腦電圖分析要素(共5頁)

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上腦電圖分析要素EEG的分析主要從：頻率、波幅、波形、時(shí)相和位相關(guān)系、異常波出現(xiàn)的方式、分布的廣度及對(duì)各種刺激的反應(yīng)性等方面進(jìn)行。頻率(frequency)：頻率是指某種波在一秒鐘內(nèi)重復(fù)的次數(shù)，通常用波/秒（c/sec、CPS）或者Hz表示。對(duì)散在的慢波可測(cè)定其波長(zhǎng)，以其所占的時(shí)間來表示。腦電波的波率分為4個(gè)頻率帶： 頻率帶 ：3.5/sec以下(通常0. 53.5/sec)，10-20,出現(xiàn)于額區(qū)，不以紡錘樣出現(xiàn)，不得多于8-10%，其他各區(qū)少于5%。頻率帶：47.5/sec，20-40，不超過50，雙側(cè)對(duì)稱，顳區(qū)多見，不以紡錘樣出現(xiàn)。頻率帶：813/sec，50-1

2、00，大腦各區(qū)均有活動(dòng)和節(jié)律，枕區(qū)最高，顳區(qū)最低。 頻率帶：13/sec以上（通常1440/sec），20-50，主要見于中央?yún)^(qū)和及其前部，以額區(qū)和顳區(qū)最明顯。波幅(amplitude)：波幅代表一個(gè)波的高度，用微伏（µV）來表示。通過測(cè)定一個(gè)波從波峰作一垂線至基線的距離，并與在相同增益和濾波條件下所記錄的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)高度比較來確定的。在臨床EEG，以低、中、高波幅來描述。一般認(rèn)為25µV以下是低波幅，25-75µV為中波幅，75µV以上為高波幅。波形(waveform)：根據(jù)腦波沿基線偏轉(zhuǎn)的次數(shù)和時(shí)相分為：?jiǎn)蜗嗖?monophasic wave)：腦波自基

3、線向上方或下方的一次偏轉(zhuǎn)。雙相波(diphasic wave) ： 腦波沿基線上下方各有一次偏轉(zhuǎn)，形成正負(fù)或負(fù)正雙相波。三相波(triphasic waves) 腦波沿基線上下有三次偏轉(zhuǎn)，形成負(fù)正負(fù)三相波。根據(jù)腦波形態(tài)不同劃分為：正弦樣波：波峰圓鈍，類似正弦形。弓形波：波形上下方一方圓鈍而另一方尖銳，形成梳狀。棘波(spike waves)：形似棘狀，所占時(shí)間小于70 ms。尖波(sharp waves)：尖波呈尖峰樣，時(shí)間70-200ms之間。棘或尖慢復(fù)合波（spike & sharp wave complex)：由一個(gè)棘波/尖波和一個(gè)慢波組成。多棘波（polyspikes)： 2個(gè)

4、或2個(gè)以上的棘波連續(xù)出現(xiàn)。多棘慢復(fù)合波（polyspike wave complex）：由2個(gè)或2個(gè)以上的棘波和1個(gè)慢波組成。腦波的位相：指腦電波形與時(shí)間的關(guān)系。以基線為準(zhǔn)，波峰向上為負(fù)相波，波峰向下為正相波。同一時(shí)間點(diǎn)兩個(gè)不同部位的腦波位相一致（位相差等于零）為同位相信號(hào)，否則為非同位相信號(hào)。90度位相差時(shí)，兩個(gè)波相差1/4周期，180度位相差時(shí)則出現(xiàn)位相倒置(phase-reversal)。雙極導(dǎo)聯(lián)描記時(shí)的位相倒置，對(duì)于異常腦波的起源區(qū)域具有定位意義。腦波出現(xiàn)方式： 散在出現(xiàn)：?jiǎn)蝹€(gè)出現(xiàn)，無規(guī)則。節(jié)律出現(xiàn)：通常將三個(gè)或三個(gè)以上波形、頻率相同，波幅相似連續(xù)出現(xiàn)的電活動(dòng)稱為節(jié)律(rhythm)。

5、周期出現(xiàn)：突出于背景的腦波或波群，以相對(duì)固定的間隔反復(fù)出現(xiàn)。陣發(fā)出現(xiàn)：突然出現(xiàn)的，明顯突出于背景活動(dòng)的一組腦波活動(dòng)。按出現(xiàn)時(shí)限區(qū)分：短程（小于1秒）、中程（大于1 秒，小于3秒）、長(zhǎng)程（大于3秒）。腦波出現(xiàn)部位：同一時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)在腦的各個(gè)區(qū)域、兩側(cè)半球基本對(duì)稱。彌散性：腦電活動(dòng)出現(xiàn)在雙側(cè)半球的各個(gè)腦區(qū)，但波形、波幅和頻率有不固定、非持續(xù)性的不對(duì)稱及不同步現(xiàn)象。對(duì)稱性：兩側(cè)大腦半球各對(duì)應(yīng)區(qū)域腦電活動(dòng)的波形、波幅和頻率基本相同。非對(duì)稱性：兩側(cè)大腦半球相應(yīng)區(qū)域腦電活動(dòng)的波形、波幅和頻率明顯不相同。一側(cè)性：異常電活動(dòng)出現(xiàn)于一側(cè)大腦半球，或者一側(cè)半球?yàn)橹鳌＞窒扌裕寒惓ｋ娀顒?dòng)出現(xiàn)于局部區(qū)域，附近區(qū)域可因電活動(dòng)傳播受到累及。 偽差的識(shí)別： 腦電圖中的非腦源性電活動(dòng)有時(shí)與異常腦電活動(dòng)非常相似嚴(yán)重時(shí)干擾EEG記錄和分析，導(dǎo)致診斷錯(cuò)誤。偽差表現(xiàn)多樣，根據(jù)產(chǎn)生原因分為：外部原因儀器原因生理學(xué)原因注意區(qū)分偽差與癲癎樣放電在出現(xiàn)部位、影響范圍、出現(xiàn)方式、波形特點(diǎn)、波形的演變方式等方面的差異。描記程序中的誘發(fā)試驗(yàn)程序：誘發(fā)試驗(yàn)是腦電圖描記中的特殊程序，其目的是在進(jìn)行臨