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文檔簡介
1、精選精選ppt第第9章章 工藝集成工藝集成 原始材料:拋光晶片原始材料:拋光晶片 薄膜成型:外延膜、電介質(zhì)膜、薄膜成型:外延膜、電介質(zhì)膜、 多晶硅膜、金屬膜,氧化膜多晶硅膜、金屬膜,氧化膜 摻雜與光刻:擴散、注入、各種光刻摻雜與光刻:擴散、注入、各種光刻 刻蝕:濕法與干法刻蝕:濕法與干法 IC芯片:圖形轉(zhuǎn)換到晶片芯片:圖形轉(zhuǎn)換到晶片 小規(guī)模集成電路小規(guī)模集成電路SSI:元件數(shù):元件數(shù) 個個 中規(guī)模集成電路中規(guī)模集成電路MSI:元件數(shù):元件數(shù) 個個黃君凱 教授圖圖9-1 IC制造流程制造流程310210精選精選ppt黃君凱黃君凱 教授教授 大規(guī)模集成電路大規(guī)模集成電路LSI:元件數(shù):元件數(shù) 個個
2、 超大規(guī)模集成電路超大規(guī)模集成電路VLSI:元件數(shù):元件數(shù) 個個 特大規(guī)模集成電路特大規(guī)模集成電路ULSI:元件數(shù):元件數(shù) 個個圖圖9-2 晶片與單個元件晶片與單個元件710710510精選精選ppt9.1 無源元件無源元件9.1.1 集成電路電阻器集成電路電阻器(1)工藝方法)工藝方法 淀積有阻抗作用的膜層,再經(jīng)光刻和刻蝕形成電阻器。淀積有阻抗作用的膜層,再經(jīng)光刻和刻蝕形成電阻器。 在襯底上摻雜導電類型相反的雜質(zhì),形成電阻器。在襯底上摻雜導電類型相反的雜質(zhì),形成電阻器。黃君凱 教授圖圖9-3 集成電阻器集成電阻器精選精選ppt(2)電阻計算)電阻計算 對上圖長寬分別為對上圖長寬分別為L和和W
3、的直條型電阻器,在深度的直條型電阻器,在深度x處的微分截面處的微分截面為為 ,則與表面平行的,則與表面平行的P型硅薄層電導型硅薄層電導 為為式中式中 和和 分別是分別是空穴遷移率空穴遷移率和和x處處摻雜濃度摻雜濃度。對。對結(jié)深結(jié)深 的電阻器,的電阻器,令一個方形電阻的電導為:令一個方形電阻的電導為: ,(,(9-1)則當則當L=W 時,時,G=g,因此電阻值為:,因此電阻值為: ,(,(9-2)式中式中 稱為稱為,單位為,單位為 ,則:,則: ,(,(9-3)黃君凱 教授WdxdG( )pWdxdGqp xLp( )p xjx0( )jxpgqp x dx/1RgLRRW11()LRGWg00
4、( )jjxxpWGdGqp x dxL精選精選ppt【討論討論】n 式(式(9-1)表明:摻雜工藝決定方塊電阻)表明:摻雜工藝決定方塊電阻 。n 式(式(9-3)表明:)表明: 值確定以后,電阻值取決與圖形尺寸。值確定以后,電阻值取決與圖形尺寸。n 端頭接觸處阻值為端頭接觸處阻值為0.65 ,拐角處阻值也為,拐角處阻值也為0.65 。9.1.2 集成電路電容器集成電路電容器 :重摻雜材料構(gòu)成電容器的下電極,既減少串聯(lián)電阻,又:重摻雜材料構(gòu)成電容器的下電極,既減少串聯(lián)電阻,又 使使MOS電容量與外加電壓無關(guān)。電容量與外加電壓無關(guān)。 :反偏作用導致電容量隨偏壓變化,且串聯(lián)電阻較高。:反偏作用導致
5、電容量隨偏壓變化,且串聯(lián)電阻較高。黃君凱 教授RRRR精選精選ppt黃君凱 教授圖圖9-4 集成電路電容器集成電路電容器精選精選ppt9.1.3 集成電路電感器集成電路電感器(1)工藝方法)工藝方法黃君凱 教授圖圖9-5 螺旋電感器螺旋電感器精選精選ppt(2) (9-4)式中式中R為為電感器阻值電感器阻值, 為為頻率頻率,平板型螺旋電感器的,平板型螺旋電感器的電感電感L為:為: (9-5)式中式中 為為真空磁導率真空磁導率,n為為旋轉(zhuǎn)圈數(shù)旋轉(zhuǎn)圈數(shù),r為為螺旋半徑螺旋半徑,L是以亨利為單位是以亨利為單位的的電感量電感量?!居懻撚懻摗刻岣咛岣?值方法值方法n 使用低介質(zhì)常數(shù)材料(使用低介質(zhì)常數(shù)材料(3.9),減少金屬線與襯底耦合電容),減少金屬線與襯底耦合電容 。n 使用厚膜金屬或低阻值金屬,減小金屬線的固有電阻使用厚膜金屬或低阻值金屬,減小金屬線的固有電阻 。n 使用絕緣襯底,減小硅襯底電阻使用絕緣襯底,減小硅襯底電阻 。黃君凱 教授LQRQ020Ln rQ1RPCsubR精選精選ppt9.2 雙極晶體管技術(shù)雙極晶體管技術(shù)n 雙極晶體管結(jié)構(gòu)雙極晶體管結(jié)構(gòu)【注意注意】:提供電流的低阻值通道和反偏隔離。:提供電流的低阻值通道和反偏隔離。黃君凱 教授圖圖9-6 集成電路中的
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