微電子學(xué)英文專業(yè)名詞大全-21文檔資料

1、Accumulating contact 積累接觸Accumulation region 積累區(qū) Accumulation layer 積累層Active region 有源區(qū) Active component 有源元Active device 有源器件 Activation 激活A(yù)ctivation energy 激活能 Active region 有源(放大)區(qū)Admittance 導(dǎo)納 Allowed band 允帶Alloy-junction device 合金結(jié)器件 Aluminum(Aluminium)鋁Aluminum oxide 鋁氧化物 Aluminum passivatio

2、n 鋁鈍化Ambipolar 雙極的 Ambient temperature 環(huán)境溫度Amorphous 無定形的，非晶體的 Amplifier 功放 擴(kuò)音器放大器Analogue(Analog) comparator 模擬比較器 Angstrom 埃Anneal 退火 Anisotropic 各向異性的Anode 陽極 Arsenic (AS) 砷Auger 俄歇 Auger process 俄歇過程Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩擊穿Avalanche excitation 雪崩激發(fā)Background carrier本底載流子 Background

3、doping 本底摻雜Backward 反向 Backward bias 反向偏置第 1 頁Ballasting resistor整流電阻 Ball bond 球形鍵合Band 能帶 Band gap 能帶間隙Barrier 勢壘 Barrier layer 勢壘層Barrier width 勢壘寬度 Base 基極Base contact 基區(qū)接觸 Base stretching 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)Base transit time 基區(qū)渡越時間 Base transport efficiency 基區(qū)輸運(yùn) 系數(shù)Base-width modulation 基區(qū)寬度調(diào)制 Basis vector 基

4、矢Bias 偏置 Bilateral switch雙向開關(guān)Binary code 二進(jìn)制代碼 Binary compound semiconductor 二元化合物半 導(dǎo)體Bipolar 雙極性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)雙極晶體管Bloch 布洛赫 Blocking band 阻擋能帶Blocking contact 阻擋接觸 Body - centered 體心立方Body-centred cubic structure 體立心結(jié)構(gòu) Boltzmann 波爾茲曼Bond 鍵、鍵合 Bonding electron 價(jià)電子Bonding pad 鍵合

5、點(diǎn) Bootstrap circuit 自舉電路Bootstrapped emitter follower自舉射極跟隨器 Boron 硼B(yǎng)orosilicate glass硼硅玻璃 Boundary condition邊界條件Bound electron 束縛電子 Breadboard 模擬板、實(shí)驗(yàn)板Break down 擊穿 Break over 轉(zhuǎn)折Brillouin 布里淵 Brillouin zone布里淵區(qū)第 3 頁內(nèi)建電場體復(fù)合隱埋擴(kuò)散區(qū)Built-in 內(nèi)建的 Build-in electric fieldBulk 體 / 體內(nèi) Bulk absorption 體吸收Bulk g

6、eneration 體產(chǎn)生 Bulk recombinationBurn - in 老化 Burn out 燒毀Buried channel 埋溝 Buried diffusion regionCan 外殼 Capacitance 電容Capture cross section俘獲截面 Capture carrier 俘獲載流子Carrier 載流子、載波 Carry bit 進(jìn)位位Carry-in bit 進(jìn)位輸入 Carry-out bit 進(jìn)位輸出Cascade 級聯(lián) Case 管殼Cathode 陰極 Center 中心Ceramic 陶瓷(的) Channel 溝道Channel b

7、reakdown 溝道擊穿 Channel current 溝道電流Channel doping 溝道摻雜 Channel shortening 溝道縮短Channel width 溝道寬度 Characteristic impedance 特征阻抗Charge 電荷、充電 Charge-compensation effects 電荷補(bǔ)償效應(yīng)Charge conservation 電荷守恒 Charge neutrality condition 電中性 條件電荷驅(qū)動 / 交換/ 共Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage享/轉(zhuǎn)移/ 存儲Che

8、mmical etching 化學(xué)腐蝕法 Chemically-Polish 化學(xué)拋光Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化學(xué)機(jī)械拋光 Chip 芯片Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位Clamping diode 箝位二極管 Cleavage plane 解理面Clock rate 時鐘頻率 Clock generator 時鐘發(fā)生器Clock flip-flop時鐘觸發(fā)器 Close-packed structure密堆積結(jié)構(gòu)Close-loop gain 閉環(huán)增益 Collector 集電極Collision 碰撞 Compens

9、ated OP-AMP 補(bǔ)償運(yùn)放Common-base/collector/emitter connection共基極 / 集電極 / 發(fā)射極連接Common-gate/drain/source connection共柵/漏/ 源連接Common-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模輸入Common-mode rejection ratio (CMRR)共模抑制比Compatibility 兼容性 Compensation 補(bǔ)償Compensated impurities 補(bǔ)償雜質(zhì) Compensated semiconductor 補(bǔ)償半 導(dǎo)體Complem

10、entary Darlington circuit 互補(bǔ)達(dá)林頓電路Complementary Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor(CMOS) 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 Complementary error function 余誤差函數(shù) Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì) / 測試 / 制造Compound Semiconductor 化合物半導(dǎo)體 Conductance 電導(dǎo)Conduction band (edge) 導(dǎo)帶(底) C

11、onduction level/state導(dǎo)帶態(tài)Conductor 導(dǎo)體 Conductivity 電導(dǎo)率Configuration 組態(tài) Conlomb 庫侖Conpled Configuration Devices 結(jié)構(gòu)組態(tài) Constants 物理常數(shù)Constant energy surface 等能面 Constant-source diffusion 恒定源擴(kuò) 散Contact 接觸 Contamination 治污Continuity equation 連續(xù)性方程 Contact hole 接觸孔連續(xù)性條件Contact potential 接觸電勢 Continuity con

12、ditionContra doping 反摻雜 Controlled 受控的Converter 轉(zhuǎn)換器 Conveyer傳輸器Copper interconnection system銅互連系統(tǒng)Couping 耦合Covalent 共階的 Crossover跨交Critical 臨界的 Crossunder穿交Crucible 坩堝Crystal defect/face/orientation/lattice晶體缺陷 /晶面/ 晶向/ 晶格Current density 電流密度 Curvature曲率Cut off 截止 Current drift/dirve/sharing電流漂移 / 驅(qū)

13、動/ 共享Current Sense 電流取樣 Curvature 彎曲Custom integrated circuit定制集成電路Cylindrical 柱面的第 9 頁Czochralshicrystal 直立單晶Cz 法直拉晶體 J)Czochralski technique切克勞斯基技術(shù)(Dangling bonds 懸掛鍵 Dark current 暗電流Dead time 空載時間 Debye length 德拜長度De.broglie 德布洛意 Decderate 減速Decibel (dB) 分貝 Decode 譯碼Deep acceptor level 深受主能級 Deep

14、 donor level 深施主能級Deep impurity level 深度雜質(zhì)能級 Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 簡并半導(dǎo)體 Degeneracy 簡并度Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin攝氏 / 開氏溫度Delay 延遲 Density 密度Density of states 態(tài)密度 Depletion 耗盡Depletion approximation 耗盡近似 Depletion contact 耗盡接觸Depletion depth 耗盡深度 Deple

15、tion effect 耗盡效應(yīng)Depletion layer 耗盡層 Depletion MOS 耗盡 MOSDepletion region 耗盡區(qū) Deposited film 淀積薄膜Deposition process 淀積工藝 Design rules 設(shè)計(jì)規(guī)則Die 芯片(復(fù)數(shù) dice ) Diode 二極管Dielectric 介電的 Dielectric isolation 介質(zhì)隔離Difference-mode input差模輸入 Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance微分電容 Diffused junct

16、ion 擴(kuò)散結(jié)Diffusion 擴(kuò)散 Diffusion coefficient擴(kuò)散系數(shù)Diffusion constant擴(kuò)散常數(shù) Diffusivity 擴(kuò)散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace擴(kuò)散電容 / 勢壘 / 電流/爐Digital circuit數(shù)字電路 Dipole domain 偶極疇Dipole layer偶極層 Direct-coupling 直接耦合Direct-gap semiconductor 直接帶隙半導(dǎo)體 Direct transition直接躍遷Discharge 放電 Discrete compone

17、nt 分立元件Dissipation 耗散 Distribution 分布Distributed capacitance 分布電容 Distributed model 分布模型Displacement 位移 Dislocation 位錯Domain 疇 Donor 施主Donor exhaustion 施主耗盡 Dopant 摻雜劑Doped semiconductor 摻雜半導(dǎo)體 Doping concentration 摻雜濃度 Double-diffusive MOS(DMOS) 雙擴(kuò)散 MOS.Drift 漂移 Drift field 漂移電場Drift mobility 遷移率 Dr

18、y etching 干法腐蝕Dry/wet oxidation干/ 濕法氧化 Dose 劑量Duty cycle 工作周期 Dual-in-line package( DIP) 雙列直插式封裝Dynamics 動態(tài) Dynamic characteristics動態(tài)屬性Dynamic impedance 動態(tài)阻抗Expitaxy 外延 Equivalent curcuit等效電路愛因斯坦關(guān)系Effective mass 有效質(zhì)量 Einstein relation(ship)Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性電可 擦

19、除只讀存儲器Electrode 電極 Electrominggratim 電遷移Electron affinity電子親和勢 Electronic -grade電子能第 # 頁光致抗蝕劑的電子束曝光Electron trapping center電子俘獲中心 Electron Volt (eV)電子伏Electron-beam photo-resist exposureElectron gas 電子氣 Electron-grade water 電子級純水Electrostatic 靜電的 Element 元素/元件/ 配件Elemental semiconductor元素半導(dǎo)體 Ellipse

20、橢圓Ellipsoid 橢球 Emitter發(fā)射極Emitter-coupled logic發(fā)射極耦合邏輯 Emitter-coupled pair發(fā)射極耦合對Emitter follower 射隨器Empty band空帶Emitter crowding effect發(fā)射極集邊擁擠）效應(yīng)Endurance test =life test壽命測試Energy state 能態(tài)Energy momentum diagram能量-動量（E-K）圖Enhancement mode增強(qiáng)型模式Enhancement MOS增強(qiáng)性 MOS Entefic (低)共溶的Environmental test

21、環(huán)境測試 Epitaxial 外延的外延片Epitaxial layer 外延層 Epitaxial sliceEquilibrium majority /minority carriers 平衡多數(shù) / 少數(shù)載流子Erasable Programmable ROM （EPROM） 可搽?。ň幊蹋┐鎯ζ鱁rror function complement 余誤差函數(shù)Etch 刻蝕 Etchant 刻蝕劑Etching mask 抗蝕劑掩模 Excess carrier 過剩載流子Excitation energy激發(fā)能 Excited state 激發(fā)態(tài)Exciton 激子 Extrapolat

22、ion 外推法Extrinsic 非本征的 Extrinsic semiconductor 雜質(zhì)半導(dǎo)體Face - centered 面心立方 Fall time 下降時間Fan-in 扇入 Fan-out 扇出Fast recovery 快恢復(fù) Fast surface states 快界面態(tài)Feedback 反饋 Fermi level 費(fèi)米能級Fermi-Dirac Distribution 費(fèi)米 - 狄拉克分布 Femi potential 費(fèi)米勢Fick equation 菲克方程（擴(kuò)散） Field effect transistor 場效應(yīng)晶 體管Field oxide 場氧化層

23、 Filled band 滿帶Film 薄膜 Flash memory 閃爍存儲器Flat band 平帶 Flat pack 扁平封裝Flicker noise 閃爍（變）噪聲 Flip-flop toggle 觸發(fā)器翻轉(zhuǎn) Floating gate 浮柵 Fluoride etch氟化氫刻蝕Forbidden band禁帶 Forward bias 正向偏置Frequency deviation noise 頻率漂移噪聲Frequency response 頻率響應(yīng) Function 函數(shù)Gain 增益 Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化鉀Gamy ray r 射線 Gat

24、e 門、柵、控制極Gate oxide 柵氧化層 Gauss ( ian ) 高斯Gaussian distribution profile 高斯摻雜分布Generation-recombination產(chǎn)生 - 復(fù)合Geometries 幾何尺寸 Germanium(Ge) 鍺Graded 緩變的 Graded (gradual) channel 緩變溝道Graded junction 緩變結(jié) Grain 晶粒Gradient 梯度 Grown junction 生長結(jié)Guard ring 保護(hù)環(huán) Gummel-Poom model 葛謀- 潘 模型Gunn - effect 狄氏效應(yīng)Hard

25、ened device 輻射加固器件 Heat of formation 形成熱Heat sink 散熱器、熱沉 Heavy/light hole band 重/ 輕 空穴帶 Heavy saturation 重?fù)诫s Hell - effect 霍爾效應(yīng) Heterojunction 異質(zhì)結(jié) Heterojunction structure 異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)Heterojunction Bipolar Transistor(HBT 異質(zhì)結(jié)雙極型晶體High field property 高場特性High-performance MOS.( H-MOS) 高性能 MOS. Hormalized 歸一化

26、Horizontal epitaxial reactor臥式外延反應(yīng)器 Hot carrior 熱載流子Hybrid integration 混合集成Image - force 鏡象力 Impact ionization碰撞電離Impedance 阻抗 Imperfect structure不完整結(jié)構(gòu)Implantation dose注入劑量 Implanted ion 注入離子Impurity 雜質(zhì) Impurity scattering雜志散射Incremental resistance 電阻增量(微分電阻) In-contact mask 接觸 式掩模Indium tin oxide (

27、ITO)銦錫氧化物 Induced channel 感應(yīng)溝道Infrared 紅外的 Injection 注入Input offset voltage 輸入失調(diào)電壓 Insulator 絕緣體Insulated Gate FET(IGFET) 絕緣柵 FET Integrated injection logic集成注入邏輯Integration 集成、積分 Interconnection 互連Interconnection time delay 互連延時 Interdigitated structure 交 互式結(jié)構(gòu)Interface 界面 Interference 干涉Internation

28、al system of unions 國際單位制 Internally scattering 谷 間散射Interpolation 內(nèi)插法 Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半導(dǎo)體 Inverse operation 反向工作Inversion 反型 Inverter 倒相器第 # 頁Ion 離子 Ion beam 離子束Ion etching 離子刻蝕 Ion implantation 離子注入Ionization 電離 Ionization energy電離能Irradiation 輻照 Isolation land 隔離島 Isotropic

29、 各向同性Junction FET(JFET) 結(jié)型場效應(yīng)管 Junction isolation 結(jié)隔離Junction spacing 結(jié)間距 Junction side-wall結(jié)側(cè)壁Latch up 閉鎖 Lateral 橫向的Lattice 晶格 Layout 版圖Lattice binding/cell/constant/defect/distortion晶格結(jié)合力 / 晶胞 /晶格 / 晶格常熟/ 晶格缺陷 / 晶格畸變Leakage current (泄)漏電流 Level shifting電平移動Life time 壽命 linearity 線性度Linked bond 共價(jià)

30、鍵 Liquid Nitrogen 液氮Liquid phase epitaxial growth technique液相外延生長技術(shù)Lithography 光刻 Light Emitting Diode(LED)發(fā)光二極管Load line or Variable負(fù)載線 Locating and Wiring布局布線Longitudinal 縱向的 Logic swing 邏輯擺幅Lorentz 洛淪茲 Lumped model 集總模型Majority carrier 多數(shù)載流子 Mask 掩膜板，光刻板Mask level 掩模序號 Mask set 掩模組Mass - action l

31、aw 質(zhì)量守恒定律 Master-slave D flip-flop 主從 D 觸 發(fā)器Matching 匹配 Maxwell 麥克斯韋Mean free path 平均自由程 Meandered emitter junction 梳狀發(fā)射極結(jié)Mean time before failure (MTBF) 平均工作時間Megeto - resistance 磁阻 Mesa 臺面MESFET-Metal Semiconductor 金屬半導(dǎo)體 FETMetallization 金屬化 Microelectronic technique 微電子技術(shù)Microelectronics微電子學(xué) Mill

32、en indices密勒指數(shù)Minority carrier少數(shù)載流子 Misfit 失配Mismatching 失配 Mobile ions 可動離子Mobility 遷移率 Module 模塊Modulate 調(diào)制 Molecular crystal 分子晶體Monolithic IC 單片IC MOSFET金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶體管 Multiplication 倍增Modulator 調(diào)制 Multi-chip IC 多芯片 ICMulti-chip module(MCM) 多芯片模塊 Multiplication coef

33、ficient 倍增 因子Naked chip 未封裝的芯片(裸片) Negative feedback 負(fù)反饋Negative resistance 負(fù)阻 Nesting 套刻第 13 頁Negative-temperature-coefficient負(fù)溫度系數(shù) Noise margin 噪聲容限Nonequilibrium 非平衡 Nonrolatile 非揮發(fā)(易失)性Normally off/on 常閉 / 開 Numerical analysis數(shù)值分析Occupied band 滿帶 Officienay 功率Offset 偏移、失調(diào) On standby 待命狀態(tài)Ohmic co

34、ntact 歐姆接觸 Open circuit 開路Operating point 工作點(diǎn) Operating bias工作偏置Operational amplifier (OPAMP) 運(yùn)算放大器Optical photon =photon光子 Optical quenching 光猝滅Optical transition 光躍遷 Optical-coupled isolator 光耦合隔離器Organic semiconductor 有機(jī)半導(dǎo)體 Orientation 晶向、定向Outline 外形 Out-of-contact mask 非接觸式掩模Output characterist

35、ic 輸出特性 Output voltage swing輸出電壓擺幅Overcompensation 過補(bǔ)償 Over-current protection 過流保護(hù)Over shoot 過沖 Over-voltage protection 過壓保護(hù)Overlap 交迭 Overload 過載Oscillator 振蕩器 Oxide 氧化物Oxidation 氧化 Oxide passivation 氧化層鈍化Package 封裝 Pad 壓焊點(diǎn)Parameter 參數(shù) Parasitic effect 寄生效應(yīng)Parasitic oscillation寄生振蕩 Passination 鈍化第

36、 19 頁P(yáng)assive component 無源元件 Passive device無源器件Passive surface 鈍化界面 Parasitic transistor寄生晶體管Peak-point voltage 峰點(diǎn)電壓 Peak voltage峰值電壓Permanent-storage circuit 永久存儲電路 Period 周期Periodic table周期表 Permeable - base 可滲透基區(qū)Phase-lock loop鎖相環(huán) Phase drift相移Phonon spectra聲子譜Photo conduction光電導(dǎo) Photo diode 光電二極管

37、Photoelectric cell光電池 Photoelectric effect光電效應(yīng)Photoenic devices光子器件 Photolithographic process光刻工藝(photo) resist光敏）抗腐蝕劑 Pin 管腳Pinch off 夾斷 Pinning of Fermi level費(fèi)米能級的釘扎（效應(yīng)）Planar process 平面工藝 Planar transistor平面晶體管Plasma 等離子體 Plezoelectric effect壓電效應(yīng)Poisson equation 泊松方程 Point contact 點(diǎn)接觸Polarity 極性

38、Polycrystal 多晶Polymer semiconductor 聚合物半導(dǎo)體 Poly-silicon 多晶硅Potential ( 電)勢 Potential barrier勢壘Potential well勢阱 Power dissipation 功耗Power transistor 功率晶體管 Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面 Principal axes 主軸Print-circuit board(PCB)印制電路板 Probability 幾率Probe 探針 Process 工藝Propagation delay 傳輸延時 Pseudopo

39、tential method 膺勢發(fā)Punch through 穿通 Pulse triggering/modulating 脈沖觸發(fā) / 調(diào)制Pulse Widen Modulator(PWM) 脈沖寬度調(diào)制Punchthrough 穿通 Push-pull stage 推挽級Quality factor 品質(zhì)因子 Quantization 量子化Quantum 量子 Quantum efficiency 量子效應(yīng)Quantum mechanics 量子力學(xué) Quasi - Fermi level 準(zhǔn)費(fèi)米能級Quartz 石英Radiation conductivity輻射電導(dǎo)率 Radia

40、tion damage 輻射損傷Radiation flux density輻射通量密度 Radiation hardening輻射加固Radiation protection輻射保護(hù) Radiative - recombination輻照復(fù)合Radioactive 放射性 Reach through 穿通Reactive sputtering source 反應(yīng)濺射源 Read diode 里德二極管Recombination 復(fù)合 Recovery diode 恢復(fù)二極管Reciprocal lattice倒核子 Recovery time 恢復(fù)時間Rectifier 整流器(管) Rec

41、tifying contact 整流接觸Reference 基準(zhǔn)點(diǎn) 基準(zhǔn) 參考點(diǎn) Refractive index 折射率Register 寄存器 Registration 對準(zhǔn)Regulate 控制 調(diào)整 Relaxation lifetime 馳豫時間第 21 頁Reliability 可靠性 Resonance 諧振Resistance 電阻 Resistor 電阻器Resistivity 電阻率 Regulator 穩(wěn)壓管（器）Relaxation 馳豫 Resonant frequency 共射頻率Response time 響應(yīng)時間 Reverse 反向的Reverse bias

42、反向偏置Sampling circuit 取樣電路 Sapphire 藍(lán)寶石（ Al2O3）Satellite valley 衛(wèi)星谷 Saturated current range 電流飽和區(qū)Saturation region 飽和區(qū) Saturation 飽和的Scaled down 按比例縮小 Scattering 散射Schockley diode 肖克萊二極管 Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基勢壘 Schottky contact 肖特基接觸Schrodingen 薛定厄 Scribing grid劃片格Secondary flat 次平面Seed cr

43、ystal 籽晶 Segregation 分凝Selectivity 選擇性 Self aligned自對準(zhǔn)的Self diffusion自擴(kuò)散 Semiconductor 半導(dǎo)體Semiconductor-controlled rectifier 可控硅 Sendsitivity 靈敏度Serial 串行 / 串聯(lián) Series inductance串聯(lián)電感Settle time 建立時間 Sheet resistance 薄層電阻Shield 屏蔽 Short circuit 短路Shot noise 散粒噪聲 Shunt 分流Sidewall capacitance 邊墻電容 Signa

44、l 信號Silica glass 石英玻璃 Silicon 硅Silicon carbide碳化硅 Silicon dioxide (SiO2)二氧化硅Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅 Silicon On Insulator絕緣硅Siliver whiskers 銀須 Simple cubic 簡立方Single crystal 單晶 Sink 沉Skin effect 趨膚效應(yīng) Snap time 急變時間Sneak path 潛行通路 Sulethreshold 亞閾的Solar battery/cell 太陽能電池 Solid circuit固體電路Solid So

45、lubility 固溶度 Sonband 子帶Source 源極 Source follower 源隨器Space charge 空間電荷 Specific heat(PT) 熱Speed-power product 速度功耗乘積 Spherical 球面的Spin 自旋 Split 分裂Spontaneous emission 自發(fā)發(fā)射 Spreading resistance 擴(kuò)展電阻Sputter 濺射 Stacking fault 層錯Static characteristic靜態(tài)特性 Stimulated emission 受激發(fā)射Stimulated recombination受激復(fù)合 Storage time 存儲時間Stress 應(yīng)力 Straggle 偏差Sublimation 升華 Substrate 襯底Substitutional 替位式的 Superlattice 超晶格Supply 電源 Surface 表面Surg