最新職業(yè)技校電力電子技術(shù)綜合測試題三

1、電力電子技術(shù)綜合測試題三（含答案）一、填空題1、GTO的全稱是,圖形符號為； GTR的全稱是,圖形符號為; P-MOSFET的全稱是,圖形符號為; IGBT的全稱是,圖形符號為o門極可關(guān)斷晶閘管、大功率晶體管、功率場效應(yīng)管、絕緣門極晶體管。2、GTO的關(guān)斷是靠門極加出現(xiàn)門極來實現(xiàn)的。負(fù)信號、反向電流。3、大功率晶體管簡稱,通常指耗散功率以上的晶體管。GTR、 IWo4、功率場效應(yīng)管是一種性能優(yōu)良的電子器件，缺點是和o電流不夠大、耐壓不夠高。二、判斷題 對的用J表示、錯的用X表示（每小題1分、共10分）1、大功率晶體管的放大倍數(shù)B都比較低。（J ）2、工作溫度升高，會導(dǎo)致GTR的壽命減短。（J）

2、3、使用大功率晶體管時，必須要注意“二次擊穿”問題。（J）4、同一支可關(guān)斷晶閘管的門極開通電流和關(guān)斷電流是一樣大的。（X）5、電力晶體管的外部電極也是：集電極、基極和發(fā)射極。（J）6、實際使用電力晶體管時，必須要有電壓電流緩沖保護(hù)措施。（J）7、同一支可關(guān)斷晶閘管的門極開通電流比關(guān)斷電流大。（X）8、電力場效應(yīng)晶體管屬于電流型控制元件。(X)9、絕緣柵雙極型晶體管具有電力場效應(yīng)晶體管和電力晶體管的優(yōu)點。（J）三. 單項選擇題 把正確答案的番號填在括號內(nèi)（每小題1分，共10分）1、比較而言,下列半導(dǎo)體器件中性能最好的是（）oA、GTRB、 MOSFETC- IGBT2、比較而言,下列半導(dǎo)體器件中

3、輸入阻抗最小的是（)oA、GTRB、 MOSFETC、 IGBT3、比較而言,下列半導(dǎo)體器件中輸入阻抗最大的是（)oA、GTRB、 MOSFETC、 IGBT4、能采用快速熔斷器作為過電流保護(hù)的半導(dǎo)體器件是()oA、GTOB、GTRC、 IGBT。5、比較而言，下列半導(dǎo)體器件中開關(guān)速度最快的是（）、最慢的是（）oA、GTOB、GTRC、 MOSFET6、下列半導(dǎo)體器件中屬于電流型控制器件的是。(A )A、GTRB、 MOSFETC、 IGBTo7、下列電力電子器件中屬于全控型器件的是（）。A、 KP50-7 B、 3DD15CC、 ZP1OO-1O四. 問答題（每小題6分，共計24分）絕緣門極晶體管的特點有哪些？答：絕緣門極晶體管具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路 簡單、通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大等特點。五、識圖、作圖題（10分）1、讀出下列圖形符號的名稱并標(biāo)出管腳符號。2、畫出下列半導(dǎo)體器件的圖形符號并標(biāo)明管腳代號。普通晶閘管；單結(jié)晶體管；逆導(dǎo)晶閘