以， VP由分壓比 和電源電壓決定 VBB。谷點電壓 VV是單結(jié)晶體管由導(dǎo)通轉(zhuǎn)向截止的臨界點。 一般 VV = 2 5V( VBB = 20V)。國產(chǎn)單結(jié)晶體管的型號有 BT31、BT32、BT33等。BT表示半導(dǎo)體特 種管， 3 表示三個電極，第四個數(shù)字表示耗散功率分別為100、200、300mW。單結(jié)晶體管

6、的檢測圖 7-23 為單結(jié)晶體管 BT33管腳排列、結(jié)構(gòu) 圖及電路符號。好的單結(jié)晶體管 PN結(jié)正向電阻 REB1、 REB2均較小，且 REB1稍大于 REB2，PN結(jié)的反向電阻 RB1E、 RB2E均應(yīng)很大，根據(jù)所測阻值，即可判斷出各管腳 及管子的質(zhì)量優(yōu)劣。用萬用電表 R×10檔分別測量 EB1、EB2間正、反向電阻，記入表 7 2-1表 7-2 1REB1( )REB2( )RB1E(K )RB2E(K )結(jié)論任務(wù)二 單結(jié)晶體管振蕩電路制作與調(diào)試利用單結(jié)晶體管的負阻特性和 晶體管振蕩電路，其基本電路如圖RC電路的充放電特性， 可組成單結(jié) 7-2-4 所示。E(a) 電路圖VE充電

7、 放電t(b) 波形圖圖 7-2-4 單結(jié)晶體管振蕩電路當合上開關(guān) S接通電源后，將通過電阻 R向電容 C充電(設(shè) C上的 起始電壓為零 ) ，電容兩端電壓 vC按= RC的指數(shù)曲線逐漸增加。當 vC 升高至單結(jié)晶體管的峰點電壓 VP時，單結(jié)晶體管由截止變?yōu)閷?dǎo)通， 電容向電阻 R1放電，由于單結(jié)晶體管的負阻特性 ,且 R1又是一個 50100 的小電阻，電容 C的放電時間常數(shù)很小，放電速度很快，于 是在 R1 上輸出一個尖脈沖電壓 vG。在電容的放電過程中， vE急劇下降， 當 vEVV(谷點電壓 )時，單結(jié)晶體管便跳變到截止區(qū)，輸出電壓 vG降 到零，即完成一次振蕩。放電一結(jié)束，電容又開始重

8、新充電并重復(fù)上述過程，結(jié)果在 C 上 形成鋸齒波電壓，而在 R1 上得到一個周期性的尖脈沖輸出電壓 vG，如 圖 7-2-4 ( b) 所示。調(diào)節(jié) R(或變換 C)以改變充電的速度，從而調(diào)節(jié)圖 7-2-4 (b) 中 的 t 1 時刻，如果把 vG接到晶閘管的控制極上，就可以改變控制角的 大小。1、電路如圖 7-2-5 所示圖 7-2-5 單結(jié)晶體管振蕩電路2、儀器儀表 雙蹤示波器 一臺 MF47 萬用表 1 只3、制作調(diào)試步驟（1）將元器件按要求整形，插入通用電路板的相應(yīng)位置 , 并連接好 導(dǎo)線。（2）閉合開關(guān)，接通電源。分別用示波器觀察電容 C 兩端電壓 vc 及電路輸出電壓 vo。在圖 7-2