第5章 MOS電容器及MOSFET01

1、半導(dǎo)體器件物理半導(dǎo)體器件物理半導(dǎo)體器件物理半導(dǎo)體器件物理1本章內(nèi)容本章內(nèi)容 理想的理想的MOS電容器電容器 SiO2-Si MOS電容器電容器 MOSFET基本原理基本原理第第5 5章章 MOSMOS電容器及電容器及MOSFETMOSFET半導(dǎo)體器件物理半導(dǎo)體器件物理2研究半導(dǎo)體表面特性，研究半導(dǎo)體表面特性，MOS電容器用電容器用作存儲(chǔ)電容并且是電荷耦合器件（作存儲(chǔ)電容并且是電荷耦合器件（CCD）的基本結(jié)構(gòu)單元。）的基本結(jié)構(gòu)單元。 圖圖(a)為為MOS電容器的透視結(jié)構(gòu)，電容器的透視結(jié)構(gòu)，V為施加于金屬板上的電壓。為施加于金屬板上的電壓。 圖圖(b)為剖面結(jié)構(gòu)，為剖面結(jié)構(gòu)，d為氧化層厚度。為氧化

2、層厚度。 金屬板相對(duì)于歐姆接觸為正偏壓時(shí)金屬板相對(duì)于歐姆接觸為正偏壓時(shí)，V為正值為正值；金屬板相對(duì)于歐姆接觸金屬板相對(duì)于歐姆接觸為負(fù)偏壓時(shí)，為負(fù)偏壓時(shí)，V為負(fù)值為負(fù)值。5.1 理想的理想的MOS電容器電容器半導(dǎo)體金屬絕緣體V半導(dǎo)體金屬絕緣體V二極管的透視圖MOS)(aAld0 x歐姆接觸2SiOAld0 x歐姆接觸2SiO二極管的剖面圖MOS)b(圖 5. 1(a)MOS二極管的透視圖二極管的透視圖半導(dǎo)體金屬絕緣體V半導(dǎo)體金屬絕緣體V二極管的透視圖MOS)(aAld0 x歐姆接觸2SiOAld0 x歐姆接觸2SiO二極管的剖面圖MOS)b(圖 5. 1(b)MOS二極管的剖面圖二極管的剖面圖第

3、第5 5章章 MOSMOS電容器及電容器及MOSFETMOSFET半導(dǎo)體器件物理半導(dǎo)體器件物理3右圖為右圖為V=0時(shí)理想時(shí)理想p型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體MOS電容器的能帶圖。電容器的能帶圖。q m、q s：金屬、半導(dǎo)體功函數(shù)，費(fèi)米能級(jí)與真空能級(jí)之間的能量差；金屬、半導(dǎo)體功函數(shù)，費(fèi)米能級(jí)與真空能級(jí)之間的能量差；q：電子親和勢(shì)，半導(dǎo)體中導(dǎo)帶邊與真空能級(jí)的差值；：電子親和勢(shì)，半導(dǎo)體中導(dǎo)帶邊與真空能級(jí)的差值；qi：氧化：氧化層電子親和勢(shì)；層電子親和勢(shì)；q B：金屬與氧化層的勢(shì)壘；：金屬與氧化層的勢(shì)壘；qB：費(fèi)米能級(jí)：費(fèi)米能級(jí)EF與本征費(fèi)米能級(jí)與本征費(fèi)米能級(jí)Ei的差值。的差值。理想理想MOS電容器定義為：電容器

4、定義為：零偏壓零偏壓，q ms為零，即能帶是平為零，即能帶是平坦的（稱為坦的（稱為平帶條件平帶條件）。）。20msmsmgBqqqqqEq任意偏壓任意偏壓，電容器中的電荷僅為半導(dǎo)體內(nèi)電荷電容器中的電荷僅為半導(dǎo)體內(nèi)電荷以及以及鄰近氧化鄰近氧化層的金屬表面電荷量層的金屬表面電荷量，它們大小相等、但極性相反；，它們大小相等、但極性相反；直流偏壓直流偏壓，無(wú)載流子輸運(yùn)通過(guò)氧化層，無(wú)載流子輸運(yùn)通過(guò)氧化層，氧化層電阻為無(wú)窮大氧化層電阻為無(wú)窮大。第第5 5章章 MOSMOS電容器及電容器及MOSFETMOSFET半導(dǎo)體器件物理半導(dǎo)體器件物理4半導(dǎo)體表面向上彎曲的能帶使半導(dǎo)體表面向上彎曲的能帶使Ei-EF的能

5、級(jí)的能級(jí)差變大，進(jìn)而提高了氧化層與半導(dǎo)體界面處差變大，進(jìn)而提高了氧化層與半導(dǎo)體界面處的空穴濃度（或空穴堆積），稱為的空穴濃度（或空穴堆積），稱為積累積累。理想理想MOS電容器偏壓為正或負(fù)時(shí)，半導(dǎo)體表面出現(xiàn)三種狀況：電容器偏壓為正或負(fù)時(shí)，半導(dǎo)體表面出現(xiàn)三種狀況：（1）p型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體，施加，施加負(fù)電壓負(fù)電壓，SiO2-Si界面處誘導(dǎo)界面處誘導(dǎo)過(guò)剩的空穴過(guò)剩的空穴，半導(dǎo)體表面附近的半導(dǎo)體表面附近的能帶向上彎曲能帶向上彎曲。理想的理想的MOS電容器，不論外加電壓多大，器件內(nèi)部無(wú)電流流動(dòng)電容器，不論外加電壓多大，器件內(nèi)部無(wú)電流流動(dòng)，所以所以半導(dǎo)體內(nèi)的費(fèi)米能級(jí)將維持恒定半導(dǎo)體內(nèi)的費(fèi)米能級(jí)將維持恒定。半

6、導(dǎo)體內(nèi)的載流子濃度與能級(jí)差的關(guān)系：半導(dǎo)體內(nèi)的載流子濃度與能級(jí)差的關(guān)系：expiFpiEEpnkTFECEiEFEVE0V0 xSQmQ積累時(shí))(a0VFEFEVEiECE00mQWqNAx耗盡時(shí))(b0VFEVEiECEFEix00mQxWqNAnQ反型時(shí))(c圖 5. 3理想 MOS二極管的能帶圖及電荷分布FECEiEFEVE0V0 xSQmQ積累時(shí))(aFECEiEFEVE0V0 xSQmQ積累時(shí))(a0VFEFEVEiECE00mQWqNAx耗盡時(shí))(b0VFEFEVEiECE00mQWqNAx耗盡時(shí))(b0VFEVEiECEFEix00mQxWqNAnQ反型時(shí))(c0VFEVEiECE

7、FEix00mQxWqNAnQ反型時(shí))(c圖 5. 3理想 MOS二極管的能帶圖及電荷分布FECEiEFEVE0V0 xSQmQ積累時(shí))(a0VFEFEVEiECE00mQWqNAx耗盡時(shí))(b0VFEVEiECEFEix00mQxWqNAnQ反型時(shí))(c圖 5. 3理想 MOS二極管的能帶圖及電荷分布FECEiEFEVE0V0 xSQmQ積累時(shí))(aFECEiEFEVE0V0 xSQmQ積累時(shí))(a0VFEFEVEiECE00mQWqNAx耗盡時(shí))(b0VFEFEVEiECE00mQWqNAx耗盡時(shí))(b0VFEVEiECEFEix00mQxWqNAnQ反型時(shí))(c0VFEVEiECEFEi

8、x00mQxWqNAnQ反型時(shí))(c圖 5. 3理想 MOS二極管的能帶圖及電荷分布第第5 5章章 MOSMOS電容器及電容器及MOSFETMOSFET半導(dǎo)體器件物理半導(dǎo)體器件物理5（2）外加）外加一小正電壓一小正電壓，靠近半導(dǎo)體表面的，靠近半導(dǎo)體表面的能帶將向下彎曲能帶將向下彎曲，EF=Ei，多子空穴被耗盡，稱為，多子空穴被耗盡，稱為耗盡耗盡。半導(dǎo)體內(nèi)單位面積的空間。半導(dǎo)體內(nèi)單位面積的空間電荷電荷Qsc為為-qNAW，其中，其中W為表面耗盡區(qū)的寬度。為表面耗盡區(qū)的寬度。（3）外加一）外加一更大的正電壓更大的正電壓，能帶向下彎曲更多能帶向下彎曲更多，使得，使得表面的表面的Ei穿過(guò)穿過(guò)EF。Si

9、O2-Si界面處誘導(dǎo)過(guò)剩的負(fù)載流界面處誘導(dǎo)過(guò)剩的負(fù)載流子電子。半導(dǎo)體中電子的子電子。半導(dǎo)體中電子的濃度與能級(jí)差的關(guān)系：濃度與能級(jí)差的關(guān)系：expFipiEEnnkT由于由于EF-Ei0，因此半導(dǎo)體表面處的電子濃度，因此半導(dǎo)體表面處的電子濃度npni，而空穴濃，而空穴濃度度ni，表面的電子數(shù)目大于空穴，表面呈現(xiàn)反型，稱為，表面的電子數(shù)目大于空穴，表面呈現(xiàn)反型，稱為反型反型。FECEiEFEVE0V0 xSQmQ積累時(shí))(a0VFEFEVEiECE00mQWqNAx耗盡時(shí))(b0VFEVEiECEFEix00mQxWqNAnQ反型時(shí))(c圖 5. 3理想 MOS二極管的能帶圖及電荷分布FECEiE

10、FEVE0V0 xSQmQ積累時(shí))(aFECEiEFEVE0V0 xSQmQ積累時(shí))(a0VFEFEVEiECE00mQWqNAx耗盡時(shí))(b0VFEFEVEiECE00mQWqNAx耗盡時(shí))(b0VFEVEiECEFEix00mQxWqNAnQ反型時(shí))(c0VFEVEiECEFEix00mQxWqNAnQ反型時(shí))(c圖 5. 3理想 MOS二極管的能帶圖及電荷分布第第5 5章章 MOSMOS電容器及電容器及MOSFETMOSFET半導(dǎo)體器件物理半導(dǎo)體器件物理6 起初，因電子濃度較小，表面處于起初，因電子濃度較小，表面處于弱反型狀態(tài)，當(dāng)能帶持續(xù)彎曲，最弱反型狀態(tài)，當(dāng)能帶持續(xù)彎曲，最終使得終使得

11、EC接近接近EF。 當(dāng)靠近當(dāng)靠近SiO-Si界面的電子濃度等于襯界面的電子濃度等于襯底摻雜水平時(shí)，開(kāi)始發(fā)生底摻雜水平時(shí)，開(kāi)始發(fā)生強(qiáng)反型強(qiáng)反型。 之后，絕大部分半導(dǎo)體中額外的負(fù)之后，絕大部分半導(dǎo)體中額外的負(fù)電荷由電子電荷電荷由電子電荷Qn組成，它們位于組成，它們位于很窄的很窄的n型反型層（型反型層（0 xxi）中）中如右如右下圖下圖，其中，其中xi為反型層厚度。為反型層厚度。xi典型典型值為值為110nm，遠(yuǎn)小于表面耗盡層的，遠(yuǎn)小于表面耗盡層的寬度。寬度。FECEiEFEVE0V0 xSQmQ積累時(shí))(a0VFEFEVEiECE00mQWqNAx耗盡時(shí))(b0VFEVEiECEFEix00mQx

12、WqNAnQ反型時(shí))(c圖 5. 3理想 MOS二極管的能帶圖及電荷分布FECEiEFEVE0V0 xSQmQ積累時(shí))(aFECEiEFEVE0V0 xSQmQ積累時(shí))(a0VFEFEVEiECE00mQWqNAx耗盡時(shí))(b0VFEFEVEiECE00mQWqNAx耗盡時(shí))(b0VFEVEiECEFEix00mQxWqNAnQ反型時(shí))(c0VFEVEiECEFEix00mQxWqNAnQ反型時(shí))(c圖 5. 3理想 MOS二極管的能帶圖及電荷分布FECEiEFEVE0V0 xSQmQ積累時(shí))(a0VFEFEVEiECE00mQWqNAx耗盡時(shí))(b0VFEVEiECEFEix00mQxWqN

13、AnQ反型時(shí))(c圖 5. 3理想 MOS二極管的能帶圖及電荷分布FECEiEFEVE0V0 xSQmQ積累時(shí))(aFECEiEFEVE0V0 xSQmQ積累時(shí))(a0VFEFEVEiECE00mQWqNAx耗盡時(shí))(b0VFEFEVEiECE00mQWqNAx耗盡時(shí))(b0VFEVEiECEFEix00mQxWqNAnQ反型時(shí))(c0VFEVEiECEFEix00mQxWqNAnQ反型時(shí))(c圖 5. 3理想 MOS二極管的能帶圖及電荷分布第第5 5章章 MOSMOS電容器及電容器及MOSFETMOSFET半導(dǎo)體器件物理半導(dǎo)體器件物理7下圖為下圖為p型半導(dǎo)體表面更為詳細(xì)的能帶圖。型半導(dǎo)體表面

14、更為詳細(xì)的能帶圖。半導(dǎo)體體內(nèi)的靜電半導(dǎo)體體內(nèi)的靜電勢(shì)勢(shì)定義為零定義為零，在半導(dǎo)體表面，在半導(dǎo)體表面=s，s稱為稱為表面勢(shì)表面勢(shì)。將電子與。將電子與空穴的濃度表示為空穴的濃度表示為的函數(shù)：的函數(shù)：當(dāng)能帶向下彎曲時(shí)，當(dāng)能帶向下彎曲時(shí)，為正值。為正值。表面載流子密度為表面載流子密度為expBpiq nnkTexpBpiqpnkTexpsBsiq nnkTexpBssiq pnkT一、表面耗盡區(qū)一、表面耗盡區(qū)第第5 5章章 MOSMOS電容器及電容器及MOSFETMOSFETFEVEiECE半導(dǎo)體表面gEBqqS0qSx半導(dǎo)體氧化層半導(dǎo)體表面x半導(dǎo)體氧化層半導(dǎo)體器件物理半導(dǎo)體器件物理8根據(jù)以上的討論，

15、表面勢(shì)可以分為以下情形：根據(jù)以上的討論，表面勢(shì)可以分為以下情形： ss0：空穴耗盡（能帶向下彎曲）；：空穴耗盡（能帶向下彎曲）； s=B：帶中情況，滿足：帶中情況，滿足ns=np=ni（本征濃度）；（本征濃度）； sB：反型（能帶向下彎曲超過(guò)費(fèi)米能級(jí)）。：反型（能帶向下彎曲超過(guò)費(fèi)米能級(jí)）。仿照單邊仿照單邊n+-p結(jié)空間電荷區(qū)結(jié)論，表面勢(shì)結(jié)空間電荷區(qū)結(jié)論，表面勢(shì)s為為22ASsqN W其中其中NA為半導(dǎo)體摻雜濃度，為半導(dǎo)體摻雜濃度，W為半導(dǎo)體耗盡區(qū)寬度，為半導(dǎo)體耗盡區(qū)寬度，s為半導(dǎo)體介電為半導(dǎo)體介電常數(shù)。常數(shù)。第第5 5章章 MOSMOS電容器及電容器及MOSFETMOSFET半導(dǎo)體器件物理半導(dǎo)

16、體器件物理9表面電子濃度等于襯底雜質(zhì)濃度是一個(gè)簡(jiǎn)單的判據(jù)，即表面電子濃度等于襯底雜質(zhì)濃度是一個(gè)簡(jiǎn)單的判據(jù)，即ns=NA。因?yàn)橐驗(yàn)?，由，由上式表明需要一個(gè)電勢(shì)上式表明需要一個(gè)電勢(shì)B將能帶彎曲至表面本征的條件將能帶彎曲至表面本征的條件（Ei=EF）；接著能帶還需要再?gòu)澢粋€(gè)）；接著能帶還需要再?gòu)澢粋€(gè)qB，以使表面達(dá)到強(qiáng)，以使表面達(dá)到強(qiáng)反型的狀態(tài)。反型的狀態(tài)。kTqnNBiAexp可得可得22lnAsBiNkTinvqn當(dāng)當(dāng)sB，表面發(fā)生反型表面發(fā)生反型。需要一個(gè)。需要一個(gè)判據(jù)判據(jù)來(lái)判斷強(qiáng)反型的起點(diǎn)。來(lái)判斷強(qiáng)反型的起點(diǎn)。在此之后則反型層中的電荷變得相當(dāng)顯著。在此之后則反型層中的電荷變得相當(dāng)顯著。

17、第第5 5章章 MOSMOS電容器及電容器及MOSFETMOSFETFEVEiECE半導(dǎo)體表面gEBqqS0qSx半導(dǎo)體氧化層半導(dǎo)體表面x半導(dǎo)體氧化層22ASsqN W半導(dǎo)體器件物理半導(dǎo)體器件物理10或或22ln2ln2AsBiNkTinvqnsAimAkTNnWq N當(dāng)表面為強(qiáng)反型時(shí)，當(dāng)表面為強(qiáng)反型時(shí)，表面耗盡區(qū)寬度達(dá)到最大值表面耗盡區(qū)寬度達(dá)到最大值。于是，當(dāng)。于是，當(dāng)s等于等于s(inv)，可得到表面耗盡區(qū)的最大寬度，可得到表面耗盡區(qū)的最大寬度Wm。22222sssBAsmsAAinvqN WWqNqN且且22scAmsABQqN WqN 第第5 5章章 MOSMOS電容器及電容器及MOS

18、FETMOSFET半導(dǎo)體器件物理半導(dǎo)體器件物理其中其中Eo為氧化層中的電場(chǎng)為氧化層中的電場(chǎng)，Qs為半導(dǎo)體中為半導(dǎo)體中單位面積的電荷單位面積的電荷，Co=ox/d為單位面積的氧為單位面積的氧化層電容化層電容，相應(yīng)的靜電勢(shì)分布如圖，相應(yīng)的靜電勢(shì)分布如圖(d)所示。所示。二、理想二、理想MOS曲線曲線圖圖(a)為一理想為一理想MOS電容器的能帶圖，電電容器的能帶圖，電荷的分布情形如圖荷的分布情形如圖(b)所示。所示。沒(méi)有功函數(shù)差時(shí)，外加的電壓部分降落沒(méi)有功函數(shù)差時(shí)，外加的電壓部分降落于氧化層、部分降落于半導(dǎo)體，因此于氧化層、部分降落于半導(dǎo)體，因此其中其中Vo為氧化層的電壓降為氧化層的電壓降，由圖，由

19、圖(c)可得可得osVVssoooxoQ dQVE dCFEVEiECEoqV0VsqBq中性區(qū)耗盡區(qū)反型區(qū)ixFE二極管的能帶圖理想MOS)(aFEVEiECEoqV0VsqBq中性區(qū)耗盡區(qū)反型區(qū)ixFEFEVEiECEoqV0VsqBq中性區(qū)耗盡區(qū)反型區(qū)ixFE二極管的能帶圖理想MOS)(a)(sxdMQnQsQ0WxAqN反型時(shí)的電荷分布情形)(b)(sxdMQnQsQ0WxAqN)(sxdMQnQsQ0WxAqN反型時(shí)的電荷分布情形)(bd0Wx)(xEooxSEQ電場(chǎng)分布)(cd0Wx)(xEooxSEQd0Wx)(xEooxSEQooxSEQ電場(chǎng)分布)(cd0WxVoVS)(x電勢(shì)

20、分布)(dd0WxVoVS)(xd0WxVoVS)(x電勢(shì)分布)(d圖 5. 6圖圖(a)FEVEiECEoqV0VsqBq中性區(qū)耗盡區(qū)反型區(qū)ixFE二極管的能帶圖理想MOS)(aFEVEiECEoqV0VsqBq中性區(qū)耗盡區(qū)反型區(qū)ixFEFEVEiECEoqV0VsqBq中性區(qū)耗盡區(qū)反型區(qū)ixFE二極管的能帶圖理想MOS)(a)(sxdMQnQsQ0WxAqN反型時(shí)的電荷分布情形)(b)(sxdMQnQsQ0WxAqN)(sxdMQnQsQ0WxAqN反型時(shí)的電荷分布情形)(bd0Wx)(xEooxSEQ電場(chǎng)分布)(cd0Wx)(xEooxSEQd0Wx)(xEooxSEQooxSEQ電場(chǎng)分

21、布)(cd0WxVoVS)(x電勢(shì)分布)(dd0WxVoVS)(xd0WxVoVS)(x電勢(shì)分布)(d圖 5. 6圖圖(b)FEVEiECEoqV0VsqBq中性區(qū)耗盡區(qū)反型區(qū)ixFE二極管的能帶圖理想MOS)(aFEVEiECEoqV0VsqBq中性區(qū)耗盡區(qū)反型區(qū)ixFEFEVEiECEoqV0VsqBq中性區(qū)耗盡區(qū)反型區(qū)ixFE二極管的能帶圖理想MOS)(a)(sxdMQnQsQ0WxAqN反型時(shí)的電荷分布情形)(b)(sxdMQnQsQ0WxAqN)(sxdMQnQsQ0WxAqN反型時(shí)的電荷分布情形)(bd0Wx)(xEooxSEQ電場(chǎng)分布)(cd0Wx)(xEooxSEQd0Wx)(

22、xEooxSEQooxSEQ電場(chǎng)分布)(cd0WxVoVS)(x電勢(shì)分布)(dd0WxVoVS)(xd0WxVoVS)(x電勢(shì)分布)(d圖 5. 6圖圖(c)圖圖(d)11第第5 5章章 MOSMOS電容器及電容器及MOSFETMOSFET半導(dǎo)體器件物理半導(dǎo)體器件物理由上式和由上式和MOS電容器的總電容電容器的總電容C為為氧化層電容氧化層電容Co與半導(dǎo)體中的與半導(dǎo)體中的耗盡層電耗盡層電容容Cj的的串聯(lián)串聯(lián)，如左圖所示。，如左圖所示。其中其中Cj=s/W，如同突變，如同突變p-n結(jié)一樣。結(jié)一樣。 2ojojC CCF cmCCTVoCminCVdoCjC0TVoCminCTVoCminCVdoC

23、jCVdoCjCdoCjC0VV /插圖為串聯(lián)的電容器部分圖，虛線顯示其近似高頻VCMOS(a)VV /6 . 08 . 00 . 1010201020o/CCHz10Hz102Hz104Hz103Hz1052SiOSi316Acm1045. 1Nnm200dVV /6 . 08 . 00 . 1010201020o/CCHz10Hz102Hz104Hz103Hz1052SiOSi316Acm1045. 1Nnm200d圖的頻率效應(yīng)VCb)(圖 5.7可消去可消去W，得到電容的公式：，得到電容的公式：sAsWqN22222121ooxAsCF cmCVqNdosVVssoooxoQ dQVE

24、dC12第第5 5章章 MOSMOS電容器及電容器及MOSFETMOSFET半導(dǎo)體器件物理半導(dǎo)體器件物理 強(qiáng)反型發(fā)生強(qiáng)反型發(fā)生時(shí)，耗盡區(qū)寬度將不再隨偏壓的增加而增加，該時(shí)，耗盡區(qū)寬度將不再隨偏壓的增加而增加，該情況發(fā)生于金屬極板電壓使表面勢(shì)情況發(fā)生于金屬極板電壓使表面勢(shì)s達(dá)到達(dá)到s(inv)時(shí)，將時(shí)，將s(inv)代入代入V=Vo+s，注意單位面積的電荷為，注意單位面積的電荷為qNAWm，可得，可得強(qiáng)反型剛發(fā)生時(shí)的金屬板電壓，稱為閾值電壓強(qiáng)反型剛發(fā)生時(shí)的金屬板電壓，稱為閾值電壓： 表面開(kāi)始耗盡表面開(kāi)始耗盡時(shí)，電容將隨著金屬極板上電壓的增加而下降。時(shí)，電容將隨著金屬極板上電壓的增加而下降。 外加

25、電壓為負(fù)外加電壓為負(fù)時(shí)，無(wú)耗盡區(qū)，在半導(dǎo)體表面得到積累的空穴，時(shí)，無(wú)耗盡區(qū)，在半導(dǎo)體表面得到積累的空穴，因此，總電容將很接近氧化層電容因此，總電容將很接近氧化層電容ox/d。222sABSAmTSSBoooqNQqN WVinvinvCCC222121ooxAsCF cmCVqNd13第第5 5章章 MOSMOS電容器及電容器及MOSFETMOSFET半導(dǎo)體器件物理半導(dǎo)體器件物理一理想一理想MOS電容器的典型電容電容器的典型電容-電電壓特性如右圖所示，包含耗盡近似壓特性如右圖所示，包含耗盡近似與精確計(jì)算值（實(shí)線）。注意兩者與精確計(jì)算值（實(shí)線）。注意兩者相當(dāng)接近。相當(dāng)接近。一旦強(qiáng)反型發(fā)生，總電容

26、將保持在最小值，此時(shí)有一旦強(qiáng)反型發(fā)生，總電容將保持在最小值，此時(shí)有Cj=s/WmmsoxoxWdCminTVoCminCVdoCjC0TVoCminCTVoCminCVdoCjCVdoCjCdoCjC0VV /插圖為串聯(lián)的電容器部分圖，虛線顯示其近似高頻VCMOS(a)VV /6 . 08 . 00 . 1010201020o/CCHz10Hz102Hz104Hz103Hz1052SiOSi316Acm1045. 1Nnm200dVV /6 . 08 . 00 . 1010201020o/CCHz10Hz102Hz104Hz103Hz1052SiOSi316Acm1045. 1Nnm200d圖的頻率效應(yīng)VCb)(圖 5.7對(duì)對(duì)n型襯底型襯底，所有的結(jié)論，只要適當(dāng)變更相應(yīng)的正負(fù)符號(hào)和記，所有的結(jié)論，只要適當(dāng)變更相應(yīng)的正負(fù)符號(hào)和記號(hào)（如將號(hào)（如將Qp換成換成Qn），都同樣適用。其電容），都同樣