章晶體管及其放大電路ppt課件

1、模 擬 電 子 技 術(shù)2.1 晶體管晶體管2.2 放大的概念及放大電路的性能指標(biāo)放大的概念及放大電路的性能指標(biāo)2.3 共發(fā)射極放大電路的組成及工作原理共發(fā)射極放大電路的組成及工作原理2.4 放大電路的圖解分析放大電路的圖解分析法法2.5 放大電路的微變等效電路分析法放大電路的微變等效電路分析法2.6 分壓式穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)電路分壓式穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)電路2.7 共集電極放大電共集電極放大電路路2.8 2.8 共基極放大電路共基極放大電路2.9 2.9 組合單元放大電路組合單元放大電路小結(jié)小結(jié)第第2章章 晶體管及其基本放大電路晶體管及其基本放大電路模 擬 電 子 技 術(shù)2.1.1 晶體三極管晶體三極管

2、2.1.2 晶體三極管的特性曲線晶體三極管的特性曲線2.1.3 晶體三極管的主要參數(shù)晶體三極管的主要參數(shù)模 擬 電 子 技 術(shù)( (Semiconductor Transistor) )2.1.1 晶體三極管晶體三極管一、結(jié)構(gòu)、符號(hào)和分類一、結(jié)構(gòu)、符號(hào)和分類NNP發(fā)射極發(fā)射極 E基極基極 B集電極集電極 C發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電結(jié) 基區(qū)基區(qū) 發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū) 集電區(qū)集電區(qū)emitterbasecollectorNPN 型型PPNEBCPNP 型型ECBECB模 擬 電 子 技 術(shù)分類分類：按材料分：按材料分： 硅管、鍺管硅管、鍺管按功率分：按功率分： 小功率管小功率管 1 W中功率管中功率管 0.

3、5 1 W模 擬 電 子 技 術(shù) 為了實(shí)現(xiàn)控制和放大作用，具有決定意義的一點(diǎn)是晶為了實(shí)現(xiàn)控制和放大作用，具有決定意義的一點(diǎn)是晶體管的三個(gè)區(qū)在結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度上有很大的不同。體管的三個(gè)區(qū)在結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度上有很大的不同。1、基區(qū)很薄，厚度一般只有、基區(qū)很薄，厚度一般只有1幾幾u(yù)m，摻雜濃度最低；，摻雜濃度最低；2、另外兩個(gè)摻雜區(qū)，雖然類型相同，但其中發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)大、另外兩個(gè)摻雜區(qū)，雖然類型相同，但其中發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)大于集電區(qū)。于集電區(qū)。NNP發(fā)射極發(fā)射極 E基極基極 B集電極集電極 C發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)集電結(jié)集電結(jié) 基區(qū)基區(qū) 發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū) 集電區(qū)集電區(qū)二、電流放大原理二、電流放大原理模

4、擬 電 子 技 術(shù)雙極型晶體管中的電流控制作用雙極型晶體管中的電流控制作用 以以NPN型晶體管為例。型晶體管為例。1、兩個(gè)、兩個(gè)PN結(jié)均無(wú)外加電壓結(jié)均無(wú)外加電壓 兩個(gè)兩個(gè)PN結(jié)的載流子運(yùn)動(dòng)處于動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)，凈電流結(jié)的載流子運(yùn)動(dòng)處于動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)，凈電流為零。為零。圖圖2-2 兩個(gè)兩個(gè)PN結(jié)均無(wú)外加電壓結(jié)均無(wú)外加電壓模 擬 電 子 技 術(shù)2 2、發(fā)射結(jié)加正向電壓，集電結(jié)加反向電壓、發(fā)射結(jié)加正向電壓，集電結(jié)加反向電壓先看發(fā)射結(jié)的情況先看發(fā)射結(jié)的情況模 擬 電 子 技 術(shù)模 擬 電 子 技 術(shù) 結(jié)論：由結(jié)論：由e區(qū)發(fā)射出的電子數(shù)（對(duì)應(yīng)于區(qū)發(fā)射出的電子數(shù)（對(duì)應(yīng)于IE）中，只有）中，只有極少部分有機(jī)會(huì)在極

5、少部分有機(jī)會(huì)在b區(qū)與空穴復(fù)合（對(duì)應(yīng)于區(qū)與空穴復(fù)合（對(duì)應(yīng)于IBN），而其），而其中絕大部分的電子將被反向偏置的集電結(jié)的電場(chǎng)吸引中絕大部分的電子將被反向偏置的集電結(jié)的電場(chǎng)吸引（或收集）而到達(dá)集電區(qū)（對(duì)應(yīng)于（或收集）而到達(dá)集電區(qū)（對(duì)應(yīng)于ICN）。這三者之間的）。這三者之間的關(guān)系為：關(guān)系為：CNBNEIII3、電流控制作用及其實(shí)現(xiàn)條件、電流控制作用及其實(shí)現(xiàn)條件 在一個(gè)結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度已定的晶體管中，在正常工作條件下，在一個(gè)結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度已定的晶體管中，在正常工作條件下，最終被最終被c區(qū)收集的電子數(shù)和在區(qū)收集的電子數(shù)和在e區(qū)發(fā)射的總電子數(shù)中所占的比例是一定區(qū)發(fā)射的總電子數(shù)中所占的比例是一定的。用的

6、。用 表示這個(gè)比例。表示這個(gè)比例。ECNII或或ECNII因此有：因此有：定義：定義：ECNEBNIIII)1 (1BNCNII1模 擬 電 子 技 術(shù)討論：討論：1） 總是小于總是小于1，但由于晶體管結(jié)構(gòu)上的保證，但由于晶體管結(jié)構(gòu)上的保證， 又非常接近于又非常接近于 1，一般可達(dá)，一般可達(dá)0.950.995；2）與）與 對(duì)應(yīng)的對(duì)應(yīng)的 值為值為19199，換言之，換言之，ICN比比IBN大很多倍。大很多倍。結(jié)論：由于電流之間存在一定的比例關(guān)系，因結(jié)論：由于電流之間存在一定的比例關(guān)系，因此，可實(shí)現(xiàn)電流的控制和放大作用，改變此，可實(shí)現(xiàn)電流的控制和放大作用，改變IE可可以改變以改變ICN，只要稍稍改

7、變，只要稍稍改變IBN，就可以使，就可以使ICN有有很大的變化。很大的變化。模 擬 電 子 技 術(shù)4、晶體管各級(jí)電流之間的基本關(guān)系式、晶體管各級(jí)電流之間的基本關(guān)系式 除了除了IBN、IE、ICN外，在外，在c結(jié)反向電壓作用下，結(jié)反向電壓作用下，b區(qū)的區(qū)的少子電子和少子電子和C區(qū)的少子空穴還會(huì)形成漂移電流，叫做區(qū)的少子空穴還會(huì)形成漂移電流，叫做“集集電極反向飽和電流電極反向飽和電流”，ICBO表示。表示。模 擬 電 子 技 術(shù)這樣就有：這樣就有：CBOCNCII）I宏觀的值(CBOBNBII）I宏觀的值(CBCBOBCBOCBNCNEIIIIIIIII)()(集電極電流為：集電極電流為：基極電流

8、為：基極電流為：發(fā)射極電流為：發(fā)射極電流為：當(dāng)管子制成后，發(fā)射區(qū)載流子濃度、基區(qū)寬度、集當(dāng)管子制成后，發(fā)射區(qū)載流子濃度、基區(qū)寬度、集電結(jié)面積等確定，故電流的比例關(guān)系確定，即：電結(jié)面積等確定，故電流的比例關(guān)系確定，即：BNCNII CEOBCBOBC)1(IIIII 穿透電流穿透電流CBOBCBOCIIII 模 擬 電 子 技 術(shù)IE = IC + IBCEOBCIII BCEIII BC II BE )1(II CEOBE )1(III 溫度不太高時(shí)，溫度不太高時(shí)，可簡(jiǎn)化為可簡(jiǎn)化為模 擬 電 子 技 術(shù)上述結(jié)果是必然的，滿足基爾霍夫定律。上述結(jié)果是必然的，滿足基爾霍夫定律。對(duì)對(duì)NPN型管，電流

9、方向是：型管，電流方向是：IC和和IB分別流入分別流入c極和極和b極，而極，而IE流出流出e極。極。如下圖所示。如下圖所示。箭頭表示發(fā)射結(jié)正偏時(shí)的電流箭頭表示發(fā)射結(jié)正偏時(shí)的電流方向，從箭頭可知，方向，從箭頭可知，b區(qū)是區(qū)是P型型半導(dǎo)體，半導(dǎo)體，e區(qū)是區(qū)是N型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。對(duì)對(duì)PNP型管，電流方向是：型管，電流方向是：IC和和IB分別流出分別流出c極和極和b極，而極，而IE流進(jìn)流進(jìn)e極。極。如圖所示。如圖所示。模 擬 電 子 技 術(shù)實(shí)現(xiàn)電流控制和放大作用的條件：實(shí)現(xiàn)電流控制和放大作用的條件：1.“內(nèi)因內(nèi)因”：三個(gè)濃度不同的摻雜區(qū)；：三個(gè)濃度不同的摻雜區(qū)；2.“外因外因”：外加直流電源的極性必

10、須保證：外加直流電源的極性必須保證： 1）發(fā)射結(jié)（）發(fā)射結(jié)（ e 結(jié)）正偏。結(jié)）正偏。 對(duì)對(duì)NPN型管，型管，UBE0，使，使e區(qū)向區(qū)向b區(qū)注入大量多子電子。區(qū)注入大量多子電子。 對(duì)對(duì)PNP型管，型管，UBE0，使，使e區(qū)向區(qū)向b區(qū)注入大量多子空穴。區(qū)注入大量多子空穴。 2）集電結(jié)）集電結(jié) （c結(jié)）反偏。對(duì)結(jié)）反偏。對(duì)NPN型管，型管，UBC00和和U UCECE0.7V0 0 發(fā)射結(jié)要正偏發(fā)射結(jié)要正偏又又U UBCBC=U=UBEBE-U-UCECE，U UBEBE0.7V0.7V， U UBCBC 0 0 即集電結(jié)也要正偏。即集電結(jié)也要正偏。飽和區(qū)的特點(diǎn)：飽和區(qū)的特點(diǎn)：A A、U UCEC

11、E小，晶體管小，晶體管C C、E E之間的電壓叫飽和壓降，記為之間的電壓叫飽和壓降，記為UcesUces，對(duì)，對(duì)于小功率管約為于小功率管約為0.3V0.3V，對(duì)于大功率管常達(dá)，對(duì)于大功率管常達(dá)1V1V。B B、I IC C與與U UCECE有很大的關(guān)系。有很大的關(guān)系。解釋如下：解釋如下： U UBCBC=U=UBEBEU UCECEUUCECE 小，小，U UCBCB大，大，c c結(jié)正向偏置程度大，結(jié)正向偏置程度大，c c結(jié)吸引來(lái)自結(jié)吸引來(lái)自e e區(qū)多子區(qū)多子的能力小，的能力小，I IC C小；小；U UCECE 大，大，U UCBCB小，小， c c結(jié)正向偏置程度小，結(jié)正向偏置程度小，c c

12、結(jié)吸引來(lái)自結(jié)吸引來(lái)自e e區(qū)多子的能力大，區(qū)多子的能力大，I IC C 大。即大。即U UCECE大，大，I IC C大。大。C C、各輸出特性曲線的起始部分比較密集。、各輸出特性曲線的起始部分比較密集。模 擬 電 子 技 術(shù)iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 43212. 放大區(qū)：放大區(qū)：CEOBCIII 放大區(qū)放大區(qū)截止區(qū)截止區(qū)條件：條件： 發(fā)射結(jié)正偏發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏特點(diǎn)：特點(diǎn)： 水平、等間隔水平、等間隔ICEO模 擬 電 子 技 術(shù)放大區(qū)有以下三個(gè)特點(diǎn)：放大區(qū)有以下三個(gè)特點(diǎn)： (1)(1)基極電流基極電流i i

13、B B對(duì)集電極電流對(duì)集電極電流i iC C有很強(qiáng)的控制作用，即有很強(qiáng)的控制作用，即i iB B有很小有很小的變化量的變化量 I IB B時(shí)，時(shí)， i iC C就會(huì)有很大的變化量就會(huì)有很大的變化量 I IC C。為此，用共發(fā)。為此，用共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)射極交流電流放大系數(shù) 來(lái)表示這種控制能力。來(lái)表示這種控制能力。 定義為定義為常數(shù)EuBCII 反映在特性曲線上，為兩條不同反映在特性曲線上，為兩條不同I IB B曲線的間隔曲線的間隔。 (2) U(2) UCECE變化對(duì)變化對(duì)I IC C的影響很小。由于基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)，每條曲線也不的影響很小。由于基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)，每條曲線也不 是完全水平，

14、而是隨是完全水平，而是隨U UCECE的增大向上傾斜的。的增大向上傾斜的。（3 3）I IB B=0=0的曲線相當(dāng)于的曲線相當(dāng)于b b極斷開，即極斷開，即I IC C=I=ICEOCEO的情況，從這條特性曲線的情況，從這條特性曲線 可以估計(jì)穿透電流可以估計(jì)穿透電流I ICEOCEO的大小。的大小。模 擬 電 子 技 術(shù)模 擬 電 子 技 術(shù)三、溫度對(duì)特性曲線的影響三、溫度對(duì)特性曲線的影響1. 溫度升高，輸入特性曲線溫度升高，輸入特性曲線向左移。向左移。溫度每升高溫度每升高 1 C，UBE (2 2.5) mV。溫度每升高溫度每升高 10 C，ICBO 約增大約增大 1 倍。倍。BEuBiOT2

15、 T1模 擬 電 子 技 術(shù)2. 溫度升高，輸出特性曲線溫度升高，輸出特性曲線向上移。向上移。iCuCE T1iB = 0T2 iB = 0iB = 0溫度每升高溫度每升高 1 C， (0.5 1)%。輸出特性曲線間距增大。輸出特性曲線間距增大。O模 擬 電 子 技 術(shù)2.1.6 晶體三極管的主要參數(shù)晶體三極管的主要參數(shù)一、電流放大系數(shù)一、電流放大系數(shù)1. 共發(fā)射極電流放大系數(shù)共發(fā)射極電流放大系數(shù)iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 4321 直流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)BCCBOBCBOCBNCNIIIIIIII 交流電流放大系

16、數(shù)交流電流放大系數(shù) BiiC一般為幾十一般為幾十 幾百幾百Q(mào)82A1030A1045. 263 80108 . 0A1010A10)65. 145. 2(63 模 擬 電 子 技 術(shù)iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 43212. 共基極電流放大系數(shù)共基極電流放大系數(shù)11BCCECIIIII 1 一般在一般在 0.98 以上。以上。 Q988. 018080 二、極間反向飽和電流二、極間反向飽和電流CB 極極間反向飽和電流間反向飽和電流 ICBO，CE 極極間反向飽和電流間反向飽和電流 ICEO。模 擬 電 子 技 術(shù)三、極限參數(shù)三

17、、極限參數(shù)1. ICM 集電極最大允許電流，超過(guò)時(shí)集電極最大允許電流，超過(guò)時(shí) 值明顯降低。值明顯降低。2. PCM 集電極最大允許功率損耗集電極最大允許功率損耗PC = iC uCE。iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安安全全 工工 作作 區(qū)區(qū)模 擬 電 子 技 術(shù)U( (BR) )CBO 發(fā)射極開路時(shí)發(fā)射極開路時(shí) C、B 極極間反向擊穿電壓。間反向擊穿電壓。3. U( (BR) )CEO 基極開路時(shí)基極開路時(shí) C、E 極極間反向擊穿電壓。間反向擊穿電壓。U( (BR) )EBO 集電極極開路時(shí)集電極極開路時(shí) E、B 極極間反向擊穿電壓。間反向擊穿電壓。U( (BR) )CBO

18、U( (BR) )CEO U( (BR) )EBO ( (P34 2.1.7) )已知已知:ICM = 20 mA, PCM = 100 mW，U(BR)CEO = 20 V，當(dāng)當(dāng) UCE = 10 V 時(shí)，時(shí)，IC mA當(dāng)當(dāng) UCE = 1 V，則，則 IC mA當(dāng)當(dāng) IC = 2 mA，則，則 UCE Ibm 。模 擬 電 子 技 術(shù)2.“Q”過(guò)高引起飽和失真過(guò)高引起飽和失真ICS集電極臨界集電極臨界飽和電流飽和電流NPN 管：管：底部底部失真為飽和失真。失真為飽和失真。PNP 管：管：頂部頂部失真為飽和失真。失真為飽和失真。IBS 基極臨界飽和電流?；鶚O臨界飽和電流。不發(fā)生飽和失真的條件

19、：不發(fā)生飽和失真的條件： IBQ + I bm IBSuCEiCt OOiCO tuCEQV CC模 擬 電 子 技 術(shù)2.4.5 最大輸出電壓幅度最大輸出電壓幅度LR放大電路在電路參數(shù)確定的條件下，輸出端不發(fā)生飽和失真放大電路在電路參數(shù)確定的條件下，輸出端不發(fā)生飽和失真和截止失真的最大輸出信號(hào)電壓的幅值稱為最大不失真輸出和截止失真的最大輸出信號(hào)電壓的幅值稱為最大不失真輸出電壓幅值電壓幅值(Uom)M模 擬 電 子 技 術(shù)放大器最大不失真輸出電壓的峰值放大器最大不失真輸出電壓的峰值(Uom)M為為UF、UR所確定所確定的數(shù)值中較小的一個(gè)的數(shù)值中較小的一個(gè)(1) 受截止失真限制最大不失真輸出電壓

20、受截止失真限制最大不失真輸出電壓UF的幅度的幅度,LCQFRIU(2) 受飽和失真限制最大不失真輸出電壓受飽和失真限制最大不失真輸出電壓UR的幅度的幅度CESCEQRUUU(Uom)M = minUR,UF模 擬 電 子 技 術(shù) 式中，式中，UCES表示晶體管的臨界飽和壓降，一般取為表示晶體管的臨界飽和壓降，一般取為1V。比較以上二式所確定的數(shù)值，其中比較以上二式所確定的數(shù)值，其中較小的即為放大器最大不較小的即為放大器最大不失真輸出電壓的幅度，失真輸出電壓的幅度，而輸出動(dòng)態(tài)范圍而輸出動(dòng)態(tài)范圍Uopp則為該幅度的兩倍，則為該幅度的兩倍，即即 Uopp=2Uom 顯然，為了充分利用晶體管的放大區(qū)，

21、使輸出動(dòng)態(tài)范圍顯然，為了充分利用晶體管的放大區(qū)，使輸出動(dòng)態(tài)范圍最大，直流工作點(diǎn)應(yīng)選在交流負(fù)載線的中點(diǎn)處。最大，直流工作點(diǎn)應(yīng)選在交流負(fù)載線的中點(diǎn)處。 總之，在放大電路中對(duì)交流信號(hào)進(jìn)行不失真的放大，靜總之，在放大電路中對(duì)交流信號(hào)進(jìn)行不失真的放大，靜態(tài)工作點(diǎn)的選擇具有極其重要的意義。當(dāng)然，靜態(tài)工作點(diǎn)位態(tài)工作點(diǎn)的選擇具有極其重要的意義。當(dāng)然，靜態(tài)工作點(diǎn)位置的選擇還要考慮到交流輸入信號(hào)的大小。置的選擇還要考慮到交流輸入信號(hào)的大小。如果交流信號(hào)幅如果交流信號(hào)幅度大，度大，Q點(diǎn)應(yīng)選得高些。若幅度小，則點(diǎn)應(yīng)選得高些。若幅度小，則Q可選得低一些，以減可選得低一些，以減小管子在靜態(tài)時(shí)的功率損耗，小管子在靜態(tài)時(shí)的功

22、率損耗，這些都應(yīng)以交流輸出信號(hào)的波這些都應(yīng)以交流輸出信號(hào)的波形不出現(xiàn)失真為準(zhǔn)。形不出現(xiàn)失真為準(zhǔn)。 講講P60-61例例2-6 2-7模 擬 電 子 技 術(shù)圖解法的優(yōu)缺點(diǎn)及圖解法的適用范圍圖解法的優(yōu)缺點(diǎn)及圖解法的適用范圍優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)：全面而真實(shí)的反映的晶體管的非線性，在分析晶體管放大電全面而真實(shí)的反映的晶體管的非線性，在分析晶體管放大電路時(shí)直觀、形象地研究靜態(tài)和動(dòng)態(tài)工作情況，從而正確地選擇靜路時(shí)直觀、形象地研究靜態(tài)和動(dòng)態(tài)工作情況，從而正確地選擇靜態(tài)工作點(diǎn)的位置；畫出電路中電流和電壓的交流分量波形，分析態(tài)工作點(diǎn)的位置；畫出電路中電流和電壓的交流分量波形，分析非線性失真程度，計(jì)算電壓放大倍數(shù)。非線性失

23、真程度，計(jì)算電壓放大倍數(shù)。缺點(diǎn)：缺點(diǎn)：1）晶體管的特性曲線廠家一般并不提供，需實(shí)測(cè)，這必然要費(fèi)時(shí)）晶體管的特性曲線廠家一般并不提供，需實(shí)測(cè)，這必然要費(fèi)時(shí)間；間；2）做圖容易引起較大的誤差；）做圖容易引起較大的誤差；3）只適合于頻率較低或直流量的情況；）只適合于頻率較低或直流量的情況；4）放大電路帶有反饋時(shí)，用圖解法分析是不方便的，另外也不能）放大電路帶有反饋時(shí)，用圖解法分析是不方便的，另外也不能求求Ri、Ro。圖解法適合于輸入信號(hào)幅值較大、頻率較低以及不帶反饋的場(chǎng)合圖解法適合于輸入信號(hào)幅值較大、頻率較低以及不帶反饋的場(chǎng)合。下一節(jié)將要討論更為簡(jiǎn)便有效的分析方法，微變等效電路分析法。下一節(jié)將要討論

24、更為簡(jiǎn)便有效的分析方法，微變等效電路分析法。模 擬 電 子 技 術(shù)微變等效電路微變等效電路 分析法分析法2.5.3 H參數(shù)小信號(hào)模型參數(shù)小信號(hào)模型2.5.2 H參數(shù)的引出參數(shù)的引出2.5.1引引 言言模 擬 電 子 技 術(shù)一一 建立小信號(hào)模型的意義建立小信號(hào)模型的意義 由于三極管是非線性器件，這樣就使得放大由于三極管是非線性器件，這樣就使得放大電路的分析非常困難。建立小信號(hào)模型，就是在電路的分析非常困難。建立小信號(hào)模型，就是在一定的條件下（工作點(diǎn)附近）將非線性器件做線一定的條件下（工作點(diǎn)附近）將非線性器件做線性化處理，從而簡(jiǎn)化放大電路的分析和設(shè)計(jì)。性化處理，從而簡(jiǎn)化放大電路的分析和設(shè)計(jì)。 指導(dǎo)

25、思想指導(dǎo)思想：在一個(gè)很小的范圍內(nèi)，可認(rèn)為晶：在一個(gè)很小的范圍內(nèi)，可認(rèn)為晶體管的電壓電流變化量之間的關(guān)系是線性的，這體管的電壓電流變化量之間的關(guān)系是線性的，這樣就要給晶體管建立一個(gè)小信號(hào)的線性模型，以樣就要給晶體管建立一個(gè)小信號(hào)的線性模型，以把晶體管近似為一個(gè)等效的線性電路來(lái)分析。把晶體管近似為一個(gè)等效的線性電路來(lái)分析。2.5.1 引引 言言模 擬 電 子 技 術(shù) 當(dāng)放大電路的輸入信號(hào)電壓很小時(shí)，就可以把三當(dāng)放大電路的輸入信號(hào)電壓很小時(shí)，就可以把三極管小范圍內(nèi)的特性曲線近似地用直線來(lái)代替，從而極管小范圍內(nèi)的特性曲線近似地用直線來(lái)代替，從而可以把三極管這個(gè)非線性器件所組成的電路當(dāng)作線性可以把三極管

26、這個(gè)非線性器件所組成的電路當(dāng)作線性電路來(lái)處理。電路來(lái)處理。二二 建立小信號(hào)模型的思路建立小信號(hào)模型的思路模 擬 電 子 技 術(shù) 對(duì)于圖所示的共發(fā)射極晶體管，在低頻工作條件下，對(duì)于圖所示的共發(fā)射極晶體管，在低頻工作條件下，當(dāng)把它看成一個(gè)雙端口網(wǎng)絡(luò)時(shí)，若取當(dāng)把它看成一個(gè)雙端口網(wǎng)絡(luò)時(shí)，若取iB和和uCE為自變量，為自變量，則有：則有：uBE=f(iB，uCE)iC=g(iB ，uCE)2.5.2 H2.5.2 H參數(shù)的引出參數(shù)的引出雙口雙口網(wǎng)絡(luò)網(wǎng)絡(luò)I1U2U1I2模 擬 電 子 技 術(shù)在小信號(hào)情況下，對(duì)上兩式取全微分得在小信號(hào)情況下，對(duì)上兩式取全微分得CECEBEBBBEBEBCEduuudiiud

27、uIu對(duì)于對(duì)于BJT雙口網(wǎng)絡(luò)，我雙口網(wǎng)絡(luò)，我們已經(jīng)知道輸入輸出特們已經(jīng)知道輸入輸出特性曲線如圖：性曲線如圖：uBE=f(iB，uCE)iC=g(iB ，uCE)CECECBBCBCEduuidiiidiIuc一一.求變化量之間的關(guān)系求變化量之間的關(guān)系模 擬 電 子 技 術(shù)當(dāng)輸入為微小的正弦量時(shí)，以上兩式可寫為當(dāng)輸入為微小的正弦量時(shí)，以上兩式可寫為(237a)(237b)式中：式中： (238a) (238b) (238c) (238d)ube= hieib+ hreuceic= hfeib+ hoeuce模 擬 電 子 技 術(shù)CEBBE11e uiuh輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻；輸出端交流短路

28、時(shí)的輸入電阻；2.H2.H參數(shù)的含義和求法參數(shù)的含義和求法模 擬 電 子 技 術(shù)輸入端電流恒定（交流開路）的反向電輸入端電流恒定（交流開路）的反向電壓傳輸比壓傳輸比BCEBE12e Iuuh模 擬 電 子 技 術(shù)輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比或電輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比或電流放大系數(shù)；流放大系數(shù)；CEBC21e uiih模 擬 電 子 技 術(shù)輸入端電流恒定（交流開路）時(shí)的輸出電導(dǎo)。輸入端電流恒定（交流開路）時(shí)的輸出電導(dǎo)。BCEC22e Iuih四個(gè)參數(shù)量綱各不相同，故稱為混合參數(shù)（四個(gè)參數(shù)量綱各不相同，故稱為混合參數(shù)（H H參數(shù)）。參數(shù)）。模 擬 電 子 技 術(shù)2.5.3 H H參數(shù)

29、小信號(hào)模型參數(shù)小信號(hào)模型根據(jù)根據(jù)可得小信號(hào)模型可得小信號(hào)模型BJT的的H參數(shù)模型參數(shù)模型hfeibicuceibubehrevcehiehoeube= hieib+ hreuceic= hfeib+ hoeuceuBEuCEiBcebiCBJT雙口網(wǎng)絡(luò)雙口網(wǎng)絡(luò)模 擬 電 子 技 術(shù)1. 1. 模型的簡(jiǎn)化模型的簡(jiǎn)化h21eibicuceibubeh12euceh11eh22e即即 rbe= h11e = h21e uT = h12e rce= 1/h22e一般采用習(xí)慣符號(hào)一般采用習(xí)慣符號(hào)則則BJT的的H參數(shù)模型為參數(shù)模型為 uT很小，一般為很小，一般為10-3 10-4 ， rce很大，很大，約

30、為約為100k 。故故 一般可忽略它們的影響，一般可忽略它們的影響， 得到簡(jiǎn)化電路得到簡(jiǎn)化電路 ib 是受控源是受控源 ，且為電流，且為電流控制電流源控制電流源(CCCS)。 電流方向與電流方向與ib的方向是關(guān)聯(lián)的方向是關(guān)聯(lián)的。的。 模 擬 電 子 技 術(shù)2. H H參數(shù)的確定參數(shù)的確定 一般用測(cè)試儀測(cè)出；一般用測(cè)試儀測(cè)出； rbe 與與Q點(diǎn)有關(guān)，可用圖點(diǎn)有關(guān)，可用圖示儀測(cè)出。示儀測(cè)出。一般也用公式估算一般也用公式估算 rbe rbe= rbb + (1+ ) re其中對(duì)于低頻小功率管其中對(duì)于低頻小功率管 rbb(100300） 則則 )mA()mV(26)1 (EQbeIrrbb)mA()m

31、V()mA()mV(EQEQTeIIVr26而而 (T=300K) 模 擬 電 子 技 術(shù) 一一. .等效電路的畫法等效電路的畫法uiuo共共射射極極放放大大電電路路2.5.4. 放大電路的微變等效電路分析法放大電路的微變等效電路分析法模 擬 電 子 技 術(shù)畫微變等效電路畫微變等效電路rbeRBRCRLiU iI bI cI oU bI模 擬 電 子 技 術(shù)1.電壓放大倍數(shù)的計(jì)算電壓放大倍數(shù)的計(jì)算bebirIU LboRIU beLurRA LCLR/RR 負(fù)載電阻越小，放大倍數(shù)越小。負(fù)載電阻越小，放大倍數(shù)越小。二二.動(dòng)態(tài)指標(biāo)的計(jì)算動(dòng)態(tài)指標(biāo)的計(jì)算rbeRBRCRLiU iI bI cI oU

32、bI模 擬 電 子 技 術(shù)iiIURibeB/rRber電路的輸入電阻越大，從信號(hào)源取電路的輸入電阻越大，從信號(hào)源取得的電流越小，因此一般總是希望得到得的電流越小，因此一般總是希望得到較大的的輸入電阻。較大的的輸入電阻。 2. 2. 輸入電阻的計(jì)算：輸入電阻的計(jì)算：根據(jù)輸入電阻的定義：根據(jù)輸入電阻的定義：rbeRBRCRLiU iI bI cI oU bI模 擬 電 子 技 術(shù)coooRIUR用加壓求電流法求輸用加壓求電流法求輸出電阻：出電阻：3.輸出電阻的計(jì)算：輸出電阻的計(jì)算：0U,R.o.ooSLIU=R根據(jù)定義根據(jù)定義oU oI rbeRBRCiI bI cI bI 00模 擬 電 子

33、技 術(shù)三三. 晶體管放大電路動(dòng)態(tài)分析晶體管放大電路動(dòng)態(tài)分析步驟步驟 分析直流電路，求出分析直流電路，求出“Q”，計(jì)算，計(jì)算 rbe。 畫電路的交流通路畫電路的交流通路 。 在交流通路上把三極管畫成在交流通路上把三極管畫成 H 參數(shù)模型。參數(shù)模型。 分析計(jì)算疊加在分析計(jì)算疊加在“Q”點(diǎn)上的各極交流量。點(diǎn)上的各極交流量。 分析計(jì)算電壓放大倍數(shù)分析計(jì)算電壓放大倍數(shù),輸入輸入,輸出電阻及各輸出電阻及各極交流量。極交流量。模 擬 電 子 技 術(shù)求：求：1. 靜態(tài)工作點(diǎn)。靜態(tài)工作點(diǎn)。例2.電壓增益電壓增益AU、 輸入電阻輸入電阻Ri、 輸出電阻輸出電阻R0 。模 擬 電 子 技 術(shù) 3. 若輸出電壓的波形

34、出現(xiàn)如若輸出電壓的波形出現(xiàn)如 下失真下失真 ，是截止還是飽和失，是截止還是飽和失真？應(yīng)調(diào)節(jié)哪個(gè)元件？如何調(diào)節(jié)？真？應(yīng)調(diào)節(jié)哪個(gè)元件？如何調(diào)節(jié)？解解：1 .IcVCE模 擬 電 子 技 術(shù)2. 思路：思路：微變等效電路微變等效電路AU、Ri 、R0模 擬 電 子 技 術(shù)模 擬 電 子 技 術(shù))(94576. 126)431 (20026)1 (200mAmVImVrEbebeLiurRUUA0103945. 0)2 . 6/9 . 3(43)(945. 0945. 0/470/krRRbebiCRR 0模 擬 電 子 技 術(shù)3.判斷非線性失真(1)是截止還是飽和失真是截止還是飽和失真？（2）應(yīng)調(diào)節(jié)

35、哪個(gè)元件？如何調(diào)節(jié)）應(yīng)調(diào)節(jié)哪個(gè)元件？如何調(diào)節(jié)？講講P67例例2-8模 擬 電 子 技 術(shù)例例 = 100，uS = 10sin t (mV)，求，求疊加在疊加在 “Q” 點(diǎn)上的各交流量。點(diǎn)上的各交流量。+uo + iBiCRBVCCVBBRCRLC1C2uS+ + RS+uCE +uBE 12 V12 V510470 k 2.7 k 3.6 k 模 擬 電 子 技 術(shù) 解解 令令 ui = 0，求靜態(tài)電流，求靜態(tài)電流 IBQ 求求“Q”，計(jì)算，計(jì)算 rbemA)( 024. 04707 . 012BQ IEQbe 26)1(200Ir ICQ = IBQ = 2.4 mAUCEQ = 12 2

36、.4 2.7 = 5.5 (V)( 2831024. 026200 模 擬 電 子 技 術(shù)uce 交流通路交流通路+uo + iBiCRBVCCVBBRCRLC1C2uS+ + RS+uCE +uBE ube 小信號(hào)等效電路小信號(hào)等效電路+uo + RBRLRSrbe Eibic ibBCusRC+ube 模 擬 電 子 技 術(shù) 分析各極交流量分析各極交流量be BSbe BSbe /)/(rRRrRuu )A( sin5 . 5be be b trui )mA( sin55. 0 b ctii oceuu (V) sin85. 0)/(LCctRRi 分析各極總電量分析各極總電量uBE =

37、(0.7 + 0.0072sin t )ViB = (24 + 5.5sin t) AiC = ( 2.4 + 0.55sin t ) mAuCE = ( 5.5 0.85sin t ) V)mV( sin2 . 7t 模 擬 電 子 技 術(shù)圖解法、微變等效電路法小結(jié)圖解法、微變等效電路法小結(jié)(1) 圖解法，精度低，繁瑣，適合大信號(hào)的場(chǎng)圖解法，精度低，繁瑣，適合大信號(hào)的場(chǎng)合。其要點(diǎn)是：首先確定靜態(tài)工作點(diǎn)合。其要點(diǎn)是：首先確定靜態(tài)工作點(diǎn)Q，然，然后根據(jù)電路的特點(diǎn)，做出直流負(fù)載線，進(jìn)后根據(jù)電路的特點(diǎn)，做出直流負(fù)載線，進(jìn)而畫出交流負(fù)載線，最后，畫出各極電流而畫出交流負(fù)載線，最后，畫出各極電流電壓的波

38、形。求出最大不失真輸出電壓。電壓的波形。求出最大不失真輸出電壓。模 擬 電 子 技 術(shù)(2) 微變等效電路法。微變等效電路法。 首先用直流通路分析靜態(tài)工作點(diǎn)首先用直流通路分析靜態(tài)工作點(diǎn)Q。 畫出交流通路，用晶體管的微變模型代替畫出交流通路，用晶體管的微變模型代替交流通路中的晶體管，得到放大電路的微交流通路中的晶體管，得到放大電路的微變等效電路。變等效電路。 通過(guò)微變等效電路求解動(dòng)態(tài)性能指標(biāo)：放通過(guò)微變等效電路求解動(dòng)態(tài)性能指標(biāo)：放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻。大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻。H H參數(shù)都是小信號(hào)參數(shù)，即微變參數(shù)或交流參數(shù)。參數(shù)都是小信號(hào)參數(shù)，即微變參數(shù)或交流參數(shù)。H H參數(shù)與工作點(diǎn)有關(guān)

39、，在放大區(qū)基本不變。參數(shù)與工作點(diǎn)有關(guān)，在放大區(qū)基本不變。模 擬 電 子 技 術(shù)2.6.1 2.6.1 問(wèn)題的提出問(wèn)題的提出 單管共射放大電路存在的問(wèn)題單管共射放大電路存在的問(wèn)題一一 實(shí)驗(yàn)中出現(xiàn)的現(xiàn)象實(shí)驗(yàn)中出現(xiàn)的現(xiàn)象2.6 分壓式穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)電路模 擬 電 子 技 術(shù)當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)模 擬 電 子 技 術(shù)二二 靜態(tài)工作點(diǎn)的位置發(fā)生變化的原因靜態(tài)工作點(diǎn)的位置發(fā)生變化的原因1 1 溫度對(duì)晶體管參數(shù)的影響溫度對(duì)晶體管參數(shù)的影響TITICBOCBO,溫度每升高溫度每升高1010o oC, IC, ICBOCBO一倍一倍TUBE,UBE,溫度每升高溫度每升高1 1o oC, UC, UBEBE2.5mv

40、2.5mvT,T,溫度每升高溫度每升高1 1o oC,/ 0.5C,/ 0.51%1%模 擬 電 子 技 術(shù) 2 2 溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響I ICQCQ=IB=IBQ Q+(1+) I+(1+) ICBOCBOI IBQBQ= =（Vcc- UVcc- UBEBE）/ R/ RB B TI TICQCQQQ飽和失真飽和失真 前面講的基本共射放大電路是固定偏置，不前面講的基本共射放大電路是固定偏置，不能自動(dòng)調(diào)節(jié)，因此引出分壓式偏置電路。能自動(dòng)調(diào)節(jié)，因此引出分壓式偏置電路。模 擬 電 子 技 術(shù) 2.6.2 2.6.2 電路組成及穩(wěn)定靜態(tài)電路組成及穩(wěn)定靜態(tài) 工作點(diǎn)的原理工作

41、點(diǎn)的原理特點(diǎn)特點(diǎn)：R RB1B1上偏流電阻、上偏流電阻、R RB2B2下偏流電阻、下偏流電阻、 R RE E發(fā)射極電阻發(fā)射極電阻 共發(fā)射極電路共發(fā)射極電路 電路組成電路組成模 擬 電 子 技 術(shù)+ UBEQ IBQI1IEQ二二 穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的原理穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的原理1.直流通路直流通路ICQ直流通路的畫法直流通路的畫法模 擬 電 子 技 術(shù)若電路調(diào)整適當(dāng)，可以使若電路調(diào)整適當(dāng)，可以使I ICQCQ基本不變基本不變。2.穩(wěn)定過(guò)程（原理）穩(wěn)定過(guò)程（原理）TITICQCQIICQCQR RE EUUB B固定固定U UBEBEIIBQBQIICQCQ 3.穩(wěn)定的條件穩(wěn)定的條件 UB固定固定 UB

42、=VCCRB2 / (RB1+RB2)（1）I I1 1 I IB B 硅管硅管I I1 1= =（5-105-10）I IBQBQ 鍺管鍺管I I1 1= =（10-2010-20）I IBQBQ（2 2）U UB B U UBEBE 硅管硅管U UB B= =（3-53-5）V V 鍺管鍺管U UB B= =（1-31-3）V V 模 擬 電 子 技 術(shù) 2.6.3 2.6.3 靜態(tài)分析靜態(tài)分析 求求Q點(diǎn)（點(diǎn)（IBQ、ICQCQ 、UCEQCEQ） 求法：畫出直流通路求解求法：畫出直流通路求解 方法有二：方法有二： 一、一、 估算法估算法 模 擬 電 子 技 術(shù)EBEQBQEQRUUI E

43、QCQII /QBQCII )(ECCQCCCEQRRIVU 說(shuō)明說(shuō)明Q是否合適是否合適+VCCRCRERB1RB2+ UBEQ IBQI1IEQICQ+ UCEQ CCBBBBQVRRRU212模 擬 電 子 技 術(shù)二二 利用戴維南定理（同學(xué)自己做）利用戴維南定理（同學(xué)自己做） 模 擬 電 子 技 術(shù)2.6.4 2.6.4 動(dòng)態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析求求AU、Ri、RO一一 畫出放大電路的微變等效電路畫出放大電路的微變等效電路 1.畫出交流通路畫出交流通路模 擬 電 子 技 術(shù)2.2.畫出放大電路的微變等效電路畫出放大電路的微變等效電路模 擬 電 子 技 術(shù)二二 計(jì)算動(dòng)態(tài)性能指標(biāo)計(jì)算動(dòng)態(tài)性能指標(biāo)1.計(jì)

44、算計(jì)算AuAuEbeLuiouRrRAuuA)1 (/“- -”表示表示UoUo和和UiUi反相。反相。 AuAu的值比固定偏流放大電路小了。的值比固定偏流放大電路小了。模 擬 電 子 技 術(shù)2.2.計(jì)算輸入電阻計(jì)算輸入電阻iiiiuR/ )1 (/21EbeBBiRrRRRR Ri i，同時(shí)說(shuō)明公式的記法和折合的概念。，同時(shí)說(shuō)明公式的記法和折合的概念。 模 擬 電 子 技 術(shù)RoRc 3. 3. 計(jì)算輸出電阻計(jì)算輸出電阻Ro Ro= Ro=u uo/o/i io o Us=0Us=0 R RL L= 模 擬 電 子 技 術(shù) 如何提高電壓放大倍數(shù)如何提高電壓放大倍數(shù)AuAu 在在R RE E兩

45、端并聯(lián)一個(gè)電容，則放大倍數(shù)兩端并聯(lián)一個(gè)電容，則放大倍數(shù)與固定偏置放大電路相同與固定偏置放大電路相同。 2.5.5 2.5.5 舉例討論舉例討論模 擬 電 子 技 術(shù)例例 = 100，RS= 1 k ，RB1= 62 k ，RB2= 20 k , RC= 3 k ，RE = 1.5 k ，RL= 5.6 k ，VCC = 15 V。求：求：“Q”，Au，Ri，Ro。1) )求求“Q”)V( 7 . 362201520BQ U)mA( 25 . 17 . 07 . 3EQCQ IIA)( 20mA)( 02. 0100 /2BQ I)V( 6)5 . 13(215CEQ U+VCCRCC1C2RL

46、RE+CE+RB1RB2RS+us +uo 解解 模 擬 電 子 技 術(shù)+VCCRCC1C2RLRE+CE+RB1RB2RS+us +uo 2) )求求 Au，Ri，Ro ， Aus 5001 02. 0/26200 /26200BQbe Ir1305 . 13/5.6 100 beL rRAu )k( 36. 15 . 1/62/20/beB2B1i rRRR7536. 11)130(36. 1uSiisis ARRRAuuAuuRo = RC = 3 k 講講P71例例2-9模 擬 電 子 技 術(shù)小小 結(jié)結(jié)分析了固定偏置放大電路產(chǎn)生失真的原因。分析了固定偏置放大電路產(chǎn)生失真的原因。分析了射

47、極偏置放大電路穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)分析了射極偏置放大電路穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn) 的原理。的原理。重點(diǎn)分析計(jì)算了分壓式偏置放大電路的性能指標(biāo)。重點(diǎn)分析計(jì)算了分壓式偏置放大電路的性能指標(biāo)。深入討論了射極電阻對(duì)靜態(tài)和動(dòng)態(tài)的影響，深入討論了射極電阻對(duì)靜態(tài)和動(dòng)態(tài)的影響， 為今后學(xué)習(xí)反饋建立基礎(chǔ)概念。為今后學(xué)習(xí)反饋建立基礎(chǔ)概念。模 擬 電 子 技 術(shù)2.7.1 電路電路組成及特點(diǎn)組成及特點(diǎn) ( (射極輸出器、射極跟隨器射極輸出器、射極跟隨器) )IBQIEQ+C1RS+ui RERB+VCCC2RL+uo+us模 擬 電 子 技 術(shù)I IBQBQ = ( = (V VCCCC U UBEQBEQ) / ) / R RB

48、 B +(1+ +(1+ ) ) R RE E I ICQCQ = = I I BQ BQU UCEQCEQ = = V VCC CC I ICQCQ R RE E2.7.2 靜態(tài)分析靜態(tài)分析IBQIEQ+C1RS+ui RERB+VCCC2RL+uo+usIBQIEQRERB+VCC+ICQUCEQ模 擬 電 子 技 術(shù)交流通路交流通路RsRB+ +uo RLibiciiRE小信號(hào)等效電路小信號(hào)等效電路usRB+uo RLibiciirbe ibRERs+ R L = RE / RL2.7.3 動(dòng)態(tài)分析動(dòng)態(tài)分析IBQIEQ+C1RS+ui RERB+VCCC2RL+uo+us模 擬 電 子

49、技 術(shù))1(/ )1( LbeBLbeiBiii iiRrRRruRuuiuR 1.電壓放大倍數(shù)：電壓放大倍數(shù)：LbeLLEbbebLEbio)1()1(/)1(/1RrRRRiriRRiuuAu ）（ 12.輸入電阻：輸入電阻：usRB+uo RLibiciirbe ibRERs+ R L = RE / RL模 擬 電 子 技 術(shù)3.輸出電阻：輸出電阻：usRB+uo RLibiciirbe ibRERs+ RBibiciirbe ibRERsus = 0+u ii iR RE ESbeE)1 (RruRuR S = Rs / RBi = iRE ib ib1)(/)1/()(SbeESbe

50、EoRrRRruRuuiuR 0LoS RiuRu模 擬 電 子 技 術(shù)Ri 高高Au 1 輸入輸出同相輸入輸出同相Ro 低低射極輸出器射極輸出器特點(diǎn)特點(diǎn)用途：用途：輸入級(jí)輸入級(jí) 輸出級(jí)輸出級(jí) 中間隔離級(jí)中間隔離級(jí)usRB+uo RLibiciirbe ibRERs+ IBQIEQ+C1RS+ui RERB+VCCC2RL+uo+us模 擬 電 子 技 術(shù)4.例例 =120，RB = 300 k ，r bb= 200 ，UBEQ = 0.7 V, RE = RL = Rs = 1 k ，VCC = 12V。求：求：“Q ”，Au，Ri，Ro。IBQIEQ+C1RS+ui RERB+VCCC2R

51、L+uo+us 解解 1) )求求 “Q”IBQ = (VCC UBE) / RB + (1+ ) RE = (12 0.7) / 300 +121 1 27 ( A)IEQ I BQ = 3.2 (mA)UCEQ = VCC ICQ RE = 12 3.2 1 = 8.8 (V)模 擬 電 子 技 術(shù)2) )求求 Au，Ri，Rorbe = 200 + 26 / 0.027 1.18 (k )98. 0)1()1(LbeL RrRAu Ri = 300/(1.18 121) = 51.2 (k )( 18 1)(/SbeEo RrRRRL = 1 / 1 = 0.4 (k )模 擬 電 子

52、技 術(shù)5. 自舉電路自舉電路(2)電路組成及特點(diǎn)電路組成及特點(diǎn)+C1RSRERB1+VCCC2+uo+us+RB2RB3C3 = 50(3)輸入電阻的計(jì)算輸入電阻的計(jì)算IBQIEQ+C1RS+ui RERB+VCCC2RL+uo+us（1）問(wèn)題的提出：）問(wèn)題的提出：提高提高 Ri 的電路的電路模 擬 電 子 技 術(shù)無(wú)無(wú) C3、RB3： Ri = (RB1 / RB2) / rbe + (1 + ) RERi = 50 / 510 = 45 (k )Ri = (RB3 + RB1 / RB2) / rbe + (1+ )RERi = (100 + 50) / 510 = 115 (k )無(wú)無(wú) C

53、3 有有 RB3 ：接接 C3 ：RB3 / rbe rbeRi = rbe+ (1 + ) (R B/ RE) = (1 + ) (R B / RE )Ri = 51 50 / 10 = 425 (k )+C1RSRERB1+VCCC2+uo+us+RB2RB3C3 = 50100 k 100 k 100 k 10 k R B+uo ibiciirbe ibRE+ ui RB3模 擬 電 子 技 術(shù)2.8 .1 電路組成及特點(diǎn)電路組成及特點(diǎn)模 擬 電 子 技 術(shù)+VCCRCC2C3RLRE+RB1RB2RS +us +uo C1模 擬 電 子 技 術(shù)2.8.2、靜態(tài)分析、靜態(tài)分析+VCCRC

54、RERB1RB2+ UBEQ IBQI1IEQICQ+ UCEQ +VCCRCC2C3RLRE+RB1RB2RS +us +uo C1模 擬 電 子 技 術(shù)2.8.3、動(dòng)態(tài)性能指標(biāo)分析、動(dòng)態(tài)性能指標(biāo)分析beLbebLbio rRriRiuuAu RiR i 1)1(be bbebeiiririiuR)1(/beEi rRRRoRo = RC特點(diǎn)：特點(diǎn)：1. Au 大小與共射電路相同，大小與共射電路相同， 但輸出與輸入同相。但輸出與輸入同相。2. 輸入電阻小，輸入電阻小，Aus 小。小。RCRERS +us RL+uo RCRERS+us RLrBEioicieiiib ib+ui 模 擬 電

55、子 技 術(shù)模 擬 電 子 技 術(shù)可見：可見： 共射極電路既有電壓增益，又有電流增共射極電路既有電壓增益，又有電流增益，所以應(yīng)用最廣，常用作各種放大器益，所以應(yīng)用最廣，常用作各種放大器的主放大級(jí)。的主放大級(jí)。 但作為電壓或電流放大器，它的輸入和但作為電壓或電流放大器，它的輸入和輸出電阻并不理想輸出電阻并不理想即在電壓放大時(shí)，即在電壓放大時(shí)，輸入電阻不夠大且輸出電阻又不夠??；輸入電阻不夠大且輸出電阻又不夠小；而在電流放大時(shí)，則輸入電阻又不夠小而在電流放大時(shí)，則輸入電阻又不夠小且輸出電阻也不夠大。且輸出電阻也不夠大。 模 擬 電 子 技 術(shù)組合單元放大電路組合單元放大電路 2.9.2 共集共集-共射

56、和共射共射和共射-共集組合放大電路共集組合放大電路2.9.1 復(fù)合管 2. 9.3 共射共射-共基組合放大電路共基組合放大電路模 擬 電 子 技 術(shù) 實(shí)際應(yīng)用的放大電路，除了要有較高的放大倍數(shù)實(shí)際應(yīng)用的放大電路，除了要有較高的放大倍數(shù)之外，往往還要對(duì)輸入、輸出電阻及其它性能提出要之外，往往還要對(duì)輸入、輸出電阻及其它性能提出要求。在放大電路中常用兩個(gè)晶體管以不同的組態(tài)相互求。在放大電路中常用兩個(gè)晶體管以不同的組態(tài)相互配合、聯(lián)合使用，以發(fā)揮各自的優(yōu)勢(shì)。這樣就形成了配合、聯(lián)合使用，以發(fā)揮各自的優(yōu)勢(shì)。這樣就形成了組合單元放大電路組合單元放大電路。 如共集如共集-共集、共集共集、共集-共射、共射共射、共射-共基組合放大