v300r006gmk6dbru單板硬件詳細(xì)設(shè)計(jì)報(bào)告中射頻

1、v300r006gmk6dbru單板硬件詳細(xì)設(shè)計(jì)報(bào)告 （中射頻v300r006gmk6dbru單板硬件詳細(xì)設(shè)計(jì)報(bào)告（中射頻 G3BTS3012V300R006 GMK6DBRU Single Board Low Level Design（IRF Part） G3BTS3012V300R006 GMK6DBRU 單板 硬件詳細(xì)設(shè)計(jì)報(bào)告（中射頻） 絕密Product name產(chǎn)品名稱(chēng) Confidentiality level 密級(jí) BTS3012 機(jī)密 Product version 產(chǎn) 品版本 Total 96 pages 共 96 頁(yè) V300R006 G3BTS3012V300R006 G

2、MK6DBRU Single Board Low Level Design（IRF Part） G3BTS3012V300R006 GMK6DBRU 單板 硬件詳細(xì)設(shè)計(jì)報(bào)告（中射頻） Prepared by擬制 潘曉軍、牟 亞尼、邵珠法、盧峰、賀國(guó)秋 Date日期2007-05-15 Reviewed by審核人薛裕勝 Date日期yyyy-mm-dd Reviewed by審 核人伍令Date日期 yyyy-mm-dd Authorized by批準(zhǔn)許 智宇 Date 日期 yyyy-mm-dd Huawei Technologies Co., Ltd. 華為技術(shù)有限公司All rights

3、 reserved版權(quán)所有侵權(quán)必究修訂記錄 日期 修訂版本 描述 作者2007-05-15 1.0初稿 完成（評(píng)審歸檔）潘曉軍、牟亞尼、邵珠法、盧峰、賀國(guó)秋 yyyy-mm-dd 1.1 修改 XXX 作者名 yyyy-mm-dd 1.2 修 改XXX 作者名 yyyy -mm-dd 2.0 修改XXX 作者名 目錄 G3BTS3012V300R006 GMK6DBRU Single Board Low Level Design（IRF Part）1G3BTS3012V300R006 GMK6DBRU 單板硬件詳細(xì)設(shè)計(jì)報(bào)告 （中射頻）1 Huawei Technologies Co., Ltd

4、.1 1 概述 10 1.1 背 景10 1.1.1該文檔對(duì)應(yīng)的單板硬件正式名稱(chēng)和版本號(hào)；101.1.2單板功能電路劃分、作用、采用的標(biāo)準(zhǔn)。10 1.2單板功能描述14 1.2.1GMK6DBRU單板中頻通道功能描述14 1.2.2GMK6DBRU單板射頻發(fā)射通道功能描述141.2.3GMK6DBRU 單板射頻接收通道功能描述14 1.2.4GMK6DBRU 單板頻率源功育時(shí)苗述14 1.2.5GMK6DBRU單板環(huán)測(cè)功能描述14 1.2.6GMK6DBRU 功率放大功能描述15 1.2.7GMK6DBRU 單板電源15 1.3單板運(yùn)行環(huán)境說(shuō)明151.4重要性能指標(biāo)15 1.5單板功耗19 1

5、.6必要的預(yù)備知識(shí)（可 選）20 2關(guān)鍵器件20 3單板各單元詳細(xì)說(shuō)明20 3.1GMK6DBRU 單板功能框圖劃分 20 3.2單元詳細(xì)描述21 3.2.1中頻單元21 3.2.2發(fā)射單元30 3.2.3頻率源單元 36 3.2.4 功率放大單元49 3.2.5接收單元62 3.3單元間配合描述 72 3.3.1總線設(shè)計(jì)72 3.3.2單板上電、復(fù)位設(shè)計(jì) 73 3.3.3各單元 間的時(shí)序關(guān)系73 3.3.4單板整體可測(cè)試性設(shè)計(jì) 74 3.3.5軟件 加載方式說(shuō)明74 3.3.6基本邏輯和大規(guī)模邏輯加載方式說(shuō)明 74 3.4單板內(nèi)部基帶、中頻、射頻和功放之間的接口74 3.4.1軟件接口 81

6、 3.4.2大規(guī)模邏輯接口 82 3.4.3調(diào)測(cè)接口 82 3.4.4 用戶接口 82 4單板電源設(shè)計(jì)82 4.1電源供電結(jié)構(gòu)圖82 4.2實(shí) 現(xiàn)方式83 4.2.1小信號(hào)部分電源設(shè)計(jì) 83 4.2.2功放部分電源設(shè)計(jì)85 5單板可靠性和維護(hù)性綜合設(shè)計(jì)說(shuō)明86 5.1可靠性設(shè)計(jì)86 5.1.1產(chǎn)品規(guī)格書(shū)文件中對(duì)本板的可靠性指標(biāo)要求：86 5.1.2 單板失效率(FITs)估算表，1FIT= 1 M0exp(-9) (1/h)86 5.2單板可維護(hù)性設(shè)計(jì) 87 5.2.1故障定位率87 5.2.2單板故 障管理設(shè)計(jì) 87 5.2.3單板可維護(hù)性設(shè)計(jì)說(shuō)明 87 5.2.4MTTR(平均修復(fù)時(shí)間)估

7、計(jì)值及依據(jù)87 5.2.5單板自檢和上報(bào)功能方案87 5.2.6單板及部件更換/現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試可達(dá)性實(shí)現(xiàn)方案885.2.7防差錯(cuò)設(shè)計(jì)和標(biāo)識(shí)方法 88 5.2.8維修操作中對(duì)設(shè)備本身 及人身安全保障的設(shè)計(jì) 88 5.2.9易損部件的通用性和互換性88 6單板信號(hào)完整性設(shè)計(jì)說(shuō)明88 7器件應(yīng)用可靠性設(shè)計(jì)說(shuō)明88 7.1單板器件可靠應(yīng)用分析 88 7.2器件工程可靠性需求符 合度分析89 7.2.1器件質(zhì)量可靠性要求89 7.2.2機(jī)械應(yīng)力907.2.3可加工性90 7.2.4電應(yīng)力90 7.2.5環(huán)境應(yīng)力90 7.2.6溫 度應(yīng)力91 7.2.7壽命及可維護(hù)性91 7.3固有失效率較高器件改進(jìn)對(duì)策91

8、7.4上、下電過(guò)程分析91 7.4.1上下電浪涌917.4.2器件的上下電要求 91 7.5器件可靠應(yīng)用薄弱點(diǎn)分析917.6器件離散及最壞情況分析 91 8單板熱設(shè)計(jì)說(shuō)明91 9EMC、 ESD、防護(hù)及安規(guī)設(shè)計(jì)說(shuō)明 92 9.1ESD設(shè)計(jì)92 9.2EMC設(shè)計(jì) 92 9.2.1 一般原則：92 9.2.2功放部分93 9.3安規(guī)設(shè)計(jì)93 9.3.1單板上的電路類(lèi)型93 9.3.2安規(guī)器件93 9.3.3外部接口 94 9.3.4設(shè)計(jì)原則和其它 說(shuō)明94 10單板工藝設(shè)計(jì)說(shuō)明94 10.1PCB工藝設(shè)計(jì)94 10.1.1功放部分說(shuō)明94 10.2工藝路線設(shè)計(jì)95 10.3工藝互連可靠性 分析95

9、 10.4元器件工藝解決方案 96 10.5單板工藝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 96 10.6新工藝詳細(xì)設(shè)計(jì)方案 96 11單板結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)說(shuō)明 96 12 其他96 13附件96表目錄 表1功放單元功能列表 15表2 發(fā)射小信號(hào)部分性能指標(biāo)描述表（含環(huán)測(cè)功能）15表3接收部分性能指標(biāo)描述表 17表4單板下行輸由口性能指標(biāo) 19 表5中頻上行模塊接口信號(hào)列表 21表6中頻下行模塊接口 信號(hào)列表25表7功放功率檢測(cè)和功放靜態(tài)電流檢測(cè)模塊接 口信號(hào)列表28表8功放柵壓控制模塊接口信號(hào)列表30表9GMK6DBRU 發(fā)射通道與接口信號(hào)定義32表10Max2059主要參數(shù) 33表11ADL5372的主要參數(shù) 33表12本振雜

10、散 電平要求36表13頻率源單元與基帶單元接口 39表14發(fā) 射頻合指標(biāo)設(shè)計(jì)規(guī)格表40表15接收頻合指標(biāo)設(shè)計(jì)規(guī)格表40表16發(fā)射本振通道電平分配 41表17接收本振通道電平 分配43表18功放單元與其它單元接口信號(hào)表50表19接收單元與其他單元的接口64表20射頻接收通道器件典型指標(biāo)67表21射頻接收通道鏈路預(yù)算 （典型值，輸入信號(hào)電平 -15dBm） 67表22射頻接收通道鏈路預(yù)算（典型值，輸入信 號(hào)電平-26dBm ）68表23射頻接收通道器件參數(shù)（增益最低， 噪聲系數(shù)最大，OP1dB最低）68表24射頻接收通道鏈路預(yù) 算（最大噪聲系數(shù)，輸入信號(hào)電平 -15dBm） 68表25射頻接收通道

11、鏈路預(yù)算（最大噪聲系數(shù)，輸入信號(hào)電平-26dBm） 69表26射頻接收通道器件參數(shù)（增益最高，OP1dB最低）69表 27射頻接收通道鏈路預(yù)算 （最大增益、最低器件OP1dB,輸 入信號(hào)電平-15dBm） 70表28射頻接收通道鏈路預(yù)算（最大增益、最低器件OP1dB,輸入信號(hào)電平-26dBm） 70表29考慮倒易混頻時(shí)的靈敏度指標(biāo)71表30雙混頻器MAX9995的雜散抑制指標(biāo)71表31單板內(nèi)部所有接口列表74表32BL1117和LP2951的主要參數(shù)表:83表33器件可靠性應(yīng)用 隱患分析表 88圖目錄 圖1GMK6DBRU 單板總體框圖11 圖2GMK6DBRU RF 單板總體實(shí)現(xiàn)框圖 20圖

12、3AD6650配置 寫(xiě)時(shí)序23圖4AD6650配置回讀時(shí)序24圖5AD6650串行輸 由時(shí)序24圖6DAC2904輸入時(shí)序27圖7重建濾波電路 28 圖8功放功率和功放靜態(tài)電流檢測(cè)電路29圖9AD5325的電路實(shí)現(xiàn)30圖10GMK6DBRU 單板RF發(fā)射小信號(hào)部分框圖 （單載波）31圖11max2059的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖 32圖12發(fā)射 通道結(jié)構(gòu)圖33圖13發(fā)射通道原理圖 34圖1452MHz時(shí)鐘 驅(qū)動(dòng)、分配電路框圖 37圖15收發(fā)本振電路38圖16發(fā)射 頻綜電路42圖17發(fā)射頻綜的環(huán)路濾波電路仿真結(jié)果43圖18接收頻綜電路44圖19接收頻綜的環(huán)路濾波電路仿真結(jié)果45圖20環(huán)測(cè)104MHz參考時(shí)

13、鐘電路 46圖21環(huán)測(cè) 104MHz參考時(shí)鐘的濾波電路 46圖22環(huán)測(cè)104MHz參考時(shí) 鐘的實(shí)際模型濾波電路仿真結(jié)果 47圖23時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)、分配電 路48圖24時(shí)鐘輸入信號(hào)分配的波形圖 48圖25功放功能框圖49圖26射頻放大通道關(guān)鍵器件和指標(biāo)分配52圖27射頻放大通道的鏈路預(yù)算 52圖28射頻通道的鏈路預(yù)算示意 圖；53圖29射頻合路構(gòu)成框圖 54圖30開(kāi)關(guān)連接器結(jié)構(gòu)圖 55圖313dB電橋指標(biāo)55圖323dB電橋PCB安裝方式56圖 33功率放大器數(shù)字偏置 57圖34電流檢測(cè)電路58圖35耦 合輸由功率檢波電路 58圖36溫度補(bǔ)償電路及其仿真結(jié)果 59圖37電纜開(kāi)路告警電路 60圖38基站

14、配置示意圖61圖 39接收機(jī)總體模塊框圖 63圖40接收機(jī)模塊框圖63圖41 接收通道射頻部分電路 65圖42接收通道中頻電路圖 66圖 43射頻接收通道鏈路預(yù)算模型67圖44DBUS連接圖73圖45單板電源結(jié)構(gòu)樹(shù) 83圖46BL1117可調(diào)壓版本功能框圖 84 圖47關(guān)鍵器件的5V實(shí)現(xiàn)電路84圖48PLL的電源實(shí)現(xiàn)電路 85 G3BTS3012V300R006 GMK6DBRU Single Board Low Level Design(IRF Part) G3BTS3012V300R006 GMK6DBRU 單板硬件詳細(xì)設(shè)計(jì)報(bào)告(中射頻)關(guān)鍵詞：GSM1800、BTS3012、DBRU、G

15、MSK、8PSK、IQ 調(diào)制、 頻率源、鎖相環(huán)、跳頻、功分、增益控制、靈敏度、噪聲系 數(shù)、功放、IP3、RF、LO、IF、SPDT、SCP、TRX、DSP、 CUI、DVGA、PBT 摘要：GMK6DBRU 是 GSM1800 BTS3012 GSM/EDGE 雙載波系 統(tǒng)，主要由電源單元、基帶單元和中射頻小信號(hào)單元和功放 單元組成。射頻小信號(hào)部分由相對(duì)獨(dú)立的兩個(gè)收發(fā)載波組成。發(fā)射單元首將基帶單元送來(lái)的IRadio Link Control/Medium Access Control(RLC/MAC) protocol l 3GPP TS 05.01 :3rd Generation Partn

16、ership Project Technical Specification Group GSM/EDGE ,Digital cellular telecommunications system(Phase 2+);Physical layer on the radio path ;General description l 3GPP TS 05.02 :3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network ;Multiplexing and multiple

17、 access on the radio path l 3GPP TS 05.03:3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network; Channel coding l 3GPP TS 05.04:3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network ,Digital cellular telecommunications

18、 system(Phase 2+) Modulation l 3GPP TS 05.05:3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Radio transmission and reception l 3GPP TS 05.08:3rd Generation Partnership Project Technical SpecificationGroup GSM/EDGE Radio Access Network, Radio subsystem

19、 link control l 3GPP TS 05.09 :3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Link Adaptation l 3GPP TS 05.10:3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Digital cellular telecommunications system(Ph

20、ase 2+) Radio subsystem synchronization l 3GPP TS 05.14 :3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Release Independent Frequency Bands Implementation Guidelines l GSM 05.22 ; Digital cellular telecommunications system (Phase 2+), Radio limk manag

21、ement in hierarchical networks l GSM 05.50; Digital cellular telecommunications system (Phase 2+); Background for Radio Frequency (RF) requirements l 3GPP TS 08.51:3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Base Station Controller-Base Transceiver

22、 Station (BSC-BTS) interface, General aspects l 3GPP TS 08.523rd Generation Partnership Project Technical SpecificationGroup GSM/EDGE Radio Access Network, Base Station Controller-Base Transceiver Station (BSC-BTS) interface, interface principles l 3GPP TS 08.54 :3rd Generation Partnership Project T

23、echnical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Base Station Controller-Base Transceiver Station (BSC-BTS) interface, Layer1 structure of physical circuits l 3GPP TS 08.56 :3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Base Station Contro

24、ller-Base Transceiver Station (BSC-BTS) interface, Layer2 specification l 3GPP TS 08.52 :3rd Generation Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Base Station Controller-Base Transceiver Station (BSC-BTS) interface, Layer3 specification l 3GPP TS 08.52 :3rd Gen

25、eration Partnership Project Technical Specification Group GSM/EDGE Radio Access Network, Base Station Controller-Base Transceiver Station (BSC-BTS) interface, Layer3 specification 2) 其他行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)a) 防護(hù)標(biāo)準(zhǔn) l IEC61000-4-5 Eletromagnetic compatibility(EMC)-Part 4:Testing and measurement techniques-Section 5:Su

26、rge immunity test l ETS 300 386 Electromagnetic compatibility and Radio spectrumMatters(ERM); Telecommunication network equipment; ElectroMagnetic Compatibility(EMC)requirements l ITU-T K.20 Resistibility of telecommunication equipment installed in a telecommunications centre to overvoltages and ove

27、rcurrents l ITU-T K.44 Resistibility tests for telecommunication equipment exposed to overvoltages and overcurrents l IEC 61024-1(1993) Protection of structures against lightning l ITU-T K.41 Resistibility of internal interfaces of telecommunication centres surge overvoltages b) 安全標(biāo)準(zhǔn) l安全設(shè)計(jì)需滿足 UL6095

28、0、IEC60950、EN60950、AS/NZS60950 等安全標(biāo)準(zhǔn) c)環(huán)境需遵循的標(biāo)準(zhǔn)：3) 內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)l通信產(chǎn)品元器件可靠性降額準(zhǔn)則 DKBA1151-2002.09 4 )外部標(biāo)準(zhǔn)：l工作氣候適應(yīng)性(溫度)：IEC 68-2-1/IEC 68-2-2 l工作氣候適應(yīng)性(濕度)： IEC68-2-30 ; l運(yùn)輸和存貯氣候適應(yīng)性(溫度)： IEC 68-2-1/IEC 68-2-2 1.2 單板功能描述1.2.1 GMK6DBRU單板中頻通道功能描述GMK6DBRU中頻部分包括ADC上行模塊(AD6650 )、DAC下行模塊(DAC2904 )、功放功率 檢測(cè)和功放靜態(tài)電流檢測(cè)模塊(A

29、D7866)、功放柵壓控制模塊(AD5325)四個(gè)模塊。DAC把基帶送來(lái)的信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬IQ輸由至射頻調(diào)制器；AD6650完成一個(gè)載頻的接收主分集的中頻信號(hào)處理， 輸由2倍符號(hào)速率的24bit基帶IQ數(shù)據(jù)送到DSP進(jìn)行均衡解 調(diào)處理；功率檢測(cè)電路把射頻檢波過(guò)來(lái)的電壓信號(hào)經(jīng)AD轉(zhuǎn)換后送給基帶處理；功放柵壓控制電路檢測(cè)功率放大器的靜 態(tài)工作電流，反饋給基帶處理，基帶對(duì)靜態(tài)電流進(jìn)行調(diào)整。3.2.2 GMK6DBRU 單板射頻發(fā)射通道功能描述 GMK6DBRU單板發(fā)射通道采用直接變頻方案。首先由FPGA產(chǎn)生GMSK/8PSK已調(diào)數(shù)字IQ信號(hào)，送給 DAC產(chǎn)生模擬I/Q信號(hào)，通過(guò)調(diào)制器直接把 I/Q信號(hào)

30、調(diào)制到 GSM發(fā)射頻段，發(fā)射信號(hào)經(jīng)濾波放大后推動(dòng)功放產(chǎn)生 60W/GMSK或40W/8PSK兩路輸生功率信號(hào)，或經(jīng)合路電橋 合并為一路，再經(jīng)過(guò)射頻前端單元的雙工濾波器送往天線發(fā) 射由去。載頻外部合路單元 DCOM ,只在載頻內(nèi)部合路器已經(jīng)使 用，并且還需再次合路時(shí)使用。3.2.3 GMK6DBRU 單板射頻接收通道功能描述 天線接 收的信號(hào)，經(jīng)射頻前端的低噪聲放大器放大后， 經(jīng)DDPU送 到載頻接收輸入端。在載頻內(nèi)接收通道僅通過(guò)一次下變頻到中頻頻段 211MHz,再經(jīng)中頻聲表濾波器濾波后送到基帶接收中頻處 理單元進(jìn)行AGC放大、IQ解調(diào)、基帶IQ采樣和數(shù)字處理。3.2.4 GMK6DBRU單板

31、頻率源功育的函述 GMK6DBRU單板由兩載波組成，所以其頻率源由三部分組成，分別為二個(gè) 發(fā)射射頻頻率源、二個(gè)接收射頻頻率源、一個(gè) 52MHz時(shí)鐘 頻率源。其功能是完成協(xié)議規(guī)定的正常輸由頻點(diǎn)以及實(shí)現(xiàn)協(xié)議規(guī) 定的時(shí)隙跳頻。單板使用的頻綜是快鎖型的，跳頻的實(shí)現(xiàn)是由頻綜在保護(hù) 時(shí)隙內(nèi)完成，所以頻綜數(shù)量就減少了一半。3.2.5 GMK6DBRU單板環(huán)測(cè)功育的苗述 GMK6DBRU單板 發(fā)射通道環(huán)回測(cè)試功能的實(shí)現(xiàn)，環(huán)測(cè)信號(hào)取自IQ調(diào)制器的輸由，采用DVGA芯片中集成的混頻器， 通過(guò)在環(huán)測(cè)時(shí)隙選 通DVGA內(nèi)部開(kāi)關(guān)控制，省去了原電路中的兩個(gè)射頻開(kāi)關(guān)和 一級(jí)本振驅(qū)動(dòng)放大器。同時(shí)采用參考時(shí)鐘的二次諧波替代環(huán)測(cè)

32、本振，發(fā)射頻段RF信號(hào)衰減到一定的電平，再將此信號(hào)搬移104MHz到相應(yīng)的接收頻段，通過(guò)耦合器將環(huán)回的測(cè)試信號(hào)耦合到主分集接收 通道進(jìn)行接收處理。為了減少功耗以及環(huán)測(cè)頻率源帶來(lái)的干擾以及環(huán)測(cè)功能 主要起維護(hù)作用，所以載波正常工作時(shí)，關(guān)斷環(huán)測(cè)功能電路， 防止帶來(lái)單板干擾。3.2.6 GMK6DBRU 功率放大功能描述 功放主要實(shí)現(xiàn)以 下功能：將DBRU發(fā)射單元輸由的兩路 TXA、TXB信號(hào)分別放大到 所需要的功率等級(jí)，輸由給雙工器，通過(guò)天饋口發(fā)射由去； 或者將放大后的信號(hào)進(jìn)行功率合成，將功率從合路口輸由給 雙工器，再通過(guò)天饋口發(fā)射由去。主要功能如下所示：表1功放單元功能列表 序號(hào) 描述1放大TR

33、X輸生的小 信號(hào)到需要的功率電平2實(shí)現(xiàn)A, B通道的功率合成 3實(shí)現(xiàn)A , B通道前向功率檢測(cè)，A+B通道合路隔離端功率檢測(cè) 4實(shí)現(xiàn)A , B及A+B通道射頻輸由電纜連接狀態(tài)的檢測(cè)5實(shí)現(xiàn)單板溫度檢測(cè)，IIC接口 6實(shí)現(xiàn)功放柵壓的數(shù)字偏置 1.2.7 GMK6DBRU 單板電源 GMK6DBRU 單板采用-48V電 源，采用電源磚轉(zhuǎn)換為 27V,其中一路提供給功放使用。另外支路使用開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換到6.3V和3.3V o其中射頻使用6.3V電源，6.3V由線性電壓轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為 5V 提供給 max2058、max9985、SKY9985 等關(guān)鍵器件。1.3單板運(yùn)行環(huán)境說(shuō)明GMK6DBRU 單板射頻子

34、系統(tǒng)使用的環(huán)境溫度：-5+65° 1.4重要性能指標(biāo) 表2發(fā)射小信號(hào)部分性能 指標(biāo)描述表（含環(huán)測(cè)功能）規(guī)格名稱(chēng) 規(guī)格指標(biāo) 備注 工作頻率1805MHz1880MHz增益 常溫：1.5 0.5dB高低溫：1.5+1/-2dB 輸由功率 GMSK:常溫（0等級(jí)）：14.5 2.5dBm 常溫（8分貝衰減，0等級(jí)）：6.5 2.5dBm 高低溫（0等級(jí)）：14.5 3.0dBm； 8PSK:常溫（0等級(jí)）：8.0 2.5dBm 常溫（8分貝衰減，0等級(jí)）：0.0 2.5dBm 高低溫（0等級(jí)）：8.0 3.0dBm AQM調(diào)制輸由典型值 GMSK :4.0 0.5dBm 8PSK :-2.

35、5 仕5 dBm 輸由底噪聲 -96dBm/100KHz （帶內(nèi)） AQM 調(diào)制輸由-106dBm P1dB 8PSK功率回退 不小于5dB全溫， 任何功率等級(jí)下 RMS EVM <2% OOS 40dB調(diào)制譜頻點(diǎn)M900 M1800 GMSK 8PSK GMSK 8PSK 100kHz 0.5dBc0.5dBc 0.5dBc 0.5dBc 200kHz -36dBc -36dBc -36dBc -36dBc250kHz -41dBc -40dBc -41dBc -40dBc 400KHz -70 dBc -66dBc -70 dBc -66 dBc 600kHz 1200kHz -80 dBc -80 dBc -80dBc -80 dBc 1200kHz 1800kHz -85dBc -85dBc -85dBc-85dBc 切