R2R 架構(gòu)與電阻串 DAC 架構(gòu)的區(qū)別何在-_第1頁(yè)
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1、r2r 架構(gòu)與電阻串 dac 架構(gòu)的區(qū)別何在?校修完其主干課程以后,您可能會(huì)認(rèn)為您已理解了這些的全部基本功能。大多數(shù)人均對(duì) adc 的工作原理有了一個(gè)很好的了解,但是對(duì) dac 的工作原理卻不太認(rèn)識(shí),它畢竟有何功能呢?同樣,對(duì)于大多數(shù)人來(lái)說(shuō),dac 只不過(guò)是一個(gè)輸入端為數(shù)字信號(hào)數(shù)據(jù)而輸出端為模擬信號(hào)數(shù)據(jù)的“黑匣子”。惟獨(dú)為數(shù)不多的人知道其在架構(gòu)方面的區(qū)分,以及與 r2r 梯形架構(gòu)相比一個(gè)串架構(gòu) (string architecture) 所具有的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),反之亦然。了解他們之間的不同之處并了解這些通用 dac 的工作原理可以使設(shè)計(jì)人員為其應(yīng)用挑選最佳的 dac。因?yàn)?dac 通常被視為一個(gè)輸

2、入端為數(shù)字信號(hào)數(shù)據(jù)而輸出端為模擬信號(hào)數(shù)據(jù)的“黑匣子”,所以在這一點(diǎn)上我就不多說(shuō)了。數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)可以是串行數(shù)據(jù)格式也可以是并行數(shù)據(jù)格式。串行接口(例如,對(duì)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)流舉行串行傳輸?shù)?spi 或 i2c 接口)就像是一個(gè)進(jìn)入“黑匣子”的項(xiàng)鏈或鏈條,而并行接口會(huì)將一個(gè)時(shí)鐘周期中全部的須要的比特?cái)?shù)加載到該器件中。在該器件的另一端,模擬輸出信號(hào)為是一個(gè)或一個(gè),請(qǐng)參見(jiàn)圖1。圖 1數(shù)模轉(zhuǎn)換器的主要功能不同的輸入接口所提供的數(shù)據(jù)格式也有所不同,所以在速度、引腳數(shù)量、芯片面積、器件尺寸以及靈便性上都有很大的不同。然而,這兩種接口(串行接口或并行接口)均可以將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸入到該器件中。一旦數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)被輸入到黑匣子(第一個(gè)功

3、能塊),那么輸入寄存器就會(huì)像串行-并行轉(zhuǎn)換那樣工作,或者在多通道器件中對(duì)該數(shù)據(jù)舉行存儲(chǔ),直到該數(shù)據(jù)被傳輸至單個(gè) dac 寄存器中。在輸入寄存器和 dac 架構(gòu)之間起銜接作用的 dac 寄存器將起到一個(gè)存儲(chǔ)器的作用,并對(duì)數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)加以存儲(chǔ)。在 dac 設(shè)計(jì)之初,該 dac 寄存器為一個(gè)保存數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的外部存儲(chǔ)器。假如沒(méi)有 該 dac 寄存器,那么因?yàn)榈膶?shí)時(shí)饋入,dac 的輸出將隨著外部輸入總路途的任何變幻而立刻發(fā)生變幻。在用戶打算用新代碼更新 dac 寄存器之前,該數(shù)據(jù)會(huì)向來(lái)駐留在 dac 寄存器之中。dac 寄存器主要起到了一個(gè)觸發(fā)電路的作用。圖2基本的功能塊架構(gòu)當(dāng)今的高精度 dac 主要采納了兩

4、種架構(gòu):r2r 架構(gòu)和電阻串架構(gòu)。這兩種架構(gòu)均為采納了一些數(shù)字控制規(guī)律的模擬電路。通過(guò)一款基本的 r2r 架構(gòu),就有可能生成一個(gè)電流輸出或電壓輸出;而電阻串架構(gòu)只能利用一個(gè)輸出緩沖器生成一個(gè)電壓輸出,2中的輸出電路結(jié)構(gòu)圖所示。在電流輸出的狀況下,沒(méi)有實(shí)施輸出緩沖器。電阻串架構(gòu)顧名思義,電阻串架構(gòu)就是一個(gè)以串聯(lián)形式放置的一串電阻,以構(gòu)建一個(gè)電阻串。從理論上來(lái)說(shuō),您可能會(huì)需要 256 個(gè)電阻才干構(gòu)建一款 8 位 dac (28 = 256),(請(qǐng)參見(jiàn)圖3)。圖 3主要的電壓輸出電阻串架構(gòu)提高精度也就是說(shuō)要增強(qiáng)所需電阻的數(shù)量以構(gòu)建一個(gè)電阻串 dac。對(duì)于一款 16 位dac 而言,可能需要65,53

5、6 個(gè)電阻才干生成全部可能的電壓/數(shù)字階躍 (step)。但是,在現(xiàn)實(shí)真正的設(shè)計(jì)中,在一顆芯片上實(shí)施近 66,000 個(gè)電阻是不切實(shí)際的,對(duì)于當(dāng)今的小封裝,低功耗和低成本要求而言尤為如此。因此,設(shè)計(jì)人員推出了其它更小的電路設(shè)計(jì)計(jì)劃,如可降低電阻串上所需電阻數(shù)量以及接觸點(diǎn)的內(nèi)插式放大器,從而實(shí)現(xiàn)了功耗更低且更節(jié)約空間的設(shè)計(jì)。該內(nèi)插式放大器用來(lái)代替輸出緩沖器。當(dāng)今的一些電阻串架構(gòu)擁有一個(gè)可用作放大器外部反饋環(huán)路的引腳。圖3顯示了一款包含了內(nèi)部輸出緩沖器的電阻串架構(gòu),該緩沖器可生成相當(dāng)于數(shù)字輸入代碼的電壓輸出。因?yàn)樘囟ǖ碾娮璐軜?gòu),電阻串 dac 具有低成本和保證單調(diào)性能的優(yōu)點(diǎn)。值得一提的另外一個(gè)很

6、重要的優(yōu)點(diǎn)是可以實(shí)現(xiàn)小型封裝的低功耗和小裸片面積,從而使他們十分適合便攜式應(yīng)用。其另外一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是輸出緩沖器已經(jīng)包括在該架構(gòu)之中,從而無(wú)需用法更多的板上外部組件。第二,該輸出緩沖器還實(shí)現(xiàn)了內(nèi)部電阻和模擬電路與外界的隔離,這在低阻抗電路中十分實(shí)用。許多應(yīng)用都要求低突波能量,這也是電阻串架構(gòu)的另外一個(gè)優(yōu)點(diǎn)所在。另一方面,因?yàn)殡娮璐O(shè)計(jì)的更高阻抗,所以其噪聲通常會(huì)高于 r2r 架構(gòu)的噪聲。設(shè)計(jì)人員還應(yīng)當(dāng)清晰地知道有限的精度(亦稱為積分非線性 (inl)。較早的設(shè)計(jì)通常在中-60 最低位 (lsb) 提供 inl 數(shù)字,而較新型的一些設(shè)計(jì)則利用改進(jìn)的工藝技術(shù),現(xiàn)在可以在 4lsb 區(qū)域提供典型的 inl

7、 數(shù)字。對(duì)于諸如馬達(dá)控制或過(guò)程控制的許多閉環(huán)應(yīng)用而言,一個(gè)典型的 4 lsb inl 就已經(jīng)足夠了。然而,對(duì)于其它應(yīng)用而言(如:自動(dòng)測(cè)試設(shè)備),這還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠,那些應(yīng)用通常需要1 lsb inl。因此,就有了另外一種不同的架構(gòu):r2r 架構(gòu)。r2r架構(gòu)r2r 架構(gòu)主要是由形成一個(gè)電阻梯形的并聯(lián)電阻組成。圖4顯示了一種可能的 r2r 梯形,這是一款乘法 dac (mdac),其 r2r 梯形的頂部與外部參考電壓相連。訪架構(gòu)可以輸出一個(gè)相當(dāng)于數(shù)字輸入代碼的電流。圖 4主要的電流輸出r2r架構(gòu)在硅片中實(shí)施一個(gè) r2r 梯形的另一種辦法5所示。其外部參考電壓沒(méi)有和 r2r梯形挺直銜接。按照不同的數(shù)字輸入

8、代碼,開關(guān)將通過(guò) r2r 網(wǎng)絡(luò)把參考電壓或接地電平銜接至輸出緩沖器,該輸出緩沖器將所生成的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成輸出電壓。圖 5主要的電壓輸出r2r架構(gòu)圖5所示的架構(gòu)只允許從 0v 到應(yīng)用外部參考電壓的單極輸出電壓(請(qǐng)注重,dac 的電源電壓必需等于或高于參考電壓)。通過(guò)將接地電平銜接至一個(gè)額外的外部負(fù)參考電壓可以對(duì)后來(lái)提及的架構(gòu)舉行修改,而通過(guò)修改該架構(gòu)則可以實(shí)現(xiàn)雙極運(yùn)行。圖6顯示了修改后的架構(gòu)。此種類型的架構(gòu)還可用于挑選靈便的參考電壓。雖然 vrefl 可以為負(fù)電壓,但不需要讓其為負(fù)電壓。但是,vrefl 必需要低于 vrefh。詳盡的描述與參數(shù)請(qǐng)參見(jiàn)現(xiàn)有的產(chǎn)品解釋書,如:dac7714 。圖 6

9、主要的雙極r2r架構(gòu)r2r dac 具有低噪聲和高精度的優(yōu)點(diǎn),其可能會(huì)提供 ±1 lsb inl 的卓越精度和dnl 性能。而且,該架構(gòu)可實(shí)現(xiàn)高電壓輸出,mdac 擁有較快的建立時(shí)光(小于 0.3 sec),以及大于 10 mhz 的乘法帶寬。普通而言,其他 r2r 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)僅擁有中等的建立時(shí)光性能。對(duì)于更寬泛的應(yīng)用范圍(如數(shù)控校驗(yàn)或工業(yè)可編程規(guī)律控制 ()而言,mdac 在用法設(shè)計(jì)人員所挑選的外部輸出緩沖器方面的靈便性使該架構(gòu)類型更為實(shí)用。設(shè)計(jì)人員可以為特定的應(yīng)用選擇最佳的。另一方面,對(duì)于板上器件數(shù)量不斷增強(qiáng)的低阻抗銜接而言,需要一個(gè)外部緩沖器。第二,與 r2r 架構(gòu)相比,突波能量固然更適合電阻串架構(gòu),因此,對(duì)于波形生成和其他突波能量敏感型應(yīng)用而言,很少采納 r2r dac。結(jié)論我們不但要考慮諸如增益誤差或偏移誤差等其他電氣規(guī)范,而且還要考慮隨著溫度變幻而發(fā)生的漂移或滿量程誤差等重要的參數(shù),這些參

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