第4章常用晶體管

1、第4章 常用晶體管 一般情況下，本征半導(dǎo)體中的載流子濃度一般情況下，本征半導(dǎo)體中的載流子濃度很小，其導(dǎo)電能力較弱，且受溫度影響很很小，其導(dǎo)電能力較弱，且受溫度影響很大，不穩(wěn)定，因此其用途還是很有限的。大，不穩(wěn)定，因此其用途還是很有限的。硅和鍺硅和鍺的簡(jiǎn)化的簡(jiǎn)化原子模原子模型。型。這是硅和鍺構(gòu)成的這是硅和鍺構(gòu)成的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)示意圖共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)示意圖 晶體結(jié)構(gòu)中的晶體結(jié)構(gòu)中的共價(jià)鍵具有很強(qiáng)的共價(jià)鍵具有很強(qiáng)的結(jié)合力，在熱力學(xué)結(jié)合力，在熱力學(xué)零度和沒有外界能零度和沒有外界能量激發(fā)時(shí)，價(jià)電子量激發(fā)時(shí)，價(jià)電子沒有能力掙脫共價(jià)沒有能力掙脫共價(jià)鍵束縛，這時(shí)晶體鍵束縛，這時(shí)晶體中幾乎沒有自由電中幾乎沒有自由電子，因

2、此不能導(dǎo)電子，因此不能導(dǎo)電 當(dāng)半導(dǎo)體的溫度升高或受到光照等外界因素的影響時(shí)，某些共價(jià)鍵當(dāng)半導(dǎo)體的溫度升高或受到光照等外界因素的影響時(shí)，某些共價(jià)鍵中的價(jià)電子中的價(jià)電子因熱激發(fā)因熱激發(fā)而獲得足夠的能量，因而能脫離共價(jià)鍵的束縛成為而獲得足夠的能量，因而能脫離共價(jià)鍵的束縛成為，同時(shí)在原來的共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位，稱為，同時(shí)在原來的共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位，稱為“” ?？昭昭ㄗ杂勺杂呻娮与娮颖菊靼雽?dǎo)體中產(chǎn)生電子本征半導(dǎo)體中產(chǎn)生電子空穴對(duì)的現(xiàn)象稱為空穴對(duì)的現(xiàn)象稱為 顯然在外電場(chǎng)的作用下，半導(dǎo)體中將出現(xiàn)兩顯然在外電場(chǎng)的作用下，半導(dǎo)體中將出現(xiàn)兩部分電流：一是自由電子作定向運(yùn)動(dòng)形成的部分電流：一是自由電子作定向運(yùn)動(dòng)

3、形成的，一是仍被原子核束縛的價(jià)電子（不是自由，一是仍被原子核束縛的價(jià)電子（不是自由電子）遞補(bǔ)空穴形成的電子）遞補(bǔ)空穴形成的。 共價(jià)鍵中失去電子出現(xiàn)空穴時(shí)，相鄰原子的價(jià)共價(jià)鍵中失去電子出現(xiàn)空穴時(shí)，相鄰原子的價(jià)電子比較容易離開它所在的共價(jià)鍵填補(bǔ)到這個(gè)空電子比較容易離開它所在的共價(jià)鍵填補(bǔ)到這個(gè)空穴中來，使該價(jià)電子原來所在的共價(jià)鍵中又出現(xiàn)穴中來，使該價(jià)電子原來所在的共價(jià)鍵中又出現(xiàn)一個(gè)空穴，這個(gè)空穴又可被相鄰原子的價(jià)電子填一個(gè)空穴，這個(gè)空穴又可被相鄰原子的價(jià)電子填補(bǔ)，再出現(xiàn)空穴，如右圖所示。補(bǔ)，再出現(xiàn)空穴，如右圖所示。 在半導(dǎo)體中同時(shí)存在在半導(dǎo)體中同時(shí)存在和和兩種兩種參與導(dǎo)電，這種導(dǎo)電機(jī)理和金屬導(dǎo)體的導(dǎo)

4、電機(jī)理具有參與導(dǎo)電，這種導(dǎo)電機(jī)理和金屬導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理具有本質(zhì)上的區(qū)別。本質(zhì)上的區(qū)別。 在純凈的硅（或鍺）中摻入微量的磷或砷等在純凈的硅（或鍺）中摻入微量的磷或砷等五價(jià)元五價(jià)元素素，雜質(zhì)原子就替代雜質(zhì)原子就替代了共價(jià)鍵中了共價(jià)鍵中某些硅原子的位置某些硅原子的位置，雜，雜質(zhì)原子的四個(gè)價(jià)電子與周圍的硅原子結(jié)成共價(jià)鍵，剩下質(zhì)原子的四個(gè)價(jià)電子與周圍的硅原子結(jié)成共價(jià)鍵，剩下的一個(gè)價(jià)電子處在共價(jià)鍵之外，很容易掙脫雜質(zhì)原子的的一個(gè)價(jià)電子處在共價(jià)鍵之外，很容易掙脫雜質(zhì)原子的束縛被激發(fā)成自由電子。同時(shí)雜質(zhì)原子由于失去一個(gè)電束縛被激發(fā)成自由電子。同時(shí)雜質(zhì)原子由于失去一個(gè)電子而變成帶正電荷的離子，這個(gè)正離子固定在晶體

5、結(jié)構(gòu)子而變成帶正電荷的離子，這個(gè)正離子固定在晶體結(jié)構(gòu)中，不能移動(dòng)，所以它不參與導(dǎo)電中，不能移動(dòng)，所以它不參與導(dǎo)電。 雜質(zhì)離子產(chǎn)生的自由電子不是共價(jià)鍵中的價(jià)電子，雜質(zhì)離子產(chǎn)生的自由電子不是共價(jià)鍵中的價(jià)電子，因此與本征激發(fā)不同，它不會(huì)產(chǎn)生空穴因此與本征激發(fā)不同，它不會(huì)產(chǎn)生空穴。 由于多余的電子是雜質(zhì)原子提供的，故將雜質(zhì)原子由于多余的電子是雜質(zhì)原子提供的，故將雜質(zhì)原子稱為稱為。 摻入五價(jià)元素的雜質(zhì)半導(dǎo)體，其摻入五價(jià)元素的雜質(zhì)半導(dǎo)體，其自由電子的濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴的濃度自由電子的濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴的濃度，因此稱，因此稱為為半導(dǎo)體半導(dǎo)體，也叫做，也叫做半導(dǎo)體半導(dǎo)體。 在在半導(dǎo)體中，半導(dǎo)體中，載流子載流子（簡(jiǎn)

6、稱多子），（簡(jiǎn)稱多子），載載流子流子（簡(jiǎn)稱少子）；不能移動(dòng)的（簡(jiǎn)稱少子）；不能移動(dòng)的。 相對(duì)金屬導(dǎo)體而言，本征半導(dǎo)體中載流子數(shù)目極少，因此導(dǎo)電能力仍然很低。相對(duì)金屬導(dǎo)體而言，本征半導(dǎo)體中載流子數(shù)目極少，因此導(dǎo)電能力仍然很低。在如果在其中摻入微量的雜質(zhì)，將使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化，我們把這些在如果在其中摻入微量的雜質(zhì)，將使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化，我們把這些摻入雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為摻入雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體可以分為雜質(zhì)半導(dǎo)體可以分為兩大類。兩大類。 不論是不論是N型半導(dǎo)體還是型半導(dǎo)體還是P型半導(dǎo)體，雖然型半導(dǎo)體，雖然都有一種載流子占多數(shù)，但晶體中帶電粒子的都有一種載流子占多數(shù)，但晶體中

7、帶電粒子的正、負(fù)電荷數(shù)相等，仍然呈電中性而不帶電。正、負(fù)電荷數(shù)相等，仍然呈電中性而不帶電。 在在P型半導(dǎo)體中，由于雜質(zhì)原子可以型半導(dǎo)體中，由于雜質(zhì)原子可以而成為而成為的負(fù)離子，故稱為的負(fù)離子，故稱為。 摻入三價(jià)元素的雜質(zhì)半導(dǎo)體，其空穴的濃摻入三價(jià)元素的雜質(zhì)半導(dǎo)體，其空穴的濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于自由電子的濃度，因此稱為度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于自由電子的濃度，因此稱為半導(dǎo)體半導(dǎo)體，也叫做，也叫做半導(dǎo)體半導(dǎo)體。 在硅（或鍺）晶體中摻入微量的在硅（或鍺）晶體中摻入微量的雜質(zhì)硼（或其他），硼原雜質(zhì)硼（或其他），硼原子在取代原晶體結(jié)構(gòu)中的原子并構(gòu)成共價(jià)鍵時(shí)，將因缺少一個(gè)價(jià)電子而子在取代原晶體結(jié)構(gòu)中的原子并構(gòu)成共價(jià)鍵時(shí)，將因缺少一

8、個(gè)價(jià)電子而形成一個(gè)空穴。當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子受到熱振動(dòng)或在其他激發(fā)條件下形成一個(gè)空穴。當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子受到熱振動(dòng)或在其他激發(fā)條件下獲得能量時(shí)，就有可能填補(bǔ)這個(gè)空穴，使硼原子獲得能量時(shí)，就有可能填補(bǔ)這個(gè)空穴，使硼原子得電子得電子而成為而成為不能移動(dòng)不能移動(dòng)的負(fù)離子的負(fù)離子；而原來的硅原子共價(jià)鍵則因；而原來的硅原子共價(jià)鍵則因缺少缺少一個(gè)電子，出現(xiàn)一個(gè)一個(gè)電子，出現(xiàn)一個(gè)空穴空穴。于是半導(dǎo)體中的空穴數(shù)目大量增加。于是半導(dǎo)體中的空穴數(shù)目大量增加?？昭ǔ蔀槎鄶?shù)載流子，而自由電子空穴成為多數(shù)載流子，而自由電子則成為少數(shù)載流子則成為少數(shù)載流子。 正負(fù)空間電荷在交界面兩側(cè)形成一個(gè)由正負(fù)空間電荷在交界面兩側(cè)形

9、成一個(gè)由N區(qū)指向區(qū)指向P區(qū)的電場(chǎng)，稱為區(qū)的電場(chǎng)，稱為內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)，它，它對(duì)對(duì)多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)起阻擋作用多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)起阻擋作用，所以空間電荷區(qū)又稱為，所以空間電荷區(qū)又稱為阻擋層阻擋層。同時(shí)，內(nèi)電場(chǎng)對(duì)。同時(shí)，內(nèi)電場(chǎng)對(duì)少數(shù)載流子起推動(dòng)作用，把少數(shù)載流子起推動(dòng)作用，把少數(shù)載流子在內(nèi)電場(chǎng)作用下有規(guī)則的運(yùn)動(dòng)稱為少數(shù)載流子在內(nèi)電場(chǎng)作用下有規(guī)則的運(yùn)動(dòng)稱為。 P型和型和N型半導(dǎo)體并不能直接用來制造半導(dǎo)體器件。通常是在型半導(dǎo)體并不能直接用來制造半導(dǎo)體器件。通常是在N型或型或P型半導(dǎo)體的局部再摻入濃度較大的三價(jià)或五價(jià)雜質(zhì)，使其變?yōu)樾桶雽?dǎo)體的局部再摻入濃度較大的三價(jià)或五價(jià)雜質(zhì)，使其變?yōu)镻型或型或N型半導(dǎo)體

10、，在型半導(dǎo)體，在P型和型和N型半導(dǎo)體的交界面就會(huì)形成型半導(dǎo)體的交界面就會(huì)形成PN結(jié)。結(jié)。 左圖所示的是一塊晶片，兩邊分別形成左圖所示的是一塊晶片，兩邊分別形成P型和型和N型半導(dǎo)體。為便于理解，圖中型半導(dǎo)體。為便于理解，圖中P區(qū)僅區(qū)僅畫出空穴（多數(shù)載流子）和得到一個(gè)電子的畫出空穴（多數(shù)載流子）和得到一個(gè)電子的三價(jià)雜質(zhì)負(fù)離子，三價(jià)雜質(zhì)負(fù)離子，N區(qū)僅畫出自由電子（多區(qū)僅畫出自由電子（多數(shù)載流子）和失去一個(gè)電子的五價(jià)雜質(zhì)正離數(shù)載流子）和失去一個(gè)電子的五價(jià)雜質(zhì)正離子。根據(jù)擴(kuò)散原理，空穴要從濃度高的子。根據(jù)擴(kuò)散原理，空穴要從濃度高的P區(qū)區(qū)向向N區(qū)擴(kuò)散，自由電子要從濃度高的區(qū)擴(kuò)散，自由電子要從濃度高的N區(qū)向

11、區(qū)向P區(qū)擴(kuò)散，并在交界面發(fā)生復(fù)合區(qū)擴(kuò)散，并在交界面發(fā)生復(fù)合(耗盡），形耗盡），形成載流子極少的正負(fù)空間電荷區(qū)如圖中間區(qū)成載流子極少的正負(fù)空間電荷區(qū)如圖中間區(qū)域，這就是域，這就是，又叫，又叫。 空間電荷區(qū)空間電荷區(qū) PN結(jié)中的擴(kuò)散和漂移是相互聯(lián)系，又是相互矛盾的結(jié)中的擴(kuò)散和漂移是相互聯(lián)系，又是相互矛盾的。在一定條。在一定條件（例如溫度一定）下，多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)逐漸減弱，而少數(shù)載件（例如溫度一定）下，多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)逐漸減弱，而少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)則逐漸增強(qiáng)，最后兩者達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，空間電荷區(qū)的流子的漂移運(yùn)動(dòng)則逐漸增強(qiáng)，最后兩者達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，空間電荷區(qū)的寬度基本穩(wěn)定下來，寬度基本穩(wěn)定下來，P

12、N結(jié)就處于相對(duì)穩(wěn)定的狀態(tài)。結(jié)就處于相對(duì)穩(wěn)定的狀態(tài)。 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 根據(jù)擴(kuò)散原理，空穴要從濃度高的根據(jù)擴(kuò)散原理，空穴要從濃度高的P區(qū)向區(qū)向N區(qū)擴(kuò)散，自由電子要從濃度區(qū)擴(kuò)散，自由電子要從濃度高的高的N區(qū)向區(qū)向P區(qū)擴(kuò)散，并在交界面發(fā)生復(fù)合區(qū)擴(kuò)散，并在交界面發(fā)生復(fù)合(耗盡），形成載流子極少的正耗盡），形成載流子極少的正負(fù)空間電荷區(qū)（如上圖所示），也就是負(fù)空間電荷區(qū)（如上圖所示），也就是，又叫，又叫。 P區(qū)N區(qū)空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)少子少子漂移漂移 擴(kuò)散與漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡擴(kuò)散與漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡形成一定寬度的形成一定寬度的PN結(jié)結(jié) P 區(qū) N

13、 區(qū) 載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 多子多子擴(kuò)散擴(kuò)散 形成空間電荷區(qū)形成空間電荷區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng)產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng) P 區(qū) 空間電荷區(qū) N 區(qū) PN 結(jié)及其內(nèi)電場(chǎng) 內(nèi)電場(chǎng)方向 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)相互聯(lián)系又相互矛盾，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)相互聯(lián)系又相互矛盾，同時(shí)，同時(shí)對(duì)多數(shù)載流子的繼續(xù)擴(kuò)對(duì)多數(shù)載流子的繼續(xù)擴(kuò)散阻力增大散阻力增大，但，但使少數(shù)載流子漂移增強(qiáng)使少數(shù)載流子漂移增強(qiáng)；，又，又促使多子的擴(kuò)散容易進(jìn)行促使多子的擴(kuò)散容易進(jìn)行。繼續(xù)討論繼續(xù)討論 當(dāng)漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)相等時(shí)，當(dāng)漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)相等時(shí)，PN結(jié)便處于結(jié)便處于狀態(tài)。可狀態(tài)?？梢韵胂?，在平衡狀態(tài)下，電子從以想象，在平衡狀態(tài)下，電子從N區(qū)到區(qū)到P區(qū)擴(kuò)散電流必

14、然等于從區(qū)擴(kuò)散電流必然等于從P區(qū)到區(qū)到N區(qū)的漂移電流，同樣，空穴的擴(kuò)散電流和漂移電流也必然相等。即區(qū)的漂移電流，同樣，空穴的擴(kuò)散電流和漂移電流也必然相等。即。 由于空間電荷區(qū)內(nèi)，多數(shù)載流子或已擴(kuò)散到對(duì)方，或被對(duì)方擴(kuò)散過來由于空間電荷區(qū)內(nèi)，多數(shù)載流子或已擴(kuò)散到對(duì)方，或被對(duì)方擴(kuò)散過來的多數(shù)載流子復(fù)合掉了，即多數(shù)載流子被耗盡了，所以空間電荷區(qū)又稱為的多數(shù)載流子復(fù)合掉了，即多數(shù)載流子被耗盡了，所以空間電荷區(qū)又稱為。擴(kuò)散作用越強(qiáng)，耗盡層越寬。擴(kuò)散作用越強(qiáng)，耗盡層越寬。 空空間間電電荷荷區(qū)區(qū)變變窄窄 R 內(nèi)內(nèi)電電場(chǎng)場(chǎng) 外外電電場(chǎng)場(chǎng) P N I正正向向 US E R 內(nèi)電場(chǎng) 外電場(chǎng) 空間電荷區(qū)變寬 P N

15、IR 討論題討論題 半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理與金屬導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理有本質(zhì)的區(qū)別：金金屬導(dǎo)體中只有一種載流子屬導(dǎo)體中只有一種載流子自由自由電子參與導(dǎo)電，半導(dǎo)體中有兩種電子參與導(dǎo)電，半導(dǎo)體中有兩種載流子載流子自由電子和空穴參與導(dǎo)自由電子和空穴參與導(dǎo)電，電，而且這兩種載流子的濃度可以通過在純凈半導(dǎo)體中加入少量的有用雜質(zhì)加以控制。半導(dǎo)體導(dǎo)電機(jī)理半導(dǎo)體導(dǎo)電機(jī)理和導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)和導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理有什么區(qū)別？理有什么區(qū)別？ 雜質(zhì)半導(dǎo)體中的多子和少子雜質(zhì)半導(dǎo)體中的多子和少子性質(zhì)取決于雜質(zhì)的外層價(jià)電子。性質(zhì)取決于雜質(zhì)的外層價(jià)電子。若摻雜的是五價(jià)元素，則由于多電子形成N型半導(dǎo)體：多子是電子，少子是空穴；如果摻入的是三價(jià)元素，就

16、會(huì)由于少電子而構(gòu)成P型半導(dǎo)體。 P型半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)中空穴多于電子，且這些空穴很容易讓附近的價(jià)電子跳過來填補(bǔ)，因此價(jià)電子填補(bǔ)空穴的空穴運(yùn)動(dòng)是主要形式，所以多子是空穴，少子是電子。雜質(zhì)半導(dǎo)體中的多數(shù)載流雜質(zhì)半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子和少數(shù)載流子是怎樣產(chǎn)子和少數(shù)載流子是怎樣產(chǎn)生的？為什么生的？為什么P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體中的空穴多于電子？中的空穴多于電子？ N型半導(dǎo)體中具有多數(shù)載流子電子，同時(shí)型半導(dǎo)體中具有多數(shù)載流子電子，同時(shí)還有與電子數(shù)量相同的正離子及由本征激還有與電子數(shù)量相同的正離子及由本征激發(fā)的電子發(fā)的電子空穴對(duì)，因此整塊半導(dǎo)體中正空穴對(duì)，因此整塊半導(dǎo)體中正負(fù)電荷數(shù)量相等，呈電中性而不帶電。負(fù)電荷數(shù)

17、量相等，呈電中性而不帶電。N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是電子，能否認(rèn)為流子是電子，能否認(rèn)為這種半導(dǎo)體就是帶負(fù)電這種半導(dǎo)體就是帶負(fù)電的？為什么？的？為什么？ 空間電荷區(qū)的電阻空間電荷區(qū)的電阻率為什么很高？率為什么很高？ 何謂何謂PN結(jié)的單向?qū)ЫY(jié)的單向?qū)щ娦裕侩娦裕?2. 半導(dǎo)體在熱（或光照等半導(dǎo)體在熱（或光照等 ）作用下產(chǎn)生電子、空穴對(duì)，這種現(xiàn)象稱為）作用下產(chǎn)生電子、空穴對(duì)，這種現(xiàn)象稱為本征激發(fā)；電子、空穴對(duì)不斷激發(fā)產(chǎn)生的同時(shí)，運(yùn)動(dòng)中的電子又會(huì)本征激發(fā)；電子、空穴對(duì)不斷激發(fā)產(chǎn)生的同時(shí)，運(yùn)動(dòng)中的電子又會(huì) “跳進(jìn)跳進(jìn)”另一個(gè)空穴，重新被共價(jià)鍵束縛起來，這種現(xiàn)象稱為復(fù)合，即復(fù)合中電另一個(gè)

18、空穴，重新被共價(jià)鍵束縛起來，這種現(xiàn)象稱為復(fù)合，即復(fù)合中電子空穴對(duì)被子空穴對(duì)被“吃掉吃掉”。 。 1. 半導(dǎo)體中的少子雖然濃度很低半導(dǎo)體中的少子雖然濃度很低 ，但少子對(duì)溫度非，但少子對(duì)溫度非常敏感，即常敏感，即。而多子。而多子因濃度基本上等于雜質(zhì)原子的濃度，所以基本上不受溫因濃度基本上等于雜質(zhì)原子的濃度，所以基本上不受溫度影響。度影響。 4. PN結(jié)的單向?qū)щ娦允侵福航Y(jié)的單向?qū)щ娦允侵福?3. 空間電荷區(qū)的電阻率很高，是指它的內(nèi)電場(chǎng)總是阻礙多數(shù)載流子（電空間電荷區(qū)的電阻率很高，是指它的內(nèi)電場(chǎng)總是阻礙多數(shù)載流子（電流）的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)作用，由于這種阻礙作用，使得擴(kuò)散電流難以通過，也就流）的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)作用，

19、由于這種阻礙作用，使得擴(kuò)散電流難以通過，也就是說，是說，。 一個(gè)一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線并用管殼封裝起來，就構(gòu)成了結(jié)加上相應(yīng)的電極引線并用管殼封裝起來，就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管，簡(jiǎn)稱二極管，接在半導(dǎo)體二極管，簡(jiǎn)稱二極管，接在P型半導(dǎo)體一側(cè)的引出線稱為陽(yáng)型半導(dǎo)體一側(cè)的引出線稱為陽(yáng)極；接在極；接在N型半導(dǎo)體一側(cè)的引出線稱為陰極。型半導(dǎo)體一側(cè)的引出線稱為陰極。 半導(dǎo)體二極管按其結(jié)構(gòu)不同可分為半導(dǎo)體二極管按其結(jié)構(gòu)不同可分為和和兩類。兩類。 點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管。主要應(yīng)用于小電流的整。主要應(yīng)用于小電流的整流和高頻時(shí)的檢波、混頻及脈沖數(shù)字電路中的開關(guān)元件等。流和高頻時(shí)的檢波、混頻及脈沖數(shù)字電路中的

20、開關(guān)元件等。 面接觸型二極管面接觸型二極管PN結(jié)面積大，因而能通過較大的電流，但其結(jié)結(jié)面積大，因而能通過較大的電流，但其結(jié)電容也小，只適用于較低頻率下的整流電路中。電容也小，只適用于較低頻率下的整流電路中。陽(yáng)極 陰極 -60 -40 -20 0.4 0.8 U /V 40 30 20 10 I /mA 0 正向特性 反向特性 死區(qū)電壓 二極管外加正向電壓較小時(shí)，外二極管外加正向電壓較小時(shí)，外電場(chǎng)不足以克服內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散電場(chǎng)不足以克服內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多子擴(kuò)散的阻力，的阻力，PN結(jié)仍處于截止?fàn)顟B(tài)結(jié)仍處于截止?fàn)顟B(tài) 。 反向電壓大于擊穿電壓時(shí)，反向電流急劇增加。反向電壓大于擊穿電壓時(shí)，反向電流急劇增加。 正

21、向電壓大于死區(qū)電壓后，正正向電壓大于死區(qū)電壓后，正向電流向電流 隨著正向電壓增大迅速上隨著正向電壓增大迅速上升。通常死區(qū)電壓硅管約為升。通常死區(qū)電壓硅管約為0.5V，鍺管約為鍺管約為0.2V。外加反向電壓時(shí)，外加反向電壓時(shí)， PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)，反向電流很?。唤Y(jié)處于截止?fàn)顟B(tài)，反向電流很小； 導(dǎo)通后二極管的正向壓降變化不大，硅管約為導(dǎo)通后二極管的正向壓降變化不大，硅管約為0.60.8V，鍺管約為，鍺管約為0.20.3V。溫度上升，死區(qū)電。溫度上升，死區(qū)電壓和正向壓降均相應(yīng)降低。壓和正向壓降均相應(yīng)降低。 普通二極管被擊穿后，由于反向電流很大，一般都會(huì)造普通二極管被擊穿后，由于反向電流很大，一般都會(huì)

22、造成成“熱擊穿熱擊穿”，這兩種擊，這兩種擊穿不會(huì)從根本上損壞二極管，而穿不會(huì)從根本上損壞二極管，而。 1）最大整流電流）最大整流電流IDM：指管子長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，允許通過的最大正向平均電流。指管子長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)，允許通過的最大正向平均電流。2）最高反向工作電壓）最高反向工作電壓URM：二極管運(yùn)行時(shí)允許承受的最高反向電壓。二極管運(yùn)行時(shí)允許承受的最高反向電壓。3）反向電流）反向電流IR：指管子未擊穿時(shí)的反向電流，其值越小，則管子的單向?qū)щ娭腹茏游磽舸r(shí)的反向電流，其值越小，則管子的單向?qū)щ娦栽胶?。性越好?二極管應(yīng)用范圍很廣，主要是利用它的單向?qū)щ娦裕Ｓ糜谡?、檢二極管應(yīng)用范圍很廣，主要是利用它的單向?qū)?/p>

23、電性，常用于整流、檢波、限幅、元件保護(hù)以及在數(shù)字電路中用作開關(guān)元件等。波、限幅、元件保護(hù)以及在數(shù)字電路中用作開關(guān)元件等。 DTru1RLu2UL 二極管半波整流電二極管半波整流電路路uuDAUF二極管鉗位電路二極管鉗位電路RuOuiD1D2二極管限幅電路二極管限幅電路穩(wěn)壓二極管是一種特殊的面接觸型二極管，其實(shí)物圖、圖符號(hào)及伏穩(wěn)壓二極管是一種特殊的面接觸型二極管，其實(shí)物圖、圖符號(hào)及伏安特性如圖所示：安特性如圖所示： 當(dāng)反向電壓加到某一數(shù)值時(shí)，反當(dāng)反向電壓加到某一數(shù)值時(shí)，反向電流劇增，管子進(jìn)入反向擊穿區(qū)。向電流劇增，管子進(jìn)入反向擊穿區(qū)。圖中圖中UZ穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓值穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓值。 穩(wěn)壓管實(shí)物

24、圖穩(wěn)壓管實(shí)物圖 由圖可見，穩(wěn)壓管特性和普通二由圖可見，穩(wěn)壓管特性和普通二極管類似，但其極管類似，但其反向擊穿是可逆的，反向擊穿是可逆的，不會(huì)發(fā)生不會(huì)發(fā)生“熱擊穿熱擊穿”，而且其反向擊，而且其反向擊穿后的特性曲線比較陡直，即穿后的特性曲線比較陡直，即反向電反向電壓基本不隨反向電流變化而變化壓基本不隨反向電流變化而變化，這這就是穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓特性就是穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓特性。 陽(yáng)極 陰極穩(wěn)壓管圖符號(hào)穩(wěn)壓管圖符號(hào) 電流增量電流增量I 很大，只會(huì)引起很小的電壓變化很大，只會(huì)引起很小的電壓變化U。曲線愈陡，動(dòng)態(tài)電阻曲線愈陡，動(dòng)態(tài)電阻rz=U/I愈小，穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓性能愈好愈小，穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓性能愈好。一般地說

25、，。一般地說，UZ為為8V左右的穩(wěn)壓管的動(dòng)態(tài)電阻較小，低于這個(gè)電壓時(shí)，左右的穩(wěn)壓管的動(dòng)態(tài)電阻較小，低于這個(gè)電壓時(shí)，rz隨齊納電壓的下降隨齊納電壓的下降迅速增加，使低壓穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓性能變差。迅速增加，使低壓穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓性能變差。 穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ，低的為，低的為3V，高的可達(dá)，高的可達(dá)300V，穩(wěn)壓二極管在工作時(shí)，穩(wěn)壓二極管在工作時(shí)的正向壓降約為的正向壓降約為0.6V。 I/mA40302010-5-10-15-20 （A）正向0 0.4 0.812 8 4反向UZIZU/V 穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路中一般都要加限穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路中一般都要加限流電阻流電阻R，使穩(wěn)壓管電流工作在，使穩(wěn)壓管

26、電流工作在Izmax和和Izmix的范圍內(nèi)。穩(wěn)壓管在應(yīng)用中要的范圍內(nèi)。穩(wěn)壓管在應(yīng)用中要采取適當(dāng)?shù)拇胧┫拗仆ㄟ^管子的電流采取適當(dāng)?shù)拇胧┫拗仆ㄟ^管子的電流值，以保證管子不會(huì)造成值，以保證管子不會(huì)造成熱擊穿熱擊穿。 穩(wěn)壓管的主要參數(shù)：穩(wěn)壓管的主要參數(shù)：（1）穩(wěn)定電壓）穩(wěn)定電壓UZ：反向擊穿后穩(wěn)定工作的電壓。：反向擊穿后穩(wěn)定工作的電壓。（2）穩(wěn)定電流）穩(wěn)定電流IZ：工作電壓等于穩(wěn)定電壓時(shí)的電流。：工作電壓等于穩(wěn)定電壓時(shí)的電流。（3）動(dòng)態(tài)電阻）動(dòng)態(tài)電阻rZ：穩(wěn)定工作范圍內(nèi)，管子兩端電壓的變化量與相應(yīng)電流的：穩(wěn)定工作范圍內(nèi)，管子兩端電壓的變化量與相應(yīng)電流的變化量之比。即：變化量之比。即： rZ=UZ/IZ

27、（4）耗散功率）耗散功率PZM和最大穩(wěn)定電流和最大穩(wěn)定電流IZM。額定耗散功率額定耗散功率PZM是在穩(wěn)壓管允許是在穩(wěn)壓管允許結(jié)溫下的最大功率損耗。結(jié)溫下的最大功率損耗。IZM是指穩(wěn)壓管允許通過的最大電流。二者關(guān)系是指穩(wěn)壓管允許通過的最大電流。二者關(guān)系可寫為：可寫為： PZM=UZIZM 回顧二極管的反向擊穿時(shí)特性：回顧二極管的反向擊穿時(shí)特性：當(dāng)反當(dāng)反向電壓超過擊穿電壓時(shí)，流過管子的電流向電壓超過擊穿電壓時(shí)，流過管子的電流會(huì)急劇增加。會(huì)急劇增加。 擊穿并不意味著管子一定要損壞，如擊穿并不意味著管子一定要損壞，如果我們采取適當(dāng)?shù)拇胧┫拗仆ㄟ^管子的電果我們采取適當(dāng)?shù)拇胧┫拗仆ㄟ^管子的電流，就能保證管

28、子不因過熱而燒壞。流，就能保證管子不因過熱而燒壞。 在反向擊穿狀態(tài)下，在反向擊穿狀態(tài)下，讓流過管子的電讓流過管子的電流在一定的范圍內(nèi)變化，這時(shí)管子兩端電流在一定的范圍內(nèi)變化，這時(shí)管子兩端電壓變化很小壓變化很小，利用這一點(diǎn)可以達(dá)到，利用這一點(diǎn)可以達(dá)到“穩(wěn)壓穩(wěn)壓”的效果。的效果。穩(wěn)壓管是怎穩(wěn)壓管是怎么實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓么實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓作用的？作用的？單個(gè)發(fā)光二極管實(shí)物單個(gè)發(fā)光二極管實(shí)物發(fā)光二極管圖符號(hào)發(fā)光二極管圖符號(hào) 發(fā)光二極管是一種能把電能直接轉(zhuǎn)換成光能的固體發(fā)光發(fā)光二極管是一種能把電能直接轉(zhuǎn)換成光能的固體發(fā)光元件。發(fā)光二極管和普通二極管一樣，管芯由元件。發(fā)光二極管和普通二極管一樣，管芯由PN結(jié)構(gòu)成，具結(jié)構(gòu)成，

29、具有單向?qū)щ娦浴Ｗ髨D所示為發(fā)光二極管的實(shí)物圖和圖符號(hào)。有單向?qū)щ娦?。左圖所示為發(fā)光二極管的實(shí)物圖和圖符號(hào)。 發(fā)光二極管是一種功率控制器件，常用來作為數(shù)字電路的發(fā)光二極管是一種功率控制器件，常用來作為數(shù)字電路的數(shù)碼及圖形顯示的七段式或陣列式器件；單個(gè)發(fā)光二極管常數(shù)碼及圖形顯示的七段式或陣列式器件；單個(gè)發(fā)光二極管常作為電子設(shè)備通斷指示燈或快速光源以及光電耦合器中的發(fā)作為電子設(shè)備通斷指示燈或快速光源以及光電耦合器中的發(fā)光元件等。光元件等。 光電二極管也和普通二極管一樣，管芯由光電二極管也和普通二極管一樣，管芯由PN結(jié)構(gòu)成，具結(jié)構(gòu)成，具有單向?qū)щ娦?。光電二極管的管殼上有一個(gè)能射入光線的有單向?qū)щ娦浴９?/p>

30、電二極管的管殼上有一個(gè)能射入光線的“窗口窗口”，這個(gè)窗口用有機(jī)玻璃透鏡進(jìn)行封閉，入射光通過透，這個(gè)窗口用有機(jī)玻璃透鏡進(jìn)行封閉，入射光通過透鏡正好射在管芯上。鏡正好射在管芯上。利用穩(wěn)壓管的正利用穩(wěn)壓管的正向壓降，是否也向壓降，是否也可以穩(wěn)壓？可以穩(wěn)壓？ 利用穩(wěn)壓管的正向壓降是不能進(jìn)行穩(wěn)壓的。利用穩(wěn)壓管的正向壓降是不能進(jìn)行穩(wěn)壓的。 因?yàn)榉€(wěn)壓管的正向特性與普通二極管相同，正因?yàn)榉€(wěn)壓管的正向特性與普通二極管相同，正向電阻非常小，工作在正向?qū)▍^(qū)時(shí)，正向電壓一向電阻非常小，工作在正向?qū)▍^(qū)時(shí)，正向電壓一般為般為0.6V左右，此電壓數(shù)值一般變化不大。左右，此電壓數(shù)值一般變化不大。 雙極型晶體管是由兩個(gè)背靠

31、背、互有影響的雙極型晶體管是由兩個(gè)背靠背、互有影響的PN結(jié)構(gòu)成的。在工作過結(jié)構(gòu)成的。在工作過程中兩種載流子都參與導(dǎo)電，所以全名稱為雙極結(jié)型晶體管。程中兩種載流子都參與導(dǎo)電，所以全名稱為雙極結(jié)型晶體管。 雙極結(jié)型晶體管有三個(gè)引出電極，人們習(xí)慣上又稱它為晶體三極管或雙極結(jié)型晶體管有三個(gè)引出電極，人們習(xí)慣上又稱它為晶體三極管或簡(jiǎn)稱晶體管。簡(jiǎn)稱晶體管。 晶體管的種類很多晶體管的種類很多,按照頻率分，有高頻管、低頻管；按照功率分，按照頻率分，有高頻管、低頻管；按照功率分，有小、中、大功率管；按照半導(dǎo)體材料分，有硅管、鍺管等等。但是從它有小、中、大功率管；按照半導(dǎo)體材料分，有硅管、鍺管等等。但是從它的外形

32、來看，晶體管都有三個(gè)電極，常見的晶體管外形如圖所示：的外形來看，晶體管都有三個(gè)電極，常見的晶體管外形如圖所示： 由兩塊由兩塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體的管子稱為型半導(dǎo)體的管子稱為NPN管。管。還還有一種與它成對(duì)偶形式的，即有一種與它成對(duì)偶形式的，即兩塊兩塊P型半導(dǎo)體中間夾著一塊型半導(dǎo)體中間夾著一塊N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體的管子，稱為的管子，稱為PNP管。管。晶體管制造工藝上的特點(diǎn)是：晶體管制造工藝上的特點(diǎn)是：，這樣的結(jié)構(gòu)才能這樣的結(jié)構(gòu)才能保證晶保證晶體管具有體管具有電流放大作用電流放大作用?；鶚O基極發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極晶體管有兩個(gè)結(jié)晶體管有兩個(gè)結(jié)晶體管有三個(gè)區(qū)晶體管有三

33、個(gè)區(qū)晶體管有三個(gè)電極晶體管有三個(gè)電極 三極管是一種具有電流放大作三極管是一種具有電流放大作用的模擬器件。用的模擬器件。Am mAm mAI IC CI IB BI IE EU UBBBBU UCCCCR RB B3DG63DG6NPNNPN型晶體管電流放大的實(shí)驗(yàn)電路型晶體管電流放大的實(shí)驗(yàn)電路R RC CCEB 左圖所示為驗(yàn)證三極管電流放大左圖所示為驗(yàn)證三極管電流放大作用的實(shí)驗(yàn)電路，這種電路接法稱為作用的實(shí)驗(yàn)電路，這種電路接法稱為共射電路。其中，直流電壓源共射電路。其中，直流電壓源UCCCC應(yīng)大應(yīng)大于于UBBBB，從而使電路滿足放大的外部條，從而使電路滿足放大的外部條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電極反

34、向偏件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電極反向偏置。改變可調(diào)電阻置。改變可調(diào)電阻RB，基極電流，基極電流IB，集電極電流集電極電流IC和發(fā)射極電流和發(fā)射極電流IE都會(huì)發(fā)生都會(huì)發(fā)生變化，由測(cè)量結(jié)果可得出以下結(jié)論：變化，由測(cè)量結(jié)果可得出以下結(jié)論： a）發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度基區(qū)基區(qū)集電區(qū)；集電區(qū)； b）基區(qū)很薄?；鶇^(qū)很薄。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。1. IE IB IC （符合（符合KCL定律）定律）2. IC IB，為管子的流放大系數(shù)，為管子的流放大系數(shù)，用來表征三極管的電流放大能力：用來表征三極管的電流放大能力：3. IC IB BCII N IC IE IB RB UBB U

35、CC RC N P 由于發(fā)射結(jié)處于正向偏置，發(fā)射區(qū)的多由于發(fā)射結(jié)處于正向偏置，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子自由電子將不斷擴(kuò)散到基區(qū)，并不數(shù)載流子自由電子將不斷擴(kuò)散到基區(qū)，并不斷從電源補(bǔ)充進(jìn)電子，形成發(fā)射極電流斷從電源補(bǔ)充進(jìn)電子，形成發(fā)射極電流IE。 由于基區(qū)很薄，其多數(shù)載流子空穴濃度由于基區(qū)很薄，其多數(shù)載流子空穴濃度很低，所以從發(fā)射極擴(kuò)散過來的電子只有很很低，所以從發(fā)射極擴(kuò)散過來的電子只有很少一部分和基區(qū)空穴復(fù)合，剩下的絕大部分少一部分和基區(qū)空穴復(fù)合，剩下的絕大部分都能擴(kuò)散到集電結(jié)邊緣。都能擴(kuò)散到集電結(jié)邊緣。IC比比IB大數(shù)十至數(shù)百倍，因而大數(shù)十至數(shù)百倍，因而IB雖然很小，但對(duì)雖然很小，但對(duì)IC有控制作

36、用，有控制作用，IC隨隨IB的改變而改變，即基極電流較小的變化可以引起集電極電流較大的變化，的改變而改變，即基極電流較小的變化可以引起集電極電流較大的變化，表明表明基極電流對(duì)集電極電流具有小量控制大量的作用，基極電流對(duì)集電極電流具有小量控制大量的作用，這就是三極管的這就是三極管的。 由于集電結(jié)反向偏置，可將從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)并到達(dá)集電區(qū)邊緣的電子由于集電結(jié)反向偏置，可將從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)并到達(dá)集電區(qū)邊緣的電子拉入集電區(qū)，從而形成較大的集電極電流拉入集電區(qū)，從而形成較大的集電極電流IC。ICIBRBUBBUCCRCVVAmA +UCE +UBE0.4 0.8 UBE /V40302010IB /

37、mA0UCE1V測(cè)量三極管特性的實(shí)驗(yàn)電路 三極管的輸入特性曲線1 1輸入特性曲線輸入特性曲線晶體管的輸入特性與二極管類似晶體管的輸入特性與二極管類似死區(qū)電壓死區(qū)電壓 UCE 1V，原因是，原因是b、e間加正向電壓。這時(shí)集電極的電位比基極高，集電結(jié)為反向間加正向電壓。這時(shí)集電極的電位比基極高，集電結(jié)為反向偏置，發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的電子絕大部分?jǐn)U散到集電結(jié)，只有一小部分與基區(qū)中的空穴偏置，發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的電子絕大部分?jǐn)U散到集電結(jié)，只有一小部分與基區(qū)中的空穴復(fù)合，形成復(fù)合，形成IB。 與與UCE=0V時(shí)相比時(shí)相比 ，在，在UBE相同的條件下，相同的條件下，IB要小的多。從圖中可以看出，導(dǎo)通電壓要小的多。

38、從圖中可以看出，導(dǎo)通電壓約為約為0.5V。嚴(yán)格地說，當(dāng)。嚴(yán)格地說，當(dāng)UCE逐漸增加逐漸增加 時(shí)，時(shí)，IB逐漸減小，曲線逐漸向右移。這是因?yàn)橹饾u減小，曲線逐漸向右移。這是因?yàn)閁CE增加時(shí)，集電結(jié)的耗盡層變寬，減小了基區(qū)的有效寬度，不利于空穴的復(fù)合，所以增加時(shí)，集電結(jié)的耗盡層變寬，減小了基區(qū)的有效寬度，不利于空穴的復(fù)合，所以IB減小。不過減小。不過UCE超過超過1V以后再增加，以后再增加，IC增加很少，因?yàn)樵黾雍苌?，因?yàn)镮B的變化量也很小，通常可以的變化量也很小，通?？梢院雎院雎訳CE變化對(duì)變化對(duì)IB的影響，認(rèn)為的影響，認(rèn)為UCE 1V時(shí)的時(shí)的 曲線都重合在一起。曲線都重合在一起。 4 3 2 1

39、 IB=0 0 3 6 9 12 UCE /V 20A 40A 60A 80A 100A 飽飽和和區(qū)區(qū) 截截止止區(qū)區(qū) 放放 大大 區(qū)區(qū) IC /mA （1）放大區(qū)：發(fā)射極正向偏置，集電結(jié)反向偏置）放大區(qū)：發(fā)射極正向偏置，集電結(jié)反向偏置（2）截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)反向偏置）截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)反向偏置 （3）飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)正向偏置）飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)正向偏置2 2輸出特性曲線輸出特性曲線BCii0 0CBii；BCiiiB0，uBE0，uCEuBE1 1、電流放大倍數(shù)、電流放大倍數(shù)：i iC C= = i iB B2 2、極間反向電流、極間反向電流i

40、 iCBOCBO、i iCEOCEO：i iCEOCEO= =（1+ 1+ ）i iCBOCBO3 3、極限參數(shù)、極限參數(shù) （1 1）集電極最大允許電流）集電極最大允許電流 I ICMCM： 下降到額定值下降到額定值的的2/32/3時(shí)所允許的最大集電極電流。時(shí)所允許的最大集電極電流。 （2 2）反向擊穿電壓）反向擊穿電壓U U（BRBR）CEOCEO：基極開路時(shí)，集電極基極開路時(shí)，集電極、發(fā)射極間的最大允許電壓：基極開路時(shí)、集電極與、發(fā)射極間的最大允許電壓：基極開路時(shí)、集電極與發(fā)射極之間的最大允許電壓。為保證晶體管安全工作發(fā)射極之間的最大允許電壓。為保證晶體管安全工作，一般應(yīng)?。海话銘?yīng)?。?

41、（3 3）集電極最大允許功耗）集電極最大允許功耗P PCMCM ：晶體管的參數(shù)不超：晶體管的參數(shù)不超過允許值時(shí)，集電極所消耗的最大功率。過允許值時(shí)，集電極所消耗的最大功率。 (BR)CEOCC)3221(UU學(xué)習(xí)與探討學(xué)習(xí)與探討 晶體管的發(fā)射極和集電極是晶體管的發(fā)射極和集電極是不能互換使用的。因?yàn)榘l(fā)射區(qū)的不能互換使用的。因?yàn)榘l(fā)射區(qū)的摻雜質(zhì)濃度很高，集電區(qū)的摻雜摻雜質(zhì)濃度很高，集電區(qū)的摻雜質(zhì)濃度較低，這樣才使得發(fā)射極質(zhì)濃度較低，這樣才使得發(fā)射極電流等于基極電流和集電極電流電流等于基極電流和集電極電流之和，如果互換作用顯然不行。之和，如果互換作用顯然不行。晶體管的發(fā)射極晶體管的發(fā)射極和集電極能否互和集電極能否互換使用？為什么換使用？為什么? 晶體管在輸出特性曲線的飽晶體管在輸出特性曲線的飽和區(qū)工作時(shí)，和區(qū)工作時(shí)，UCEUT時(shí)，隨著時(shí)，隨著UGS的增大，導(dǎo)電溝道逐漸變寬，溝道電阻漸小，漏極的增大，導(dǎo)電溝道逐漸變寬，溝道電阻漸小，漏極電流電流ID漸大漸大。這種漏極電流。這種漏極電流ID隨柵極電位隨柵極電位UGS的變化而變化的關(guān)系，稱為的變化而變化的關(guān)系，稱為MOS管的管的。 P襯底