新余學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(論文)書寫式樣

1、新余學(xué)院畢業(yè)設(shè)計（論文）書寫式樣一、頁面設(shè)置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，頁眉設(shè)置為：居中，頁眉之下劃一條線，用5號字宋體，頁眉用論文的名字；頁腳設(shè)置為：插入頁碼，頁碼為阿拉伯?dāng)?shù)字，居中，5號字宋體。二、目錄：“目錄”兩字小三號宋體加粗，目錄內(nèi)容小四號宋體。三、摘要1 中文摘要：標(biāo)題小二號宋體加粗，“摘要”兩字四號宋體，摘要內(nèi)容小四號宋體，“關(guān)鍵詞”三字小四號宋體加粗，2 英文摘要：標(biāo)題小二號Times New Roman 體加粗，“Abstract” 四號Times New Roman 體；“Abstract” 內(nèi)容小四號Times New Roman 體

2、，“Keyword”小四號Times New Roman 體加粗。四、正文：標(biāo)題四號宋體，正文內(nèi)容小四號宋體，行間距1.5倍,。五、圖表：圖表內(nèi)容五號宋體。六、參考文獻(xiàn)：參考文獻(xiàn)用四號宋體，參考文獻(xiàn)內(nèi)容小四號宋體，其中英文用小四號Times New Roman 體。七、致謝：致謝兩字四號宋體，致謝內(nèi)容小四號宋體。八、打印要求：論文封皮封底用淺色皮紋紙打印，論文正文（設(shè)計說明書）應(yīng)使用A4紙單面打印。九、畢業(yè)設(shè)計（論文）的裝訂、歸檔 畢業(yè)設(shè)計（論文）的裝訂順序為：封面；（請到教務(wù)處網(wǎng)站下載學(xué)校統(tǒng)一封面）中文題目、摘要、關(guān)健詞；英文題目、摘要、關(guān)健詞；目錄；正文；參考文獻(xiàn)；致謝。畢業(yè)設(shè)計（論文）的

3、資料歸檔內(nèi)容為：已裝訂成冊的畢業(yè)設(shè)計（論文）文本；畢業(yè)設(shè)計（論文）過程管理手冊；學(xué)生參加生產(chǎn)實習(xí)的日記，實習(xí)技術(shù)報告，實習(xí)單位的鑒定、評價意見等材料；學(xué)生畢業(yè)設(shè)計（論文）收集的相關(guān)材料、以及設(shè)計類作品或光盤、電路板、圖紙、實物可一并裝入畢業(yè)設(shè)計（論文）的資料袋中；畢業(yè)設(shè)計（論文）的資料袋由教務(wù)處統(tǒng)一發(fā)放。（資料袋封面請到教務(wù)處網(wǎng)站下載并填入相應(yīng)數(shù)字然后貼在資料袋上）。具體書寫式樣如下：小三號宋體加粗，居中。中間空一個字符二級標(biāo)題小四號宋體，居左，首行縮進(jìn)1個字符。一級標(biāo)題，小四號宋體加粗，居左。1、理科目錄式樣三級標(biāo)題小四號宋體，居左，首行縮進(jìn)2個字符。目 錄摘要1Abstract 2第1章G

4、aN基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)展（多數(shù)文章為“緒論”）11 .1 III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展與應(yīng)用 1 1.1.1 III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展11.1.2 III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展31. 2 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 41. 3 摻雜和雜質(zhì)特性 121. 4 氮化物材料的制備 131. 5 氮化物器件 191. 7 本論文工作的內(nèi)容與安排 24第2章 氮化物MOCVD生長系統(tǒng)和生長工藝 31 2. 2本論文氮化物生長所用的MOCVD設(shè)備 32結(jié)論 136參考文獻(xiàn)（References）138致謝 150小三號宋體加粗，居中。中間空一個字符二級標(biāo)題小四號宋體，居左，首行縮進(jìn)1

5、個字符。一級標(biāo)題，小四號宋體加粗，居左。2、文科目錄式樣三級標(biāo)題小四號宋體，居左，首行縮進(jìn)2個字符。目 錄摘要1Abstract 2一、GaN基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)展（多數(shù)文章為“緒論”）1（一） III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展與應(yīng)用 1 1. III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展12. III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展3（二） III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 4（三） 摻雜和雜質(zhì)特性 12（四） 氮化物材料的制備 13（五） 氮化物器件 19（六） 本論文工作的內(nèi)容與安排 24二、 氮化物MOCVD生長系統(tǒng)和生長工藝 31 （一）本論文氮化物生長所用的MOCVD設(shè)備 32結(jié)論 136參考文獻(xiàn)（R

6、eferences）138致謝 150小二號宋體加粗3、摘要式樣（1）中文摘要式樣III-族氮化物及其高亮度藍(lán)光小四號宋體 LED外延片的MOCVD生長和性質(zhì)研究四號宋體加粗 摘 要寬禁帶III族氮化物半導(dǎo)體材料在短波長高亮度發(fā)光器件、短波長激光器、光探測器以及高頻和大功率電子器件等方面有著廣泛的應(yīng)用前景。自1994年日本日亞化學(xué)工業(yè)公司率先在國際上突破了GaN基藍(lán)光LED外延材料生長技術(shù)以來，美、日等國十余家公司相繼報導(dǎo)掌握了這項關(guān)鍵技術(shù)，并分別實現(xiàn)了批量或小批量生產(chǎn)GaN基LED。盡管如此，這項高技術(shù)仍處于高度保密狀態(tài)，材料生長的關(guān)鍵思想及核心技術(shù)仍未公開，還無法從參考文獻(xiàn)及專利公報中獲取

7、最重要的材料生長信息。本論文就是在這種情況下立題的，旨在研究GaN基材料生長中的物理及化學(xué)問題，為生長可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科學(xué)依據(jù)。本文在自制常壓MOCVD和英國進(jìn)口MOCVD系統(tǒng)上對III族氮化物的生長機(jī)理進(jìn)行了研究，對材料的性能進(jìn)行了表征。通過設(shè)計并優(yōu)化外延片多層結(jié)構(gòu)，生長的藍(lán)光LED外延片質(zhì)量達(dá)到了目前國際上商品化的中高檔水平。并獲得了如下有創(chuàng)新和有意義的研究結(jié)果：1首次提出了采用偏離化學(xué)計量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長單晶膜的思想，并在GaN外延生長上得以實現(xiàn)。采用這種緩沖層，顯著改善了GaN外延膜的結(jié)晶性能，使GaN基藍(lán)光LED器件整體性能大幅度提高，大大

8、降低了GaN基藍(lán)光LED的反向漏電流，降低了正向工作電壓，提高了光輸出功率。本文得到了國家863計劃、國家自然科學(xué)基金以及教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心項目的資助。關(guān)鍵詞：氮化物； MOCVD； LED；盧瑟福背散射溝道；光致發(fā)光；光透射譜 小四號宋體加粗小二號Times New Roman 體加粗，居中，段后空2行四號Times New Roman 體加粗，居中（2）外文摘要式樣正文小四號Times New Roman 體Study on MOCVD growth and properties of III-nitrides and high brightness blue LED waf

9、ersAbstract GaN based - nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.More than ten

10、 companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994.In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor depo

11、sition (MOCVD) and Thomas Swan 62” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth

12、on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhi

13、bited that the minimum yield min of GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1A at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.This work was supported by 863 program in China.Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photolumin

14、escence；RBS/channeling；Optical absorption小四Times New Roman 體加粗，分號分隔各關(guān)鍵詞2基于GaN半導(dǎo)體材料的研究頁眉用論文題目，5號宋體居中，自正文第1章開始至文檔結(jié)束二級節(jié)標(biāo)題四號宋體居左，段前段后各空一行3、正文式樣 一級章標(biāo)題宋體四號居中，加粗，章標(biāo)用阿拉伯?dāng)?shù)字第1章 GaN基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)展三級節(jié)標(biāo)題小四號宋體居左，段前段后各空一行正文小四號宋體居左，首行空2個字符，行間距1.5倍1 .1 III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展與應(yīng)用1.1.1 III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展 在科學(xué)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程中，材料永遠(yuǎn)扮演著重要角色。在與

15、現(xiàn)代科技成就息息相關(guān)的千萬種材料中，半導(dǎo)體材料的作用尤其如此。以Si為代表的第一代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)40年代末，它們促成了晶體管、集成電路和計算機(jī)的發(fā)明。以GaAs為代表的第二代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)60年代，它們成為制作光電子器件的基礎(chǔ)。III族氮化物半導(dǎo)體材料及器件研究歷時30余年，前20年進(jìn)展緩慢，后10年發(fā)展迅猛。由于III族氮化物特有的帶隙范圍，優(yōu)良的光、電性質(zhì)，優(yōu)異的材料機(jī)械和化學(xué)性能，使得它在短波長光電子器件方面有著廣泛的應(yīng)用前景；并且非常適合制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。III族氮化物半導(dǎo)體材料已引起了國內(nèi)外眾多研究者的興趣。 表標(biāo)題5號宋體居中，加粗，序號同

16、各章節(jié)，放置表格上方，同一表格須放置于同一頁內(nèi)，表格內(nèi)容5號宋體12 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 4、圖表式樣（1）表式樣表1-1用不同技術(shù)得到的帶隙溫度系數(shù)、Eg0、ac和T0的值樣品類型實驗方法帶隙溫度系數(shù)dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)ac (eV/K)T0 (K)參考文獻(xiàn)GaN/Al2O3光致發(fā)光-5.3210-43.5035.0810-4-99661GaN/Al2O3光致發(fā)光3.4897.3210-470059GaN/Al2O3光致發(fā)光-4.010-4-7.210-460062GaN/Al2O3光吸收-4.510-43.471-9.310-477263（2）圖式

17、樣加熱電阻氣流測溫元件測溫元件圖1-1 熱風(fēng)速計原理轉(zhuǎn)換控制頻率信 號 源頻率控 制 器地址發(fā)生 器波形存儲 器轉(zhuǎn)換器濾波器頻率設(shè)置波形數(shù)據(jù)設(shè)置圖2-1 DDS方式AWG的工作流程圖標(biāo)題5號宋體居中，加粗，序號同各章節(jié)，放置圖下方5、參考文獻(xiàn)式樣參考文獻(xiàn)正文中文用宋體小四字，英文用Times New Roman字體，居左頂格，序號用阿拉伯?dāng)?shù)字加中括號 。四號宋體加粗，居中，參考文獻(xiàn)1 WellMultiple-modulator fraction-n dividerPUS Patent，50381171986-02-022 Brian MillerA multiple modulator fractionl dividerJIEEE Transaction on instrumentation and Measurement，1991，40(2)：578-5833 萬心平，張厥盛集成鎖相環(huán)路原理、特性、應(yīng)用M北京：人民郵電出版社，1990302-3074 MilerFrequency synthesizersPUS Patent，46098811991-08-065 Candy J CA use of double-integretion in sigma-delta modulationJIEEE Trans