HotDisk導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定儀精

1、A Unique Instrument for 中 Measuring Thermal Properties«K-analys AB Shanghai'Hot RiskAnalys ABqsense石英晶體微天平GP Chemi Sens反應(yīng)過(guò)程分析儀短曇夠Disk*導(dǎo)熱系數(shù)儀絕熱量熱儀.微反應(yīng)量熱儀由四家公司共同注資的瑞典為了更好地拓展中國(guó)市場(chǎng)，凱戈納斯有限公司于2006年10月在上海設(shè)立了代表處Hot DiskHot Disk AB成立：1995 總部：Uppsala, Sweden分支機(jī)構(gòu)：Scandinavia, UK, France, Germany,US, Can

2、ada, Japan, Taiwan用戶(hù)：More than 250 world wide, more than 20 in ChinaHotDifk瞬變平面熱源法(TPS)技術(shù)Hot RiskHot Disk 1980sTPS技術(shù)HotDikEvolution of Hot Wire Method、熱帶法1970s熱線(xiàn)法1960sHotDkTPS技術(shù)原理1:1Hot Disk的測(cè)量原理基于由Silas Gustafsson博士發(fā)明的 瞬變平面熱源法(Transient Plane Source Method, TPS)事 數(shù)秒鐘完成導(dǎo)熱系數(shù)(Thermal Conductivity).熱擴(kuò)散

3、率 、(Thermal Diffusivity)和熱容(Heat Capacity)的測(cè)試數(shù)學(xué)模型HotDikw mS/S上a I/Ar（r） （護(hù)FA） -where【加（w + 1） *2 rJo-（” 土小Po is the total output of power, a is the radius of the disk, and To is a modified Bessel function.HotDifk斜率得到 導(dǎo)熱系數(shù)對(duì)函數(shù)的擬合得到 熱擴(kuò)散系數(shù)Thermal Conductivity W/mKTime.=Cp Heat Capacity MJ/m'KThermal

4、 Diffusivity mm/s輸出功率、測(cè)試時(shí)間、探頭尺寸1探頭樣品樣品熱擴(kuò)散系數(shù)、 特征時(shí)間、XX t測(cè)試時(shí)間和探頭半徑平方的比值被稱(chēng)為=通過(guò)調(diào)整測(cè)試時(shí)間和探頭半徑等參數(shù)來(lái)適應(yīng)基本的數(shù)學(xué)假設(shè)瞬變平面熱源法的基礎(chǔ)HotDifk 一個(gè)獨(dú)特的探頭-一個(gè)全新的數(shù)學(xué)模型Double spiral Structure Radii: 0.492 - 29.40 mm Both as heater and sensor-個(gè)特別的電子數(shù)據(jù)釆集系統(tǒng)HotDifkTPS技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)HotDfk直接測(cè)量熱傳播，可以節(jié)約大量的時(shí)間 不會(huì)和靜態(tài)法一樣受到接觸熱阻的影響 無(wú)須特別的樣品制備，只需相對(duì)平整的樣 品表面可用

5、于固體、粉末、涂層、薄膜、液體、 各向異性材料等的測(cè)定TPS技術(shù)的延伸HotQisk薄膜法-材料：紙、織物、布、高聚物薄膜等絕緣材料厚度：lOfim 500|im導(dǎo)熱系數(shù)：001W/mKlOW/mKBackground materialRackground material (good conductor)平板法材料：陶瓷、金屬、硅片等導(dǎo)熱材料導(dǎo)熱系數(shù)：10 W/mK厚度：0.2 mm 20 mmHotDfk各向異性法軸向徑向Conductvity DiffusivityConductivityDiffusivity樣品的比熱5必須是已知的/HotDk單面法HotDk當(dāng)樣品只有一片或無(wú)法切割時(shí)

6、可用于原位測(cè)試/液體測(cè)試探頭垂直放S低輸出功率短測(cè)試時(shí)間為避免形成對(duì)流HotDkX 用于測(cè)試流體，水和甲醇等低粘度液體亦可測(cè)得Why Hot Disk: SpecificationHotDffik導(dǎo)熱系數(shù)：溫度范圍：材料類(lèi)型：金屬、合金、陶瓷、硅片、聚合物、粘結(jié)劑、通過(guò)改變輸入功率、探頭尺寸和測(cè)試時(shí)間0.005800 W/mK10 K1000 K紙、織物、印刷電路板、推進(jìn)劑樣品類(lèi)型：固體、粉末、薄膜、液體、各向異性材料等 精度：土 3%樣品類(lèi)型yHotDk應(yīng)用示例：航空航天r:itT*f1:i嫌附i ii；l : lib酣！ 41丄 i：:£A.L城I ； ttrurfw* ?EJT

7、HotPifk應(yīng)用示例：蜂窩材料F應(yīng)用示例:材料總體特性Thermal Conductivty, W/mK Diffusivity mm*/sCp MJ/mK材料各向異性特性Axial Thermal conductivity VV/mKAxial DifTusivitv mm2/sRadial Thermal conductivity W/mKRadial Diffusivity nim2/s電子材料13.41430.9327.544.8739123Hot DiskIt I .o A r.丄二 f X f IJ>HUrj>Jl4l I, viat fn/rr* |4 -Ijiui

8、uiubiiluL.rPlsH-layda inJP1 l£»4IPCB SideThermal ConductMiv t 'atue Oi/mKiPasitioH APuslHg BPosition CPosition DPCB *432.83443)44,2500.353Pt'B0.5190.5250.7010369ihcmial iz P< Hi7<r2 X I 14 mniin n ihcnrhdieiMidiinivily m<MMiivmcntx| K|10) Dehninti 4 local ions loril>e I

9、hu Di4c (O zndglA ilv Ejsui.nzng(h» liMt-nul Is'vr tw* in P<rs. “zmg 2(R«0lI ho rftvMiUmched epinHotnk應(yīng)用喬例：液體樣品Tic Ki«lu fron the meaivrefTKiu vwc at fbitowt:Z a(M09 055*3 +/- 00006 0LJ4S5 0.0W7 MHO 丄 omoA<ai0.5lai y'IbcmkalFir. JL 7*打 iJkrwiaf rM/ntrf/Wrym fath/alAr 如 25 lowr pr <wtJWHotDk美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)學(xué)院(NIST)Why Hot Disk: Best Choice of Customers英國(guó)國(guó)家物理實(shí)驗(yàn)室(NPL)美國(guó)橡樹(shù)嶺國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(Ozk Ridge)法國(guó)國(guó)家物理實(shí)驗(yàn)室日本國(guó)家高等工業(yè)技術(shù)科學(xué)院美國(guó)Intel公司德國(guó)Bayer, BASF公司美國(guó)Dow Corn ing公司Hotpk國(guó)內(nèi)主要客戶(hù)清華大學(xué) 西安交通大學(xué) 中國(guó)科技大學(xué) 西北工業(yè)大學(xué) 東莞優(yōu)邦 中科院大連化物所 陜西華興航空機(jī)輪剎車(chē)系統(tǒng)有限責(zé)任公司 福建華清電子材料科技有限公司 美國(guó)Dow Corning （上海）公司 北