單結(jié)晶體管的識(shí)別及檢測(cè)

1、湖南省技工學(xué)校時(shí)間 2021.03. 10創(chuàng)作：歐陽治理論教學(xué)教案教師姓名:學(xué) 科R執(zhí) 行 記 錄期 日期 星檢查 簽字次 節(jié)驗(yàn) 實(shí) 的型 課類教學(xué)目的教學(xué)重點(diǎn)教學(xué)難點(diǎn)教具掛圖電、33 BT學(xué)節(jié) 教環(huán)702:2855教學(xué)后記實(shí)驗(yàn)二單結(jié)晶管振蕩電路的制作與調(diào)試任務(wù)一單結(jié)晶體管的識(shí)別與檢測(cè)欲使晶閘管導(dǎo)通，它的控制極上必須加上觸發(fā)電壓 心 產(chǎn)生觸發(fā) 電壓的電路稱為觸發(fā)電路。觸發(fā)電路種類繁多，各具特色。本節(jié)主 要介紹用單結(jié)晶體管組成的觸發(fā)電路。一、 單結(jié)晶體管它的外形與普通三極管相似，具有三個(gè)電極，但不是三極管，而 是具有三個(gè)電極的二極管，管內(nèi)只有一個(gè)PN結(jié)，所以稱之為單結(jié)晶 體管。三個(gè)電極中，一個(gè)是

2、發(fā)射極，兩個(gè)是基極，所以也稱為雙基極 二極管。1. 結(jié)構(gòu)與符號(hào)其結(jié)構(gòu)如圖7-2-1 (a)所示。它有三個(gè)電極，但在結(jié)構(gòu)上只有一個(gè) PN結(jié)。有發(fā)射極E,第一基極B和第二基極B2,其符號(hào)見圖7-2- 1 (b)o2. 伏安特性單結(jié)晶體管的等效電路如圖7-2-1 (c)所示，兩基極間的電阻為 爲(wèi)二局+局，用D表示PN結(jié)。爲(wèi)的阻值范圍為215KQ之間。如 果在E、B2兩個(gè)基極間加上電壓則A與乩之間即局兩端得到的 電壓為8 = 旳:VBB =心B(7_2T)心+ Rb2式中稱為分壓比，它與管子的結(jié)構(gòu)有關(guān)，一般在0.30.8之 間，是單結(jié)晶體管的主要參數(shù)之一。PN 結(jié)BiBi(C)結(jié)構(gòu)尋效電路6)結(jié)構(gòu)示總

3、用(b)符號(hào)圖7-2-1單結(jié)晶體管單結(jié)晶體管的伏安特性是指它的發(fā)射極電壓K與流入發(fā)射極電流4之間的關(guān)系。圖7-2-1 (a)是測(cè)量伏安特性的實(shí)驗(yàn)電路，在B?、Bi間 如上固定電源Ex獲得正向電壓 厶并將可調(diào)直流電源任通過限流電阻尺接在E和Bi之間。(a)測(cè)試電路(b伏安特性圖7-2-2單結(jié)晶體管伏安特性當(dāng)外如電壓K<時(shí)(為PN結(jié)正向壓降)，PN結(jié)承受反向電壓而截止，故發(fā)射極回路只有微安級(jí)的反向電流，單結(jié)晶體管子處 于截止區(qū)，如圖7-2-2 (b)的aP段所示。在二厶+%時(shí)，對(duì)應(yīng)于圖7-2-2(b)中的P點(diǎn)，該點(diǎn)的電壓和 電流分別稱為峰點(diǎn)電壓和峰點(diǎn)電流/p。由于PN結(jié)承受了正向電壓 而導(dǎo)通

4、，此后脇急劇減小，佐隨之下降，人迅速增大，單結(jié)晶體管呈 現(xiàn)負(fù)阻特性，負(fù)阻區(qū)如圖7-2-2 (b)中的PV段所示。V點(diǎn)的電壓和電流分別稱為谷點(diǎn)電壓和谷點(diǎn)電流/“過了谷點(diǎn) 以后，厶繼續(xù)增大，呢略有上升，但變化不大，此時(shí)單結(jié)晶體管進(jìn)入 飽狀態(tài)，圖中對(duì)應(yīng)于谷點(diǎn)V以右的特性，稱為飽和區(qū)。當(dāng)發(fā)射極電壓 減小到時(shí)，單結(jié)晶體管由導(dǎo)通恢復(fù)到截止?fàn)顟B(tài)。綜上所述，峰點(diǎn)電壓是單結(jié)晶體管由截止轉(zhuǎn)向?qū)ǖ呐R界點(diǎn)。 vP =vD+vA «vA =恤(7-2-2)所以，由分壓比和電源電壓決定滄。谷點(diǎn)電壓是單結(jié)晶體管由導(dǎo)通轉(zhuǎn)向截止的臨界點(diǎn)。一般二25V (Kb= 20V) o國(guó)產(chǎn)單結(jié)晶體管的型號(hào)有BT31、BT32、

5、BT33等。BT表示半導(dǎo)體 特種管，3表示三個(gè)電極，第四個(gè)數(shù)字表示耗散功率分別為100、200、 300mWo單結(jié)晶體管的檢測(cè)圖7-2-3單結(jié)品體管BT33管腳排列圖7-2-3為單結(jié)晶體管BT33管腳排列、結(jié)構(gòu) 圖及電路符號(hào)。好的單結(jié)晶體管PN結(jié)正向電阻 ReBI、ReB2均較小，且ReBI稍大于ReB2, PN結(jié)的反向 電阻Rbie、R吐均應(yīng)很大，根據(jù)所測(cè)阻值，即可判 斷出各管腳及管子的質(zhì)量?jī)?yōu)劣。用萬用電表RX10Q檔分別測(cè)量EBi、EB2間正、反向電阻，記入表7-2-1表 7-2 1RebJQ) ReB2(Q) Rbie(KO) RB2e(KO) 結(jié)論任務(wù)二單結(jié)晶體管振蕩電路制作與調(diào)試Rl

6、 VG利用單結(jié)晶體管的負(fù)阻特性和胎電路的充放電特性，可組成單 結(jié)晶體管振蕩電路，其基本電路如圖7-2-4所示。f充電放電“ h nI 'I 2 :;:（a）電路圖（b）波形圖圖7-2-4單結(jié)晶體管振蕩電路當(dāng)合上開關(guān)S接通電源將通過電阻/?向電容C充電（設(shè)C上 的起始電壓為零），電容兩端電壓按丫二 胎的指數(shù)曲線逐漸增加。 當(dāng)仏升高至單結(jié)晶體管的峰點(diǎn)電壓時(shí)，單結(jié)晶體管由截止變?yōu)閷?dǎo) 通，電容向電阻尺放電，由于單結(jié)晶體管的負(fù)阻特性，且笊又是一個(gè) 50100 0的小電阻，電容6的放電時(shí)間常數(shù)很小，放電速度很快，于 是在尺上輸出一個(gè)尖脈沖電壓。在電容的放電過程中，急劇下 降，當(dāng)谷點(diǎn)電壓）吋，單結(jié)晶

7、體管便跳變到截止區(qū)，輸出電壓 %降到零，即完成一次振蕩。放電一結(jié)束，電容又開始重新充電并重復(fù)上述過程，結(jié)果在C上 形成鋸齒波電壓，而在尺上得到一個(gè)周期性的尖脈沖輸出電壓,如 圖7-2-4 （6）所示。調(diào)節(jié)/?（或變換G）以改變充電的速度，從而調(diào)節(jié)圖7-2-4 （b）中 的匕時(shí)刻，如果把接到晶閘管的控制極上，就可以改變控制角a的 大小。Vbblk250k 2 LTBT33(kl 8J11F1. 電路如圖7-2-5所示圖7-2-5單結(jié)晶體管振蕩電路2、儀器儀表雙蹤示波器一臺(tái)MF47萬用表1只3、制作調(diào)試步驟(1) 將元器件按要求整形，插入通用電路板的相應(yīng)位置，并連接好 導(dǎo)線。(2) 閉合開關(guān)，接通電源。分別用示波器觀察電容C兩端電壓vc 及電路輸出電壓vo。在圖7-2-6相應(yīng)坐標(biāo)中作出vc、vo波形。(3) 調(diào)節(jié)電路中電位器